KR20130102210A

KR20130102210A - 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법

Info

Publication number: KR20130102210A
Application number: KR1020120023264A
Authority: KR
Inventors: 천주영; 손유리
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 2012-03-07
Filing date: 2012-03-07
Publication date: 2013-09-17
Also published as: US20150060764A1; US20130234107A1; US9202969B2; US8932943B2; KR101903361B1

Abstract

본 발명은 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법에 관한 것으로, n형 반도체층을 형성하는 단계; 상기 n형 반도체층 위에 활성층을 형성하는 단계; 상기 활성층 위에 p형 불순물로 도핑되고, 서로 다른 에너지 밴드 갭을 갖는 적어도 2종의 InxAlyGa(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1) 질화물층을 교대로 적층하여 초격자층을 형성하는 단계; 및 상기 초격자층 위에 p형 반도체층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 초격자층을 형성하는 단계는 상기 초격자층을 p형 불순물로 도핑할 때 상기 초격자층의 성장 개시부에서의 p형 불순물 소스 가스의 공급 유량에 비하여 상기 초격자층의 성장 종료부에서의 p형 불순물 소스 가스의 공급 유량을 1/2이하로 감소시켜 도핑한다.

Description

질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법 {NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}

본 발명은 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.

반도체 발광소자는 화합물 반도체의 특성을 이용해 전기 신호를 적외선, 가시광선 또는 빛의 형태로 변환시켜 신호를 보내고 받는 데 사용되는 소자이다. 이러한 반도체 발광소자는 필라멘트에 기초한 발광소자에 비해 긴 수명, 낮은 전원, 우수한 초기 구동 특성, 높은 진동 저항 등의 여러 장점을 갖기 때문에 그 수요가 지속적으로 증가하고 있다. 특히, 최근에는, 청색 계열 단파장 영역의 빛을 발광할 수 있는 III족 질화물 반도체가 각광을 받고 있다.

이러한 III족 질화물 반도체는 n형 및 p형 질화물 반도체층 사이에 위치한 다중양자우물 구조의 활성층을 포함하며, 상기 활성층에서 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 발생시킨다.

이러한 질화물 반도체의 발광효율은 활성층 내에서의 전자와 정공의 재결합확률, 즉 내부양자효율에 의해 결정된다. 따라서 내부양자효율을 높여 질화물 반도체의 발광효율을 높이려는 노력이 계속되었다. 내부양자효율의 개선방안으로서 예를 들면, 활성층의 구조를 개선하거나, 캐리어의 유효량을 증가시키는 방법이 연구되고 있다. 그 중 하나의 방법으로, 발광소자 내에 초격자(superlattice)층을 형성하는 방법이 개발되었다.

따라서 발광소자 제조 시 발광효율을 높일 수 있는 발광소자 제조방법이 요구되고 있다.

본 발명의 일측면은 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법에 관한 것으로, n형 반도체층을 형성하는 단계; 상기 n형 반도체층 위에 활성층을 형성하는 단계;상기 활성층 위에 p형 불순물로 도핑되고, 서로 다른 에너지 밴드 갭을 갖는 적어도 2종의 InxAlyGa(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1) 질화물층을 교대로 적층하여 초격자층을 형성하는 단계; 및 상기 초격자층 위에 p형 반도체층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 초격자층을 형성하는 단계는 상기 초격자층을 p형 불순물로 도핑할 때 상기 초격자층의 성장 개시부에서의 p형 불순물 소스 가스의 공급 유량에 비하여 상기 초격자층의 성장 종료부에서의 p형 불순물 소스 가스의 공급 유량을 1/2이하로 감소시켜 도핑한다.

상기 p형 불순물은 마그네슘을 포함할 수 있다.

상기 p형 불순물 소스 가스는 Cp₂Mg 을 포함할 수 있다.

상기 초격자층은 1×10¹⁹/cm³ 이상 1×10²⁰/cm³이하의 도핑 농도를 갖을 수는 질화있다.

상기 초격자층을 형성하는 단계는, 상기 초격자층의 원하는 두께의 1/2이 되면 p형 불순물 소스 가스의 공급 유량을 1/2이하로 감소시킬 수 있다.

상기 초격자층을 형성하는 단계는 InxAlyGa(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1) 질화물층을 3주기 내지 100주기로 교대로 적층하여 상기 초격자층을 형성할 수 있다.

상기 초격자층은 다수개의 AlGaN/GaN/InGaN을 교대로 적층하여 이루어질 수 있다.

본 발명의 다른 측면은 질화물 반도체 발광소자에 관한 것으로 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층을 포함하는 질화물 반도체 발광소자에 있어서, 상기 활성층 및 상기 p형 반도체층 사이에 형성되고, 서로 다른 에너지 밴드 갭을 갖는 다수개의 InxAlyGa(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1) 질화물층이 교대로 적층된 초격자층을 포함하고, 상기 초격차층은 p형 불순물로 도핑되어 있으며, p형 불순물의 도핑 농도가 1×10¹⁹/cm³ 이상 1×10²⁰/cm³이하이다.

상기 p형 불순물은 마그네슘을 포함할 수 있다.

상기 초격자층은 InxAlyGa(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1) 질화물층이 3주기 내지 100주기로 교대로 적층되어 형성될 수 있다.

상기 초격자층은 다수개의 AlGaN/GaN/InGaN이 교대로 적층되어 이루어질진 질화수 있다.

본 발명에 의하면 발광 효율이 향상된 질화물 반도체 발광소자를 제조할 수 있다.

도 1 은 본 발명의 실시예에 따른 질화물 반도체 발광소자의 적층 구조를 개략적으로 도시한 측단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법을 도시한 흐름도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 의한 제2초격자층을 도시한 단면도 및 제2초격자층을 형성하기 위한 p형 불순물인 마그네슘 소스 가스의 공급유량과 그에 따른 마그네슘 도핑 농도를 나타낸 그래프이다.
도 4는 Cp₂Mg의 공급유량에 따른 동작 전압을 나타낸 그래프이다.
도 5는 Cp₂Mg의 공급유량에 따른 광방출량을 나타낸 그래프이다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시형태들을 설명한다.

그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 당해 기술분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다.

도 1 은 본 발명의 실시예에 따른 질화물 반도체 발광소자(100)의 적층 구조를 개략적으로 도시한 측단면도이고, 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 질화물 반도체 발광소자(100)의 제조 방법을 도시한 흐름도이다.

도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 질화물 반도체 발광소자(100)는 기판(110), 언도프 반도체층(120), n형 반도체층(130), 제1초격자층(140), 활성층(150), 제2초격자층(160), p형 반도체층(170), 투명전극층(180), n형 전극(190) 및 p형 전극(200)을 포함하여 구성된다.

상기 기판(110)은 질화물 반도체 발광소자를 제작하기 위한 웨이퍼를 지칭하는 것으로, 주로 사파이어(Al₂O₃) 또는 실리콘카바이드(SiC)일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 질화물 반도체층을 성장시키기에 적합한 이종기판, 예컨대 실리콘(Si), 갈륨비소(GaAs), 스피넬 등의 이종기판 또는 GaN와 같은 동종기판일 수 있다.

상기 기판(110) 상에 언도프 반도체층(u-GaN층으로 형성될 수 있음)(120)이 형성된다(S100). 가령 약 700℃ 정도의 성장온도에서 NH₃와 트리메탈갈륨(TMGa)을 공급하여 형성 가능하다. 이 경우, 언도프라 함은 반도체층에 의도적인 불순물 도핑 공정을 하지 않은 상태를 의미하며, 반도체층에 불가피하게 존재하는 수준의 불순물 농도, 예컨대, 질화갈륨 반도체를 MOCVD를 이용하여 성장시킬 경우, 도펀트로 사용되는 Si 등이 의도하지 않더라도 약 10¹⁴~ 10¹⁸/㎤인 수준으로 포함될 수 있다.

상기 언도프 반도체층(120) 상에 n형 반도체층(130)이 형성된다.

상기 n형 반도체층(130)은 실리콘 도핑된 n-GaN층으로 형성될 수 있으며, 가령, NH₃, TMGa 및 Si와 같은 n형 도펀트를 포함한 사일렌(SiH₄) 가스를 공급하여 성장시킨다(S110).

본 실시예에서는 상기 n형 반도체층(130) 위로 제1초격자층(140)이 형성되는데, 서로 다른 에너지 밴드 갭을 갖는 물질이 교대로 다수회 반복 적층되어 이루어진다(S120). 이때 서로 다른 에너지 밴드 갭을 갖는 초격자층은 In_xAl_yGa_(1-x-y)N(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)을 갖는 반도체 물질로 이루어져 있으며, n형 불순물로 도핑된 반도체층일 수 있다. 제1초격자층(140)은 서로 다른 밴드 갭을 가지는 초격자층들에 에너지 밴드가 급격히 변화하는 에너지 밴드의 불연속성에 의해 그 계면에서 이차원 전자가스층을 형성하게 되어 전압 인가 시에 상기 이차원 전자가스층을 통해 n+-p+접합으로 터널링 현상이 발생되어 n형 반도체층(130)에 클래딩 효과를 향상시키고, 높은 캐리어 이동도를 확보하여 전류확산 효과를 향상시킬 수 있다(도면에는 다수개의 세선으로 표시됨).

여기서 초격자 구조에 대하여 좀 더 자세히 살펴보면, 질화물층 같이 특성이 차별화된 다수개의 물질층이 극히 얇은 두께를 이루어 교대로 적층된 구조를 지칭하는데, 초격자의 주기가 물질 고유의 전자 파장 이하로 되면 양자 사이즈 효과(Quantum Size Effect)에 의하여, 혼성결정 반도체(결정구조의 구성 물질이 혼합되어 이루어진 반도체)와는 다른 전기적/광학적 특성을 나타낸다.

상기 제1초격자층(140)상에 활성층(150)이 형성된다(S130).

상기 활성층(150)은 In_xGa₁ _-xN(0＜x＜1)으로 이루어진 양자 우물층과 GaN인 양자 장벽층을 갖는 단일양자우물 또는 다중양자우물 구조로 형성될 수 있다.

이때, 활성층(150)의 특성상, 불순물은 도핑되지 않는 것이 바람직하며, 구성물질의 몰비를 조절하여 발광하는 빛의 파장을 조절할 수도 있다. 따라서, 질화물반도체 발광소자는 활성층(150)의 특성에 따라 적외선, 가시광선, 및 자외선 중 어느 하나의 빛을 발광할 수 있다.

상기 활성층(150) 위로는 제2초격자층(160)이 형성되는데(S140), 상기 제2초격자층(160)은 서로 다른 에너지 밴드 갭을 갖는 물질이 교대로 다수회 반복 적층되어 이루어진다. 이때 서로 다른 에너지 밴드 갭을 갖는 초격자층은 In_xAl_yGa_(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)을 갖는 반도체 물질로 이루어져 있으며, p형 불순물로 일부 또는 전체 층이 도핑된 반도체층일 수 있다.

또한 본 발명의 실시예에 따른 제2초격자층(160)은 AlGaN/GaN/InGaN층을 한 주기로 하는 3주기 내지 100주기의 초격자 구조(Super Lattice Structure)로 이루어질 수 있다.

본 발명의 실시예에서는 초격자층이 서로 다른 에너지 밴드 갭을 갖는 물질이 교대로 다수회 반복 적층된 것을 설명하였고, 2개의 층 및 3개 이상의 층이 교호하여 적층될 수 있음은 본 발명에 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명할 것이다.

이와 같은 제2초격자층(160)은 전자가 활성층 안으로 확산되는 것을 막아주는 블록킹층(blocking layer)의 기능을 수행하며, 전류확산을 높일 수 있다. 또한 서로 다른 에너지 밴드 갭을 가지는 초격자층들에 급격히 변화하는 에너지 밴드의 불연속성에 의해 정공에 대한 커패시턴스 역할로 인하여 발광효율을 증가시키고 소자의 ESD 내성을 강화시킬 수 있다.

상기 제2초격자층(160)은 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition) 기술, MBE(Molecular Beam Epitaxy) 기술 등과 같은 박막 결정성장 기술에 의하여 형성 가능하다.

이와 같은 제2초격자층(160)은 마그네슘과 같은 p형 불순물로 도핑된다. 이때 AlGaN층은 에너지 밴드 갭이 크기 때문에 마그네슘을 1×10¹⁹/cm³이상의 농도로 도핑할 필요가 있다. 이때 Cp₂Mg와 같은 마그네슘 소스 가스를 반응기 내로 공급하여 마그네슘을 도핑하는데, 마그네슘을 도핑할 때 타임디레이(delay)가 있기 때문에 동일한 조건으로 초격자층을 형성하여도 성장 개시부와 성장 종료부에서 마그네슘의 도핑 농도가 크게 다르게 된다. 따라서 성장 개시부에서 형성되는 층의 마그네슘 도핑 농도를 1×10¹⁹/cm³이상으로 하기 위한 마그네슘 공급 유량으로 마그네슘 소스 가스를 지속적으로 반응기 내에 공급하면, 성장 종료부에서 마그네슘의 도핑 농도가 높아지게 된다. 이때 마그네슘의 농도가 지나치게 높아지면 저항값이 높아져서 동작 전압(Vf)이 높아지는 문제점이 있다.

즉 초격자층의 마그네슘 도핑 농도가 1×10²⁰/cm³이상이면 저항값이 높아져서 동작 전압(Vf)이 높아지는 문제점이 있기 때문에, 1×10¹⁹/cm³이상 1×10²⁰/cm³이하의 농도로 도핑되는 것이 바람직하다.

특히 본 발명의 실시예에서는 다층막으로 적층된 초격자층(160)을 형성할 때 p형 불순물로 마그네슘을 도핑하는데, 이때 마그네슘 소스 가스인 Cp₂Mg의 공급유량을 초격자층의 성장 개시부와 성장 종료부에서 서로 다르게 한다. 즉 성장 개시부에서의 Cp₂Mg의 공급유량에 비하여 성장 종료부에서의 Cp₂Mg의 공급 유량을 절반 이하로 감소시켜 초격자층(160)을 형성한다. 즉 성장 개시부인 초격자층(160)의 중간층까지는 Cp₂Mg의 공급 유량을 일정하게 유지하다가 성장 종료부인 초격자층(160)의 중간층 이상에서는 Cp₂Mg의 공급 유량을 초기 Cp₂Mg의 공급 유량의 절반으로 감소시킨다. 이와 같이 Cp₂Mg의 공급 유량을 감소시켜 초격자층(160)을 형성하면 초격자층(160)의 마그네슘 도핑 농도가 성장 종료부에서 크게 높아지지 않고 일정수준 이하로 유지되어 동작 전압(Vf)이 높아지지 않게 된다.

이어서, 상기 제2초격자층(160)의 위로 p형 반도체층(170)이 형성되고(S150), p형 반도체층(170) 위로는 투명전극층(190)이 형성되는데, 상기 투명전극층(190) 은 ITO, ZnO, RuOx, TiOx, IrOx과 같은 재질으로 구비될 수도 있다(S160).

이와 같이 기판(110)부터 전극접촉층(190)까지 성장시킨 후, 표면으로부터 건식 에칭을 실행하여, n형 반도체층(130)의 일부를 노출시킨다.

에칭 공정이 진행된 후, 노출된 n형 반도체층(130) 위로 티탄(Ti) 등으로 이루어진 n측 전극이 증착되고, 투명전극층(190) 위로 니켈(Ni) 등으로 이루어진 p측 전극(200)이 증착된다(S170).

<실험1>

실험1에서는 제2초격자층의 성장 시 마그네슘 소스 가스인 Cp₂Mg의 유량을 변화시키고 그에 따른 동작 전압(Vf)과 광방출 효과를 측정하였다.

도 3은 본 발명의 실시예에 의한 제2초격자층을 도시한 단면도 및 제2초격자층을 형성하기 위한 p형 불순물인 마그네슘 소스 가스의 공급유량과 그에 따른 마그네슘 도핑 농도를 나타낸 그래프이다.

도 3에 도시된 바와 같이, 초격자층(160)을 형성할 때 성장 개시부에서는 Cp₂Mg의 공급유량을 309sccm으로 하고, 공급유량을 계속 일정하게 유지하다가 초격자층(160)의 두께가 형성하고자 하는 초격자층(160) 두께의 절반 정도가 되면 Cp₂Mg의 공급유량을 155sccm으로 하고 이후 계속 감소된 공급유량으로 유지하여 초격자층(160)을 형성한다.

이와 같이 Cp₂Mg의 공급유량을 변화시키면서 초격자층을 형성하고 그에 따른 마그네슘의 도핑 농도를 측정하면, Cp₂Mg의 공급유량이 309sccm일 때 성장 개시부에 위치하는 AlGaN(1601)에서의 마그네슘의 도핑 농도는 1.7×10¹⁹/cm²이고, 다음 주기의 AlGaN(1602)에서의 마그네슘의 도핑 농도는 4.7×10¹⁹/cm²이고, 다음 주기의 AlGaN(1603)에서의 마그네슘의 도핑 농도는 9×10¹⁹/cm²이다. 이때 Cp₂Mg의 공급유량을 절반으로 감소시킨다. 다음 주기의 AlGaN(1604)에서의 마그네슘의 도핑 농도는 6.7×10¹⁹/cm²이고, 다음 주기의 AlGaN(1605)에서의 마그네슘의 도핑 농도는 6×10¹⁹/cm²이다. 따라서 Cp₂Mg의 공급 유량을 절반으로 감소시키면 마그네슘의 도핑 농도가 초격자층의 성장 개시부에 비하여 성장 종료부에서 크게 증가하지 않으며 1×10²⁰/cm³이하로 유지될 수 있다. 따라서 마그네슘 도핑 농도가 일정하게 유지되어 동작 전압(Vf)이 높아지지 않게 된다.

도 4는 Cp₂Mg의 공급유량에 따른 동작 전압(Vf)을 나타낸 그래프이고, 도 5는 Cp₂Mg의 공급유량에 따른 광방출량(Po)을 나타낸 그래프이며, 표 1은 Cp₂Mg의 공급유량에 따른 동작 전압(Vf)과 광방출량(Po)을 나타낸 표이다.

Cp₂Mg(sccm)	Vf(V)	Po(mW)
309.4	2.95	37.3
232	2.94	37.9
155	2.93	38.0
371	2.95	37.5
402	2.97	36.5

도 4에서 볼 수 있는 바와 같이, Cp₂Mg의 공급유량을 감소시키면 동작 전압(Vf)이 감소한다. 이에 비하여 도 5에 도시된 바와 같이 Cp2Mg의 공급유량을 감소시켜도 마그네슘의 도핑 농도가 일정하게 유지되기 때문에 광방출량(Po)이 일정하게 유지되거나 오히려 증가하는 것을 알 수 있다.

따라서 p형 불순물로 마그네슘을 이용하여 초격자층을 형성할 때 성장 개시부에서의 Cp₂Mg 공급유량에 비하여 성장 종료부에서의 Cp₂Mg의 공급유량을 1/2 이하로 감소시켜 초격자층을 형성하면 동작 전압(Vf)은 감소시킬 수 있으면서도 광방출량(Po)은 일정하게 유지되거나 증가하여 발광 효율이 향상된 발광소자를 제조할 수 있다.

본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정된다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 자명할 것이며, 이 또한 첨부된 청구범위에 기재된 기술적 사상에 속한다 할 것이다.

110: 기판 120: 언도프 반도체층
130: n형 반도체층 140: 제1초격자층
150: 활성층 160: 제2초격자층
170: p형 반도체층 180: 투명전극층
190: n형 전극 200: p형 전극

Claims

n형 반도체층을 형성하는 단계;
상기 n형 반도체층 위에 활성층을 형성하는 단계;
상기 활성층 위에 p형 불순물로 도핑되고, 서로 다른 에너지 밴드 갭을 갖는 적어도 2종의 InxAlyGa(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1) 질화물층을 교대로 적층하여 초격자층을 형성하는 단계; 및
상기 초격자층 위에 p형 반도체층을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 초격자층을 형성하는 단계는 상기 초격자층을 p형 불순물로 도핑할 때 상기 초격자층의 성장 개시부에서의 p형 불순물 소스 가스의 공급 유량에 비하여 상기 초격자층의 성장 종료부에서의 p형 불순물 소스 가스의 공급 유량을 1/2이하로 감소시켜 도핑하는 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법.
제1항에 있어서,
상기 p형 불순물은 마그네슘을 포함하는 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법.
제1항에 있어서,
상기 p형 불순물 소스 가스는 Cp₂Mg 을 포함하는 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법.
제1항에 있어서,
상기 초격자층은 1×10¹⁹/cm³ 이상 1×10²⁰/cm³이하의 도핑 농도를 갖는 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법.
제1항에 있어서,
상기 초격자층을 형성하는 단계는, 상기 초격자층의 원하는 두께의 1/2이 되면 p형 불순물 소스 가스의 공급 유량을 1/2이하로 감소시키는 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법.
제1항에 있어서,
상기 초격자층을 형성하는 단계는 InxAlyGa(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1) 질화물층을 3주기 내지 100주기로 교대로 적층하여 상기 초격자층을 형성하는 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법.
제1항에 있어서,
상기 초격자층은 다수개의 AlGaN/GaN/InGaN을 교대로 적층하여 이루어진 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법.
n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층을 포함하는 질화물 반도체 발광소자에 있어서,
상기 활성층 및 상기 p형 반도체층 사이에 형성되고, 서로 다른 에너지 밴드 갭을 갖는 다수개의 InxAlyGa(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1) 질화물층이 교대로 적층된 초격자층을 포함하고,
상기 초격차층은 p형 불순물로 도핑되어 있으며, p형 불순물의 도핑 농도가 1×10¹⁹/cm³이상 1×10²⁰/cm³이하인 질화물 반도체 발광소자.
제8항에 있어서,
상기 p형 불순물은 마그네슘을 포함하는 질화물 반도체 발광소자.
제8항에 있어서,
상기 초격자층은 InxAlyGa(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1) 질화물층이 3주기 내지 100주기로 교대로 적층되어 형성된 질화물 반도체 발광소자.
제8항에 있어서,
상기 초격자층은 다수개의 AlGaN/GaN/InGaN이 교대로 적층되어 이루어진 질화물 반도체 발광소자.