JP2000133871A - 半導体レーザ素子の製造方法 - Google Patents
半導体レーザ素子の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 レーザバーの反射面以外の部分にコーティン
グ膜が形成されることを防止する。 【解決手段】 ストライプ状の光導波路を含む半導体層
を積層した半導体ウェハをバー状に劈開した後、レーザ
の光出射領域を含む共振器端面となる、前記バーの劈開
面にコーティング膜を形成する際、前記劈開面の一部
と、この劈開面に隣接する一方の電極形成面とを引き続
いて覆うスペーサに、前記バーを載置し、前記コーティ
ング膜を成長させてなる。
グ膜が形成されることを防止する。 【解決手段】 ストライプ状の光導波路を含む半導体層
を積層した半導体ウェハをバー状に劈開した後、レーザ
の光出射領域を含む共振器端面となる、前記バーの劈開
面にコーティング膜を形成する際、前記劈開面の一部
と、この劈開面に隣接する一方の電極形成面とを引き続
いて覆うスペーサに、前記バーを載置し、前記コーティ
ング膜を成長させてなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体レーザ素子の
製造方法に関し、さらに詳しくはレーザの反射面へのコ
ーティング膜形成時において、コーティング膜が反射面
以外の部分に回り込んで形成されることを防止する方法
に関する。
製造方法に関し、さらに詳しくはレーザの反射面へのコ
ーティング膜形成時において、コーティング膜が反射面
以外の部分に回り込んで形成されることを防止する方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】レーザ発振が可能な多層構造を有する半
導体基板において、電極形成後に光導波路となるストラ
イプと垂直にバーを劈開によって切り出す（以下レーザ
バーと称す）。次に反射面となるこの劈開面にコーティ
ング膜を形成する。コーティング膜が存在せずにレーザ
発振が行われた場合、空気中の水分などにより反応が起
こり、表面状態が変質して端面の劣化が進行する。
導体基板において、電極形成後に光導波路となるストラ
イプと垂直にバーを劈開によって切り出す（以下レーザ
バーと称す）。次に反射面となるこの劈開面にコーティ
ング膜を形成する。コーティング膜が存在せずにレーザ
発振が行われた場合、空気中の水分などにより反応が起
こり、表面状態が変質して端面の劣化が進行する。
【０００３】従って保護膜による反射面のコーティング
は不可欠である。また反射面の一方に低反射率の膜を、
もう一方に高反射率の膜を形成することにより、微分効
率などのレーザ特性を向上することができる。
は不可欠である。また反射面の一方に低反射率の膜を、
もう一方に高反射率の膜を形成することにより、微分効
率などのレーザ特性を向上することができる。
【０００４】従来の方法ではコーティング膜形成の際に
図１に示すように、反射面はコーティング材料のビーム
の進行方向と垂直になるように置かれていた。またレー
ザバーの間に挟まれたスペーサは反射面の一部を覆うこ
とは無かった。
図１に示すように、反射面はコーティング材料のビーム
の進行方向と垂直になるように置かれていた。またレー
ザバーの間に挟まれたスペーサは反射面の一部を覆うこ
とは無かった。
【０００５】また特開平３−２６８３８２号において
は、複数個のレーザバーの反射面にコーティング膜を形
成する際に、反射面の前に複数個の穴が開いている防着
板を用いて、所望の部分にコーティング膜を形成してい
た。
は、複数個のレーザバーの反射面にコーティング膜を形
成する際に、反射面の前に複数個の穴が開いている防着
板を用いて、所望の部分にコーティング膜を形成してい
た。
【０００６】実際のレーザバーあるいはスペーサは図２
に示すように、その厚さはすべてにわたって均一ではな
くわずかにゆらぎが存在する。そのためレーザバーとス
ペーサの間には図２に示すように隙間が存在する。この
ため従来の方法で反射面へのコーティング膜形成を行う
と、この隙間のために図３および図４に示すようにレー
ザバーの反射面以外の部分、すなわちｐ型電極面上およ
びｎ型電極面上にもコーティング膜が形成されてしま
う。
に示すように、その厚さはすべてにわたって均一ではな
くわずかにゆらぎが存在する。そのためレーザバーとス
ペーサの間には図２に示すように隙間が存在する。この
ため従来の方法で反射面へのコーティング膜形成を行う
と、この隙間のために図３および図４に示すようにレー
ザバーの反射面以外の部分、すなわちｐ型電極面上およ
びｎ型電極面上にもコーティング膜が形成されてしま
う。
【０００７】この電極面上のコーティング膜を除去せず
に工程を進めて、チップ化さらにはパッケージ化を行う
と、発光の際の熱が逃げない、あるいは電気抵抗値が高
くなる、などの問題を生ずる。
に工程を進めて、チップ化さらにはパッケージ化を行う
と、発光の際の熱が逃げない、あるいは電気抵抗値が高
くなる、などの問題を生ずる。
【０００８】従来の技術では、この電極上のコーティン
グ膜を取り除くために次の工程を有していた。まずスラ
イドガラスの上にレジストを塗布し、その上にｐ型電極
面を上にしてレーザバーを静かに置く。このとき表面張
力によりレジストが這い上がり、レーザ反射面を被う。
このスライドガラスを酢酸、フッ酸および硝酸の混合液
に浸液することにより、ｐ型電極上のコーティング膜を
除去する。その後アセトンなどの有機溶剤などによりレ
ジストを除去する。次にｎ型電極面を上にして同様の工
程を進めることにより、ｎ型電極上のコーティング膜を
除去する。その後、レーザバーをストライプを１個だけ
含むようにしてストライプと平行に分割し、レーザチッ
プを作製していた。
グ膜を取り除くために次の工程を有していた。まずスラ
イドガラスの上にレジストを塗布し、その上にｐ型電極
面を上にしてレーザバーを静かに置く。このとき表面張
力によりレジストが這い上がり、レーザ反射面を被う。
このスライドガラスを酢酸、フッ酸および硝酸の混合液
に浸液することにより、ｐ型電極上のコーティング膜を
除去する。その後アセトンなどの有機溶剤などによりレ
ジストを除去する。次にｎ型電極面を上にして同様の工
程を進めることにより、ｎ型電極上のコーティング膜を
除去する。その後、レーザバーをストライプを１個だけ
含むようにしてストライプと平行に分割し、レーザチッ
プを作製していた。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしこの方法では、
スライドガラス上へレーザバーを置く際に、その置き方
により反射面へのレジストの被覆の様子が異なるという
問題があった。すなわち反射面へのレジストの被覆が不
完全な場合、電極上のコーティング膜除去のためにエッ
チング液に浸液したときに反射面のコーティング膜まで
エッチングされてしまうという問題があった。またレジ
ストが反射面以外に電極まで被ってしまった場合、エッ
チング液に浸液したときに電極上のコーティング膜が除
去されずに残ってしまうという問題があった。
スライドガラス上へレーザバーを置く際に、その置き方
により反射面へのレジストの被覆の様子が異なるという
問題があった。すなわち反射面へのレジストの被覆が不
完全な場合、電極上のコーティング膜除去のためにエッ
チング液に浸液したときに反射面のコーティング膜まで
エッチングされてしまうという問題があった。またレジ
ストが反射面以外に電極まで被ってしまった場合、エッ
チング液に浸液したときに電極上のコーティング膜が除
去されずに残ってしまうという問題があった。
【００１０】また特開平３−２６８３８２号のように反
射面の前に複数個の穴の開いた防着板を用いる方法で
は、以下に述べるような問題があった。まず第一にレー
ザバーの反射面のコーティングを所望する位置と、防着
板の穴の位置を、バーの厚みである１００μｍ以下の精
度で位置合わせを行わなければならず、作業が非常に困
難であった。また防着板の穴の間隔が等間隔である場合
は、複数個のレーザバーの厚さが不均一になっていたと
きに、一つのバーと防着板の穴の位置を合わせることが
できたとしても、別のバーと防着板の別の穴の位置がず
れてしまうために、すべてのレーザバーにおいて所望の
位置にコーティング膜を形成することはできなかった。
射面の前に複数個の穴の開いた防着板を用いる方法で
は、以下に述べるような問題があった。まず第一にレー
ザバーの反射面のコーティングを所望する位置と、防着
板の穴の位置を、バーの厚みである１００μｍ以下の精
度で位置合わせを行わなければならず、作業が非常に困
難であった。また防着板の穴の間隔が等間隔である場合
は、複数個のレーザバーの厚さが不均一になっていたと
きに、一つのバーと防着板の穴の位置を合わせることが
できたとしても、別のバーと防着板の別の穴の位置がず
れてしまうために、すべてのレーザバーにおいて所望の
位置にコーティング膜を形成することはできなかった。
【００１１】またレーザバーの厚さのばらつきに対応し
て、防着板の穴の間隔を変化させる方法が考えられる
が、コーティング膜形成を行う度に、防着板の穴の間隔
を変えて作り直さなければならず、非常に困難が伴うた
め、実際にはほとんど不可能であった。
て、防着板の穴の間隔を変化させる方法が考えられる
が、コーティング膜形成を行う度に、防着板の穴の間隔
を変えて作り直さなければならず、非常に困難が伴うた
め、実際にはほとんど不可能であった。
【００１２】本発明は上述する問題を解決するためにな
されたもので、反射面以外の部分にコーティング膜が形
成されることを防止することを目的とするものである。
されたもので、反射面以外の部分にコーティング膜が形
成されることを防止することを目的とするものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明（請求項１）に係
る半導体レーザ素子の製造方法は、ストライプ状の光導
波路を含む半導体層を積層した半導体ウェハをバー状に
劈開した後、レーザの光出射領域を含む共振器端面とな
る、前記バーの劈開面にコーティング膜を形成する際、
前記劈開面の一部と、この劈開面に隣接する一方の電極
形成面とを引き続いて覆うスペーサに、前記バーを載置
し、前記コーティング膜を成長させてなることによって
上記の目的を達成する。
る半導体レーザ素子の製造方法は、ストライプ状の光導
波路を含む半導体層を積層した半導体ウェハをバー状に
劈開した後、レーザの光出射領域を含む共振器端面とな
る、前記バーの劈開面にコーティング膜を形成する際、
前記劈開面の一部と、この劈開面に隣接する一方の電極
形成面とを引き続いて覆うスペーサに、前記バーを載置
し、前記コーティング膜を成長させてなることによって
上記の目的を達成する。
【００１４】本発明（請求項２）に係る半導体レーザ素
子の製造方法は、前記スペーサが、前記劈開面の少なく
とも光出射領域を露出するものであることによって上記
の目的を達成する。
子の製造方法は、前記スペーサが、前記劈開面の少なく
とも光出射領域を露出するものであることによって上記
の目的を達成する。
【００１５】本発明（請求項３）に係る半導体レーザ素
子の製造方法は、前記コーティング膜が形成される面
が、コーティング膜の材料進行方向に対して垂直な面か
ら傾斜されて配置されてなることによって上記の目的を
達成する。
子の製造方法は、前記コーティング膜が形成される面
が、コーティング膜の材料進行方向に対して垂直な面か
ら傾斜されて配置されてなることによって上記の目的を
達成する。
【００１６】本発明（請求項４）に係る半導体レーザ素
子の製造方法は、前記スペーサが、断面形状がＬ字又は
Ｔ字形であって、前記ウェハ上に積層形成される半導体
層の膜厚に応じて、使い分けてなることによって上記の
目的を達成する。
子の製造方法は、前記スペーサが、断面形状がＬ字又は
Ｔ字形であって、前記ウェハ上に積層形成される半導体
層の膜厚に応じて、使い分けてなることによって上記の
目的を達成する。
【００１７】レーザバーの反射面上にコーティング膜を
形成する際に、レーザバーの間にスペーサを挟み、同ス
ペーサが活性層付近以外の反射面を覆うようにする。ま
たコーティング膜の材料の進行方向と垂直な面から、反
射面を斜めに傾かせるようにする。
形成する際に、レーザバーの間にスペーサを挟み、同ス
ペーサが活性層付近以外の反射面を覆うようにする。ま
たコーティング膜の材料の進行方向と垂直な面から、反
射面を斜めに傾かせるようにする。
【００１８】以下、本発明の作用を記載する。
【００１９】上記手段により、すべてのレーザバーの反
射面の活性層付近が確実に露出されているので、コーテ
ィングを行おうとする同部分に確実にコーティング膜を
形成することができる。また電極面上にコーティング膜
が形成されないため、レジストによる反射面保護とエッ
チング液浸液という電極上のコーティング膜除去工程を
行う必要が無い。
射面の活性層付近が確実に露出されているので、コーテ
ィングを行おうとする同部分に確実にコーティング膜を
形成することができる。また電極面上にコーティング膜
が形成されないため、レジストによる反射面保護とエッ
チング液浸液という電極上のコーティング膜除去工程を
行う必要が無い。
【００２０】そのため反射面のコーティング膜をエッチ
ングしてしまったりすることや、電極上に形成されたコ
ーティング膜を除去できないといったことが無くなり、
反射面上に高品質のコーティング膜を安定して得ること
ができる。
ングしてしまったりすることや、電極上に形成されたコ
ーティング膜を除去できないといったことが無くなり、
反射面上に高品質のコーティング膜を安定して得ること
ができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を図面を用
いて説明する。
いて説明する。
【００２２】ＭＢＥ結晶成長装置あるいはＭＯＣＶＤ結
晶成長装置を用いて、レーザ発振可能な多層構造を作製
する。ｎ−ＧａＡｓ基板１１上にｎ−ＧａＡｓバッファ
層１２、ｎ−ＧａＩｎＰバッファ層１３、ｎ−ＡｌＧａ
ＩｎＰクラッド層１４、ＧａＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＰ多
重量子井戸層１５、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層
１６、ＧａＩｎＰエッチングストップ層１７、ｐ−Ａ
ｌＧａＩｎＰ第２クラッド層 １８、ｐ−ＧａＩｎＰ中
間層１９、ｐ−ＧａＡｓキャップ層２０を順次積層す
る。
晶成長装置を用いて、レーザ発振可能な多層構造を作製
する。ｎ−ＧａＡｓ基板１１上にｎ−ＧａＡｓバッファ
層１２、ｎ−ＧａＩｎＰバッファ層１３、ｎ−ＡｌＧａ
ＩｎＰクラッド層１４、ＧａＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＰ多
重量子井戸層１５、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層
１６、ＧａＩｎＰエッチングストップ層１７、ｐ−Ａ
ｌＧａＩｎＰ第２クラッド層 １８、ｐ−ＧａＩｎＰ中
間層１９、ｐ−ＧａＡｓキャップ層２０を順次積層す
る。
【００２３】次に電子ビーム法又はＣＶＤ法などにより
アルミナ膜を形成し、フォトリソグラフィ工程を経てア
ルミナ膜をストライプ状に加工する。これをマスクとし
てｐ−ＧａＡｓキャップ層２０、ｐ−ＧａＩｎＰ中間層
１９、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層１８を化学エ
ッチングにより除去する。
アルミナ膜を形成し、フォトリソグラフィ工程を経てア
ルミナ膜をストライプ状に加工する。これをマスクとし
てｐ−ＧａＡｓキャップ層２０、ｐ−ＧａＩｎＰ中間層
１９、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層１８を化学エ
ッチングにより除去する。
【００２４】次にｎ−ＧａＡｓ電流ブロック層２１、お
よびｐ−ＧａＡｓコンタクト層２２を形成した後、基板
の厚さが１００μｍから１５０μｍ程度となるように基
板下面から研磨する。この時に基板全体が完全には同じ
厚さにならないので、後でコーティングを行う際にレー
ザバーとスペーサの間に隙間ができる原因となる。基板
上面にｐ型電極７、基板下面にｎ型電極６を形成する。
図５は電極形成後にストライプと垂直に割った場合のレ
ーザの断面図である。
よびｐ−ＧａＡｓコンタクト層２２を形成した後、基板
の厚さが１００μｍから１５０μｍ程度となるように基
板下面から研磨する。この時に基板全体が完全には同じ
厚さにならないので、後でコーティングを行う際にレー
ザバーとスペーサの間に隙間ができる原因となる。基板
上面にｐ型電極７、基板下面にｎ型電極６を形成する。
図５は電極形成後にストライプと垂直に割った場合のレ
ーザの断面図である。
【００２５】次に光導波路となるストライプと垂直に、
基板を劈開することによってレーザバーを切り出す。通
常レーザバーの反射面にコーティングを行う場合、複数
個のレーザバーを同時にコーティングを行う。図６にレ
ーザバーとスペーサを設置したときの例を示す。バーと
スペーサの長さは２０ｍｍ程度であり、バーとスペーサ
を載せる治具には１８ｍｍ程度の幅の穴が開いている。
基板を劈開することによってレーザバーを切り出す。通
常レーザバーの反射面にコーティングを行う場合、複数
個のレーザバーを同時にコーティングを行う。図６にレ
ーザバーとスペーサを設置したときの例を示す。バーと
スペーサの長さは２０ｍｍ程度であり、バーとスペーサ
を載せる治具には１８ｍｍ程度の幅の穴が開いている。
【００２６】両反射面のうち、コーティングを行う面を
下向きにして、バーの間にスペーサを挟む。バーとスペ
ーサの両端約１ｍｍを治具に載せる。これでコーティン
グを行うことにより、下を向いている反射面にコーティ
ング膜が形成される。バーの長さ、治具の穴の幅などは
上で述べたものに限定されるものではない。バーとスペ
ーサの長さよりも、治具の穴の幅が短く、バーとスペー
サが治具の穴の部分から落ちてしまわなければ良い。
下向きにして、バーの間にスペーサを挟む。バーとスペ
ーサの両端約１ｍｍを治具に載せる。これでコーティン
グを行うことにより、下を向いている反射面にコーティ
ング膜が形成される。バーの長さ、治具の穴の幅などは
上で述べたものに限定されるものではない。バーとスペ
ーサの長さよりも、治具の穴の幅が短く、バーとスペー
サが治具の穴の部分から落ちてしまわなければ良い。
【００２７】本発明におけるスペーサの詳しい形状の一
例を図７と図８に示す。図７はスペーサの斜視図、図８
はＡおよびＢにおける断面図である。治具の穴の開いて
いる所に来るＢの部分は、両端のＡの部分と断面の形状
が異なってＬ字型になっており、レーザバーの反射面の
一部を覆うことになる。
例を図７と図８に示す。図７はスペーサの斜視図、図８
はＡおよびＢにおける断面図である。治具の穴の開いて
いる所に来るＢの部分は、両端のＡの部分と断面の形状
が異なってＬ字型になっており、レーザバーの反射面の
一部を覆うことになる。
【００２８】図９に示すように、レーザバーの電極のう
ちｎ型電極側がスペーサのＬ字型部分の内側になるよう
に設置する。スペーサの横方向の出っ張りはおよそ５０
μｍ程度以下とする。ｎ型電極面から活性層までの距離
はおよそ９０μｍ以上あるので、スペーサが活性層付近
（多重量子井戸層付近）を覆ってしまって、活性層付近
にコーティング膜が形成されないということは無い。こ
うすることにより、反射面へのコーティング膜形成時
に、ｎ型電極面上にコーティング膜が形成されることを
防止する。
ちｎ型電極側がスペーサのＬ字型部分の内側になるよう
に設置する。スペーサの横方向の出っ張りはおよそ５０
μｍ程度以下とする。ｎ型電極面から活性層までの距離
はおよそ９０μｍ以上あるので、スペーサが活性層付近
（多重量子井戸層付近）を覆ってしまって、活性層付近
にコーティング膜が形成されないということは無い。こ
うすることにより、反射面へのコーティング膜形成時
に、ｎ型電極面上にコーティング膜が形成されることを
防止する。
【００２９】さらにレーザバーの反射面上にコーティン
グ膜を形成する際に、コーティング膜の材料のビームの
進行方向と垂直な面から反射面を斜めに傾かせる（ｎ型
電極面が下を、ｐ型電極面が上を向くようにする）こと
により、ｐ型電極面上にコーティング膜が形成されるこ
とを防止する。傾ける角度は、図１０に示すようにコー
ティング材料とレーザバーの下側になっている方とから
成る角度ａよりも、大きい角度ｂとなるようにする。
グ膜を形成する際に、コーティング膜の材料のビームの
進行方向と垂直な面から反射面を斜めに傾かせる（ｎ型
電極面が下を、ｐ型電極面が上を向くようにする）こと
により、ｐ型電極面上にコーティング膜が形成されるこ
とを防止する。傾ける角度は、図１０に示すようにコー
ティング材料とレーザバーの下側になっている方とから
成る角度ａよりも、大きい角度ｂとなるようにする。
【００３０】こうすることにより、コーティング材料の
ビームは、ｐ型電極面とスペーサの間に入り込むことが
無くなる。例えばコーティング材料と治具の距離が４０
０ｍｍ、図６に示す治具の穴の長さが４０ｍｍ、コーテ
ィング材料から垂直に延ばした直線上に治具の穴の中心
が来るとすると、角度ａはおよそ３゜となる。角度ｂを
およそ６゜にすることにより、ｐ型電極面へのコーティ
ング膜形成は防止することができた。
ビームは、ｐ型電極面とスペーサの間に入り込むことが
無くなる。例えばコーティング材料と治具の距離が４０
０ｍｍ、図６に示す治具の穴の長さが４０ｍｍ、コーテ
ィング材料から垂直に延ばした直線上に治具の穴の中心
が来るとすると、角度ａはおよそ３゜となる。角度ｂを
およそ６゜にすることにより、ｐ型電極面へのコーティ
ング膜形成は防止することができた。
【００３１】コーティング後の様子を図１１に示す。ｎ
型電極面上およびｐ型電極面上にコーティング膜が形成
されることなく、反射面のみにコーティング膜が形成さ
れている。
型電極面上およびｐ型電極面上にコーティング膜が形成
されることなく、反射面のみにコーティング膜が形成さ
れている。
【００３２】またｐ−ＧａＡｓコンタクト層２２が厚い
場合は、スペーサの断面形状をＴ字型にして、ｐ型電極
面とｎ型電極面の両方から活性層付近以外の反射面を覆
うようにすることができる。図１２にｎ型電極面から活
性層までの距離がおよそ１００μｍ、ｐ−ＧａＡｓコン
タクト層２２の厚さがおよそ１００μｍで、Ｔ字型スペ
ーサの出っ張りの部分の幅がおよそ５０μｍの場合のコ
ーティング膜形成後の例を示す。この場合、反射面を材
料ビームの進行方向から斜めに傾けなくても電極面にコ
ーティング膜が形成されることなく、活性層付近に所望
の膜厚のコーティング膜を得ることができる。
場合は、スペーサの断面形状をＴ字型にして、ｐ型電極
面とｎ型電極面の両方から活性層付近以外の反射面を覆
うようにすることができる。図１２にｎ型電極面から活
性層までの距離がおよそ１００μｍ、ｐ−ＧａＡｓコン
タクト層２２の厚さがおよそ１００μｍで、Ｔ字型スペ
ーサの出っ張りの部分の幅がおよそ５０μｍの場合のコ
ーティング膜形成後の例を示す。この場合、反射面を材
料ビームの進行方向から斜めに傾けなくても電極面にコ
ーティング膜が形成されることなく、活性層付近に所望
の膜厚のコーティング膜を得ることができる。
【００３３】コーティング膜形成後、レーザバーとスペ
ーサを分離した後、バーをストライプと平行にストライ
プを１個だけ含むように分割してレーザチップを作製す
る。
ーサを分離した後、バーをストライプと平行にストライ
プを１個だけ含むように分割してレーザチップを作製す
る。
【００３４】以上の実施例はＡｌＧａＩｎＰ系半導体レ
ーザについて述べてきたが、これに限定されるものでは
なく、ＡｌＧａＡｓ系半導体レーザまたはＩｎＰ系半導
体レーザ等にも適用可能である。
ーザについて述べてきたが、これに限定されるものでは
なく、ＡｌＧａＡｓ系半導体レーザまたはＩｎＰ系半導
体レーザ等にも適用可能である。
【００３５】
【発明の効果】本発明により、複数個のレーザバーの反
射面にコーティング膜を形成する際に、電極面上にコー
ティング膜が形成されずに、すべてのバーの活性層付近
に確実にコーティング膜を形成することができる。その
ため、レジストによる反射面保護とエッチング液浸液と
いう電極上のコーティング膜除去工程を行う必要が無
い。従って、反射面の活性層付近に高品質のコーティン
グ膜を安定して得ることができる。
射面にコーティング膜を形成する際に、電極面上にコー
ティング膜が形成されずに、すべてのバーの活性層付近
に確実にコーティング膜を形成することができる。その
ため、レジストによる反射面保護とエッチング液浸液と
いう電極上のコーティング膜除去工程を行う必要が無
い。従って、反射面の活性層付近に高品質のコーティン
グ膜を安定して得ることができる。
【図１】従来の方法におけるレーザバーとスペーサの配
置を示す断面図である。
置を示す断面図である。
【図２】レーザバーとスペーサの間の隙間を示す斜視図
である。
である。
【図３】従来の方法におけるコーティング後の断面図で
ある。
ある。
【図４】従来の方法におけるコーティング後のレーザバ
ーの斜視図である。
ーの斜視図である。
【図５】電極形成後にストライプと垂直に割った場合の
レーザの断面図である。
レーザの断面図である。
【図６】コーティング時のレーザバーとスペーサの配置
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
【図７】本発明におけるＬ字型スペーサの斜視図であ
る。
る。
【図８】本発明におけるＬ字型スペーサの断面図であ
る。
る。
【図９】本発明におけるレーザバーとＬ字型スペーサの
配置を示す断面図である。
配置を示す断面図である。
【図１０】本発明において反射面を傾かせる角度を示す
断面図である。
断面図である。
【図１１】本発明におけるレーザバーとＬ字型スペーサ
のコーティング後の断面図である。
のコーティング後の断面図である。
【図１２】本発明におけるレーザバーとＴ字型スペーサ
のコーティング後の断面図である。
のコーティング後の断面図である。
１ レーザバー ２ 従来の技術におけるスペーサ ３ コーティング材料のビームの進行方向 ４ レーザバーとスペーサの間の隙間 ５ レーザバーの反射面 ６ ｎ型電極 ７ ｐ型電極 ８ コーティング膜 ９ レーザバーとスペーサを載せる治具 １０ 本発明におけるＬ字型スペーサ １１ ｎ−ＧａＡｓ基板 １２ ｎ−ＧａＡｓバッファ層 １３ ｎ−ＧａＩｎＰバッファ層 １４ ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層 １５ ＧａＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＰ多重量子井戸層 １６ ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層 １７ ｐ−ＧａＩｎＰエッチングストップ層 １８ ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層 １９ ｐ−ＧａＩｎＰ中間層 ２０ ｐ−ＧａＡｓキャップ層 ２１ ｎ−ＧａＡｓ電流ブロック層 ２２ ｐ−ＧａＡｓコンタクト層 ２３ 活性層 ２４ コーティング材料 ２５ 本発明におけるＴ字型スペーサ
Claims (4)
- 【請求項１】 ストライプ状の光導波路を含む半導体層
を積層した半導体ウェハをバー状に劈開した後、レーザ
の光出射領域を含む共振器端面となる、前記バーの劈開
面にコーティング膜を形成する際、 前記劈開面の一部と、この劈開面に隣接する一方の電極
形成面とを引き続いて覆うスペーサに、前記バーを載置
し、前記コーティング膜を成長させてなることを特徴と
する半導体レーザ素子の製造方法。 - 【請求項２】 前記スペーサは、前記劈開面の少なくと
も光出射領域を露出するものであることを特徴とする請
求項１に記載の半導体レーザ素子の製造方法。 - 【請求項３】 前記コーティング膜が形成される面は、
コーティング膜の材料進行方向に対して垂直な面から傾
斜されて配置されてなることを特徴とする請求項１又は
２に記載の半導体レーザ素子の製造方法。 - 【請求項４】 前記スペーサは、断面形状がＬ字又はＴ
字形であって、前記ウェハ上に積層形成される半導体層
の膜厚に応じて、使い分けてなることを特徴とする請求
項１〜３のいずれかに記載の半導体レーザ素子の製造方
法。
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