KR100755587B1 - 질화물 반도체 발광 소자 - Google Patents

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KR100755587B1
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박기태
유상덕
민경익
김학환
박희석
박길한
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삼성전기주식회사
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활성층에서의 응력과 스트레인 발생이 효과적으로 억제된 질화물 반도체 발광 소자를 제공한다. 본 발명에 따른 질화물 발광 소자는, 기판 상에 순차적으로 적층되어 있는 n형 클래드층, 정공 차단층, 활성층 및 p형 클래드층을 포함한다. 상기 정공 차단층은 서로 다른 에너지 밴드갭을 갖는 2개 이상의 층을 구비하고 상기 활성층쪽으로 갈수록 상기 정공 차단층의 에너지 밴드갭이 작아질 수 있다. 또한 상기 정공 차단층은 상기 n형 클래드층의 에너지 밴드갭보다 더 작은 에너지 밴드갭을 가질 수 있다.
질화물, 발광 소자, 응력, 스트레인

Description

질화물 반도체 발광 소자{Nitride Semiconductor Light Emitting Device}
도 1은 종래의 질화물 반도체 발광 소자의 단면도이다.
도 2는 종래의 질화물 반도체 발광 소자에 따른 에너지 밴드를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시형태에 따른 질화물 반도체 발광 소자의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시형태에 따른 질화물 반도체 발광 소자의 에너지 밴드를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시형태에 따른 질화물 반도체 발광 소자의 에너지 밴드를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시형태에 따른 질화물 반도체 발광 소자의 에너지 밴드를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시형태에 따른 질화물 반도체 발광 소자의 에너지 밴드를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시형태에 따른 질화물 반도체 발광 소자의 에너지 밴드를 개략적으로 나타낸 도면이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
101: 기판 102: 언도프 GaN층
103: n형 클래드층 104: 정공 차단층
105: 활성층 106: P형 클래드층
108: n측 전극 109: p측 전극
본 발명은 질화물 반도체 발광소자에 관한 것으로, 특히 n측 질화물 반도체층과 활성층 사이에서 발생하는 응력이 크게 감소된 고품질 고효율 질화물 반도체 발광소자에 관한 것이다.
최근, GaN 등의 3족 질화물 반도체(간단히, 질화물 반도체라고도 함)는, 우수한 물리적, 화학적 특성으로 인해 발광 다이오드(LED) 또는 레이저 다이오드(LD)와 같은 발광 소자의 핵심 소재로 각광을 받고 있다. 질화물 반도체 재료를 이용한 LED 혹은 LD는 청색 또는 녹색 파장대의 광을 얻기 위한 발광 소자에 많이 사용되고 있으며, 이러한 질화물 반도체 발광 소자는 전광판, 조명 장치 등 각종 제품의 광원으로 응용되고 있다. 질화물 반도체는 통상 InxAlyGa(1-x-y)N (0≤x≤1, 0 ≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 GaN계 물질로 이루어져 있다. 질화물 반도체 발광 소자가 각종 전자 제품의 부품으로 채용되면서, 질화물 반도체 발광소자의 발광 효율 및 출력광 품질의 중요도가 높아지고 있다.
통상 질화물 반도체 발광소자는 n형 클래드층 및 p형 클래드층과 이들 사이에 개재된 활성층을 구비한다. 그런데, 발광소자 사용중 전류 증가로 인해 소자 온도가 올라갈 경우, 열적 에너지에 의해 p형 클래드층으로부터 주입된 정공이 활성층에서 전자와 재결합하지 않고 활성층을 넘어 반대쪽의 n형 클래드층에 도달한다. 이에 따라, 발광효율이 저하되며, 특히 온도 상승시 이러한 발광효율의 저하는 심각해진다. 이러한 정공의 오버플로우(overflow) 문제를 해결하기 위해, n형 클래드층과 활성층 사이에 높은 에너지 장벽을 형성하는 정공 차단층을 형성할 수 있다. 이러한 정공 차단층은, 활성층에서의 재결합 없이 p측으로부터 n측으로 넘어오는 정공의 흐름을 차단할 수 있다.
도 1은 종래의 질화물 반도체 발광소자를 나타내는 단면도이고, 도 2는 도 1의 발광소자에 따른 에너지 밴드를 개략적으로 나타낸 도면이다. 도 1을 참조하면, 질화물 반도체 발광소자(10)는 사파이어 기판(11) 상에 순차 적층된 언도프 GaN층(12), n형 클래드층(13), 정공 차단층(14), 활성층(15) 및 p형 클래드층(16)을 포함한다. n형 클래드층(13)과 p형 클래드층(16)은 GaN 및/또는 AlGaN으로 형성될 수 있다. n형 클래드층(13)과 p형 클래드층(16) 상에는 각각 n측 전극(18) 및 p측 전극(19)이 배치되어 있다.
도 2에 도시된 바와 같이 n형 클래드층(13)과 활성층(15) 사이에 상대적으로 큰 에너지 밴드갭을 갖는 정공 차단층(14: hole blocking layer)를 배치함으로써, n형 클래드층(13)의 반대편(p형 클래드층)으로부터 주입된 정공이 활성층(15)을 오버플로우하지 못하도록 억제한다. 도 2에서 도면부호 Ec는 전도 대역(conduction band)의 엣지를 나타낸다. 이에 반하여, n형 클래드층(13)으로부터 주입된 전자는 정공 차단층(14)을 통과하여 활성층(15)으로 용이하게 도달한다. 이와 같이 비교적 큰 에너지 밴드갭을 갖는 정공 차단층(14)은 정공에 대해서 일종의 양자역학적 에너지 장벽의 역할을 한다. 정공 차단층(14)의 에너지 밴드갭의 크기는 정공 차단층(질화물 반도체로 이루어짐)의 Al 조성에 의해 조절할 수 있다(즉, Al 함량이 클수록 에너지 밴드갭이 커짐).
그러나, 큰 에너지 밴드갭을 갖는 정공 차단층(14)과 작은 에너지 밴드갭을 갖는 활성층(15) 간에 서로 다른 조성(특히, Al 조성)으로 인한 격자상수의 차이가 발생하고, 이러한 격자상수의 차이는 활성층(15)에 큰 응력장을 발생시킨다. 특히 에너지 밴드갭의 차이가 큰 서로 다른 2층(14, 15) 간에 상당한 격자상수의 차이가 존재할 경우, 큰 응력에 의해 스트레인(strain)이 발생하고, 이로 인해 활성층(15) 근방에 높은 전위밀도를 야기시킨다. 뿐만 아니라, 활성층(15)에 형성된 스트레인과 높은 전위밀도는 활성층(15)에서 발생하는 빛을 변화시키게 된다. 따라서, 큰 에너지 밴드갭을 갖는 정공 차단층(14)으로 인해 질화물 반도체 발광 소자(10)의 전기적 특성, 수명 및 출력광 품질이 열화되는 문제가 발생한다.
본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 정공의 오버플로우를 억제하여 높은 발광효율을 나타내면서도 활성층에서의 응력발생이 억제되고 결정품질이 개선된 고품질 질화물 반도체 발광 소자를 제공하는 데에 있다.
상술한 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 제1 측면에 따른 질화물 반도체 발광 소자는, 기판 상에 순차적으로 적층되어 있는 n형 클래드층, 정공 차단층, 활성층 및 p형 클래드층을 포함하되, 상기 정공 차단층은 서로 다른 에너지 밴드갭을 갖는 2개 이상의 층을 구비하고 상기 활성층쪽으로 갈수록 상기 정공 차단층의 에너지 밴드갭이 작아진다.
상기 정공 차단층은 n형으로 도핑된 질화물 반도체로 이루어질 수 있다. 이와 달리, 상기 정공 차단층은 언도프 질화물 반도체로 이루어질 수도 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 정공 차단층은 n형 클래드층 상에 형성된 제1 밴드갭층과, 제1 밴드갭층 상에 형성된 제2 밴드갭층을 포함하고, 상기 제2 밴드갭층의 에너지 밴드갭은 상기 제1 밴드갭층의 에너지 밴드갭보다 작다. 특히, 상기 제2 밴드갭층의 에너지 밴드갭은 상기 n형 클래드층의 에너지 밴드갭보다 작을 수 있다. 상기 제1 밴드갭층은 상기 n형 클래드층의 밴드갭보다 더 클 수 있다.
또한, 상기 정공 차단층은 상기 제2 밴드갭층 상에 형성된 제3 밴드갭층을 더 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 제3 밴드갭층의 에너지 밴드갭은 상기 제2 밴드갭층의 에너지 밴드갭보다 작다.
이 밖에도, 본 발명에 따르면, 상기 제3 밴드갭층 상에 제4, 제5 밴드갭층 등 추가적인 밴드갭층을 배치함으로써, 4단 또는 그 이상의 계단구조를 갖는 정공 차단층을 형성할 수도 있다. 어느 경우이든지, 정공 차단층의 에너지 밴드갭은 활성층쪽으로 갈수록 낮아진다.
상기한 바와 같은 방식으로 다중 에너지 밴드갭을 갖는 정공 차단층을 형성함으로써, 활성층으로 갈수록 에너지 밴드갭이 작아지는 2단 또는 3단의 에너지 밴드 구조를 얻을 수 있다. 이러한 에너지 밴드갭 구조는 정공 차단층과 활성층 간의 격자상수 차이를 완화시켜줄 뿐만 아니라, 격자상수와 에너지 밴드갭의 급격한 변화로 인한 응력 및 스트레인 발생을 효과적으로 억제한다.
본 발명의 제2 측면에 따른 질화물 반도체 발광 소자는, 기판 상에 순차적으로 적층되어 있는 n형 클래드층, 정공 차단층, 활성층 및 p형 클래드층을 포함하 되, 상기 정공 차단층의 에너지 밴드갭은 상기 n형 클래드층의 에너지 밴드갭보다는 작고 상기 활성층의 에너지 밴드갭보다는 크다.
상기 제2 측면에 따른 질화물 반도체 발광소자에서도, 정공 차단층은 활성층으로 갈수록 에너지 밴드갭이 작아지는 다중 에너지 밴드갭을 가질 수 있다(다단 에너지 밴드 구조). 즉, 정공 차단층은, n형 클래드층 상에 순차적으로 적층되며 또한 순차적으로 낮은 에너지 밴드갭을 갖는 제1 밴드갭층 및 제2 밴드갭층 (또는 그 이상의 밴드갭층)을 포함할 수 있다.
상기 제2 측면에 따르면, 정공 차단층의 에너지 밴드갭은 n형 클래드층의 에너지 밴드갭보다 작기때문에, 정공 차단층과 활성층 간에 발생하는 격자상수와 에너지 밴드갭의 차이를 작게한다. 이에 따라, 정공 차단층과 활성층에 작용하는 응력과 스트레인가 완화된다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태를 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시형태는 여러가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시형태는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면 상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다.
도 3은 본 발명의 실시형태에 따른 질화물 반도체 발광소자(100)의 단면도이다. 도 3을 참조하면, 기판(예컨대, 사파이어 기판) 상에 언도프 GaN층(102), n형 클래드층(103), 정공 차단층(104), 활성층(105) 및 p형 클래드층(106)이 순차적으로 적층되어 있다. 메사 식각에 의해 노출된 n형 클래드층(103) 상에는 n측 전극(108)이 배치되고 p형 클래드층(106) 상에는 p측 전극(109)이 배치되어 전체적으로 수평형(lateral) LED 또는 LD 구조를 이루고 있다.
내부 응력 발생을 줄이기 위해, 상기 정공 차단층(104)은, 종래(도 2 참조)와 달리, 서로 다른 에너지 밴드갭을 갖는 다층으로 이루어질 수 있다. 이 경우, 정공 차단층(104)의 에너지 밴드갭은 활성층으로 갈수록 낮아진다. 이러한 에너지 밴드 구조의 여러가지 예들이 도 4 및 도 5에 도시되어 있다.
내부 응력 발생을 줄이기 위해, 상기 정공 차단층(104)은, 종래(도 2 참조)와 달리, n형 클래드층의 에너지 밴드갭보다 작고 활성층의 에너지 밴드갭보다 큰 에너지 밴드갭을 가질 수 있다. 이러한 에너지 밴드 구조의 여러가지 예들이 도 6 내지 도 8에 도시되어 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시형태에 따른 질화물 발광소자의 에너지 밴드를 개략적으로 나타낸 도면이다. 여기서, 도면부호 Ec는 전도 대역의 엣지를 나타낸다. 도 4를 참조하면, n형 클래드층(예컨대, n-도프 GaN층)(103)과 활성층(105) 사이에 정공에 대한 에너지 장벽을 제공하는 정공 차단층(104)이 배치되어 있다. 상기 정공 차단층(104)은 n형 도펀트로 도핑된 질화물 반도체층으로 이루어질 수 있다. 이와 달리, 언도프 질화물 반도체층으로 정공 차단층(104)을 형성할 수도 있다. 활성층(105)은 양자장벽과 양자우물이 교대로 적층되어 있는 다중양자우물 구조로 이루어져 있다.
도 4에 도시된 바와 같이, 정공 차단층(104)은 서로 다른 에너지 밴드를 갖는 2층(104a, 104b)을 구비하며, 활성층쪽으로 갈수록 에너지 밴드갭이 작아지는 2단 에너지 밴드 구조를 이룬다. 구체적으로는, 정공 차단층(104)은 n형 클래드층(103) 상에 순차적으로 적층된 제1 밴드갭층(104a)과 제2 밴드갭층(104b)으로 이루어져 있으며, 제2 밴드갭층(104b)의 에너지 밴드갭은 제1 밴드갭층(104a)의 에너지 밴드갭보다 작다. 또한, 제1 밴드갭층(104a)은 n형 클래드층(103)의 에너지 밴드갭보다 크다. 정공 차단층(104)의 에너지 밴드갭의 조절은 정공 차단층(104) 내의 함량 조절을 통해 용이하게 달성될 수 있다. 예컨대, 정공 차단층(104)이 AlGaN으로 형성된 경우, Al을 함량을 조절함으로써, 정공 차단층(104)의 에너지 밴드갭의 크기를 제어할 수 있다(Al 함량이 클수록 에너지 밴드갭이 커짐).
정공 차단층(104)은, 반대편(p형 클래드층)에서 넘어오는 정공에 대해 높은 에너지 장벽을 제공함으로써 활성층(104)에서의 재결합 감소를 억제하는 역할(이에 따라, 발광소자의 발광 효율을 개선하는 역할)을 한다. 뿐만 아니라, 정공 차단 층(104)이 활성층(105) 방향으로 감소하는 2단의 에너지 밴드갭을 가짐으로써, 정공 차단층(104)과 활성층(105) 간의 격자상수 차이가 완화된다. 이에 따라, 정공 차단층(104)과 활성층(105)에서의 응력 발생이 억제되고, (격자상수와 에너지 밴드갭의 급격한 변화로 인한) 스트레인의 발생을 효과적으로 방지하게 된다. 활성층(105)에서의 응력 및 스트레인의 억제는, 전위 결함 밀도의 감소와 출력광 파장 변화의 억제로 귀결된다. 결국, 본 실시형태에 따르면, 활성층 및 그 근방의 질화물 반도체 결정 품질과 출력광 품질의 향상 효과를 얻을 수 있게 된다.
도 4에서는, 제2 밴드갭층(104b)의 에너지 밴드갭은 특히 n형 클래드층(104a)의 에너지 밴드갭보다 작게 되어 있다. 이와 같이 제2 밴드갭층(104b)의 에너지 밴드갭을 n형 클래드층(104b)보다 작게 함으로써, 활성층(105)과 정공 차단층(104) 간의 에너지 밴드갭 및 격자 상수의 차이를 더욱 더 완화시켜줄 수 있다. 이로써, 결정품질 및 출력광 품질의 개선 효과는 더욱 커진다.
도 5는 다른 실시형태에 따른 질화물 반도체 발광소자의 에너지 밴드를 개략적으로 나타낸 도면이다. 도 5를 참조하면, 정공 차단층(104)은 n형 클래드층(103) 상에 순차 형성된 제1 밴드갭층(104a'), 제2 밴드갭층(104b') 및 제3 밴드갭층(104c')을 포함한다. 또한, 상기 제1 내지 3 밴드갭층(104a'~104c')의 에너지 밴드갭은 활성층(105)쪽으로 갈수록 순차적으로 작아진다.
이와 같이 정공 차단층(104)이 활성층(105) 방향으로 감소하는 3단의 에너지 밴드갭을 가짐으로써, 정공 차단층(104)과 활성층(105) 간의 에너지 밴드갭 차이 및 격자 상수의 차이는 효과적으로 완화된다. 특히, 제2 및 제3 밴드갭층(104b', 104c')이 n형 클래드층(103)의 에너지 밴드갭보다 낮은 에너지 밴드갭을 가짐으로써, 상기 에너지 밴드갭 차이 및 격자 상수 차이의 완화 효과는 더욱 증대된다. 따라서, 상기 3단의 에너지 밴드갭 구조를 갖는 정공 차단층(104)에 의하여, 정공의 오버플로우를 방지하는 효과뿐만 아니라, 활성층(105)과 정공 차단층(104)에서의 응력 및 스트레인 감소(이에 따른 출력광 파장의 변화 억제)라는 효과도 얻게 된다.
전술한 실시형태들에서는, 정공 차단층(104)이 활성층(103)으로 갈수록 에너지 밴드갭이 작아지는 2단 또는 3단 구조로 이루어져 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 정공 차단층(104)은 적층 방향으로(즉, 활성층쪽으로 갈수록) 에너지 밴드갭이 작아지는 - 따라서 장벽의 낮아지는 - 4단 또는 그 이상의 계단 구조로 이루어질 수도 있다. 어느 실시형태이든지, 활성층(103)과 정공 차단층(104) 간의 계면부에서 에너지 밴드갭 차이 및 격자 상수 차이가 완화됨으로써, 활성층(103) 및 그 부근에서의 응력, 스트레인 발생은 감소된다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시형태에 따른 질화물 반도체 발광 소자의 에너지 밴드갭 구조를 개략적으로 나타낸 도면이다. 도 6에 도시된 바와 같이, 이 실시 형태에서는, 정공 차단층(104) 자체의 에너지 밴드가 n형 클래드층(103)의 에너지 밴드갭보다 작다. 이 경우, '오버플로잉하는 정공에 대한 장벽 역할'을 확보하기 위해서, 정공 차단층(104)의 에너지 밴드갭은 활성층(105)의 에너지 밴드갭보다는 크다. 전술한 실시형태들과 마찬가지로, 상기 정공 차단층(104)은 n형 도핑된 질화물 반도체로 형성될 수 있고, 언도프 질화물 반도체로 형성될 수도 있다.
도 6의 실시형태에 따르면, (비록 정공 차단층(104)이 다중 에너지 밴드갭 구조를 갖지는 않지만) 정공 차단층(104)의 에너지 밴드갭이 n형 클래드층의 에너지 밴드갭보다 작기때문에, 정공 차단층(104)과 활성층(105) 간에 발생하는 격자상수와 에너지 밴드갭의 차이를 작게한다. 이에 따라, 정공 차단층과 활성층에 작용하는 응력과 스트레인이 완화되고, 활성층에서의 전위 결함 및 출력광 파장 변화를 억제할 수 있다.
도 7 및 도 8은 본 발명의 또 다른 실시형태들에 따른 밴드갭 구조들을 개략적으로 나타낸 도면이다. 도 7 및 8에서, 정공 차단층(104)의 에너지 밴드갭은 n형 클래드층(103)의 에너지 밴드갭보다 작을 뿐만 아니라, 활성층으로 갈수록 감소되는 다중 에너지 밴드갭의 구조로 되어 있다. 이에 따라 응력 및 스트레인 완화 효과와 활성층에서의 전위 결함 억제 효과는 더욱 강화된다.
도 7을 참조하면, 정공 차단층(104)의 에너지 밴드갭은 n형 클래드층(103)의 에너지 밴드갭보다 작다. 또한 정공 차단층(104)은 순차 적층된 제1 밴드갭층(104a'')와 제2 밴드갭층(104b'')를 포함하며, 제2 밴드갭층(104b'')의 에너지 밴드갭은 제1 밴드갭층(104a'')의 에너지 밴드갭보다 작다. 이러한 2단 에너지 밴드 구조를 채용함으로써, 정공 차단층(104)과 활성층(105) 간의 격자 상수 및 에너지 밴드갭 차이로 인한 응력 및 스트레인 발생은 더욱 더 효과적으로 억제된다.
도 8을 참조하면, 정공 차단층(104)의 에너지 밴드갭은 n형 클래드층(103)의 에너지 밴드갭보다 작도. 또한 정공 차단층(104)은 순차 적층된 제1 밴드갭층(104a'''), 제2 밴드갭층(104b''') 및 제3 밴드갭층(104c''')을 포함한다. 여기서, 제3 밴드갭층(104c''')의 에너지 밴드갭은 제2 밴드갭층(104b''')의 에너지 밴드갭보다 작으며, 제2 밴드갭층(104b''')의 에너지 밴드갭은 제1 에너지 밴드갭층(104a''')의 에너지 밴드갭층보다 작다. 이러한 3단 에너지 밴드 구조를 채용함으로써, 정공 차단층(104)과 활성층(105) 간의 격자 상수 및 에너지 밴드갭 차이로 인한 응력 및 스트레인 발생은 더욱 더 효과적으로 억제된다.
도 7 및 8에서는 정공 차단층(104)이 2단 또는 3단 에너지 밴드 구조로 되어 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. n형 클래드층(103)보다 작은 에너지 밴드갭을 갖는 정공 차단층(104)은 4단 또는 그 이상의 계단 구조로 이루어질 수도 있다.
본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 하며, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게 자명할 것이다.
이상 설명한 바와 같이 본 발명에 따르면, 정공 차단층과 활성층 간의 에너지 밴드갭 차이 및 격자 상수 차이를 완화시킴으로써, 반대편으로부터 오버플로잉하는 정공을 충분히 차단할 수 있을 뿐만 아니라 활성층 및 그 근방에서의 응력과 스트레인 발생을 효과적으로 억제할 수 있다. 이에 따라, 발광 효율이 개선되고, 발광 소자 내에서의 전위 결함이 감소되며, 출력광 파장의 변화가 억제된다.

Claims (10)

  1. 기판 상에 순차적으로 적층되어 있는 n형 클래드층, 정공 차단층, 활성층 및 p형 클래드층을 포함하되,
    상기 정공 차단층은 서로 다른 에너지 밴드갭을 갖는 2개 이상의 층을 구비하고 상기 활성층쪽으로 갈수록 상기 정공 차단층의 에너지 밴드갭이 작아지는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 정공 차단층은 n형으로 도핑된 질화물 반도체로 이루어진 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 정공 차단층은 언도프 질화물 반도체로 이루어진 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 정공 차단층은 n형 클래드층 상에 형성된 제1 밴드갭층과, 제1 밴드갭층 상에 형성된 제2 밴드갭층을 포함하고,
    상기 제2 밴드갭층의 에너지 밴드갭은 상기 제1 밴드갭층의 에너지 밴드갭보 다 작은 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제1 밴드갭층의 에너지 밴드갭은 상기 n형 클래드층의 에너지 밴드갭보다 큰 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 제2 밴드갭층의 에너지 밴드갭은 상기 n형 클래드층의 에너지 밴드갭보다 작은 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자.
  7. 제4항에 있어서,
    상기 정공 차단층은 상기 제2 밴드갭층 상에 형성된 제3 밴드갭층을 더 포함하고, 상기 상기 제3 밴드갭층의 에너지 밴드갭은 상기 제2 밴드갭층의 에너지 밴드갭보다 작은 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자.
  8. 기판 상에 순차적으로 적층되어 있는 n형 클래드층, 정공 차단층, 활성층 및 p형 클래드층을 포함하고,
    상기 정공 차단층의 에너지 밴드갭은 상기 n형 클래드층의 에너지 밴드갭보다는 작고 상기 활성층의 에너지 밴드갭보다는 큰 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 정공 차단층은 n형 클래드층 상에 형성된 제1 밴드갭층과, 제1 밴드갭층 상에 형성된 제2 밴드갭층을 포함하고,
    상기 제2 밴드갭층의 에너지 밴드갭은 상기 제1 밴드갭층의 에너지 밴드갭보다 작은 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 정공 차단층은 상기 제2 밴드갭층 상에 형성된 제3 밴드갭층을 더 포함하고, 상기 상기 제3 밴드갭층의 에너지 밴드갭은 상기 제2 밴드갭층의 에너지 밴드갭보다 작은 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자.
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