JPS63153876A - 半導体レ−ザの端面処理方法及びそれに使用する治具 - Google Patents
半導体レ−ザの端面処理方法及びそれに使用する治具Info
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- JPS63153876A JPS63153876A JP29985786A JP29985786A JPS63153876A JP S63153876 A JPS63153876 A JP S63153876A JP 29985786 A JP29985786 A JP 29985786A JP 29985786 A JP29985786 A JP 29985786A JP S63153876 A JPS63153876 A JP S63153876A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的１
（産業上の利用分野）
この発明は、半導体レーザの端面処理方法及びそれに使
用する治具の改良に関する。
用する治具の改良に関する。
（従来の技術）
半導体レーザは、幅２〜３μｍ、厚さ０．１μｍ程度の
微小領域より５〜２０ｍＷの光出力を得る装置であり、
その単位面積当りの光出力密度は、１０〜１０ Ｗ／
ｃｍ２にも達する。このため、半導体レーザの光出射面
は、自己の光出力により損傷を受けることから、信頼性
向上、長寿命化のためには、共振器端面への保護膜加工
は不可欠である。
微小領域より５〜２０ｍＷの光出力を得る装置であり、
その単位面積当りの光出力密度は、１０〜１０ Ｗ／
ｃｍ２にも達する。このため、半導体レーザの光出射面
は、自己の光出力により損傷を受けることから、信頼性
向上、長寿命化のためには、共振器端面への保護膜加工
は不可欠である。
半導体レーザの端面への保Ｗ！膜・形成技術は、例えば
特開昭６０−４２８８１公報、特開昭６０−１４０７８
１号公報に記載されている。即ち、基本的には第３図に
示すように、ウェハから男開により形成した複数の半導
体レーザ素子が一列に並んだ半導体レーザ・バー（２０
）を、一方の端面（２２）が露出するように複数個並べ
て治具（２４）に保持し、端面（２２）に誘電体膜から
なる保護膜を、スパッタ、ＣＶＤ法等で形成している。
特開昭６０−４２８８１公報、特開昭６０−１４０７８
１号公報に記載されている。即ち、基本的には第３図に
示すように、ウェハから男開により形成した複数の半導
体レーザ素子が一列に並んだ半導体レーザ・バー（２０
）を、一方の端面（２２）が露出するように複数個並べ
て治具（２４）に保持し、端面（２２）に誘電体膜から
なる保護膜を、スパッタ、ＣＶＤ法等で形成している。
（発明が解決しようとする問題点）
上述の先行技術に記載された方法では、各半導体レーザ
・バーの積層面との間に僅かでも隙間が形成されると、
スパッタ、ＣＶＤの際に、そこから保護膜形成物質が侵
入する。このため、半導体レーザの電極面に被膜が形成
されてしまい、後工程でヒートシンクへのマウントが困
難になったり、ワイヤボンディングができず導電不良に
なったりする等の問題が発生する。
・バーの積層面との間に僅かでも隙間が形成されると、
スパッタ、ＣＶＤの際に、そこから保護膜形成物質が侵
入する。このため、半導体レーザの電極面に被膜が形成
されてしまい、後工程でヒートシンクへのマウントが困
難になったり、ワイヤボンディングができず導電不良に
なったりする等の問題が発生する。
なお、第３図に示す半導体レーザ・バーの保持治具を、
スパッタ・ターゲットの下方から側方に離れた位置に配
置し、端面（２２）に対して斜め方向からスパッタを行
えば、隙間があっても保護膜形成物質の電極面への被着
を防止できる。しかし、この場合には、場所による膜厚
不均一のため保護膜の厚さを正確に制御できず、良好な
特性の保護膜が得られず全く実用にならない。
スパッタ・ターゲットの下方から側方に離れた位置に配
置し、端面（２２）に対して斜め方向からスパッタを行
えば、隙間があっても保護膜形成物質の電極面への被着
を防止できる。しかし、この場合には、場所による膜厚
不均一のため保護膜の厚さを正確に制御できず、良好な
特性の保護膜が得られず全く実用にならない。
また、半導体レーザの一方の端面（２５）が治具の載置
面（２６）に接しているで、半導体レーザ・バーを治具
に載置する時や保護膜形成時にこの端面が損傷すること
がある。ざらには、半導体レーザ・バーは厚さが薄く、
多数を治具に垂直に立てて並べることは作業的にも容易
ではない。
面（２６）に接しているで、半導体レーザ・バーを治具
に載置する時や保護膜形成時にこの端面が損傷すること
がある。ざらには、半導体レーザ・バーは厚さが薄く、
多数を治具に垂直に立てて並べることは作業的にも容易
ではない。
本発明は、上述の問題点を解消し、能率、歩留りの良い
半導体レーザの端面処理方法及びそれに使用する治具を
提供することを目的とする。
半導体レーザの端面処理方法及びそれに使用する治具を
提供することを目的とする。
［発明の構成］
（問題点を解決するための手段）
本発明は、複数の半導体レーザ・バーの一方の端面を、
それぞれ載置面に対して傾斜させて治具に固定し、載置
面と反対側の半導体レーザ・バーの端面に処理膜を形成
することを特徴とする半導体レーザの端面処理方法でお
る。
それぞれ載置面に対して傾斜させて治具に固定し、載置
面と反対側の半導体レーザ・バーの端面に処理膜を形成
することを特徴とする半導体レーザの端面処理方法でお
る。
また、本発明は、半導体レーザ・バーの載置面と、この
載置面に対して所定の角度傾斜した傾斜面とを有する半
導体レーザの端面処理用治具である。
載置面に対して所定の角度傾斜した傾斜面とを有する半
導体レーザの端面処理用治具である。
（作用）
本発明によれば、複数の半導体レーザ・バーは、エッチ
部分のみが載置面と接触する如く一方の端面が治具の載
置面に対して傾斜させて、つまり端面が載置面と接する
ことなく治具に保持固定される。従って、端面に処理膜
を形成する際に、載置面側の端面が損傷することがない
。ざらには、半導体レーザ・バーは載置面に対して傾斜
して載置されるので、保護膜形成時に、各半導体レーザ
・バーの積層面との間に隙間が形成されていても、そこ
から保護膜形成物質が侵入することがなく、電極面に被
膜が形成されるという問題も生じない。
部分のみが載置面と接触する如く一方の端面が治具の載
置面に対して傾斜させて、つまり端面が載置面と接する
ことなく治具に保持固定される。従って、端面に処理膜
を形成する際に、載置面側の端面が損傷することがない
。ざらには、半導体レーザ・バーは載置面に対して傾斜
して載置されるので、保護膜形成時に、各半導体レーザ
・バーの積層面との間に隙間が形成されていても、そこ
から保護膜形成物質が侵入することがなく、電極面に被
膜が形成されるという問題も生じない。
（実施例）
第１図ａは本発明の一実施例の半導体レーザの端面処理
用治具に半導体レーザ・バーを保持固定した状態を示す
正面図、同図すはＡ−Ａ＝線に沿った断面図である。
用治具に半導体レーザ・バーを保持固定した状態を示す
正面図、同図すはＡ−Ａ＝線に沿った断面図である。
治具（１）は、載置面（２）となる底部（３）と、傾斜
面（４）を有する正側面（５）と、両側面（６）及び押
え具（７）からなる、傾斜面（４）は例えば載置面（２
）に対して７０度傾斜している。治具（１）には、第２
図に示す半導体レーザ・バー（１）が複数個並べられる
。この半導体レーザ・バー（１）は、多数の半導体レー
ザ素子を形成したウェハから、複数の半導体レーザ素子
（図示せず）が−列に並んだものを棒状（例えば幅０゜
２５ｍｍ、厚さ０．１ｍｍ１長ざ１０〜２０ｍｍ）に男
開したものである。半導体レーザ・バー（１）の男開面
である端面（１１）０２）には、誘電体膜からなる保１
ｕｌｌが後述のようにして形成される。半導体レーザ・
バー（１０）は、第１図すに示すように、治具（１）に
傾斜面（４）にもたせかけるようにして、順次、電極面
（１３） （１４）が密着するように複数個が載置され
る。
面（４）を有する正側面（５）と、両側面（６）及び押
え具（７）からなる、傾斜面（４）は例えば載置面（２
）に対して７０度傾斜している。治具（１）には、第２
図に示す半導体レーザ・バー（１）が複数個並べられる
。この半導体レーザ・バー（１）は、多数の半導体レー
ザ素子を形成したウェハから、複数の半導体レーザ素子
（図示せず）が−列に並んだものを棒状（例えば幅０゜
２５ｍｍ、厚さ０．１ｍｍ１長ざ１０〜２０ｍｍ）に男
開したものである。半導体レーザ・バー（１）の男開面
である端面（１１）０２）には、誘電体膜からなる保１
ｕｌｌが後述のようにして形成される。半導体レーザ・
バー（１０）は、第１図すに示すように、治具（１）に
傾斜面（４）にもたせかけるようにして、順次、電極面
（１３） （１４）が密着するように複数個が載置され
る。
この際、半導体レーザ・バー（υ）は載置面（２）とは
エッチのみで接触し、一方の端面（１１）は載置面（２
）から傾斜し離れた状態となる。複数本の半導体レーザ
・バー（幻）を載置した後、押え具（７）で押えて固定
する。
エッチのみで接触し、一方の端面（１１）は載置面（２
）から傾斜し離れた状態となる。複数本の半導体レーザ
・バー（幻）を載置した後、押え具（７）で押えて固定
する。
次に、複数の半導体レーザ・バー（１０）を保持固定し
た治具（１）をスパッタ装置のターゲットの下方に配置
し、スパッタにより、露出する端面０に３ｉ０２、Ｓｉ
３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３等の絶縁物からなる保、￥ＩＷａを
所定の厚さだけ形成する。なお、保護膜は必要に応じて
複数層が形成される。一方の端面０への保護膜の形成が
終了したら、他方の端面（１１）にも同様にして保護膜
を形成する。
た治具（１）をスパッタ装置のターゲットの下方に配置
し、スパッタにより、露出する端面０に３ｉ０２、Ｓｉ
３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３等の絶縁物からなる保、￥ＩＷａを
所定の厚さだけ形成する。なお、保護膜は必要に応じて
複数層が形成される。一方の端面０への保護膜の形成が
終了したら、他方の端面（１１）にも同様にして保護膜
を形成する。
このように、本発明によれば、ターゲットの下方におい
て、半導体レーザ・バーは傾斜して治具に保持されるた
め、膜厚制御も容易にして、かつ保護膜形成物質の電極
面への回り込みもなく、導電不良の発生が防止できる。
て、半導体レーザ・バーは傾斜して治具に保持されるた
め、膜厚制御も容易にして、かつ保護膜形成物質の電極
面への回り込みもなく、導電不良の発生が防止できる。
また、他方の端面は載置面と接することがなく損傷も発
生しない。なお、傾斜させた半導体レーザ・バーからは
電極面の一部が露出するが、これは電極の端から僅か〜
１０μｍ程度であり、保護膜形成物質の被着は実用上問
題とはならない。なお、露出部を田うようなダミー基板
を各半導体レーザ・バーの間に配置すれば、この被着も
防止できる。更に、傾斜面にもたせかけるようにして、
半導体レーザ・バーを載置できるので、半導体レーザ・
バーの治具への取付は作業も容易である。
生しない。なお、傾斜させた半導体レーザ・バーからは
電極面の一部が露出するが、これは電極の端から僅か〜
１０μｍ程度であり、保護膜形成物質の被着は実用上問
題とはならない。なお、露出部を田うようなダミー基板
を各半導体レーザ・バーの間に配置すれば、この被着も
防止できる。更に、傾斜面にもたせかけるようにして、
半導体レーザ・バーを載置できるので、半導体レーザ・
バーの治具への取付は作業も容易である。
［発明の効果］
本発明によれば、保護膜形成物質の回り込みにより、導
電不良が発生するということがなく、また、端面への損
傷を与えることがなく、能率、歩留りの良い半導体レー
ザの半導体レーザの端面処理方法及びそれに使用する治
具を提供できる。
電不良が発生するということがなく、また、端面への損
傷を与えることがなく、能率、歩留りの良い半導体レー
ザの半導体レーザの端面処理方法及びそれに使用する治
具を提供できる。
第１図は本発明の一実施例の半導体レーザの端面処理用
治具に半導体レーザ・バーを保持固定した状態を示す正
面図および断面図、第２図は半導体レーザ・バーの斜視
図、第３図は先行技術の半導体レーザ・バーの保持治具
の断面図を示す。 （１）・・・治具、 （２）・・・載置面、 （４）・・・傾斜面、 （７）・・・押え具、 （１０）・・・半導体レーザ、 （１１）■・・・端面。 代理人弁理士 則 近 憲 佑 同 大胡典夫 ！王台、％ （ｂ）第１図 ｆ２−面 第２図 第３ｘ
治具に半導体レーザ・バーを保持固定した状態を示す正
面図および断面図、第２図は半導体レーザ・バーの斜視
図、第３図は先行技術の半導体レーザ・バーの保持治具
の断面図を示す。 （１）・・・治具、 （２）・・・載置面、 （４）・・・傾斜面、 （７）・・・押え具、 （１０）・・・半導体レーザ、 （１１）■・・・端面。 代理人弁理士 則 近 憲 佑 同 大胡典夫 ！王台、％ （ｂ）第１図 ｆ２−面 第２図 第３ｘ
Claims (2)
- （１）複数の半導体レーザ・バーの一方の端面を、それ
ぞれ載置面に対して傾斜させて治具に固定し、載置面と
反対側の半導体レーザ・バーの端面に処理膜を形成する
ことを特徴とする半導体レーザの端面処理方法。 - （２）半導体レーザ・バーの載置面と、この載置面に対
して所定の角度傾斜した傾斜面とを有する半導体レーザ
の端面処理用治具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29985786A JPS63153876A (ja) | 1986-12-18 | 1986-12-18 | 半導体レ−ザの端面処理方法及びそれに使用する治具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29985786A JPS63153876A (ja) | 1986-12-18 | 1986-12-18 | 半導体レ−ザの端面処理方法及びそれに使用する治具 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63153876A true JPS63153876A (ja) | 1988-06-27 |
Family
ID=17877786
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29985786A Pending JPS63153876A (ja) | 1986-12-18 | 1986-12-18 | 半導体レ−ザの端面処理方法及びそれに使用する治具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63153876A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0426560U (ja) * | 1990-06-26 | 1992-03-03 | ||
| JPH10125994A (ja) * | 1996-10-18 | 1998-05-15 | Nec Corp | 半導体レーザ素子及びその製造方法 |
| JP2000133871A (ja) * | 1998-10-27 | 2000-05-12 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子の製造方法 |
| JP2001127382A (ja) * | 1999-10-29 | 2001-05-11 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体レーザ装置、半導体レーザパッケージおよび半導体レーザ素子の製造方法 |
| KR100290263B1 (ko) * | 1999-03-12 | 2001-05-15 | 권문구 | 반도체 레이저 다이오드의 벽개면 코팅 방법 |
| JP2018170308A (ja) * | 2017-03-29 | 2018-11-01 | 日本オクラロ株式会社 | 半導体光素子、光送信モジュール、光モジュール、及び光伝送装置、並びにそれらの製造方法 |
-
1986
- 1986-12-18 JP JP29985786A patent/JPS63153876A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0426560U (ja) * | 1990-06-26 | 1992-03-03 | ||
| JPH10125994A (ja) * | 1996-10-18 | 1998-05-15 | Nec Corp | 半導体レーザ素子及びその製造方法 |
| JP2000133871A (ja) * | 1998-10-27 | 2000-05-12 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子の製造方法 |
| KR100290263B1 (ko) * | 1999-03-12 | 2001-05-15 | 권문구 | 반도체 레이저 다이오드의 벽개면 코팅 방법 |
| JP2001127382A (ja) * | 1999-10-29 | 2001-05-11 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体レーザ装置、半導体レーザパッケージおよび半導体レーザ素子の製造方法 |
| JP2018170308A (ja) * | 2017-03-29 | 2018-11-01 | 日本オクラロ株式会社 | 半導体光素子、光送信モジュール、光モジュール、及び光伝送装置、並びにそれらの製造方法 |
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