KR20130129683A - 그레이드 초격자 구조의 전자 차단층을 갖는 반도체 발광 소자 - Google Patents

그레이드 초격자 구조의 전자 차단층을 갖는 반도체 발광 소자 Download PDF

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KR20130129683A
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Abstract

그레이드 초격자 구조의 전자 차단층을 갖는 반도체 발광 소자가 개시된다. 이 반도체 발광 소자는, n형 반도체층, p형 반도체층, n형 반도체층과 p형 반도체층 사이에 위치하는 활성층, 및 활성층과 p형 반도체층 사이에 위치하는 전자 차단층을 포함한다. 이 전자 차단층은 복수의 제1 차단층과 복수의 제2 차단층이 서로 교대로 적층된 초격자 구조를 갖고, 제2 차단층 각각은 그것에 인접한 제1 차단층에 비해 상대적으로 좁은 밴드갭을 갖는다. 또한, 복수의 제1 차단층은 활성층에 가까울수록 더 넓은 밴드갭을 갖고, 서로 p형 불순물 도핑 농도를 달리하여 형성된다. 이에 따라, 전자를 효과적으로 차단함과 아울러 정공 주입 효율을 개선할 수 있는 반도체 발광 소자를 제공할 수 있다.

Description

그레이드 초격자 구조의 전자 차단층을 갖는 반도체 발광 소자{SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE HAVING GRADED SUPERLATTICE ELECTRON BLOCKING LAYER}
본 발명은 질화물 반도체를 이용한 발광소자에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 그레이드 초격자 구조의 전자 차단층을 갖는 반도체 발광 소자에 관한 것이다.
GaN, AlN, InN 등과 같은 질화물 반도체는 직접 천이형의 에너지 밴드 구조를 가지며, Al, In 및 Ga의 조합을 통해 1.9eV(InN)에서 6.2eV(AlN)까지의 에너지 밴드갭을 조절할 수 있어서, 가시광 영역에서부터 자외선 영역까지 넓은 파장 영역을 갖는 발광 소자에 사용된다. 특히, 질화물계 반도체는 풀컬러 디스플레이, 교통 신호등, 일반조명 및 광통신 기기의 광원으로 자외선, 청/녹색 발광 소자(light emitting diode) 또는 레이저 다이오드(laser diode)에 널리 이용되고 있다.
이러한 질화물계 발광 소자는 n형 및 p형 질화물 반도체층 사이에 위치한 다중양자우물 구조의 활성층을 포함하며, 상기 활성층 내의 양자우물층에서 전자와 정공이 재결합하는 원리로 빛을 생성한다.
도 1은 종래의 반도체 발광 소자를 설명하기 위한 단면도이고, 도 2는 도 1의 발광 소자의 개략적인 밴드 다이어그램을 나타낸다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 상기 발광 소자는 기판(11), n형 반도체층(15), 활성층(17), 스페이서층(19), 전자 차단층(21), p형 반도체층(23), 투명전극(25), n-전극(27) 및 p-전극(29)을 포함한다.
이러한 종래의 발광 소자는 n형 반도체층(15)과 p형 반도체층(23) 사이에 다중양자우물 구조의 활성층(17)을 포함하여 발광 효율을 개선하고 있으며, 다중양자우물 구조 내의 InGaN 우물층의 In 함량을 조절하여 원하는 파장의 광을 방출할 수 있다. 또한, 전자 차단층(21)이 p형 반도체층(23)과 활성층(17) 사이에 위치하여 전자를 차단함으로써 발광 재결합율을 향상시킨다. 한편, 스페이서층(19)이 활성층(17) 상에 형성되어 전자 차단층(21) 형성을 위한 버퍼층으로서 사용된다. 또한, p형 반도체층(23) 상에 ITO와 같은 투명전극(25)이 형성되어 전류가 p형 반도체층(23) 내에 균일하게 분산되도록 하고 있다.
이 발광 소자에 전류가 인가되면, n형 반도체층(15)과 p형 반도체층(23)으로부터 각각 전자와 정공이 제공되고, 전자와 정공이 활성층(17)에서 재결합되어 빛이 나오게 된다. 이때, 상기 전자 차단층(21)은 전자의 오버플로우를 막기 위하여 p형 반도체층(23)보다 에너지 밴드갭이 큰 물질로 형성되며, 일반적으로 AlGaN으로 형성된다.
전자차단층(21)의 밴드갭을 증가시키기 위해 Al 분율을 높일 수 있으며, 이에 따라 활성층(17)으로부터 누설되는 전자를 효과적으로 차단할 수 있을 것으로 예상할 수 있다. 그러나 AlGaN 전자차단층(21)의 Al 분율이 높아지면 다음과 같은 문제점이 발생한다: (1) 활성층(17) 쪽에 이웃하는 스페이서층(19)과 AlGaN 전자 차단층(21)의 격자상수 차이가 커져서 압전 분극이 증가한다. 압전 분극 증가는 전자 차단층의 포텐셜 장벽을 낮추기 때문에 전자 차단 효과의 약화를 초래한다. (2) AlGaN 전자 차단층(21)과 p형 반도체층(23)의 격자 상수 차이가 커져 결정 품질이 양호한 p형 반도체층(23)을 얻기 어렵다. (3) AlGaN층의 Al 분율이 증가할수록 p형 도펀트의 이온화 에너지가 높아지기 때문에, 전자 차단층(21)에서 높은 정공 농도를 얻기 어려워진다.
결과적으로, AlGaN 전자 차단층(21)의 Al 분율 증가가 예상과 달리 전자의 오버플로우를 막는데 효과적이지 못하며, 오히려 정공의 활성층(17) 내 주입 효율을 감소시켜 활성층(17) 내 발광 재결합율을 떨어뜨리며, 나아가, 고전류 동작 조건에서 내부양자효율의 감소, 즉, 효율 드룹(efficiency droop)의 원인이 된다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 전자의 오버플로우를 방지함과 아울러 활성층 내에 주입되는 정공의 농도를 증가시켜 발광효율의 향상과 더불어 효율 드룹을 감소시킬 수 있는 반도체 발광 소자를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는, 전자 차단층을 채택하면서 양호한 결정 품질의 p형 반도체층을 갖는 반도체 발광 소자를 제공하는 것이다.
본 발명의 실시예들에 따른 반도체 발광 소자는, n형 반도체층; p형 반도체층; 상기 n형 반도체층과 상기 p형 반도체층 사이에 위치하는 활성층; 및 상기 활성층과 상기 p형 반도체층 사이에 위치하는 전자 차단층을 포함한다. 나아가, 상기 전자 차단층은 복수의 제1 차단층과 복수의 제2 차단층이 서로 교대로 적층된 초격자 구조를 갖고, 상기 제2 차단층 각각은 그것에 인접한 제1 차단층에 비해 상대적으로 좁은 밴드갭을 가지며, 상기 복수의 제1 차단층은 상기 활성층에 가까울수록 더 넓은 밴드갭을 갖고, 서로 p형 불순물 도핑 농도를 달리하여 형성된다.
상기 복수의 제1 차단층은 상기 활성층에 가까울수록 더 높은 p형 불순물 도핑 농도를 가질 수 있다. 또한, 상기 복수의 제2 차단층은 p형 불순물이 도핑될 수 있다.
또한, 상기 제2 차단층은 상기 p형 반도체층과 동일하거나 또는 그보다 좁은 밴드갭을 가질 수 있다.
한편, 상기 반도체 발광 소자는 상기 전자 차단층과 상기 활성층 사이에 위치하는 스페이서층, 예컨대 언도프트 반도체층을 더 포함할 수 있다. 상기 언도프트 반도체층은 예를 들어 GaN로 형성될 수 있다.
몇몇 실시예들에 있어서, 상기 반도체 발광 소자는, 기판 및 상기 기판과 상기 n형 반도체층 사이에 위치하는 언도프트 반도체층을 더 포함할 수 있다. 나아가, 상기 반도체 발광 소자는 n형 전극 및 p형 전극을 더 포함할 수 있으며, 상기 기판은 절연성 기판이고, 상기 n형 전극은 상기 p형 반도체층, 전자 차단층 및 활성층의 일부 영역이 제거되어 노출된 n형 반도체층 상에 형성되고, 상기 p형 전극은 상기 p형 반도체층 상에 형성될 수 있다.
다른 실시예들에 있어서, 상기 반도체 발광 소자는, 상기 p형 반도체층 측에 위치하는 도전성 기판; 및 상기 n형 반도체층 상에 형성된 n형 전극을 더 포함할 수 있다.
한편, 상기 복수의 제1 차단층은 AlxGayIn1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1)의 조성식을 갖고, 상기 복수의 제2 차단층은 AlxGayIn1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1)의 조성식을 가질 수 있다. 예컨대, 상기 복수의 제1 차단층은 AlGaN으로 형성되고, 복수의 제2 차단층은 GaN 또는 InGaN으로 형성될 수 있다. 나아가, 상기 복수의 제1 차단층은 활성층에 가까울수록 Al의 조성비 x가 더 크며, 이에 따라 활성층에 가까울수록 넓은 밴드갭을 갖는다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 복수의 제1 차단층이 활성층에 가까울수록 더 넓은 밴드갭을 가지므로, 전자의 오버플로우를 효과적으로 차단하면서 정공의 주입 효율 감소를 방지할 수 있다. 또한, 복수의 제1 차단층과 제2 차단층을 채택함으로써 전자 차단층 내의 정공 농도를 증가시킬 수 있으며, 나아가 복수의 제1 차단층의 불순물 도핑 농도를 달리함으로써 제1 차단층들 내의 페르미 에너지 레벨의 위치를 조절하여 제1 차단층들 내의 정공 농도를 조절할 수 있다. 이에 따라, 전자 차단층으로부터 활성층으로 주입되는 정공 농도를 증가시킬 수 있어 반도체 발광 소자의 발광 효율을 증가시키고 나아가 효율 드룹을 감소시킬 수 있다. 또한, 초격자 구조를 채택함으로써 격자 부정합에 기인한 스트레인을 완화할 수 있으며, 전자 차단층과 p형 반도체층 사이의 격자 부정합을 완화하여 결정 품질이 양호한 p형 반도체층을 얻을 수 있다.
도 1은 종래의 반도체 발광 소자를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 2는 도 1의 반도체 발광 소자의 개략적인 밴드 다이어그램을 나타낸다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 발광 소자를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 4는 도 3의 전자 차단층(61)을 확대 도시한 단면도이다.
도 5는 도 3의 반도체 발광 소자의 개략적인 밴드 다이어그램을 나타낸다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 수직 구조의 반도체 발광 소자를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 다음에 소개되는 실시예는 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수 있다. 그리고, 도면에 있어서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 발광 소자를 설명하기 위한 단면도이고, 도 4는 도 3의 전자 차단층(61)의 확대 단면도이며, 도 5는 도 3의 반도체 발광 소자의 개략적인 밴드 다이어그램을 나타낸다.
도 3 내지 도 5를 참조하면, 상기 발광 소자는 n형 반도체층(55), 활성층(57), 전자 차단층(61) 및 p형 반도체층(63)을 포함한다. 또한, 상기 발광 소자는 기판(51) 및 버퍼층(53)을 포함할 수 있으며, 또한, 스페이서층(59), 투명전극(65), n-전극(67) 및 p-전극(69)을 포함할 수 있다.
상기 기판(51)은 질화갈륨계 반도체층을 성장시키기 위한 기판으로, 사파이어 기판, SiC 기판, Si 기판, 스피넬 기판, GaN 기판 등 특별히 제한되지 않으며, 예컨대 패터닝된 사파이어 기판(PSS)일 수 있다.
상기 버퍼층(53)은 기판(51)과 n형 반도체층(55) 사이에서 전위와 같은 결함발생을 완화하기 위한 층으로, 상대적으로 고온에서 성장된다. 상기 버퍼층(53)과 상기 기판(51) 사이에 핵층(도시하지 않음)이 위치할 수 있다. 이 핵층은 기판(51) 상에 버퍼층(53)을 성장시키기 위해 400~600℃의 저온에서 약 25nm의 두께로 (Al, Ga)N로 형성될 수 있으며, 바람직하게는 GaN 또는 AlN로 형성된다.
상기 n형 반도체층(55)은 Si 또는 Ge 등 n형 불순물이 도핑된 질화갈륨계 반도체층, 예컨대 GaN층 또는 InGaN층으로 형성될 수 있다. 상기 n형 반도체층(55)은 단일층으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 다중층으로 형성될 수도 있다.
상기 활성층(57)은 장벽층과 양자우물층이 교대로 적층된 다중양자우물 구조를 가질 수 있다. 상기 양자우물층의 조성은 요구되는 광의 파장에 따라 선택되며, 일반적으로 InGaN으로 형성된다. InGaN 양자우물층 내의 In 조성비는 원하는 광 파장에 의해 결정된다. 상기 장벽층은 양자우물층에 비해 밴드갭이 넓은 질화갈륨계 반도체층, 예컨대, GaN, InGaN, AlGaN 또는 AlInGaN로 형성될 수 있다.
한편, p형 반도체층(63)은 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다. 예컨대, 상기 p형 반도체층(63)은 Mg이 도핑된 p형 GaN층을 포함할 수 있다.
상기 전자 차단층(61)은 상기 활성층(57)과 p형 반도체층(63) 사이에 위치하며, 상기 스페이서층(59)는 상기 활성층(57)과 상기 전자 차단층(61) 사이에 위치한다. 스페이서층(59)은 언도프트 반도체층으로 형성될 수 있으며, 예컨대 GaN로 형성될 수 있다. 스페이서층(59)은 활성층(57) 성장에 따른 결정 품질 감소를 회복하고, 상기 전자 차단층(61) 성장을 위한 버퍼층으로서 작용할 수 있다.
상기 전자 차단층(61)은, 도 4 및 도 5에 자세히 도시된 바와 같이, 복수의 제1 차단층(61a1~61an)과 복수의 제2 차단층(61b1~61bn)이 서로 교대로 적층된 초격자 구조를 갖는다. 또한, 상기 제1 차단층(61a1~61an)은, 도 5에 도시된 바와 같이, 활성층(57)에 가까울수록 더 넓은 밴드갭을 가지며, p형 반도체층(63)으로 갈수록 밴드갭이 순차 감소한다. 나아가, 상기 제1 차단층(61a1~61an)은 p형 불순물이 도핑된 p형 반도체층으로 형성될 수 있으며, 각각의 제1 차단층 내의 p형 불순물 도핑 농도는 서로 다르게 조절될 수 있다. 특히, 밴드갭이 넓은 제1 차단층이 밴드갭이 좁은 제1 차단층에 비해 더 높은 p형 불순물 도핑 농도를 가질 수 있다. 즉, 상기 제1 차단층(61a1~61an)은 활성층(57)에 가까울수록 더 높은 p형 불순물 도핑 농도를 가질 수 있다.
한편, 상기 제2 차단층(61b1~61bn) 각각은 그것에 인접한 제1 차단층(61a1~61an)에 비해 상대적으로 좁은 밴드갭을 갖는다. 예컨대, 제2 차단층(61b1)은 그것에 인접한 제1 차단층(61a1 및 61a2)에 비해 좁은 밴드갭을 가지며, 제2 차단층(61bn)은 제1 차단층(61an)에 비해 좁은 밴드갭을 갖는다. 나아가, 상기 제2 차단층(61b1~61bn)은 p형 반도체층(63)과 동일하거나 또는 그것보다 더 좁은 밴드갭을 가질 수 있다. 또한, 상기 제2 차단층(61b1~61bn)은 서로 동일한 밴드갭을 가질 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 서로 다른 밴드갭을 가질 수도 있다.
상기 제2 차단층(61b1~61bn)은 p형 불순물로 도핑될 수 있다. 상기 제2 차단층(61b1~61bn)에 도핑되는 p형 불순물 도핑 농도는 인접한 제1 차단층(61a1~61an)에 도핑되는 p형 불순물 도핑 농도보다 낮을 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 제1 차단층(61a1 및 61a2) 각각은 AlxGayIn1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1)의 조성식을 가질 수 있다. 특히, 상기 제1 차단층(61a1 및 61a2)은 AlxGayIn1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1)으로 형성되고, 활성층에 가까울수록 Al의 조성비 x가 더 크며, 이에 따라 활성층(57)에 가까울수록 더 넓은 밴드갭을 갖는다.
한편, 상기 제2 차단층(61b1~61bn) 각각은 AlxGayIn1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1)의 조성식을 가질 수 있다. 특히, 상기 제2 차단층(61b1~61bn)은 GaN 또는 InGaN 또는 AlxGayIn1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1)으로 형성될 수 있다. 상기 제2 차단층(61b1~61bn)이 InGaN으로 형성될 경우, p형 불순물의 이온화 에너지를 낮출 수 있어 정공 농도를 더욱 증가시킬 수 있다.
초격자 구조의 전자 차단층(61)을 채택함으로써, 초격자 도핑 현상을 통해 전자 차단층(61) 전체의 p-도핑 농도를 증가시킬 수 있다. 일반적으로 AlGaN 내의 Al 조성이 증가할수록 p형 도펀트의 이온화 에너지가 높아져 AlGaN에서 높은 정공 농도를 얻기가 어렵다. 그러나, p형 도펀트의 이온화 에너지가 낮은 제2 차단층(61b1~61bn)층을 포함함으로써, 전자 차단층(61)이 전체적으로 p형 반도체의 성질을 보이게 된다. 따라서, 전자 차단층(61)으로부터 활성층(57)으로의 정공 주입 효율이 증가하게 되어, 반도체 발광소자의 발광 효율이 증가하게 되며, 효율 드룹(efficiency droop) 현상이 감소한다.
또한, Al 조성과 p형 불순물 도핑 농도의 변화를 통해 전자를 효과적으로 차단하면서 정공 주입 효율을 증가시킬 수 있다. 즉, 활성층(57) 근처에 높은 Al 조성의 AlGaN층을 배치하여 전자의 오버플로우를 효과적으로 막을 수 있으며, 또한, p형 불순물 도핑 농도를 조절하여 페르미 에너지 레벨의 위치를 조절하고, 이에 따라, 정공 주입 효율의 저하를 막을 수 있다.
다시, 도 3을 참조하면, 상기 투명 전극(65)은 p형 반도체층(63) 상에 형성되어 p형 반도체층(63)에 오믹 콘택한다. 상기 투명 전극(65) 예컨대 Ni/Au와 같은 투명 금속 또는 인디움 틴 산화막(ITO)과 같은 투명 산화물로 형성될 수 있다.
한편, n-전극(67)은 p형 반도체층(63), 전자 차단층(61), 활성층(57) 등의 반도체층의 일부 영역이 제거되어 노출된 n형 반도체층(55) 상에 형성되며, 예컨대 Ti/Al로 형성될 수 있다. 한편, p-전극(69)은 상기 p형 반도체층(63) 상에 또는 상기 투명 전극(65) 상에 형성된다. 상기 n-전극(67) 및 p-전극(69)은 예컨대 리프트오프 공정으로 형성될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 수평형 구조의 발광 소자를 예로서 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 수직형 구조의 발광 소자에 적용될 수도 있다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 수직형 구조의 반도체 발광 소자를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 6을 참조하면, 본 실시예에 따른 반도체 발광 소자는, n형 반도체층(55), 활성층(57), 전자 차단층(61) 및 p형 반도체층(63)을 포함한다. 또한, 상기 발광 소자는 기판(71), 본딩 금속층(73))을 포함할 수 있으며, 또한, 스페이서층(59) 및 n-전극(77)을 포함한다.
상기 기판(71)은 화합물 반도체층들을 성장시키기 위한 성장기판(예컨대 도 3의 51)과 구분되며, 이미 성장된 화합물 반도체층들에 부착된 2차 기판이다. 상기 기판(71)은 금속 기판 또는 반도체 기판과 같은 도전성 기판일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 사파이어 기판과 같은 절연성 기판일 수도 있다.
상기 n형 반도체층(55), 활성층(57), 스페이서층(59), 전자 차단층(61) 및 p형 반도체층(63)은 도 3 내지 도 5를 참조하여 설명한 바와 같으므로 중복을 피하기 위해 상세한 설명은 생략한다. 상기 p형 반도체층(63)이 상기 n형 반도체층(55)에 비해 상기 기판(71)에 가깝게 배치된다.
상기 본딩 금속층(73)은 상기 p형 반도체층(63)과 기판(71) 사이에 위치하여 반도체층들과 기판(71)을 접합한다. 또한, 상기 본딩 금속층(73)과 p형 반도체층(63) 사이에 반사 금속층 및 장벽 금속층이 위치할 수 있다.
한편, n-전극(77)은 상기 기판(71)에 대향하여 상기 n형 반도체층(55) 상에 위치할 수 있으며, 상기 n형 반도체층(55)은 거칠어진 표면을 갖도록 텍스처링될 수 있다.
상기 기판(71)이 도전성 기판인 경우, 상기 기판(71)이 p-전극으로서 기능할 수 있으며, 또한 상기 기판(71) 하부에 전극이 형성될 수 있다. 상기 기판(71)이 절연성 기판인 경우, p-전극이 상기 기판(71) 상에 형성되어 상기 p형 반도체층(63)에 전기적으로 접속할 수 있으며, 또는 상기 기판(71) 하부에 형성되고 상기 기판(71)을 관통하여 상기 p형 반도체층(63)에 전기적으로 접속할 수 있다.
본 실시예에 따르면, p형 반도체층(63)이 기판(71)에 가깝게 배치되도록 반도체층들(53, 57, 59, 61, 63)이 뒤집어진 구조를 갖는 수직형 구조의 발광 소자가 제공된다.
11, 51, 71: 기판 53: 버퍼층 15, 55: n형 반도체층
17, 57: 활성층 19, 59: 스페이서층 21, 61: 전자 차단층
23, 63: p형 반도체층 25, 65: 투명 전극 27, 67, 77: n-전극
29, 69: p-전극 73: 본딩 금속층

Claims (12)

  1. n형 반도체층;
    p형 반도체층;
    상기 n형 반도체층과 상기 p형 반도체층 사이에 위치하는 활성층; 및
    상기 활성층과 상기 p형 반도체층 사이에 위치하는 전자 차단층을 포함하되,
    상기 전자 차단층은 복수의 제1 차단층과 복수의 제2 차단층이 서로 교대로 적층된 초격자 구조를 갖고,
    상기 제2 차단층 각각은 그것에 인접한 제1 차단층에 비해 상대적으로 좁은 밴드갭을 가지며,
    상기 복수의 제1 차단층은 상기 활성층에 가까울수록 더 넓은 밴드갭을 갖고, 서로 p형 불순물 도핑 농도를 달리하여 형성된 반도체 발광 소자.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 복수의 제1 차단층은 상기 활성층에 가까울수록 더 높은 p형 불순물 도핑 농도를 갖는 반도체 발광 소자.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 복수의 제2 차단층은 p형 불순물이 도핑된 반도체 발광 소자.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 제2 차단층은 상기 p형 반도체층과 동일하거나 또는 그보다 좁은 밴드갭을 갖는 반도체 발광소자.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 전자 차단층은 상기 p형 반도체층에 접하는 반도체 발광 소자.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 전자 차단층과 상기 활성층 사이에 위치하는 언도프트 반도체층을 더 포함하는 반도체 발광 소자.
  7. 청구항 1에 있어서,
    기판; 및
    상기 기판과 상기 n형 반도체층 사이에 위치하는 언도프트 반도체층을 더 포함하는 반도체 발광 소자.
  8. 청구항 7에 있어서,
    n형 전극 및 p형 전극을 더 포함하되,
    상기 기판은 절연성 기판이고,
    상기 n형 전극은 상기 p형 반도체층, 전자 차단층 및 활성층의 일부 영역이 제거되어 노출된 n형 반도체층 상에 형성되고,
    상기 p형 전극은 상기 p형 반도체층 상에 형성된 반도체 발광 소자.
  9. 청구항 1에 있어서,
    상기 p형 반도체층 측에 위치하는 도전성 기판; 및
    상기 n형 반도체층 상에 형성된 n형 전극을 더 포함하는 반도체 발광소자.
  10. 청구항 1 내지 청구항 9의 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수의 제1 차단층은 AlxGayIn1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1)의 조성식을 갖고, 상기 복수의 제2 차단층은 AlxGayIn1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 발광 소자.
  11. 청구항 10에 있어서,
    상기 복수의 제1 차단층은 활성층에 가까울수록 Al의 조성비 x가 더 큰 것을 특징으로 반도체 발광소자.
  12. 청구항 10에 있어서,
    상기 제2 차단층은 p형 반도체층인 반도체 발광 소자.
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