JPH01215086A - 半導体レーザの製造方法 - Google Patents

半導体レーザの製造方法

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JPH01215086A
JPH01215086A JP4106088A JP4106088A JPH01215086A JP H01215086 A JPH01215086 A JP H01215086A JP 4106088 A JP4106088 A JP 4106088A JP 4106088 A JP4106088 A JP 4106088A JP H01215086 A JPH01215086 A JP H01215086A
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JP
Japan
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striae
photoresist
semiconductor wafer
line
active region
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Pending
Application number
JP4106088A
Other languages
English (en)
Inventor
Kunihiko Isshiki
邦彦 一色
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Publication of JPH01215086A publication Critical patent/JPH01215086A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/0201Separation of the wafer into individual elements, e.g. by dicing, cleaving, etching or directly during growth
    • H01S5/0202Cleaving

Landscapes

  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) この発明は、半導体レーザの製造方法、特にレーザの共
振器面の形成方法に関するものである。
〔従来の技術〕
第3図は従来の製造方法によって作成された半導体レー
ザの一例を示す斜視図である。この図において、1は半
絶縁性GaAs基板、2はn型AJ2GaAsクラッド
層、3はn型GaAs活性層、4はn型Aj!GaAs
クラッド層、5はスクライブ線(傷)、6は微小クラッ
クに起因した不規則な割れ、7はpn接合、8は金属電
極である。
第3図に示した半導体レーザはTJ 5 (Trans
−verse Junction 5tripe)構造
と称されているもので、活性層3とpn接合7の交差し
たストライプ状の領域が活性領域となる。
次に、従来の製造方法を簡単に説明する。
まず、このTJSレーザが2次元的に複数作り込まれて
いる半導体ウェハの表面の劈開予定線上に、活性領域上
を除いて破線状にスクライブ線5を形成する。このスク
ライブ線5は、鋭利なダイヤモンドスクライバの刃先を
ウニ八表面に押しつけながら動かして傷をつけることに
よって形成する。
次に、ローラによる加圧等の方法によってウェハに力を
加え、スクライブ線5に沿ってウェハをバー状態に劈開
する。この襞間工程によって、レーザの共振器面となる
鏡面が形成される。この後、さらにバーを各チップに分
離すれば第3図に示した素子が得られる。
〔発明が解決しようとする課題〕
上記のような従来のスクライブによる襞間方法では、ス
クライブ線5の形成で生じた微小なりラックに起因して
、襞間面に不規則な割れ6が生じることがあり、これが
活性領域にまで伸びると、レーザ共振器面に必要な平坦
性を満足できなくなる可能性があった。
この発明は、かかる課題を解決するためになされたもの
で、襞間時の不規則な割れが活性領域で発生することが
なく、かつ襞間位置精度を向上させることができる半導
体レーザの製造方法を得ることを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
この発明に係る半導体レーザの製造方法は、発光に必要
な各層が形成された半導体ウェハの共振器面を形成する
ための劈開予定線上に、活性領域上を除いてストライプ
状の溝を形成する工程と、このストライプ状の溝の底部
にスクライブ線を形成する工程と、半導体ウェハをスク
ライブ線に沿って襞間する工程とを含むものである。
(作用) この発明においては、ストライプ状の溝を活性層よりも
深く形成すれば、スクライブ線の微小クラックから発生
する不規則な割れが活性領域におよばなくなる。
〔実施例) 以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第1図はこの発明の半導体レーザの製造方法で作成した
半導体レーザの斜視図、第2図(a)〜(e)はこの発
明の半導体レーザの製造方法の一実施例の工程を説明す
るための図であり、第2図(a)〜(C)はウェハ断面
、第2図(d)。
(e)はウニへ上面を示す。
これらの図において、第3図と同一符号は同一のものを
示し、9はストライプ状の溝、10は半導4ウエハ、1
1はフォトレジスト、12はダイヤモンドスクライバで
ある。
次に、製造工程を第2図(a)〜(e)を参照して説明
する。
まず、レーザ素子が作り込まれている半導体ウェハ10
の表面に、例えばポジ形のフォトレジスト11を塗布し
、次いで写真製版の手法を用いて劈開予定線上に、活性
領域上を除いて、フォトレジスト11のストライプ状開
口を形成する(第2図(a))。
次に、開口を有するフォトレジスト11をマスクとし、
例えば塩素ガスを用いた反応性イオンエツチング法(ド
ライエツチングの一種)によって、底部が活性層3より
も下に位置するストライプ状の溝9を半導体ウェハ10
に形成する(第2図(b))。
次に、フォトレジスト11を酸素プラズマ等によって除
去し、ダイヤモンドスクライバ12を用いてストライプ
状の溝9の底部にスクライブ線5を形成する(第2図(
C) 、 (d) )。この際、ストライプ状の溝9を
スクライブの目印とすることが可能である。
次に、スクライブ線5に沿ってウェハをバー状態に襞間
する(第2図(e))が、この際、第1図に襞間面の状
態を示したように、ストライプ状の溝9を活性層3より
も深くしであるので、スクライブ線5の形成で生じた微
小なりラックに起因する不規則な割れ6が活性領域に伸
びない。そして、この後、パーを各チップに分離すれば
第1図に示した素子が得られる。
なお、上記実施例ではストライプ状の溝9の形成に、塩
素ガスを用いた反応性イオンエツチング法を適用したが
、他のドライエツチング法、あるいはウェットエツチン
グ法を用いても良い。
また、上記実施例ではAfLGaAs系のTJSレーザ
に適用したが、襞間によって共振器面を形成するもので
あれば、他のどのようなレーザ構造に対しても適用でき
るほか、InGaAsP、AJ2GalnP等の他の材
料で作られたものにも通用できる。
(発明の効果〕 こC発明は以上説明したとおり、発光に必要な各層が形
成された半導体ウェハの共振器面を形成するためのり開
予定線上に、活性領域上を除いてストライプ状の溝を形
成する工程と、このストライプ状の溝の底部にスクライ
ブ線を形成する工程と、半導体ウェハをスクライブ線に
沿って襞間する工程とを含むので、スクライブ線の微小
クラックから発生する不規則な割れが活性領域に伸びな
いようにでき、製造歩留りを向上できる。また、ストラ
イプ状の溝が、スクライブの高精度な目印となるので、
襞間の位置精度が向上するという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明によりて得られた半導体レーザの斜視
図、第2図はこの発明の半導体レーザの製造方法の一実
施例の工程を説明するための図、第3図は従来の製造方
法による半導体レーザの一例の斜視図である。 図において、1は半絶縁性GaAs基板、2はn型AJ
IGaAsクラッド層、3はn型GaAs活性層、4は
n型AJ!GaAsクラッド層、5はスクライブ線、6
は微小クラックに起因した不規則な割れ、7はpn接合
、8は金属電極、9はストライプ状の溝、1oは半導体
ウェハ、11はフォトレジスト、12はダイヤモンドス
クライバである。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄    (外2名)第1図 第2図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 発光に必要な各層が形成された半導体ウェハの共振器面
    を形成するための劈開予定線上に、活性領域上を除いて
    ストライプ状の溝を形成する工程と、このストライプ状
    の溝の底部にスクライブ線を形成する工程と、前記半導
    体ウェハを前記スクライブ線に沿って劈開する工程とを
    含むことを特徴とする半導体レーザの製造方法。
JP4106088A 1988-02-24 1988-02-24 半導体レーザの製造方法 Pending JPH01215086A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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