JP2000174338A - 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 窒化ガリウム系化合物半導体からなる基板を
用い、この基板の側を主発光面側とする発光素子におい
て、発光素子直上での配光特性を改善するとともに、発
光強度を高く保持することができる新規な構造を提供す
ることを目的とする。 【解決手段】 ｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体から
なる基板１の上に、窒化ガリウム系化合物半導体からな
るｎ型クラッド層２と活性層３とｐ型クラッド層との積
層構造が設けられ、前記基板１に接続される電極を有す
る半導体発光素子において、前記電極を、前記積層構造
の表面側からその一部を除去させて露出された前記基板
１の表面に直接接して設けることによって、主発光面側
に配置される電極を不要とし発光素子直上の配光分布を
均一なものとすることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は発光ダイオードに利
用される半導体発光素子に係り、特に窒化ガリウム系化
合物半導体からなる基板を用いた窒化ガリウム系化合物
発光素子に関する。

【０００２】

【従来の技術】窒化ガリウム系化合物半導体は、可視光
発光デバイスや高温動作電子デバイス用の半導体材料と
して多用されるようになっており、青色や緑色の発光ダ
イオードの分野での展開が進んでいる。

【０００３】可視光で発光可能な窒化ガリウム系化合物
半導体発光素子は、基本的には、サファイアやＳｉＣ等
からなる基板の上にバッファ層を介して、ｎ型クラッド
層と、発光層となるＩｎＧａＮからなる活性層と、ｐ型
クラッド層とを積層させたものが主流である。特に、近
来では、基板にサファイアを用い、有機金属気相成長法
により、ＧａＮやＡｌＮ等からなる低温成長バッファ層
を介してダブルへテロ構造を成長させたものは、高輝度
で信頼性が高く、屋外用のパネルディスプレイ用発光ダ
イオード等に広く用いられるようになってきている。

【０００４】しかしながら、最近、ＧａＮからなる基板
が作製されるようになり、これを用いた窒化ガリウム系
化合物半導体発光素子がいくつか提案されるようになっ
てきている。例えば、特開平７−９４７８４号公報に
は、ＧａＮを基板とし基板の上にｐ−ｎ接合を含む積層
体を形成させた青色発光素子が開示されている。この公
報によれば、ＧａＮを基板として用い他の赤色発光ダイ
オード等と同様に対向する電極の間に基板が存在する構
造が可能となり、電極位置に対する制約をなくすること
ができるとされている。

【０００５】また、特開平１０−１５０２２０号公報に
おいては、ｎ型ＧａＮからなる基板を用い、基板の側を
主発光面側とすることができる発光素子が開示されてい
る。

【０００６】図２は、上記公報において示された従来の
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の構造を示す断面
図である。ｎ型のＧａＮからなる基板１１の上には、ｎ
型クラッド１２層と、活性層１３と、ｐ型クラッド層１
４とが順次積層されており、基板１１の積層面側でない
一面の上の一部にｎ側電極１５が設けられ、ｐ型クラッ
ド層１４の上の全面にわたってｐ側電極１６が設けられ
ている。ｐ側電極１６を下向きに実装することにより、
ｎ側電極１５を設けた面の側を主発光面側とし、面発光
を得ることができる。このような構成によれば、電流−
光出力特性が改善された安価な発光素子を提供すること
ができるとされている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】図２に示す構造の発光
素子においては、ＧａＮからなる基板１１が活性層１３
からの発光に対し透明であるので、基板１１に設けたｎ
側電極１５の側を主発光面とすることができる。このｎ
側電極１５は、通常、ワイヤボンディング用のパッドと
して用いられるため、発光に対し透過性を有しない程度
の厚膜で形成される。

【０００８】したがって、この電極の下の活性層１３で
発せられ基板１１の主発光面の側へ向かう光は、厚膜の
ｎ側電極１５で遮られてしまうこととなる。このため、
発光素子の上方のおける配光特性は、ｎ側電極１５を形
成した領域の上部で落ち込む凹状の分布となる。このよ
うな分布の配光特性は、発光素子直上で均一な配光特性
と高い発光強度を必要とする用途においては望ましくな
いという問題がある。

【０００９】このような凹状の分布を回避しようとして
主発光面となる基板１１の面積を大きくするためにｎ側
電極１５のサイズを小さくすると、ワイヤボンディング
の作業が困難となるので、ｎ側電極１５のサイズを小さ
くすることは好ましくない。したがって、ボンディング
等の電気的接続の作業性を確保してもなお発光特性を改
善することができる発光素子が望まれている。

【００１０】本発明において解決すべき課題は、窒化ガ
リウム系化合物半導体からなる基板を用い、この基板の
側を主発光面側とする発光素子において、発光素子直上
での配光特性を改善するとともに、発光強度を高く保持
することができる新規な構造を提供することである。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明は、ｎ型の窒化ガ
リウム系化合物半導体からなる基板の上に、窒化ガリウ
ム系化合物半導体からなるｎ型クラッド層と活性層とｐ
型クラッド層との積層構造が設けられ、前記基板に接続
される電極を有する半導体発光素子であって、前記電極
は、前記積層構造の表面側からその一部を除去させて露
出された前記基板の表面に直接接して設けられているこ
とを特徴とする。

【００１２】また、本発明においては、前記ｎ型クラッ
ド層は、その電子濃度が１×１０¹⁶ｃｍ^-3以上で１×１
０¹⁷ｃｍ^-3未満であることを特徴とする。

【００１３】このような構成によれば、基板の側を主発
光面側とする発光素子において、発光素子直上での配光
特性を改善することができるとともに、発光強度を高く
保持することが可能となる。

【００１４】

【発明の実施の形態】請求項１に記載の発明は、ｎ型の
窒化ガリウム系化合物半導体からなる基板の上に、窒化
ガリウム系化合物半導体からなるｎ型クラッド層と活性
層とｐ型クラッド層との積層構造が設けられ、前記基板
に接続される電極を有する半導体発光素子であって、前
記電極は、前記積層構造の表面側からその一部を除去さ
せて露出された前記基板の表面に直接接して設けられて
いることを特徴とするものであり、基板側を主発光面側
とする場合に発光素子直上での配光特性をほぼ均一なも
のとすることができるという作用を有する。

【００１５】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
の発明において、前記ｎ型クラッド層は、その電子濃度
が１×１０¹⁶ｃｍ^-3以上で１×１０¹⁷ｃｍ^-3未満である
ことを特徴とすることを特徴とするものであり、ｎ側電
極から基板へ注入された電子が基板とｎ型クラッド層と
の界面で広がりやすくなるという作用を有する。

【００１６】請求項３に記載の発明は、請求項２に記載
の発明において、前記ｎ型クラッド層は、ＧａＮからな
ることを特徴とするものであり、ｎ型クラッド層の結晶
性を良好なものとすることができるとともに、電子濃度
を上記範囲に制御しやすいという作用を有する。

【００１７】以下に、本発明の実施の形態の具体例を、
図１を参照しながら説明する。 （実施の形態）図１に、本発明の一実施の形態に係る窒
化ガリウム系化合物半導体発光素子の構造を示す断面図
を示す。

【００１８】図１において、ｎ型のＧａＮからなる基板
１の上に、ＧａＮからなるｎ型クラッド層２と、ＩｎＧ
ａＮからなる活性層３と、ＧａＮからなる第一ｐ型クラ
ッド層４と、ＡｌＧａＮからなる第二ｐ型クラッド層５
と、ＩｎＧａＮからなるｐ型コンタクト層６とが、が順
次積層されている。ｐ型コンタクト層６の表面上にはｐ
側電極７が形成されており、ｐ型コンタクト層６の表面
側から、ｐ型コンタクト層６と第二ｐ型クラッド層５と
第一ｐ型クラッド層４と活性層３とｎ型クラッド層２と
基板１の一部をエッチングにより除去して露出された基
板１の表面上に、ｎ側電極８が形成されている。

【００１９】基板１には、ｎ型窒化ガリウム系化合物半
導体を使用することができる。中でも、製造が比較的容
易で、かつ比較的結晶性の良好なものが得られるＧａＮ
からなるものを使用することが好ましい。基板１にはＳ
ｉやＧｅ等のｎ型不純物がドープされて、その電子濃度
を１×１０¹⁷ｃｍ^-3から１×１０¹⁹ｃｍ^-3の範囲に制御
されたものを用いる。電子濃度が１×１０¹⁷ｃｍ^-3より
も低くなると、抵抗率が高くなり基板１に注入された電
子が基板１で広がりにくくなる傾向にあるからであり、
１×１０¹⁹ｃｍ^-3よりも高くなると、ｎ型不純物を高濃
度にドープしたことに起因して基板１の結晶性が悪くな
る傾向にあるからである。

【００２０】ｎ型クラッド層２には、活性層３よりもバ
ンドギャップの大きいｎ型の窒化ガリウム系化合物半導
体を用いることができ、その電子濃度を１×１０¹⁶ｃｍ
^-3以上で１×１０¹⁷ｃｍ^-3未満とすることが望ましい。
電子濃度をこの範囲に特定することで、基板１との電子
濃度の差、すなわち抵抗率の差を大きくとることがで
き、基板１とｎ型クラッド層２との界面において、基板
１の電子が面内で十分に広がり、これにより活性層３へ
の均一な電子の注入が実現できるため、活性層３におけ
る発光分布が均一となり、その結果、基板１の側の主発
光面で均一な面発光が得られるからである。

【００２１】ｎ型クラッド層２には、ＧａＮやＡｌＧａ
Ｎ、ＩｎＧａＮ等を用いることができるが、基板１にＧ
ａＮを用いる場合には、ｎ型不純物をドープした、また
はアンドープのＧａＮを用いることが望ましい。窒化ガ
リウム系化合物半導体は、アンドープの状態でもｎ型の
導電型を示すからであり、中でもＧａＮはｎ型不純物を
ドープすることにより電子濃度を制御することが容易だ
からである。しかも、上記の電子濃度の範囲であれば、
ｎ型不純物をドープすることによるｎ型クラッド層２の
結晶性の低下を防ぐことができるので、その上に成長さ
せる活性層３の結晶性を低下させることがなく、発光効
率を高く保持できる点においても好ましい。

【００２２】ｎ型クラッド層２の層厚は、０．０５μｍ
以上で０．５μｍ以下の範囲とすることが望ましい。
０．０５μｍよりも薄いと電流広がりの効果が小さくな
る傾向にあり、０．５μｍよりも厚くなると発光素子の
シリーズ抵抗が高くなって動作電圧が高くなるからであ
る。そして、ｎ型クラッド層２の層厚に応じて電子濃度
を調整することで、電流広がりの効果を奏しながらシリ
ーズ抵抗の低減を図ることができる。本発明者らの知見
によれば、ｎ型クラッド層２の層厚を厚くするとともに
電子濃度を上記範囲内で高くすると良い。

【００２３】活性層３には、Ｉｎを含み、ｎ型クラッド
層２並びに第一及び第二ｐ型クラッド層４、５のバンド
ギャップよりも小さいバンドギャップを有する窒化ガリ
ウム系化合物半導体を用いることができる。特に、Ａｌ
を含まないＩｎＧａＮを用いると、青色から緑色の波長
域での発光強度を高くすることができる。さらに、膜厚
を１００ｎｍよりも薄くして単一量子井戸構造とする
と、活性層３の結晶性を高めることができ、発光効率を
より一層高めることができる。

【００２４】また、活性層３は、膜厚を１００ｎｍより
も薄いＩｎＧａＮからなる量子井戸層と、この量子井戸
層よりもバンドギャップの大きいＩｎＧａＮ、ＧａＮ等
からなる障壁層とを交互に積層させた多重量子井戸構造
とすることもできる。

【００２５】第一ｐ型クラッド層４には、活性層３より
もバンドギャップの大きい窒化ガリウム系化合物半導体
を用いることができる。特に、ＧａＮを用いると、活性
層３との界面の結晶性を良好に保つことができるので、
好ましい。

【００２６】第一ｐ型クラッド層４にはｐ型不純物がド
ープされて、導電型をｐ型とされる。このｐ型不純物を
ドープするのに結晶成長時にｐ型不純物の原料ガスを流
すことで実現することもできるが、第一ｐ型クラッド層
４の上に成長させる第二ｐ型クラッド層５にドープさせ
たｐ型不純物を拡散させてドープすると、発光効率を高
めることができる。

【００２７】第一ｐ型クラッド層４の層厚は、３０ｎｍ
以上６０ｎｍ以下の範囲とすることが好ましい。

【００２８】第二ｐ型クラッド層５には、活性層３より
もバンドギャップの大きい窒化ガリウム系化合物半導体
を用いることができる。特に、第一ｐ型クラッド層４よ
りもバンドギャップの大きいＡｌＧａＮを用いると、活
性層３への電子の閉じ込めを効率的に行うことができ、
発光効率を高くすることができるので好ましい。さら
に、第一ｐ型クラッド層４と接する側からｐ型コンタク
ト層６と接する側にかけて、Ａｌ組成が収斂するように
組成を傾斜させて変化させた構造とすると、発光効率を
高くすることができるとともに、動作電圧を低減するこ
とができるので好ましい。

【００２９】第二ｐ型クラッド層５の層厚は、０．０３
μｍ以上で０．３μｍ以下の範囲とすることが好まし
い。

【００３０】ｐ型コンタクト層６には、ＧａＮやＩｎＧ
ａＮ、ＡｌＧａＮを用いることができるが、ｐ側電極７
との接触抵抗を小さくできるＧａＮやＩｎＧａＮを用い
ることが好ましい。特に、組成傾斜させたＡｌＧａＮか
らなる第二ｐ型クラッド層５とＩｎＧａＮからなるｐ型
コンタクト層６とを組み合わせて用いると、発光効率の
向上と動作電圧の低減を同時に効果的に行うことができ
る。

【００３１】ｐ型コンタクト層６の層厚は、０．０２μ
ｍ以上０．２μｍ以下の範囲とすることが好ましい。

【００３２】第一ｐ型クラッド層４、第二ｐ型クラッド
層５、およびｐ型コンタクト層６にドープされるｐ型不
純物には、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃｄ，Ｃ等を用いることができ
るが、比較的容易にｐ型とすることができるＭｇを用い
ることが好ましい。

【００３３】ｐ側電極７には、ＡｕやＮｉ、Ｐｔ、Ｐ
ｄ、Ｍｇ等の単体金属、あるいはそれらの合金や積層構
造を用いることができる。特に、発光波長に対する反射
率が高いＰｔ，Ｍｇ等の金属を用いると、活性層３から
ｐ側電極７の側へ向かう光を反射させて、基板１の側か
ら取り出すことができるので、発光強度向上の面で好ま
しい。

【００３４】ｎ側電極８は、基板１の上に形成されたｎ
型クラッド層２、活性層３、第一ｐ型クラッド層４、第
二ｐ型クラッド層５およびｐ型コンタクト層６からなる
積層構造の表面側からこれらの一部を除去させて露出さ
せた基板１の表面に直接接して形成される。ｎ側電極８
をこのように配置する構成とすることにより、基板１の
前記積層構造を形成していない面側を主発光面とするこ
とができ、上記したｎ型クラッド層２と基板１との界面
における電流広がり効果により、この主発光面において
均一な面発光が得られる。

【００３５】ｎ側電極８には、ＡｌやＴｉ等の単体金
属、またはＡｌやＴｉ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｖ、Ｃｒ等を含む
合金、若しくはそれらの積層構造を用いることができ
る。

【００３６】

【実施例】以下、本発明の窒化ガリウム系化合物半導体
発光素子の製造方法の具体例について図面を参照しなが
ら説明する。以下の実施例は、主として有機金属気相成
長法を用いた窒化ガリウム系化合物半導体の成長方法を
示すものであるが、成長方法はこれに限定されるもので
はなく、分子線エピタキシー法や有機金属分子線エピタ
キシー法等を用いることも可能である。

【００３７】（実施例）本実施例においては、図１に示
す窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を作製した。

【００３８】まず、表面を鏡面に仕上げられたＧａＮか
らなる基板１を反応管内の基板ホルダーに載置した後、
基板１の表面温度を１１００℃に１０分間保ち、水素ガ
スを流しながら基板１を加熱することにより、基板１の
表面に付着している有機物等の汚れや水分を取り除くた
めのクリーニングを行った。

【００３９】続いて、基板１の表面温度を１１００℃に
５分間保ち、水素ガスと窒素ガスとアンモニアとを流し
ながら、基板１の表面の結晶性を向上させる。

【００４０】次に、基板１の表面温度を１０５０℃にま
で降下させた後、主キャリアガスとして窒素ガスと水素
ガスを流しながら、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）を含
むＴＭＧ用のキャリアガスと、Ｓｉ源であるＳｉＨ
₄（モノシラン）ガスと、を流しながら成長させて、Ｓ
ｉをドープしたＧａＮからなるｎ型クラッド層２を０．
２μｍの厚さで成長させた。このｎ型クラッド層２の電
子濃度は３×１０¹⁶ｃｍ^-3であった。

【００４１】ｎ型クラッド層２を成長後、ＴＭＧ用のキ
ャリアガスとＳｉＨ₄ガスとを止め、基板温度を７５０
℃にまで降下させ、７５０℃において、主キャリアガス
として窒素ガスを流し、新たにＴＭＧ用のキャリアガス
と、ＴＭＩ用のキャリアガスと、を流しながらアンドー
プのＩｎ_0.2Ｇａ_0.8Ｎからなる単一量子井戸構造の活性
層３を３ｎｍの厚さで成長させた。

【００４２】活性層３を成長後、ＴＭＩ用のキャリアガ
スを止め、ＴＭＧ用のキャリアガスを流しながら基板温
度を１０５０℃に向けて昇温させながら、引き続きアン
ドープのＧａＮを４ｎｍの厚さで成長させ、基板温度が
１０５０℃に達したら、新たに主キャリアガスとしての
窒素ガスと水素ガスと、ＴＭＡ用のキャリアガスと、Ｍ
ｇ源であるＣｐ₂Ｍｇ用のキャリアガスと、を流しなが
ら成長させて、ＭｇをドープさせたＡｌＧａＮからなる
第二ｐ型クラッド層５を０．１μｍの厚さで成長させ
る。このＡｌＧａＮの成長時には、ＴＭＡ用のキャリア
ガスを時間とともにリニアに減少させつつ、ＴＭＧ用の
キャリアガスを時間とともにリニアに増加させて、組成
がＡｌ_0.15Ｇａ_0.85ＮからＡｌ_0.01Ｇａ_0.99Ｎまで変化
した傾斜組成ＡｌＧａＮとして第二ｐ型クラッド層５を
成長させた。

【００４３】この後、ＴＭＧ用のキャリアガスとＴＭＡ
用のキャリアガスとを止め、基板温度を１０５０℃に保
持し、ＭｇをドープさせたＡｌＧａＮからアンドープで
形成したＧａＮにＭｇを拡散させ、第一ｐ型クラッド層
４を形成させた。

【００４４】第一ｐ型クラッド層４および第二ｐ型クラ
ッド層５を形成後、基板温度を８００℃にまで降下さ
せ、８００℃において、新たにＴＭＧ用のキャリアガス
と、ＴＭＩ用のキャリアガスと、Ｃｐ₂Ｍｇ用のキャリ
アガスと、を流しながら成長させて、Ｍｇをドープさせ
たＩｎ_0.05Ｇａ_0.95Ｎからなるｐ型コンタクト層６を
０．１μｍの厚さで成長させた。

【００４５】ｐ型コンタクト層６を成長後、ＴＭＧ用の
キャリアガスとＴＭＩ用のキャリアガスとＣｐ₂Ｍｇ用
のキャリアガスとを止め、主キャリアガスとアンモニア
をそのまま流しながら室温程度にまで冷却させて、ウェ
ハーを反応管から取り出した。

【００４６】次に、ｐ型コンタクト層６の表面上にＣＶ
Ｄ法によりＳｉＯ₂膜を堆積させた後、フォトリソグラ
フィにより所定の形状にパターンニングしてエッチング
用のマスクを形成させた。そして、反応性イオンエッチ
ング法により、ｐ型コンタクト層６と第二ｐ型クラッド
層５と第一ｐ型クラッド層４と活性層３とｎ型クラッド
層２と基板１の一部を約０．５μｍの深さで積層方向と
逆の方向に向かって除去させて、基板１の表面を露出さ
せた。そして、フォトリソグラフィーと蒸着法により露
出させた基板１の表面上にＡｌからなるｎ側電極８を蒸
着形成させた。さらに、同様にしてｐ型コンタクト層６
の表面上にＰｔとＡｕとからなるｐ側電極７を蒸着形成
させた。

【００４７】この後、基板１の裏面を研磨して１００μ
ｍ程度の厚さに調整し、スクライブによりチップ状に分
離した。このようにして、図１に示す窒化ガリウム系化
合物半導体発光素子が得られた。

【００４８】この発光素子を、電極形成面側を下向きに
して、正負一対の電極を有するＳｉダイオードの上にＡ
ｕバンプにより接着させた。このとき、発光素子のｐ側
電極７およびｎ側電極８が、それぞれＳｉダイオードの
負電極および正電極と接続されるようして発光素子を搭
載する。この後、発光素子を搭載させたＳｉダイオード
を、Ａｇペーストによりステム上に載置し、Ｓｉダイオ
ードの正電極をステム上の電極にワイヤで結線し、その
後樹脂モールドして発光ダイオードを作製した。この発
光ダイオードを２０ｍＡの順方向電流で駆動したとこ
ろ、ピーク発光波長４７０ｎｍの青色で発光し、基板１
の側から均一な面発光が得られた。このときの発光出力
は１．１ｍＷであり、順方向動作電圧は３．４Ｖであっ
た。

【００４９】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、窒化ガリ
ウム系化合物半導体からなる基板を用い、この基板の側
を主発光面側とする発光素子において、発光素子直上で
の配光特性を改善するとともに、発光強度を高く保持す
ることができるので、発光素子直上で均一な配光分布が
望まれる表面実装型発光ダイオードや発光素子を基板上
に複数配列させたライン状光源などの用途に好適に用い
ることができる。

【００５０】また、発光素子直上での発光強度を高く保
持することができるので、従来の砲弾形状の樹脂レンズ
付き発光ダイオードにも用いることができる。

【００５１】さらに、ｎ側電極の配置とｎ型クラッド層
の電子濃度の条件を特定することにより、ｎ型の基板と
ｎ型クラッド層における電流広がりが確保されるので、
ｎ側電極のサイズを小さくすることが可能となる。この
ため、Ａｕバンプ等による電気的接続を用いることがで
きるので、電極サイズによるワイヤボンディング等の作
業性の制約が解消され、電気的接続の作業性が確保され
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態に係る窒化ガリウム系化
合物半導体発光素子の構造を示す断面図

【図２】従来の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の
構造を示す断面図

【符号の説明】

１ 基板 ２ ｎ型クラッド層 ３ 活性層 ４ 第一ｐ型クラッド層 ５ 第二ｐ型クラッド層 ６ ｐ型コンタクト層 ７ ｐ側電極 ８ ｎ側電極

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5F041 AA04 AA05 CA04 CA05 CA34 CA40 CA49 CA57 CA65 CA74 CA83 5F073 AA74 CA07 CB02 DA05 DA25 EA29

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】ｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体からな
   る基板の上に、窒化ガリウム系化合物半導体からなるｎ
   型クラッド層と活性層とｐ型クラッド層との積層構造が
   設けられ、前記基板に接続される電極を有する半導体発
   光素子であって、前記電極は、前記積層構造の表面側か
   らその一部を除去させて露出された前記基板の表面に直
   接接して設けられていることを特徴とする窒化ガリウム
   系化合物半導体発光素子。
2. 【請求項２】前記ｎ型クラッド層は、その電子濃度が１
   ×１０１６ｃｍ−３以上で１×１０１７ｃｍ−３未満で
   あることを特徴とする請求項１記載の窒化ガリウム系化
   合物半導体発光素子。
3. 【請求項３】前記ｎ型クラッド層は、ＧａＮからなるこ
   とを特徴とする請求項２記載の窒化ガリウム系化合物半
   導体発光素子。