JP3284612B2 - 半導体レーザーの製造方法 - Google Patents
半導体レーザーの製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体レーザーの製
造方法に関し、特に、半導体レーザーの共振器端面の反
射面の形成に適用して好適なものである。
造方法に関し、特に、半導体レーザーの共振器端面の反
射面の形成に適用して好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】ファブリー・ペロー（Fabry-Perot)型の
共振器を有する半導体レーザーにおける共振器端面の反
射面の形成方法としては、従来、主として以下の三つの
方法が用いられている。第一の方法は、エピタキシャル
成長などによりレーザー構造を形成した半導体ウェハー
をバー状に劈開し、その劈開面を反射面とする方法であ
り、現在最も広く用いられているものである。第二の方
法は、レーザー構造を形成した半導体ウェハーにエッチ
ングにより反射面を形成する方法である。また、第三の
方法は、レーザーの活性層及びその両側のクラッド層を
含む微小領域を共振器長方向と垂直に劈開する微小劈開
法（マイクロ・クリーブ法）である。
共振器を有する半導体レーザーにおける共振器端面の反
射面の形成方法としては、従来、主として以下の三つの
方法が用いられている。第一の方法は、エピタキシャル
成長などによりレーザー構造を形成した半導体ウェハー
をバー状に劈開し、その劈開面を反射面とする方法であ
り、現在最も広く用いられているものである。第二の方
法は、レーザー構造を形成した半導体ウェハーにエッチ
ングにより反射面を形成する方法である。また、第三の
方法は、レーザーの活性層及びその両側のクラッド層を
含む微小領域を共振器長方向と垂直に劈開する微小劈開
法（マイクロ・クリーブ法）である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
第一の方法は、半導体ウェハーの劈開により得られるバ
ーは取り扱いが困難であることからバッチ処理が難し
く、このため後工程、特に共振器端面に対する保護膜の
塗布工程などに多くの工数を要するとともに、プロセス
上の制約が生じるという問題がある。また、上述の第二
の方法は、エッチングでは反射面の平滑度や角度の再現
性及び均一性が悪いため、半導体レーザーを量産する場
合を考えると採用し難い。さらに、反射面の信頼性も十
分とは言えない。一方、上述の第三の方法は、劈開の起
動が難しく、劈開が生じる位置や劈開面の面精度などに
制御性がないという問題がある。
第一の方法は、半導体ウェハーの劈開により得られるバ
ーは取り扱いが困難であることからバッチ処理が難し
く、このため後工程、特に共振器端面に対する保護膜の
塗布工程などに多くの工数を要するとともに、プロセス
上の制約が生じるという問題がある。また、上述の第二
の方法は、エッチングでは反射面の平滑度や角度の再現
性及び均一性が悪いため、半導体レーザーを量産する場
合を考えると採用し難い。さらに、反射面の信頼性も十
分とは言えない。一方、上述の第三の方法は、劈開の起
動が難しく、劈開が生じる位置や劈開面の面精度などに
制御性がないという問題がある。
【０００４】従って、この発明の目的は、高い位置精度
及び面精度で良好な反射面を共振器の端面に形成するこ
とができ、しかも後工程の工数の増加やプロセス上の制
約が生じない半導体レーザーの製造方法を提供すること
にある。
及び面精度で良好な反射面を共振器の端面に形成するこ
とができ、しかも後工程の工数の増加やプロセス上の制
約が生じない半導体レーザーの製造方法を提供すること
にある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の第一の発明は、共振器の端面に微小劈開
法により反射面を形成するようにした半導体レーザーの
製造方法において、反射面（９）の形成部の近傍の部分
を片持ち構造または両持ち構造とし、少なくとも片持ち
構造または両持ち構造の部分（７）を含む所定領域に機
械的なハーフ・カットを行うことにより反射面（９）の
形成部を微小劈開して反射面（９）を形成するようにし
たものである。
に、この発明の第一の発明は、共振器の端面に微小劈開
法により反射面を形成するようにした半導体レーザーの
製造方法において、反射面（９）の形成部の近傍の部分
を片持ち構造または両持ち構造とし、少なくとも片持ち
構造または両持ち構造の部分（７）を含む所定領域に機
械的なハーフ・カットを行うことにより反射面（９）の
形成部を微小劈開して反射面（９）を形成するようにし
たものである。
【０００６】この発明の第二の発明は、第一の発明にお
いて、ダイシング・ソー（８）を用いてハーフ・カット
を行うようにしたものである。
いて、ダイシング・ソー（８）を用いてハーフ・カット
を行うようにしたものである。
【０００７】この発明の第三の発明は、第一の発明また
は第二の発明において、エッチングにより片持ち構造ま
たは両持ち構造の部分（７）を形成するようにしたもの
である。
は第二の発明において、エッチングにより片持ち構造ま
たは両持ち構造の部分（７）を形成するようにしたもの
である。
【０００８】
【作用】上述のように構成された第一の発明の半導体レ
ーザーの製造方法によれば、機械的なハーフ・カットを
行う際に反射面（９）の形成部の近傍の片持ち構造また
は両持ち構造の部分（７）に生じる機械的な衝撃により
劈開の起動が行われてこの片持ち構造または両持ち構造
の部分（７）における反射面（９）の形成部が微小劈開
し、これによって反射面（９）が形成される。この場
合、片持ち構造または両持ち構造の部分（７）の形状を
適切に選ぶことにより、この微小劈開が反射面（９）の
形成部に高い位置精度で生じるようにすることができる
とともに、劈開面の面精度も高くすることができる。さ
らに、ハーフ・カットを行うことにより反射面（９）を
形成しているため、反射面形成後もウェハー状態が維持
され、従って反射面形成のために半導体ウェハーをバー
状に劈開する上述の従来の方法のように後工程の工数の
増加やプロセス上の制約が生じたりすることがない。
ーザーの製造方法によれば、機械的なハーフ・カットを
行う際に反射面（９）の形成部の近傍の片持ち構造また
は両持ち構造の部分（７）に生じる機械的な衝撃により
劈開の起動が行われてこの片持ち構造または両持ち構造
の部分（７）における反射面（９）の形成部が微小劈開
し、これによって反射面（９）が形成される。この場
合、片持ち構造または両持ち構造の部分（７）の形状を
適切に選ぶことにより、この微小劈開が反射面（９）の
形成部に高い位置精度で生じるようにすることができる
とともに、劈開面の面精度も高くすることができる。さ
らに、ハーフ・カットを行うことにより反射面（９）を
形成しているため、反射面形成後もウェハー状態が維持
され、従って反射面形成のために半導体ウェハーをバー
状に劈開する上述の従来の方法のように後工程の工数の
増加やプロセス上の制約が生じたりすることがない。
【０００９】上述のように構成された第二の発明の半導
体レーザーの製造方法によれば、ダイシング・ソー
（８）を用いてハーフ・カットを行うことにより、ハー
フ・カットを高い位置精度で行うことができ、これによ
って微小劈開による反射面（９）の形成を高い位置精度
で行うことができる。
体レーザーの製造方法によれば、ダイシング・ソー
（８）を用いてハーフ・カットを行うことにより、ハー
フ・カットを高い位置精度で行うことができ、これによ
って微小劈開による反射面（９）の形成を高い位置精度
で行うことができる。
【００１０】上述のように構成された第三の発明の半導
体レーザーの製造方法によれば、エッチングにより所望
の形状の片持ち構造または両持ち構造の部分（７）を形
成することができるので、微小劈開による反射面（９）
の形成を高い位置精度で行うことができる。
体レーザーの製造方法によれば、エッチングにより所望
の形状の片持ち構造または両持ち構造の部分（７）を形
成することができるので、微小劈開による反射面（９）
の形成を高い位置精度で行うことができる。
【００１１】
【実施例】以下、この発明の実施例について図面を参照
しながら説明する。なお、実施例の全図において、同一
または対応する部分には同一の符号を付す。
しながら説明する。なお、実施例の全図において、同一
または対応する部分には同一の符号を付す。
【００１２】図１〜図３はこの発明の一実施例による内
部ストライプ型の半導体レーザーの製造方法を示す。
部ストライプ型の半導体レーザーの製造方法を示す。
【００１３】この実施例においては、まず、図１に示す
ように、例えばｎ型GaAs基板１上に例えば有機金属化学
気相成長（ＭＯＣＶＤ）法によりｎ型クラッド層として
のｎ型AlGaAs層２、例えばGaAs層から成る活性層３（破
線で示す）及びｐ型クラッド層としてのｐ型AlGaAs層４
を順次エピタキシャル成長させてダブルヘテロ構造を形
成した後、従来公知の方法で電流ストライプ部５を形成
する。次に、リソグラフィー及び例えば反応性イオンエ
ッチング（ＲＩＥ）のような非選択性のエッチングによ
り反射面形成部（劈開予定部）の近傍の所定部分のｎ型
AlGaAs層２、活性層３及びｐ型AlGaAs層４をエッチング
除去し、これによって反射面形成部に対応して図１に示
すようなコの字状の平面形状の穴６を電流ストライプ部
５に関して対称な位置に対にして形成する。ここで、こ
のエッチングは、少なくともｎ型GaAs基板１が露出する
まで行う。
ように、例えばｎ型GaAs基板１上に例えば有機金属化学
気相成長（ＭＯＣＶＤ）法によりｎ型クラッド層として
のｎ型AlGaAs層２、例えばGaAs層から成る活性層３（破
線で示す）及びｐ型クラッド層としてのｐ型AlGaAs層４
を順次エピタキシャル成長させてダブルヘテロ構造を形
成した後、従来公知の方法で電流ストライプ部５を形成
する。次に、リソグラフィー及び例えば反応性イオンエ
ッチング（ＲＩＥ）のような非選択性のエッチングによ
り反射面形成部（劈開予定部）の近傍の所定部分のｎ型
AlGaAs層２、活性層３及びｐ型AlGaAs層４をエッチング
除去し、これによって反射面形成部に対応して図１に示
すようなコの字状の平面形状の穴６を電流ストライプ部
５に関して対称な位置に対にして形成する。ここで、こ
のエッチングは、少なくともｎ型GaAs基板１が露出する
まで行う。
【００１４】次に、図２に示すように、AlGaAsに対して
GaAsを選択的にエッチング可能なエッチング液を用いた
ウエットエッチングにより、穴６の部分におけるｎ型Ga
As基板１を所定深さまでエッチングする。このエッチン
グにより、各反射面形成部に対応する部分における電流
ストライプ部５の両側に形成された一対の穴６の間がつ
ながり、この部分にｎ型AlGaAs層２、活性層３及びｐ型
AlGaAs層４から成るオーバーハング形状の両持ち構造の
部分７が形成される。
GaAsを選択的にエッチング可能なエッチング液を用いた
ウエットエッチングにより、穴６の部分におけるｎ型Ga
As基板１を所定深さまでエッチングする。このエッチン
グにより、各反射面形成部に対応する部分における電流
ストライプ部５の両側に形成された一対の穴６の間がつ
ながり、この部分にｎ型AlGaAs層２、活性層３及びｐ型
AlGaAs層４から成るオーバーハング形状の両持ち構造の
部分７が形成される。
【００１５】次に、ダイシング装置を用いて、電流スト
ライプ部５に垂直な方向の一列の両持ち構造の部分７を
通る図２中一点鎖線で示す線に沿って、ダイシング・ソ
ー８によりハーフ・カットのダイシングを行う。この場
合、このダイシング・ソー８のブレードの厚さは、少な
くとも電流ストライプ部５の方向における穴６の幅より
も小さくし、具体的には例えば２５μｍ程度とする。ま
た、このダイシング・ソー８によるハーフ・カットの深
さは、少なくとも穴６の底部のｎ型GaAs基板１に達する
深さとする。
ライプ部５に垂直な方向の一列の両持ち構造の部分７を
通る図２中一点鎖線で示す線に沿って、ダイシング・ソ
ー８によりハーフ・カットのダイシングを行う。この場
合、このダイシング・ソー８のブレードの厚さは、少な
くとも電流ストライプ部５の方向における穴６の幅より
も小さくし、具体的には例えば２５μｍ程度とする。ま
た、このダイシング・ソー８によるハーフ・カットの深
さは、少なくとも穴６の底部のｎ型GaAs基板１に達する
深さとする。
【００１６】このダイシング・ソー８によるハーフ・カ
ットの際には、ダイシング・ソー８が両持ち構造の部分
７に接触した時点でそれによる機械的衝撃により劈開の
起動が行われてこの両持ち構造の部分７が劈開予定部で
あるその両端の支持部でそれぞれ微小劈開される。これ
によって、図３に示すように、この微小劈開面から成る
反射面９が、ｎ型AlGaAs層２、活性層３及びｐ型AlGaAs
層４から成るダブルヘテロ構造の共振器の端面に互いに
対向して形成される。また、このハーフ・カットによ
り、少なくとも穴６の底部のｎ型GaAs基板１に達する深
さの溝１０が形成される。
ットの際には、ダイシング・ソー８が両持ち構造の部分
７に接触した時点でそれによる機械的衝撃により劈開の
起動が行われてこの両持ち構造の部分７が劈開予定部で
あるその両端の支持部でそれぞれ微小劈開される。これ
によって、図３に示すように、この微小劈開面から成る
反射面９が、ｎ型AlGaAs層２、活性層３及びｐ型AlGaAs
層４から成るダブルヘテロ構造の共振器の端面に互いに
対向して形成される。また、このハーフ・カットによ
り、少なくとも穴６の底部のｎ型GaAs基板１に達する深
さの溝１０が形成される。
【００１７】なお、通常のダイシング装置によるダイシ
ングの精度は高く、例えば３インチのウェハー内で±５
μｍ程度の精度でダイシングを行うことが可能であり、
従って上述の高精度のダイシングは容易に行うことがで
きる。また、ダイシング装置によるダイシング時におい
ては、高速回転するブレードに対して高流速の水が流さ
れているので、この水による洗浄の効果でハーフ・カッ
トが行われた領域の面は十分に清浄になっており、従っ
てこのダイシングによる後工程への影響は無視すること
ができる。
ングの精度は高く、例えば３インチのウェハー内で±５
μｍ程度の精度でダイシングを行うことが可能であり、
従って上述の高精度のダイシングは容易に行うことがで
きる。また、ダイシング装置によるダイシング時におい
ては、高速回転するブレードに対して高流速の水が流さ
れているので、この水による洗浄の効果でハーフ・カッ
トが行われた領域の面は十分に清浄になっており、従っ
てこのダイシングによる後工程への影響は無視すること
ができる。
【００１８】上述のようなダイシング・ソー８によるダ
イシングを、電流ストライプ部５の方向に所定間隔、す
なわち電流ストライプ部５の方向の両持ち構造の部分７
の間隔だけずらしながら繰り返し行うことにより、全て
の反射面形成部に微小劈開による反射面９を形成する。
なお、このダイシング終了後においては、ダイシングに
より形成された溝１０により素子分離が行われているこ
とから、後述のようにウェハー状態のまま各レーザーチ
ップのレーザー特性のチェックを行うことができる。
イシングを、電流ストライプ部５の方向に所定間隔、す
なわち電流ストライプ部５の方向の両持ち構造の部分７
の間隔だけずらしながら繰り返し行うことにより、全て
の反射面形成部に微小劈開による反射面９を形成する。
なお、このダイシング終了後においては、ダイシングに
より形成された溝１０により素子分離が行われているこ
とから、後述のようにウェハー状態のまま各レーザーチ
ップのレーザー特性のチェックを行うことができる。
【００１９】この後、例えばプラズマＣＶＤ法による共
振器の端面コーティング、例えばリフトオフ法によるｐ
側電極の形成、蒸着法によるｎ側電極の形成、アロイ処
理、ウェハー状態でのレーザー特性のチェック、ダイシ
ング法などによるペレタイズなどを行い、最後にパッケ
ージングを行って、目的とする半導体レーザーを完成さ
せる。
振器の端面コーティング、例えばリフトオフ法によるｐ
側電極の形成、蒸着法によるｎ側電極の形成、アロイ処
理、ウェハー状態でのレーザー特性のチェック、ダイシ
ング法などによるペレタイズなどを行い、最後にパッケ
ージングを行って、目的とする半導体レーザーを完成さ
せる。
【００２０】以上のように、この実施例によれば、共振
器の反射面の形成部にエッチングによりｎ型AlGaAs層
２、活性層３及びｐ型AlGaAs層４から成るオーバーハン
グ形状の両持ち構造の部分７を形成し、その後にこの両
持ち構造の部分７を通ってダイシング・ソー８によるハ
ーフ・カットのダイシングを行うことによりこの両持ち
構造の部分７の両端の支持部にそれぞれ微小劈開を生じ
させてこの微小劈開面から成る反射面９を形成するよう
にしているので、共振器の端面に反射面９を高い位置精
度でしかも高い面精度で容易に形成することができる。
器の反射面の形成部にエッチングによりｎ型AlGaAs層
２、活性層３及びｐ型AlGaAs層４から成るオーバーハン
グ形状の両持ち構造の部分７を形成し、その後にこの両
持ち構造の部分７を通ってダイシング・ソー８によるハ
ーフ・カットのダイシングを行うことによりこの両持ち
構造の部分７の両端の支持部にそれぞれ微小劈開を生じ
させてこの微小劈開面から成る反射面９を形成するよう
にしているので、共振器の端面に反射面９を高い位置精
度でしかも高い面精度で容易に形成することができる。
【００２１】また、ダイシング・ソー８によるダイシン
グはハーフ・カットであるので、このダイシング後にお
いてもウェハー状態が維持され、従って後工程もバッチ
処理で能率的に行うことができる。さらに、レーザー特
性のチェックもウェハー状態で針立てを行うことにより
能率的に行うことができる。これらのことから、この実
施例による半導体レーザーの製造方法は、量産性に優れ
ている。
グはハーフ・カットであるので、このダイシング後にお
いてもウェハー状態が維持され、従って後工程もバッチ
処理で能率的に行うことができる。さらに、レーザー特
性のチェックもウェハー状態で針立てを行うことにより
能率的に行うことができる。これらのことから、この実
施例による半導体レーザーの製造方法は、量産性に優れ
ている。
【００２２】また、この実施例においては、ダイシング
により形成された溝１０を隔てて互いに隣接する一対の
レーザーチップのうちの一方を他方の反射面９から出射
されるレーザー光のモニター用フォトダイオードとして
働かせることにより、半導体レーザーとほぼ光学的に独
立なモニター用フォトダイオードをオン・ウェハーで半
導体レーザーとともに形成することができる。
により形成された溝１０を隔てて互いに隣接する一対の
レーザーチップのうちの一方を他方の反射面９から出射
されるレーザー光のモニター用フォトダイオードとして
働かせることにより、半導体レーザーとほぼ光学的に独
立なモニター用フォトダイオードをオン・ウェハーで半
導体レーザーとともに形成することができる。
【００２３】上述の実施例においては、ハーフ・カット
のダイシングを行うことにより反射面９を形成している
ことから、このダイシング時に生じる機械的損傷により
半導体レーザーの接合の破壊や逆方向リーク電流の発生
が生じる可能性がある。この問題は、図４に示すよう
に、ダイシングを行う前に、後に溝１０が形成される部
分の両側にこの溝１０よりも深い溝１１をあらかじめ形
成しておくことにより解決することができる。この溝１
１は、穴６の形成工程と別の工程で形成してもよいが、
穴６を形成するためのＲＩＥ法によるエッチングの際に
同時に形成することが可能である。
のダイシングを行うことにより反射面９を形成している
ことから、このダイシング時に生じる機械的損傷により
半導体レーザーの接合の破壊や逆方向リーク電流の発生
が生じる可能性がある。この問題は、図４に示すよう
に、ダイシングを行う前に、後に溝１０が形成される部
分の両側にこの溝１０よりも深い溝１１をあらかじめ形
成しておくことにより解決することができる。この溝１
１は、穴６の形成工程と別の工程で形成してもよいが、
穴６を形成するためのＲＩＥ法によるエッチングの際に
同時に形成することが可能である。
【００２４】一方、半導体レーザーの高出力化を図るた
めに、共振器端面近傍の部分を発振されるレーザー光に
対して透明な窓構造とする技術が知られているが、上述
の実施例による半導体レーザーにこの窓構造を形成する
場合には、例えば次のような方法を用いることができ
る。すなわち、上述の実施例において述べた方法でダイ
シングによる微小劈開を行って全ての反射面形成部に反
射面９を形成した後、図５Ａに示すように、全面に窓の
材料として例えばAlGaAs層１２をエピタキシャル成長さ
せ、反射面９上にエピタキシャル成長された部分のAlGa
As層１２を窓として用いればよい。このAlGaAs層１２
は、図５Ｂに示すように形成してもよい。
めに、共振器端面近傍の部分を発振されるレーザー光に
対して透明な窓構造とする技術が知られているが、上述
の実施例による半導体レーザーにこの窓構造を形成する
場合には、例えば次のような方法を用いることができ
る。すなわち、上述の実施例において述べた方法でダイ
シングによる微小劈開を行って全ての反射面形成部に反
射面９を形成した後、図５Ａに示すように、全面に窓の
材料として例えばAlGaAs層１２をエピタキシャル成長さ
せ、反射面９上にエピタキシャル成長された部分のAlGa
As層１２を窓として用いればよい。このAlGaAs層１２
は、図５Ｂに示すように形成してもよい。
【００２５】なお、両持ち構造の部分７の形状は、微小
劈開による反射面８の形成を支障なく行うことができれ
ば、上述の実施例と異なる形状とすることが可能であ
る。また、例えば、図６に示すように、電流ストライプ
部５の両側にまたがった形状の穴６を形成することによ
り、この電流ストライプ部５の方向におけるこの穴６の
互いに対向する一対の側面のそれぞれで支持された、幅
の狭い支持部から穴６の中心に向かってテーパ状に幅が
広がった片持ち構造の部分１３を形成し、その後にこの
片持ち構造の部分１３を通ってダイシング・ソー８によ
るハーフ・カットのダイシングを行うことにより反射面
９を形成するようにしてもよい。
劈開による反射面８の形成を支障なく行うことができれ
ば、上述の実施例と異なる形状とすることが可能であ
る。また、例えば、図６に示すように、電流ストライプ
部５の両側にまたがった形状の穴６を形成することによ
り、この電流ストライプ部５の方向におけるこの穴６の
互いに対向する一対の側面のそれぞれで支持された、幅
の狭い支持部から穴６の中心に向かってテーパ状に幅が
広がった片持ち構造の部分１３を形成し、その後にこの
片持ち構造の部分１３を通ってダイシング・ソー８によ
るハーフ・カットのダイシングを行うことにより反射面
９を形成するようにしてもよい。
【００２６】また、ウェハー状態において互いに隣接す
る一対のレーザーチップの一方をモニター用フォトダイ
オードとして働かせることが可能であることは上述の通
りであるが、上述の実施例のように互いに対向する一対
の反射面９がいずれも劈開面である場合には、一方のレ
ーザーチップの反射面９から出射されてこのレーザーチ
ップに隣接するモニター用フォトダイオードの反射面９
に入射するレーザー光がこの反射面９で反射されてレー
ザーチップの反射面９に戻り、これがレーザー特性に悪
影響を及ぼす可能性がある。この問題は次のようにして
解決することが可能である。すなわち、例えば、図７に
示すように、電流ストライプ部５の方向における穴６の
互いに対向する一対の側面のうちの微小劈開による反射
面形成部だけに片持ち構造の部分１３を形成するととも
に、モニター用フォトダイオードの端面となる他方の側
面は電流ストライプ部５に対して斜めに形成し、その後
にダイシングによる片持ち構造の部分１３の微小劈開に
より反射面９を形成することによって、レーザーチップ
の反射面９から出射されてモニター用フォトダイオード
の端面に入射するレーザー光がこのレーザーチップの反
射面９に戻らないようにすることが可能である。
る一対のレーザーチップの一方をモニター用フォトダイ
オードとして働かせることが可能であることは上述の通
りであるが、上述の実施例のように互いに対向する一対
の反射面９がいずれも劈開面である場合には、一方のレ
ーザーチップの反射面９から出射されてこのレーザーチ
ップに隣接するモニター用フォトダイオードの反射面９
に入射するレーザー光がこの反射面９で反射されてレー
ザーチップの反射面９に戻り、これがレーザー特性に悪
影響を及ぼす可能性がある。この問題は次のようにして
解決することが可能である。すなわち、例えば、図７に
示すように、電流ストライプ部５の方向における穴６の
互いに対向する一対の側面のうちの微小劈開による反射
面形成部だけに片持ち構造の部分１３を形成するととも
に、モニター用フォトダイオードの端面となる他方の側
面は電流ストライプ部５に対して斜めに形成し、その後
にダイシングによる片持ち構造の部分１３の微小劈開に
より反射面９を形成することによって、レーザーチップ
の反射面９から出射されてモニター用フォトダイオード
の端面に入射するレーザー光がこのレーザーチップの反
射面９に戻らないようにすることが可能である。
【００２７】なお、この場合、互いに対向するレーザー
チップ（半導体レーザー）とモニター用フォトダイオー
ドとは互いに非常に近接しており、しかもレーザーチッ
プの反射面９から出射されるレーザー光は主として穴６
の中を伝播するため、その周囲の光素子とのクロストー
クは少ない。例えば数十μｍ程度の間隔で各半導体レー
ザーを配置したマルチビーム半導体レーザーにおいて
は、各半導体レーザー間のクロストークが問題となるの
で、このような場合には図７に示す構造を好適に使用す
ることが可能である。
チップ（半導体レーザー）とモニター用フォトダイオー
ドとは互いに非常に近接しており、しかもレーザーチッ
プの反射面９から出射されるレーザー光は主として穴６
の中を伝播するため、その周囲の光素子とのクロストー
クは少ない。例えば数十μｍ程度の間隔で各半導体レー
ザーを配置したマルチビーム半導体レーザーにおいて
は、各半導体レーザー間のクロストークが問題となるの
で、このような場合には図７に示す構造を好適に使用す
ることが可能である。
【００２８】以上、この発明の実施例について具体的に
説明したが、この発明は、上述の実施例に限定されるも
のではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変形
が可能である。
説明したが、この発明は、上述の実施例に限定されるも
のではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変形
が可能である。
【００２９】例えば、上述の実施例において形成した穴
６の代わりに、図１において一点鎖線で示すような電流
ストライプ部５に垂直方向に長く延びた穴６を形成する
ようにしてもよい。
６の代わりに、図１において一点鎖線で示すような電流
ストライプ部５に垂直方向に長く延びた穴６を形成する
ようにしてもよい。
【００３０】また、上述の実施例においては、ダイシン
グ後にｐ側電極及びｎ側電極の形成を行っているが、こ
れらのｐ側電極及びｎ側電極の形成をダイシング前に行
っておき、端面コーティングとレーザー特性のチェック
だけを後工程とすることも可能である。
グ後にｐ側電極及びｎ側電極の形成を行っているが、こ
れらのｐ側電極及びｎ側電極の形成をダイシング前に行
っておき、端面コーティングとレーザー特性のチェック
だけを後工程とすることも可能である。
【００３１】一方、高出力の半導体レーザーにおいて共
振器端面の窓をエピタキシャル成長により形成する場合
には、エピタキシャル成長が高温プロセスであるため、
ｐ側電極及びｎ側電極の形成をダイシング前に行うこと
は困難であり、これらのｐ側電極及びｎ側電極の形成は
ダイシング後に行わざるを得ない。この場合には、リフ
トオフ法によりｐ側電極を形成する際のリソグラフィー
のプロセスにおいて、深い穴６やダイシングにより形成
された溝１０などが存在することにより塗布されるレジ
ストの厚さに分布が生じるため、ｐ側電極の形成が難し
くなるが、この問題は従来の技術により十分に解決可能
なものである。
振器端面の窓をエピタキシャル成長により形成する場合
には、エピタキシャル成長が高温プロセスであるため、
ｐ側電極及びｎ側電極の形成をダイシング前に行うこと
は困難であり、これらのｐ側電極及びｎ側電極の形成は
ダイシング後に行わざるを得ない。この場合には、リフ
トオフ法によりｐ側電極を形成する際のリソグラフィー
のプロセスにおいて、深い穴６やダイシングにより形成
された溝１０などが存在することにより塗布されるレジ
ストの厚さに分布が生じるため、ｐ側電極の形成が難し
くなるが、この問題は従来の技術により十分に解決可能
なものである。
【００３２】さらに、上述の実施例においては、AlGaAs
系半導体レーザーにこの発明を適用した場合について説
明したが、この発明は、AlGaAs系半導体レーザー以外の
各種の半導体レーザーに適用することが可能である。
系半導体レーザーにこの発明を適用した場合について説
明したが、この発明は、AlGaAs系半導体レーザー以外の
各種の半導体レーザーに適用することが可能である。
【００３３】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、高い位置精度及び面精度で良好な反射面を共振器の
端面に形成することができ、しかも後工程の工数の増加
やプロセス上の制約が生じることもない。
ば、高い位置精度及び面精度で良好な反射面を共振器の
端面に形成することができ、しかも後工程の工数の増加
やプロセス上の制約が生じることもない。
【図１】この発明の一実施例による半導体レーザーの製
造方法を説明するための斜視図である。
造方法を説明するための斜視図である。
【図２】この発明の一実施例による半導体レーザーの製
造方法を説明するための斜視図である。
造方法を説明するための斜視図である。
【図３】この発明の一実施例による半導体レーザーの製
造方法を説明するための斜視図である。
造方法を説明するための斜視図である。
【図４】この発明の第一の他の実施例による半導体レー
ザーの製造方法を説明するための斜視図である。
ザーの製造方法を説明するための斜視図である。
【図５】この発明の第二の他の実施例による半導体レー
ザーの製造方法を説明するための断面図である。
ザーの製造方法を説明するための断面図である。
【図６】この発明の第三の他の実施例による半導体レー
ザーの製造方法を説明するための平面図である。
ザーの製造方法を説明するための平面図である。
【図７】この発明の第四の他の実施例による半導体レー
ザーの製造方法を説明するための平面図である。
ザーの製造方法を説明するための平面図である。
１ ｎ型GaAs基板 ２ ｎ型AlGaAs層 ３ 活性層 ４ ｐ型AlGaAs層 ５ 電流ストライプ部 ６ 穴 ７ 両持ち構造の部分 ８ ダイシング・ソー ９ 反射面 １０、１１ 溝 １２ AlGaAs層
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−96786（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−97887（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−86786（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−154193（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−37404（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−243683（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−285327（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−231379（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−58692（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−197184（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−108387（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−46082（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−178581（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−111189（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−51786（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−4188（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−285380（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−285381（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01S 5/00 - 5/50
Claims (3)
- 【請求項１】 共振器の端面に微小劈開法により反射面
を形成するようにした半導体レーザーの製造方法におい
て、 上記反射面の形成部の近傍の部分を片持ち構造または両
持ち構造とし、 少なくとも上記片持ち構造または両持ち構造の部分を含
む所定領域に機械的なハーフ・カットを行うことにより
上記反射面の形成部を微小劈開して上記反射面を形成す
るようにしたことを特徴とする半導体レーザーの製造方
法。 - 【請求項２】 ダイシング・ソーを用いて上記ハーフ・
カットを行うようにした請求項１記載の半導体レーザー
の製造方法。 - 【請求項３】 エッチングにより上記片持ち構造または
両持ち構造の部分を形成するようにした請求項１または
２記載の半導体レーザーの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26922692A JP3284612B2 (ja) | 1992-09-11 | 1992-09-11 | 半導体レーザーの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26922692A JP3284612B2 (ja) | 1992-09-11 | 1992-09-11 | 半導体レーザーの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0697587A JPH0697587A (ja) | 1994-04-08 |
| JP3284612B2 true JP3284612B2 (ja) | 2002-05-20 |
Family
ID=17469423
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26922692A Expired - Fee Related JP3284612B2 (ja) | 1992-09-11 | 1992-09-11 | 半導体レーザーの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3284612B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EA031098B1 (ru) * | 2013-03-08 | 2018-11-30 | Юнилевер Н.В. | Соединения резорцина для дерматологического применения |
-
1992
- 1992-09-11 JP JP26922692A patent/JP3284612B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EA031098B1 (ru) * | 2013-03-08 | 2018-11-30 | Юнилевер Н.В. | Соединения резорцина для дерматологического применения |
| US10470986B2 (en) | 2013-03-08 | 2019-11-12 | Conopco, Inc. | Resorcinol compounds for dermatological use |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0697587A (ja) | 1994-04-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |