JPH01215086A - 半導体レーザの製造方法 - Google Patents
半導体レーザの製造方法Info
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- JPH01215086A JPH01215086A JP4106088A JP4106088A JPH01215086A JP H01215086 A JPH01215086 A JP H01215086A JP 4106088 A JP4106088 A JP 4106088A JP 4106088 A JP4106088 A JP 4106088A JP H01215086 A JPH01215086 A JP H01215086A
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- striae
- photoresist
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/0201—Separation of the wafer into individual elements, e.g. by dicing, cleaving, etching or directly during growth
- H01S5/0202—Cleaving
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は、半導体レーザの製造方法、特にレーザの共
振器面の形成方法に関するものである。
振器面の形成方法に関するものである。
第３図は従来の製造方法によって作成された半導体レー
ザの一例を示す斜視図である。この図において、１は半
絶縁性ＧａＡｓ基板、２はｎ型ＡＪ２ＧａＡｓクラッド
層、３はｎ型ＧａＡｓ活性層、４はｎ型Ａｊ！ＧａＡｓ
クラッド層、５はスクライブ線（傷）、６は微小クラッ
クに起因した不規則な割れ、７はｐｎ接合、８は金属電
極である。
ザの一例を示す斜視図である。この図において、１は半
絶縁性ＧａＡｓ基板、２はｎ型ＡＪ２ＧａＡｓクラッド
層、３はｎ型ＧａＡｓ活性層、４はｎ型Ａｊ！ＧａＡｓ
クラッド層、５はスクライブ線（傷）、６は微小クラッ
クに起因した不規則な割れ、７はｐｎ接合、８は金属電
極である。
第３図に示した半導体レーザはＴＪ ５ （Ｔｒａｎｓ
−ｖｅｒｓｅ Ｊｕｎｃｔｉｏｎ ５ｔｒｉｐｅ）構造
と称されているもので、活性層３とｐｎ接合７の交差し
たストライプ状の領域が活性領域となる。
−ｖｅｒｓｅ Ｊｕｎｃｔｉｏｎ ５ｔｒｉｐｅ）構造
と称されているもので、活性層３とｐｎ接合７の交差し
たストライプ状の領域が活性領域となる。
次に、従来の製造方法を簡単に説明する。
まず、このＴＪＳレーザが２次元的に複数作り込まれて
いる半導体ウェハの表面の劈開予定線上に、活性領域上
を除いて破線状にスクライブ線５を形成する。このスク
ライブ線５は、鋭利なダイヤモンドスクライバの刃先を
ウニ八表面に押しつけながら動かして傷をつけることに
よって形成する。
いる半導体ウェハの表面の劈開予定線上に、活性領域上
を除いて破線状にスクライブ線５を形成する。このスク
ライブ線５は、鋭利なダイヤモンドスクライバの刃先を
ウニ八表面に押しつけながら動かして傷をつけることに
よって形成する。
次に、ローラによる加圧等の方法によってウェハに力を
加え、スクライブ線５に沿ってウェハをバー状態に劈開
する。この襞間工程によって、レーザの共振器面となる
鏡面が形成される。この後、さらにバーを各チップに分
離すれば第３図に示した素子が得られる。
加え、スクライブ線５に沿ってウェハをバー状態に劈開
する。この襞間工程によって、レーザの共振器面となる
鏡面が形成される。この後、さらにバーを各チップに分
離すれば第３図に示した素子が得られる。
上記のような従来のスクライブによる襞間方法では、ス
クライブ線５の形成で生じた微小なりラックに起因して
、襞間面に不規則な割れ６が生じることがあり、これが
活性領域にまで伸びると、レーザ共振器面に必要な平坦
性を満足できなくなる可能性があった。
クライブ線５の形成で生じた微小なりラックに起因して
、襞間面に不規則な割れ６が生じることがあり、これが
活性領域にまで伸びると、レーザ共振器面に必要な平坦
性を満足できなくなる可能性があった。
この発明は、かかる課題を解決するためになされたもの
で、襞間時の不規則な割れが活性領域で発生することが
なく、かつ襞間位置精度を向上させることができる半導
体レーザの製造方法を得ることを目的とする。
で、襞間時の不規則な割れが活性領域で発生することが
なく、かつ襞間位置精度を向上させることができる半導
体レーザの製造方法を得ることを目的とする。
この発明に係る半導体レーザの製造方法は、発光に必要
な各層が形成された半導体ウェハの共振器面を形成する
ための劈開予定線上に、活性領域上を除いてストライプ
状の溝を形成する工程と、このストライプ状の溝の底部
にスクライブ線を形成する工程と、半導体ウェハをスク
ライブ線に沿って襞間する工程とを含むものである。
な各層が形成された半導体ウェハの共振器面を形成する
ための劈開予定線上に、活性領域上を除いてストライプ
状の溝を形成する工程と、このストライプ状の溝の底部
にスクライブ線を形成する工程と、半導体ウェハをスク
ライブ線に沿って襞間する工程とを含むものである。
（作用）
この発明においては、ストライプ状の溝を活性層よりも
深く形成すれば、スクライブ線の微小クラックから発生
する不規則な割れが活性領域におよばなくなる。
深く形成すれば、スクライブ線の微小クラックから発生
する不規則な割れが活性領域におよばなくなる。
〔実施例）
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図はこの発明の半導体レーザの製造方法で作成した
半導体レーザの斜視図、第２図（ａ）〜（ｅ）はこの発
明の半導体レーザの製造方法の一実施例の工程を説明す
るための図であり、第２図（ａ）〜（Ｃ）はウェハ断面
、第２図（ｄ）。
半導体レーザの斜視図、第２図（ａ）〜（ｅ）はこの発
明の半導体レーザの製造方法の一実施例の工程を説明す
るための図であり、第２図（ａ）〜（Ｃ）はウェハ断面
、第２図（ｄ）。
（ｅ）はウニへ上面を示す。
これらの図において、第３図と同一符号は同一のものを
示し、９はストライプ状の溝、１０は半導４ウエハ、１
１はフォトレジスト、１２はダイヤモンドスクライバで
ある。
示し、９はストライプ状の溝、１０は半導４ウエハ、１
１はフォトレジスト、１２はダイヤモンドスクライバで
ある。
次に、製造工程を第２図（ａ）〜（ｅ）を参照して説明
する。
する。
まず、レーザ素子が作り込まれている半導体ウェハ１０
の表面に、例えばポジ形のフォトレジスト１１を塗布し
、次いで写真製版の手法を用いて劈開予定線上に、活性
領域上を除いて、フォトレジスト１１のストライプ状開
口を形成する（第２図（ａ））。
の表面に、例えばポジ形のフォトレジスト１１を塗布し
、次いで写真製版の手法を用いて劈開予定線上に、活性
領域上を除いて、フォトレジスト１１のストライプ状開
口を形成する（第２図（ａ））。
次に、開口を有するフォトレジスト１１をマスクとし、
例えば塩素ガスを用いた反応性イオンエツチング法（ド
ライエツチングの一種）によって、底部が活性層３より
も下に位置するストライプ状の溝９を半導体ウェハ１０
に形成する（第２図（ｂ））。
例えば塩素ガスを用いた反応性イオンエツチング法（ド
ライエツチングの一種）によって、底部が活性層３より
も下に位置するストライプ状の溝９を半導体ウェハ１０
に形成する（第２図（ｂ））。
次に、フォトレジスト１１を酸素プラズマ等によって除
去し、ダイヤモンドスクライバ１２を用いてストライプ
状の溝９の底部にスクライブ線５を形成する（第２図（
Ｃ） 、 （ｄ） ）。この際、ストライプ状の溝９を
スクライブの目印とすることが可能である。
去し、ダイヤモンドスクライバ１２を用いてストライプ
状の溝９の底部にスクライブ線５を形成する（第２図（
Ｃ） 、 （ｄ） ）。この際、ストライプ状の溝９を
スクライブの目印とすることが可能である。
次に、スクライブ線５に沿ってウェハをバー状態に襞間
する（第２図（ｅ））が、この際、第１図に襞間面の状
態を示したように、ストライプ状の溝９を活性層３より
も深くしであるので、スクライブ線５の形成で生じた微
小なりラックに起因する不規則な割れ６が活性領域に伸
びない。そして、この後、パーを各チップに分離すれば
第１図に示した素子が得られる。
する（第２図（ｅ））が、この際、第１図に襞間面の状
態を示したように、ストライプ状の溝９を活性層３より
も深くしであるので、スクライブ線５の形成で生じた微
小なりラックに起因する不規則な割れ６が活性領域に伸
びない。そして、この後、パーを各チップに分離すれば
第１図に示した素子が得られる。
なお、上記実施例ではストライプ状の溝９の形成に、塩
素ガスを用いた反応性イオンエツチング法を適用したが
、他のドライエツチング法、あるいはウェットエツチン
グ法を用いても良い。
素ガスを用いた反応性イオンエツチング法を適用したが
、他のドライエツチング法、あるいはウェットエツチン
グ法を用いても良い。
また、上記実施例ではＡｆＬＧａＡｓ系のＴＪＳレーザ
に適用したが、襞間によって共振器面を形成するもので
あれば、他のどのようなレーザ構造に対しても適用でき
るほか、ＩｎＧａＡｓＰ、ＡＪ２ＧａｌｎＰ等の他の材
料で作られたものにも通用できる。
に適用したが、襞間によって共振器面を形成するもので
あれば、他のどのようなレーザ構造に対しても適用でき
るほか、ＩｎＧａＡｓＰ、ＡＪ２ＧａｌｎＰ等の他の材
料で作られたものにも通用できる。
（発明の効果〕
こＣ発明は以上説明したとおり、発光に必要な各層が形
成された半導体ウェハの共振器面を形成するためのり開
予定線上に、活性領域上を除いてストライプ状の溝を形
成する工程と、このストライプ状の溝の底部にスクライ
ブ線を形成する工程と、半導体ウェハをスクライブ線に
沿って襞間する工程とを含むので、スクライブ線の微小
クラックから発生する不規則な割れが活性領域に伸びな
いようにでき、製造歩留りを向上できる。また、ストラ
イプ状の溝が、スクライブの高精度な目印となるので、
襞間の位置精度が向上するという効果がある。
成された半導体ウェハの共振器面を形成するためのり開
予定線上に、活性領域上を除いてストライプ状の溝を形
成する工程と、このストライプ状の溝の底部にスクライ
ブ線を形成する工程と、半導体ウェハをスクライブ線に
沿って襞間する工程とを含むので、スクライブ線の微小
クラックから発生する不規則な割れが活性領域に伸びな
いようにでき、製造歩留りを向上できる。また、ストラ
イプ状の溝が、スクライブの高精度な目印となるので、
襞間の位置精度が向上するという効果がある。
第１図はこの発明によりて得られた半導体レーザの斜視
図、第２図はこの発明の半導体レーザの製造方法の一実
施例の工程を説明するための図、第３図は従来の製造方
法による半導体レーザの一例の斜視図である。 図において、１は半絶縁性ＧａＡｓ基板、２はｎ型ＡＪ
ＩＧａＡｓクラッド層、３はｎ型ＧａＡｓ活性層、４は
ｎ型ＡＪ！ＧａＡｓクラッド層、５はスクライブ線、６
は微小クラックに起因した不規則な割れ、７はｐｎ接合
、８は金属電極、９はストライプ状の溝、１ｏは半導体
ウェハ、１１はフォトレジスト、１２はダイヤモンドス
クライバである。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図 第２図
図、第２図はこの発明の半導体レーザの製造方法の一実
施例の工程を説明するための図、第３図は従来の製造方
法による半導体レーザの一例の斜視図である。 図において、１は半絶縁性ＧａＡｓ基板、２はｎ型ＡＪ
ＩＧａＡｓクラッド層、３はｎ型ＧａＡｓ活性層、４は
ｎ型ＡＪ！ＧａＡｓクラッド層、５はスクライブ線、６
は微小クラックに起因した不規則な割れ、７はｐｎ接合
、８は金属電極、９はストライプ状の溝、１ｏは半導体
ウェハ、１１はフォトレジスト、１２はダイヤモンドス
クライバである。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図 第２図
Claims (1)
- 発光に必要な各層が形成された半導体ウェハの共振器面
を形成するための劈開予定線上に、活性領域上を除いて
ストライプ状の溝を形成する工程と、このストライプ状
の溝の底部にスクライブ線を形成する工程と、前記半導
体ウェハを前記スクライブ線に沿って劈開する工程とを
含むことを特徴とする半導体レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4106088A JPH01215086A (ja) | 1988-02-24 | 1988-02-24 | 半導体レーザの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4106088A JPH01215086A (ja) | 1988-02-24 | 1988-02-24 | 半導体レーザの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01215086A true JPH01215086A (ja) | 1989-08-29 |
Family
ID=12597878
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4106088A Pending JPH01215086A (ja) | 1988-02-24 | 1988-02-24 | 半導体レーザの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01215086A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04262589A (ja) * | 1991-02-15 | 1992-09-17 | Nec Kagoshima Ltd | 光半導体装置の製造方法 |
| EP0800244A2 (en) * | 1996-04-04 | 1997-10-08 | Lucent Technologies Inc. | Method of making III/V semiconductor lasers |
| JP2008060478A (ja) * | 2006-09-01 | 2008-03-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| JP2010040649A (ja) * | 2008-08-01 | 2010-02-18 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体発光素子の製造方法 |
-
1988
- 1988-02-24 JP JP4106088A patent/JPH01215086A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04262589A (ja) * | 1991-02-15 | 1992-09-17 | Nec Kagoshima Ltd | 光半導体装置の製造方法 |
| EP0800244A2 (en) * | 1996-04-04 | 1997-10-08 | Lucent Technologies Inc. | Method of making III/V semiconductor lasers |
| JPH1027942A (ja) * | 1996-04-04 | 1998-01-27 | Lucent Technol Inc | Ｉｉｉ／ｖ族半導体レーザの製造方法 |
| EP0800244A3 (en) * | 1996-04-04 | 1998-04-15 | Lucent Technologies Inc. | Method of making III/V semiconductor lasers |
| JP2008060478A (ja) * | 2006-09-01 | 2008-03-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| JP2010040649A (ja) * | 2008-08-01 | 2010-02-18 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体発光素子の製造方法 |
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