KR100785374B1 - 발광 다이오드 및 이의 제조 방법 - Google Patents
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- 기판;상기 기판 상에 형성된 n형 반도체층;상기 n형 반도체층 상에 형성된 활성층;상기 활성층 상에 형성된 p형 반도체층;상기 p형 반도체층 상에 형성된 p 전극; 및소정 영역 노출된 n형 반도체층 상에 형성된 n 전극을 포함하며,상기 n형 반도체층 및 p형 반도체층 중 적어도 어느 하나는 언도프 반도체층과 도핑된 반도체층이 교대로 적층된 초격자 구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
- 제1항에 있어서,상기 활성층은 적어도 하나의 웰층과 적어도 하나의 배리어층이 교대로 적층된 양자 우물 구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 n형 반도체층 및 p형 반도체층은 질화 갈륨계 반도체층을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
- 제3항에 있어서,상기 언도프 반도체층은 질화 갈륨(GaN)을 포함하며, 상기 도핑된 반도체층은 질화 실리콘(SixNy) 또는 질화 마그네슘(MguNv)을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 기판과 상기 n형 반도체층 사이에 형성된 버퍼층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
- 기판 상에 n형 반도체층을 형성하는 단계;상기 n형 반도체층 상에 활성층을 형성하는 단계; 및상기 활성층 상에 p형 반도체층을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 n형 반도체층을 형성하는 단계 및 p형 반도체층을 형성하는 단계 중 적어도 어느 한 단계는,언도프 반도체층과 도핑된 반도체층을 교대로 적층하여 초격자 구조를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조 방법.
- 제6항에 있어서,상기 초격자 구조를 형성하는 단계는,질소(N)를 포함하는 제1 소스, 갈륨(Ga)을 포함하는 제2 소스를 반응시켜, 언도프 반도체층을 형성하는 단계; 및상기 제2 소스의 공급을 중단하고, n형 도펀트를 포함하는 제3 소스 또는 p형 도펀트를 포함하는 제4 소스를 공급하여, 공급된 제3 소스 또는 제4 소스와 제1 소스를 반응시켜 도핑된 반도체층을 형성하는 단계; 및상기 언도프 반도체층을 형성하는 단계와 도핑된 반도체층을 형성하는 단계를 소정 주기 동안 반복 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조 방법.
- 제7항에 있어서,상기 제1 소스는 암모니아(NH3)를 포함하며, 상기 제2 소스는 트리메틸갈륨(TMGa) 또는 트리에틸갈륨(TEGa)을 포함하며, 상기 제3 소스는 실란(SiH4)을 포함하며, 상기 제4 소스는 Cp2Mg(Biscyclopentadienyl-magnesium)를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조 방법.
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