JP3040763B1 - 半導体装置の製造方法及びそれに用いる被膜形成用治具 - Google Patents

Abstract

【要約】 【課題】 バー状半導体を被膜形成用治具に保持する工
程の作業効率の向上を図り、バー状半導体を確実に保持
できるようにすると共に、バー状半導体の膜形成面以外
の面に被膜が付着しないようにする。 【解決手段】 ベース１００は、バー状半導体レーザ１
の幅寸法よりも若干大きい間隔を持って互いに平行に延
びるように設けられた複数の凸状部１０２を有してい
る。枠体１１０はベース１００の段差部１０１に載置さ
れる。格子部材１２０は枠体１２１と複数の桟１２２と
を有しており、桟１２２は、複数の凸状部１０２同士の
間に形成される複数の凹状部１０３と同じピッチで設け
られ、凹状部１０３の幅寸法よりも小さい幅寸法を持つ
と共に凸状部１０２の高さよりも小さい高さを持つ。押
さえ部材１３０は、桟１２２の上に載置されるバー状半
導体レーザ１を桟１２２と共に挟持する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
方法及びそれに用いる被膜形成用治具に関し、特に、互
いに対向する両側面に膜形成面を有する複数の半導体デ
バイスがそれらの膜形成面が連続するように一体化され
てなる複数のバー状半導体の膜形成面に被膜を形成する
半導体装置の製造方法及びそれに用いられる被膜形成用
治具に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体デバイス例えば半導体レーザ素子
の共振器端面は、自己が出射するレーザビームに起因す
る酸化等によって損傷を受けるので、共振器端面に保護
膜を形成することにより、半導体レーザ素子の信頼性の
向上及び長寿命化が図られている。

【０００３】半導体レーザ素子の共振器端面に保護膜を
形成する場合、生産効率を向上するため、多数の半導体
レーザ素子等が形成されている半導体ウエハをバー状に
劈開することによって形成されるバー状半導体レーザの
劈開面である膜形成面に保護膜を形成した後、バー状半
導体レーザを更に劈開することにより個別の半導体レー
ザ素子を形成する方法が採用されている。

【０００４】半導体ウエハをバー状に劈開することによ
り得られるバー状半導体レーザの劈開面（膜形成面）に
保護用被膜を形成する工程は次のように行なわれる。す
なわち、バー状半導体レーザを構成する各半導体レーザ
素子の両電極面を例えばシリコンからなる一対の帯状体
で保護した後、複数のバー状半導体レーザを電極面同士
が互いに対向するように並列させた状態で被膜形成用治
具に固定し、次に、一方の膜形成面を上側に向けた状態
で該一方の膜形成面に保護用被膜を堆積し、その後、他
方の膜形成面を上側に向けた状態で該他方の膜形成面に
保護用被膜を形成する。尚、保護用被膜としては例えば
誘電体膜が用いられると共に、保護用被膜の形成方法と
してはスパッタリング法又はＣＶＤ法等が挙げられる。

【０００５】ところが、前述の方法によると、一方及び
他方の膜形成面に対して別々に保護用被膜を形成しなけ
ればならないので、作業効率が低いという問題があっ
た。

【０００６】そこで、特開昭６４−５５８９１号公報に
示されるような被膜形成用治具が提案されている。

【０００７】以下、前述の被膜形成用治具及び該治具を
用いて行なう半導体装置の製造方法について図１７及び
図１８を参照しながら説明する。

【０００８】まず、底辺がバー状半導体レーザ１の共振
器長（電極面の長さ）よりも若干大きい逆台形状の断面
を有すると共にバー状半導体レーザ１よりも若干大きい
長さを有する複数の収納凹部１１ａと、各収納凹部１１
ａの両端側に形成された切り込み溝１１ｂとを備えたベ
ース１１を準備する。

【０００９】次に、バー状半導体レーザ１をベース１１
の各収納凹部１１ａに、バー状半導体レーザ１の各膜形
成面が側方を向くように収納した後、バー状半導体レー
ザ１の共振器長よりも若干小さい幅を有すると共にベー
ス１１の収納凹部１１ａよりも大きい長さを有する単結
晶シリコンからなる棒状のスペーサー１２をベース１１
の切り込み溝１１ｂに嵌め込む。

【００１０】次に、枠状の押さえ部材１３をベース１１
の上に、ベース１１と押さえ部材１３とによってスペー
サー１２の両端部を挟持するように載置した後、図示し
ない螺子部材を押さえ部材１３の貫通孔１３ａに挿通し
て、押さえ部材１３をベース１１に固定する。これによ
り、バー状半導体レーザ１はスペーサー１２とベース１
１とによって挟持される。

【００１１】次に、スペーサー１２とベース１１とによ
って挟持されたバー状半導体レーザ１を成膜装置に搬入
して、該成膜装置内でバー状半導体レーザ１に対してス
パッタ法又はＣＶＤ法を施すと、バー状半導体レーザ１
の両側の膜形成面に保護用の被膜を同時に形成すること
ができる。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述の
被膜形成用治具及び半導体装置の製造方法によると、以
下に説明するような問題が発生する。

【００１３】まず、バー状半導体レーザ１をベース１１
の各収納凹部１１ａに収納した後、バー状半導体レーザ
１毎に、スペーサー１２をベース１１の切り込み溝１１
ｂに嵌め込む必要があるので、バー状半導体レーザ１を
被膜形成用治具に保持する工程の作業効率が良くないと
いう第１の問題がある。

【００１４】また、スペーサー１２がバー状半導体レー
ザ１の中央部に配置されないときには、バー状半導体レ
ーザ１を被膜形成用治具と共に成膜装置に搬送する際に
バー状半導体レーザ１がスペーサー１２とベース１１と
の間から脱落したり、又は成膜工程において、バー状半
導体レーザ１の電極面に被膜が付着したりするという第
２の問題がある。もっとも、スペーサー１２の幅とベー
ス１１の切り込み溝１１ｂの幅との寸法差を極めて小さ
くすると、スペーサー１２をバー状半導体レーザ１の中
央部に配置することはできるが、この場合には、スペー
サー１２をベース１１の切り込み溝１１ｂに嵌め込む作
業が困難になるので作業効率の低下を招くと共に、単結
晶シリコンからなるスペーサー１２が破損する恐れがあ
る。

【００１５】バー状半導体レーザ１の電極面に保護膜が
付着すると、バー状半導体レーザ１を構成する各半導体
レーザ素子をヒートシンクにマウントする作業が困難に
なったり、電極面へのワイヤボンデングができずに導通
不良が発生したりする。

【００１６】また、スペーサー１２をバー状半導体レー
ザ１の上に配置する際に両者が接触するため、バー状半
導体レーザ１の位置がずれたり又はバー状半導体レーザ
１が傾いたりするので、バー状半導体レーザ１の膜形成
面に対して被膜を確実に形成することができないという
第３の問題がある。また、位置がずれたり又は傾いたり
した状態でスペーサー１２とベース１１とに挟持されて
いるバー状半導体レーザ１の姿勢を修正することはでき
ない。

【００１７】また、バー状半導体レーザ１は製造プロセ
ス上の原因によって厚さがばらついたり又は反ったりす
るが、バー状半導体レーザ１がこのような状態になる
と、バー状半導体レーザ１をスペーサー１２とベース１
１とによって確実に挟持することができないという第４
の問題がある。すなわち、ベース１１の切り込み溝１１
ｂの深さはスペーサー１２の高さとバー状半導体レーザ
１の高さとの合計寸法に一致させておく必要があるた
め、バー状半導体レーザ１の厚さの増大又は反りに起因
してスペーサー１２がベース１１の上面から突出する場
合には、ベース１１と押さえ部材１３との間に隙間がで
きる一方、バー状半導体レーザ１の厚さの減少に起因し
てスペーサー１２がベース１１の上面から沈む場合に
は、スペーサー１２と押さえ部材１３との間に隙間がで
きるので、バー状半導体レーザ１はスペーサー１２とベ
ース１１とによって確実に挟持されないことになる。こ
のようになると、バー状半導体レーザ１を搬送する際に
バー状半導体レーザ１がスペーサー１２とベース１１と
の間から脱落してしまったり、又は成膜工程において、
バー状半導体レーザ１の電極面に被膜が付着してしまう
ことになる。

【００１８】本発明は、前記の問題点を一挙に解決し、
バー状半導体を被膜形成用治具に保持する工程の作業効
率の向上を図り、バー状半導体を被膜形成用治具に確実
に保持できるようにしてバー状半導体が脱落しないよう
にし、また、バー状半導体の膜形成面以外の面例えば電
極面に保護用被膜が付着しないようにすることを目的と
する。

【００１９】

【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
め、本発明に係る半導体装置の製造方法は、互いに対向
する両側面に膜形成面を有する複数の半導体デバイスが
膜形成面が連続するように一体化されてなる複数のバー
状半導体の膜形成面に被膜を形成する半導体装置の製造
方法を対象とし、バー状半導体の幅寸法よりも若干大き
い間隔を持って互いに平行に延びるように配置された複
数の凸状部同士の間に形成される複数の凹状部に、該凹
状部と同じピッチを持って保持されていると共に凸状部
の高さよりも小さい高さを持つ複数の桟をそれぞれ挿入
することにより、互いに隣り合う一対の凸状部及び一対
の凸状部の間に挿入された桟によって複数の収納用溝を
形成する収納用溝形成工程と、バー状半導体を収納用溝
に、バー状半導体が桟の上に載置され且つ膜形成面が凸
状部と対向するように収納するバー状半導体収納工程
と、収納用溝に収納されているバー状半導体を押さえ部
材と桟とによって挟持するバー状半導体保持工程と、複
数の凸状部を取り去ることによって、バー状半導体の両
側に空間部を形成する空間部形成工程と、押さえ部材と
桟とによって挟持されているバー状半導体の膜形成面に
空間部から成膜する成膜工程とを備えている。

【００２０】本発明の半導体装置の製造方法によると、
複数の凸状部同士の間に形成される複数の凹状部に、該
凹状部と同じピッチを持って保持されていると共に凸状
部の高さよりも小さい高さを持つ複数の桟を挿入するこ
とにより複数の収納用溝を形成した後、該収納用溝にバ
ー状半導体を収納し、その後、収納用溝に収納されてい
るバー状半導体を押さえ部材と桟とによって挟持するた
め、従来のように別々のスペーサーを配置する場合に比
べて、バー状半導体を保持する工程が容易になると共に
バー状半導体を確実に保持することができる。また、バ
ー状半導体を収納する収納用溝を形成していた複数の凸
状部を取り去ることによって、バー状半導体の両側に空
間部を形成することができる。

【００２１】本発明の半導体装置の製造方法において、
複数の凸状部はベースに一体に設けられていることが好
ましい。

【００２２】本発明の半導体装置の製造方法において、
凹状部の深さは、バー状半導体の高さと桟の高さとの合
計寸法よりも大きいことが好ましい。

【００２３】本発明の半導体装置の製造方法において、
複数の桟は枠体に保持されており、押さえ部材と枠体と
は、桟が延びる方向に対して交差する方向に位置する少
なくとも一対の固定部において互いに固定されているこ
とが好ましい。

【００２４】本発明の半導体装置の製造方法において、
複数の桟は枠体に、該枠体の面方向に対して垂直な方向
へ移動可能に保持されていることが好ましい。

【００２５】本発明の半導体装置の製造方法において、
押さえ部材は、空間部と対応する位置に開口部を有して
いることが好ましい。

【００２６】本発明の半導体装置の製造方法において、
押さえ部材におけるバー状半導体と対向する面は湾曲状
に形成されていることが好ましい。

【００２７】本発明の半導体装置の製造方法において、
複数の凸状部はベースに一体に形成されており、空間部
形成工程は、複数の凸状部をベースと共に取り去る工程
を含むことが好ましい。

【００２８】本発明の半導体装置の製造方法において、
複数の凸状部はベースに一体に設けられていると共に、
複数の桟は枠体に保持されており、収納用溝形成工程
は、ベースと枠体との相対位置を規制するガイド手段に
よって、複数の桟を複数の凹状部の所定位置に挿入する
工程を含むことが好ましい。

【００２９】本発明の半導体装置の製造方法において、
バー状半導体保持工程は、収納用溝に収納されているバ
ー状半導体の上に押さえ部材を載置する工程と、押さえ
部材と枠体とを螺子部材の回転に伴って互いに接近させ
ることによって、バー状半導体を押さえ部材と桟とによ
って挟持する工程とを含むことが好ましい。

【００３０】本発明の半導体装置の製造方法において、
成膜工程は、膜形成面が、ターゲットのスパッタ面に垂
直な方向に対して角度を持つようにバー状半導体を配置
する工程を含むことが好ましい。

【００３１】本発明の半導体装置の製造方法において、
半導体デバイスは半導体レーザ素子であると共に、膜形
成面は半導体レーザ素子の共振器端面であることが好ま
しい。

【００３２】本発明の半導体装置の製造方法において、
複数の桟は、単結晶シリコン、セラミック又は超硬質合
金からなることが好ましい。

【００３３】本発明に係る被膜形成用治具は、互いに対
向する両側面に膜形成面を有する複数の半導体デバイス
が膜形成面が連続するように一体化されてなる複数のバ
ー状半導体の前記膜形成面に被膜を形成するための被膜
形成用治具を対象とし、バー状半導体の幅寸法よりも若
干大きい間隔を持って互いに平行に延びるように設けら
れた複数の凸状部を有するベースと、複数の凸状部同士
の間に形成される複数の凹状部と同じピッチで設けら
れ、凹状部の幅寸法よりも小さい幅寸法を持つと共に凸
状部の高さよりも小さい高さを持つ複数の桟を有する格
子部材と、複数の桟の上にそれぞれ載置されるバー状半
導体を桟と共に挟持する押さえ部材とを備えている。

【００３４】本発明の被膜形成用治具によると、バー状
半導体の幅寸法よりも若干大きい間隔を持って互いに平
行に延びるように設けられた複数の凸状部を有するベー
スと、複数の凸状部同士の間に形成される複数の凹状部
と同じピッチで設けられ、凹状部の幅寸法よりも小さい
幅寸法を持つと共に凸状部の高さよりも小さい高さを持
つ複数の桟を有する格子部材とを備えているため、複数
の凹状部に複数の桟を挿入することにより、バー状半導
体を収納する複数の収納用溝を形成することができる。
また、複数の桟の上に載置されるバー状半導体を桟と共
に挟持する押さえ部材を備えているため、バー状半導体
を保持する工程が容易になると共に、バー状半導体を確
実に保持することができる。

【００３５】本発明の被膜形成用治具において、凹状部
の深さは、バー状半導体の高さと桟の高さとの合計寸法
よりも大きいことが好ましい。

【００３６】本発明の被膜形成用治具において、格子部
材は複数の桟を保持する枠体を有しており、複数の桟は
枠体に該枠体の面方向に対して垂直な方向へ移動可能に
保持されていることが好ましい。

【００３７】本発明の被膜形成用治具において、格子部
材の複数の桟がベースの複数の凹状部の所定位置に挿入
されるように、格子部材とベースとの相対位置を規制す
るガイド手段をさらに備えていることが好ましい。

【００３８】

【発明の実施形態】（第１の実施形態） ＜被膜形成用治具＞以下、本発明の第１の実施形態に係
る被膜形成用治具について、図１〜図４を参照しながら
説明する。図１は第１の実施形態に係る被膜形成用治具
の全体構成を示す分解斜視図である。

【００３９】図２はバー状半導体レーザ１の斜視図であ
って、図２に示すように、バー状半導体レーザ１は、互
いに連結されている複数個例えば７個の半導体レーザ素
子２からなり、各半導体レーザ素子２は、前方側及び後
方側のそれぞれにおいて保護用被膜が形成される膜形成
面としての共振器端面３を有していると共に、上方側及
び下方側のそれぞれにおいて電極面４を有している。

【００４０】バー状半導体レーザ１の高さについては、
半導体レーザ素子２の高さによって一義的に決まるが、
通常は１００μｍ程度である。また、バー状半導体レー
ザ１の幅については、半導体レーザ素子２の共振器長に
よって一義的に決まるが、例えば２００μｍ程度であ
る。

【００４１】バー状半導体レーザ１の長さについては、
例えば２０ｍｍ〜４０ｍｍ程度であるが、バー状半導体
レーザ１の長さが大きいほど、共振器端面３に保護用被
膜を同時に形成できる半導体レーザ素子２の数が増加す
るので、保護用被膜を形成する工程の効率が向上する。

【００４２】図３はベース１００の斜視図であって、図
１及び図３に示すように、ベース１００は周縁に段差部
１０１を有する方形状であって、段差部１０１の上面１
０１ａには、バー状半導体レーザ１の長さよりも若干大
きい長さを有する複数の凸状部１０２がバー状半導体レ
ーザ１の幅よりも若干大きい間隔で設けられており、こ
れにより、凸状部１０２同士の間には、バー状半導体レ
ーザ１よりも若干大きい長さ及び若干大きい幅を有する
複数の凹状部１０３が形成されている。凸状部１０２同
士の間隔つまり凹状部１０３の幅寸法としては、生産プ
ロセスで発生するバー状半導体レーザ１の幅寸法つまり
共振器長のばらつきを吸収できる程度の余裕を持って決
定することが好ましい。このようにすると、ベース１０
０の凹状部１０３にバー状半導体レーザ１を収納する際
に、バー状半導体レーザ１の共振器端面が損傷する事態
を回避できる。

【００４３】また、ベース１００の段差部１０１の下面
１０１ｂにおける対角方向には一対の棒状のガイド部材
１０４が突設されている。

【００４４】図１に示すように、枠部材１１０は方形枠
状であって、ベース１００の外形とほぼ等しい外形、及
びベース１００の段差部１０１の外径よりも若干大きい
内径を有すると共に、ベース１００の段差部１０１の段
差とほぼ等しい高さを有している。また、枠部材１１０
の対角方向にはベース１００のガイド部材１０４が挿通
可能なガイド孔１１１を有している。これらによって、
枠部材１１０のガイド孔１１１をベース１００のガイド
部材１０４に挿通させると、枠部材１１０はベース１０
０の段差部１０１の所定位置に確実に装着される。尚、
枠部材１１０におけるベース１００の凸状部１０２が延
びる方向と直交する方向には一対の雌ねじ部１１２が設
けられている。

【００４５】図４は格子部材１２０の斜視図であって、
図１及び図４に示すように、格子部材１２０は、ベース
１００の外形とほぼ等しい外形を有する枠体１２１と、
ベース１００の凹状部１０３と対応するように設けられ
ていると共に枠体１２１に固定された複数の桟１２２と
からなる。

【００４６】各桟１２２は、ベース１００の凹状部１０
３よりも小さい幅を有すると共にベース１００の凸状部
１０２の高さからバー状半導体レーザ１の高さを引いた
値よりも小さい高さを有している。

【００４７】枠体１２１における対角方向にはベース１
００のガイド部材１０４が挿通可能なガイド孔１２３が
設けられていると共に、格子部材１２０の枠体１２１の
対辺方向における枠部材１１０の雌ねじ部１１２と対応
する部位には貫通孔１２４が設けられている。これらに
よって、ベース１００の段差部１０１に枠部材１１０を
装着した後、格子部材１２０のガイド孔１２３をベース
１００のガイド部材１０４を挿通させると、格子部材１
２０は枠部材１１０の上に、格子部材１２０の各桟１２
２がベース１００の各凹状部１０３に収納され且つ桟１
２２の中心と凹状部１０３の中心とがほぼ一致する状態
で確実に載置される。

【００４８】図１に示すように、押さえ部材１３０はベ
ース１００の外形とほぼ等しい外形を有する方形の板状
であって、対角方向にベース１００のガイド部材１０４
が挿通可能なガイド孔１３１が設けられていると共に、
対辺方向における枠部材１１０の雌ねじ部１１２と対応
する部位には貫通孔１３２が設けられている。これらに
よって、ベース１００の上に枠部材１１０及び格子部材
１２０を順次装着した後、押さえ部材１３０の貫通孔１
３２にベース１００のガイド部材１０４を挿通させる
と、押さえ部材１３０はベース１００の凸状部１０２の
上に載置される。その後、ボルト１４０を、押さえ部材
１３０の貫通孔１３２及び格子部材１２０の貫通孔１２
４に挿通した状態で枠部材１１０の雌ねじ部１１２に螺
合した後に該雌ねじ部１１２に対して締め付けると、枠
部材１１０、格子部材１２０及び押さえ部材１３０は一
体化される。

【００４９】尚、枠部材１１０の雌ねじ部１１２を、枠
部材１１０におけるベース１００の凸状部１０２が延び
る方向と直交する方向において互いに対向するように設
けているので、ボルト１４０の数が少なくても、枠部材
１１０、格子部材１２０及び押さえ部材１３０を安定的
に一体化することができる。

【００５０】＜半導体装置の製造方法＞以下、前記の被
膜形成用治具を用いて行なう半導体装置の製造方法につ
いて図５〜図９を参照しながら説明する。尚、図５
（ａ）、図６（ａ）、図７〜図９は図１における前後方
向の断面構造と対応すると共に、図５（ｂ）及び図６
（ｂ）は図１における左右方向の断面構造と対応する。

【００５１】まず、図５（ａ）、（ｂ）に示すように、
枠部材１１０をベース１００の段差部１０１に装着した
後、枠部材１１０の上に格子部材１２０を載置する。こ
のようにすると、ベース１００の凸状部１０２が格子部
材１２０よりも上に突出するため、凸状部１０２同士の
間に格子部材１２０の桟１２２を底面とする収納用溝が
形成されるので、該収納用溝にバー状半導体レーザ１を
収納する。

【００５２】前述したように、ベース１００にガイド部
材１０４が設けられていると共に格子部材１２０にガイ
ド孔１２３が設けられているため、バー状半導体レーザ
１と格子部材１２０の桟１２２との位置関係は規制され
るが、ベース１００の凸状部１０２及び格子部材１２０
の桟１２２によって形成される収納用溝にバー状半導体
レーザ１を収納した後、ベース１００及び格子部材１２
０を収納用溝の短手方向に傾けて、バー状半導体レーザ
１を収納用溝の壁面つまりベース１００の凸状部１０２
の側面に接触させることによって、バー状半導体レーザ
１と格子部材１２０の桟１２２との位置関係を予め規制
しておいてもよい。このようにすると、格子部材１２０
の桟１２２とベース１００の凸状部１０２との位置関係
を規制するだけで、バー状半導体レーザ１と格子部材１
２０の桟１２２との位置関係を規制することができるの
で、バー状半導体レーザ１の位置を高度に制御できると
共に膜形成用治具の加工精度を緩和することができる。

【００５３】次に、図６（ａ）、（ｂ）に示すように、
ベース１００の凸状部１０２の上に押さえ部材１３０を
載置した後、ボルト１４０を押さえ部材１３０の貫通孔
１３２及び格子部材１２０の貫通孔１２４に挿通した状
態で枠部材１１０の雌ねじ部１１２に螺合する。このよ
うにすると、枠部材１１０、格子部材１２０及び押さえ
部材１３０が一体化される。

【００５４】次に、図７に示すように、ボルト１４０を
回転して枠部材１１０の雌ねじ部１１２に対して締め付
けると、枠部材１１０がボルト１４０に引き上げられる
ため、格子部材１２０も引き上げられるので、バー状半
導体レーザ１が格子部材１２０の桟１２２と押さえ部材
１３０の下面とによって挟持された構造を有する、枠部
材１１０、格子部材１２０及び押さえ部材１３０からな
る一体化物が得られる。この場合、ベース１００のガイ
ド部材１０４が枠部材１１０ガイド孔１１１及び格子部
材１２０のガイド孔１２３にそれぞれ挿通されているの
で、バー状半導体レーザ１の膜形成面つまり共振器端面
が損傷を受けることなく、枠部材１１０及び格子部材１
０２は押さえ部材１３０に対して接近する。また、バー
状半導体レーザ１は格子部材１２０の桟１２２と押さえ
部材１３０の下面とによって挟持されるので、製造プロ
セスにおいてバー状半導体レーザ１が湾曲しても、バー
状半導体レーザ１の形状は直線状に補正される。

【００５５】次に、図８に示すように、ベース１００を
抜き去ると、バー状半導体レーザ１及び格子部材１２０
の桟１２２の両側にそれぞれ空間部１５０が形成され
る。

【００５６】次に、図９に示すように、枠部材１１０、
格子部材１２０及び押さえ部材１３０からなる一体化物
を上下反転してステージに載置した後、ターゲット１６
０から物質を放出させるスパッタリング蒸着法を用い
て、バー状半導体レーザ１の両側の膜形成面（共振器端
面）に対して保護用被膜を同時に成膜する。

【００５７】尚、ステージの上には複数の被膜形成用治
具が同時に載置されることが多いのでステージは回転機
構を有していることが多い。１個の被膜形成用治具をス
テージに載置する場合でもステージを回転させると、バ
ー状半導体レーザ１の膜形成面に均一な膜厚を有する保
護用被膜を成膜することができる。この場合、ステージ
の回転方向を交互に反転させながら成膜すると、保護用
被膜の膜厚が一層均一になる。また、バー状半導体レー
ザ１の膜形成面がターゲット１６０に対して鋭角になる
ように配置した状態でステージを回転すると、保護用被
膜の膜厚をより一層均一にできる。

【００５８】＜格子部材についての検討＞以下、前記の
被膜形成用治具を構成する格子部材１２０について説明
する。

【００５９】図９に示すように、バー状半導体レーザ１
の膜形成面がターゲット１６０に対して垂直になるよう
にバー状半導体レーザ１を配置する場合において、格子
部材１２０の桟１２２の幅寸法がバー状半導体レーザ１
の幅寸法つまり共振器長よりも大きいときには、格子部
材１２０の桟１２２がバー状半導体レーザ１に対してオ
ーバーハング状態になるため、バー状半導体レーザ１の
膜形成面における成膜用物質の付着が阻害されるので、
被膜の厚さがばらついてしまう。また、製造プロセス上
の原因によってバー状半導体レーザ１の幅寸法のばらつ
きが避けられないと共に、ベース１００の凸状部１０２
及び格子部材１２０の桟１２２によって形成される収納
用溝に収納されているバー状半導体レーザ１の平面的な
位置ずれが発生する場合がある。このため、格子部材１
２０の桟１２２の幅寸法は、バー状半導体レーザ１の幅
寸法よりも小さいことが好ましい。

【００６０】もっとも、格子部材１２０の桟１２２の幅
寸法がバー状半導体レーザ１の幅寸法に対して小さくな
り過ぎると、バー状半導体レーザ１の上面つまり半導体
レーザ素子２の電極面４に被膜が付着してしまうと共
に、バー状半導体レーザ１に対する保持が不安定になっ
てしまう。

【００６１】格子部材１２０の桟１２２の幅寸法は、該
桟１２２の加工精度及びベース１００の凸状部１０２の
加工精度をも考慮する必要がある。

【００６２】以上の理由によって、格子部材１２０の桟
１２２の幅寸法は、バー状半導体レーザ１の幅寸法及び
ベース１００の凹状部１０３の幅寸法よりも１０〜２０
μｍ程度小さいことが好ましい。

【００６３】尚、バー状半導体レーザ１の膜形成面に対
して、プラズマＣＶＤ法等のように方向性の影響を受け
にくい成膜法を用いる場合には、格子部材１２０の桟１
２２の幅寸法とバー状半導体レーザ１の幅寸法との関係
は緩やかになる。

【００６４】また、バー状半導体レーザ１の膜形成面に
形成される保護用被膜は、半導体レーザ素子２の少なく
とも活性層（発光部分）に成膜されておればよい。従っ
て、半導体レーザ素子２の活性層がベース１００の凸状
部１０２側（格子部材１２０の桟１２２の反対側）に位
置するように、バー状半導体レーザ１を配置するなら
ば、格子部材１２０の桟１２２がバー状半導体レーザ１
に対して或る程度オーバーハングになってもよい。この
ような事情を考慮する場合には、膜形成用治具特に格子
部材１２０の加工精度を緩和することができる。

【００６５】また、バー状半導体レーザ１の膜形成面に
対する成膜条件又は成膜の対象となる電子デバイスの種
類によっては、格子部材１２０の桟１２２の中心がバー
状半導体レーザ１の中心に対してオフセットしているこ
とが好ましい場合がある。このような場合には、ベース
１００のガイド部材１０４の位置、格子部材１２０のガ
イド孔１２３の位置及び格子部材１２０の桟１２２の位
置の相対関係を考慮することによって、格子部材１２０
の桟１２２の中心をバー状半導体レーザ１の中心に対し
てオフセットすることができる。

【００６６】格子部材１２０の高さとしては、該格子部
材１２０の桟１２２の強度に影響を与えるので、例えば
１ｍｍ程度が好ましい。

【００６７】格子部材１２０の桟１２２同士の間隔とし
ては、間隔が小さいほど桟１２２の数ひいては保持する
バー状半導体レーザ１の数が増加して生産効率は向上す
るが、桟１２２の高さに対して桟１２２同士の間隔が小
さくなり過ぎると、バー状半導体レーザ１の膜形成面に
対する成膜レートが低下すると共に被膜の膜厚が不均一
になる。従って、桟１２２同士の間隔は桟１２２の高さ
以上であることが好ましい。もっとも、これらの説明
は、バー状半導体レーザ１がその膜形成面がターゲット
１６０に対して垂直になるように配置される場合を前提
としているので、バー状半導体レーザ１の膜形成面がタ
ーゲット１６０に対して垂直でない場合、例えば被膜形
成用治具が回転テーブルに載置される場合、又はスパッ
タリング蒸着法により成膜しない場合等には、桟１２２
同士の間隔は桟１２２の高さ以上でなくてもよい。

【００６８】格子部材１２０に設けられる桟１２２の数
については特に制限はなく、ターゲット１６０の大きさ
及びターゲット１６０との距離を考慮して、均一な成膜
ができるように設定すればよい。

【００６９】格子部材１２０の枠体１２１及び桟１２２
は、一体成形によって形成してもよいし組み合わせ成形
によって形成してもよいと共に、格子部材１２０の材質
は加工性及び強度性を満たせば特に問題にはならない。

【００７０】＜枠部材についての検討＞以下、被膜形成
用治具を構成する枠部材１１０について説明する。

【００７１】枠部材１１０は雌ねじ部１１２を有してお
り、ボール１４０を雌ねじ部１１２に螺合した後、枠部
材１１０に対して締め付けることによって、枠部材１１
０、格子部材１２０及び押さえ部材１３０は一体化され
るが、雌ねじ部が格子部材１２０に設けられる場合には
枠部材１１０は不要になる。この場合には、ベース１０
０に段差部１０１を形成することなく、格子部材１２０
をベース１００における凸状部１０２の周囲に載置する
ことが好ましい。

【００７２】もっとも、図９に示す状態で、ターゲット
１６０から放出される物質をバー状半導体レーザ１の側
面に確実に付着させるためには、格子部材１２０の桟１
２２の高さは小さい方が好ましい。格子部材１２０の高
さを小さくする場合には、格子部材１２０に雌ねじ部を
設けることが困難になるので、ベース１００と格子部材
１２０との間に、雌ねじ部１１２を有する枠部材１１０
を設けることが好ましい。

【００７３】＜ベースについての検討＞以下、前記の被
膜形成用治具を構成するベース１００について説明す
る。

【００７４】ベース１００の凸状部１０２及び格子部材
１２０の桟１２２によって形成される収納用溝に収納さ
れているバー状半導体レーザ１の上面とベース１００の
凸状部１０２の上面との距離はバー状半導体レーザ１の
高さの半分以下であることが好ましい。このような観点
から、ベース１００の凸状部１０２の高さと格子部材１
２０の桟１２２の高さとの関係を決定する必要がある。
この場合にも、製造プロセス上の原因によって発生する
バー状半導体レーザ１の高さ寸法のばらつきを考慮する
ことが好ましい。

【００７５】＜押さえ部材についての検討＞以下、前記
の被膜形成用治具を構成する押さえ部材１３０について
説明する。

【００７６】前述したように、ボルト１４０を押さえ部
材１３０の貫通孔１３２及び格子部材１２０の貫通孔１
２４に挿通した状態で枠部材１１０の雌ねじ部１１２に
対して締め付けることにより、格子部材１２０の桟１２
２と押さえ部材１３０とでバー状半導体レーザ１を挟持
した状態で、枠部材１１０、格子部材１２０及び押さえ
部材１３０を一体化するが、バー状半導体レーザ１の反
りが大きい場合には、バー状半導体レーザ１と押さえ部
材１３０とが全面に亘って接触しない恐れがある。この
場合には、押さえ部材１３０におけるバー状半導体レー
ザ１との接触面をバー状半導体レーザ１の反りに合わせ
て湾曲させておくことが好ましい。尚、通常、バー状半
導体レーザ１は、裏面電極側が内側になると共に活性層
の形成されている方が外側になるように湾曲する。この
ように、押さえ部材１３０におけるバー状半導体レーザ
１との接触面を湾曲させておくと、バー状半導体レーザ
１と押さえ部材１３０とが全面に亘って接するため、半
導体レーザ素子２の電極面４に保護用の被膜が付着する
事態を回避できると共に、バー状半導体レーザ１を強い
力で挟持しなくても済むのでバー状半導体レーザ１の損
傷を防止できる。

【００７７】尚、第１の実施形態においては、押さえ部
材１３０は板状体であったが、これに代えて、押さえ部
材１３０を格子部材１２０と同様の平面形状を持つ格子
状にしてもよい。このようにすると、押さえ部材１３０
は図８及び図９に示した空間部１５０と対応する位置に
空間部を有することができるため、バー状半導体レーザ
１の膜形成面に成膜する際に、ターゲット１６０から放
出された物質が格子部材１２０の桟１２２と押さえ部材
１３０とで囲まれる空間部１５０に滞留しなくなる。こ
のため、ターゲット１６０から放出された物質が空間部
１５０からバー状半導体レーザ１同士の間に均等に回り
込むので、バー状半導体レーザ１の膜形成面に均一な厚
さの被膜を形成することができる。

【００７８】従って、押さえ部材１３０を格子状にする
と、格子部材１２０の桟１２２同士の間隔が小さくても
均一な膜厚の被膜を形成することができると共に、押さ
え部材１３０に付着する物質を除去するための洗浄の回
数が大きく低減する。

【００７９】（第２の実施形態） ＜被膜形成用治具＞以下、本発明の第２の実施形態に係
る被膜形成用治具について、図１０及び図１１を参照し
ながら説明する。図１０は第２の実施形態に係る被膜形
成用治具の全体構成を示す分解斜視図である。

【００８０】図１０に示すように、ベース２００は、段
差部を有しない方形板状であって、第１の実施形態と同
様、凸状部２０２、凹状部２０３及びガイド部材２０４
を有している。

【００８１】枠部材２１０は、ベース２００の複数の凸
状部２０２の外周面の形状よりも若干大きい内径を有し
ていると共に、第１の実施形態と同様、雌ねじ部２１２
を有している。

【００８２】押さえ部材２３０は、枠部材２１０の外形
と同じ形状を有している共に、枠部材２１０の雌ねじ部
２１２と対応する位置に貫通孔２３２を有している。

【００８３】第２の実施形態の特徴は、格子部材２２０
を構成する枠体２２１と桟２２２とが互いに別体に設け
られていると共に、枠体２２１は、互いに別体に形成さ
れた下枠２２１ａ、上枠２２１ｂ及び中枠２２１ｂから
構成されていることである。

【００８４】以下、図１１を参照しながら、格子部材２
２０の構造について説明する。

【００８５】図１１は格子部材２２０の分解斜視図であ
って、図１１に示すように、下枠２２１ａ及び上枠２２
１ｂは、ベース２００の外形と同じ外径を有すると共
に、枠部材２１０の外形よりも若干大きい内径を有する
方形枠状である。

【００８６】中枠２２１ｂは、下枠２２１ａ及び上枠２
２１ｂと同じ外径を有し且つ下枠２２１ａ及び上枠２２
１ｂよりも小さい内径を有していると共に、下枠２２１
ａ及び上枠２２１ｂに比べて厚さが大きい。また、中枠
２２１ｂの互いに対向する一対の辺における桟２２２が
配置される部位にそれぞれ切り込み部２２５が形成され
ており、各切り込み部２２５には桟２２２が上下動可能
に挿入されている。

【００８７】図１０に示すように、上枠２２１ｂ及び下
枠２２１ａは、両者の間に中枠２２１ｂ及び桟２２２を
介在させた状態で、ボルト２２６によって互いに連結さ
れている。この場合、桟２２２は、中枠２２１ｃの切り
込み部２２５によりピッチが固定されているが、中枠２
２１ｃひいては枠体２２１に対して上下方向に移動自在
である。

【００８８】尚、第２の実施形態においても、枠体２２
１を構成する下枠２２１ａ、上枠２２１ｂ及び中枠２２
１ｃには、ベース２００のガイド部材２０４と対応する
部位にガイド孔２２３が設けられている。

【００８９】第２の実施形態によると、枠体２２１と桟
２２２とが互いに別体に設けられているため、枠体２２
１としては加工し易い金属例えばステンレスを用いる一
方、桟２２２としては剛性に優れている材料例えば単結
晶シリコンを用いることができる。このため、各桟２２
２が反らないので、ベース２００の凸状部２０２と格子
部材２２０の桟２２２との間に隙間ができず、これによ
って、バー状半導体レーザ１を半導体レーザ素子２の電
極面４に被膜が付着する事態を確実に防止することがで
きる。

【００９０】また、桟２２２は剛性に優れている材料例
えば単結晶シリコンにより形成されているため、桟２２
２の高さを大きくすることなく、格子部材２２０の桟２
２２と押さえ部材１３０とでバー状半導体レーザ１を挟
持する強度を増加できるので、バー状半導体レーザ１の
膜形成面に対する成膜の堆積レートを向上させることが
できる。

【００９１】尚、桟２２２の材料としては、単結晶シリ
コンに限られず、剛性に優れた材料、例えば、セラミッ
ク又は超硬質合金等を用いることができる。

【００９２】第１の実施形態においては、バー状半導体
レーザ１の長さが大きくなるほど、それに伴って、格子
部材１２０の桟１２２も長くする必要があるので、格子
部材１２０の周縁部を枠部材１１０で押さえても、バー
状半導体レーザ１を桟１２２と押さえ部材１３０とによ
って固定し難いが、第２の実施形態においては、剛性に
優れた桟２２２の両端を枠部材２１０で直接に固定する
ため、バー状半導体レーザ１の長さが３０ｍｍ以上であ
っても、バー状半導体レーザ１を確実に保持できると共
に、桟２２２がバー状半導体レーザ１の反りを修正する
ことが可能になる。

【００９３】また、第１の実施形態においては、バー状
半導体レーザ１の幅寸法つまり共振器長が小さくなる
と、格子部材１２０の桟１２２の加工は困難になるが、
第２の実施形態においては、桟２２２は、該桟２２２の
幅寸法と同じ厚さを持つシリコンウェハを桟２２２の高
さに相当する幅寸法で切断することにより製作できる。
従って、桟２２２ひいては格子部材２２０の加工が容易
になると共にコストの低減を図ることができる。

【００９４】また、桟２２２の剛性が向上しているた
め、桟２２２の高さを小さくできるので、バー状半導体
レーザ１の膜形成面に対する膜の堆積レートを向上でき
ると共に、成膜の膜形成面に対する固定を確実にするこ
とができる。

【００９５】さらに、桟２２２が破損した場合でも、取
り替えが容易である。

【００９６】＜半導体装置の製造方法＞以下、前記の被
膜形成用治具を用いて行なう半導体装置の製造方法につ
いて図１２〜図１６を参照しながら説明する。尚、図１
２（ａ）、図１３（ａ）、図１４〜図１６は図１０にお
ける前後方向の断面構造と対応すると共に、図１２
（ｂ）及び図１３（ｂ）は図１０における左右方向の断
面構造と対応する。

【００９７】まず、図１２（ａ）、（ｂ）に示すよう
に、枠部材２１０をベース２００の上に装置した後、枠
部材２１０の上に格子部材２２０を載置する。このよう
にすると、ベース２００の凸状部２０２が格子部材２２
０よりも上に突出するため、凸状部２０２同士の間に格
子部材２２０の桟２２２を底面とする収納用溝が形成さ
れるので、該収納用溝にバー状半導体レーザ１を収納す
る。

【００９８】次に、図１３（ａ）、（ｂ）に示すよう
に、ベース２００の凸状部２０２の上に押さえ部材２３
０を載置した後、ボルト２４０を押さえ部材２３０の貫
通孔２３２に挿通した状態で枠部材２１０の雌ねじ部２
１２に螺合する。このようにすると、枠部材２１０、格
子部材２２０及び押さえ部材２３０が一体化される。

【００９９】次に、図１４に示すように、ボルト２４０
を回転して枠部材２１０の雌ねじ部２１２に対して締め
付けると、枠部材２１０がボルト２４０に引き上げられ
るため、桟２２２の両端部が枠部材２１０によって引き
上げられる（格子部材２２０の枠体２２１は引き上げら
れない）ので、バー状半導体レーザ１が桟２２２と押さ
え部材２３０とによって挟持された構造を有する、枠部
材２１０、複数の桟２２２及び押さえ部材２３０からな
る一体化物が得られる。バー状半導体レーザ１は桟２２
２と押さえ部材２３０とによって挟持されるので、製造
プロセスにおいてバー状半導体レーザ１が湾曲しても、
バー状半導体レーザ１の形状は直線状に補正される。

【０１００】第２の実施形態においては、各桟２２２が
枠体２２１に対して別々に上下方向に移動可能であるた
め、各桟２２２が対応するバー状半導体レーザ１の反り
に応じて上下方向に移動できるので、バー状半導体レー
ザ１を損傷することなくバー状半導体レーザ１の反りを
確実に修正できると共にバー状半導体レーザ１を確実に
押さえ部材２３０に対して固定することができる。この
ため、バー状半導体レーザ１と桟２２２との間に隙間が
できないので、後に行なわれる保護用被膜形成工程にお
いて、各半導体レーザ素子２の電極面４に保護用被膜が
付着する事態を防止できる。

【０１０１】次に、図１５に示すように、ベース２００
を抜き去ると、バー状半導体レーザ１及び桟２２２の両
側にそれぞれ空間部２５０が形成される。

【０１０２】次に、図１６に示すように、枠部材２１
０、桟２２２及び押さえ部材２３０からなる一体化物を
上下反転してステージに載置した後、ターゲット２６０
から物質を放出させるスパッタリング蒸着法を用いて、
バー状半導体レーザ１の両側の膜形成面（共振器端面）
に対して保護用被膜を同時に成膜する。

【０１０３】

【発明の効果】本発明の半導体装置の製造方法による
と、複数の凸状部同士の間に形成される複数の凹状部に
複数の桟を挿入することにより形成される複数の収納用
溝にバー状半導体を収納した後、バー状半導体を押さえ
部材と桟とによって挟持するため、バー状半導体を保持
する工程が容易になると共に、バー状半導体を確実に保
持できるのでバー状半導体の脱落を確実に防止できる。
また、複数の凸状部を取り去ることによってバー状半導
体の両側に空間部を形成できるため、該空間部からバー
状半導体の膜形成面に成膜できるので、成膜工程を確実
に行なうことができる。

【０１０４】本発明の半導体装置の製造方法において、
複数の凸状部がベースに一体に設けられていると、複数
の凸状部のピッチひいては複数の凹状部のピッチの設定
が容易になる。

【０１０５】本発明の半導体装置の製造方法において、
凹状部の深さがバー状半導体の高さと桟の高さとの合計
寸法よりも大きいと、収納用溝にバー状半導体を収納し
たときに、バー状半導体の上面と凸状部の上面との間に
間隔を確保できるので、バー状半導体の高さがばらつい
たりバー状半導体が反ったりしても、押さえ部材と桟と
によってバー状半導体を確実に挟持することができる。

【０１０６】本発明の半導体装置の製造方法において、
押さえ部材と枠体とが桟の延びる方向に対して交差する
方向に位置する少なくとも一対の固定部において固定さ
れていると、固定部の数が少なくても、押さえ部材と枠
体とを固定できるので、押さえ部材と桟とによってバー
状半導体を確実に挟持することができる。

【０１０７】本発明の半導体装置の製造方法において、
複数の桟は枠体に、該枠体の面方向に対して垂直な方向
へ移動可能に保持されていることが好ましい。

【０１０８】本発明の半導体装置の製造方法において、
押さえ部材が空間部と対応する位置に開口部を有してい
ると、押さえ部材と桟とによって挟持されているバー状
半導体を上下反転することなく、押さえ部材の開口部か
ら成膜することができる。また、バー状半導体を上下反
転する場合には、成膜工程において被膜を構成する物質
が空間部に滞留しなくなるので、被膜の膜厚が均一にな
ると共に桟に対する洗浄工程の数を低減することができ
る。

【０１０９】本発明の半導体装置の製造方法において、
押さえ部材におけるバー状半導体と対向する面が湾曲状
に形成されていると、バー状半導体と押さえ部材とが全
面に亘って接するため、バー状半導体における押さえ部
材と対向する面に被膜が付着する事態を防止できると共
に、バー状半導体を強い力で挟持しなくても済むのでバ
ー状半導体の損傷を防止できる。

【０１１０】本発明の半導体装置の製造方法において、
複数の凸状部はベースに一体に形成されており、空間部
形成工程が複数の凸状部をベースと共に取り去る工程を
含むと、複数の凸状部を抜き去る工程が容易になる。

【０１１１】本発明の半導体装置の製造方法において、
複数の凸状部はベースに一体に設けられていると共に複
数の桟は枠体に保持されており、ベースと枠体との相対
位置を規制するガイド手段によって複数の桟を複数の凹
状部の所定位置に挿入するようにすると、桟を凹状部の
所定位置に確実に挿入できるため、桟とバー状半導体と
の位置関係を制御できるので、バー状半導体の膜形成面
に形成される被膜の状態を制御することができる。

【０１１２】本発明の半導体装置の製造方法において、
バー状半導体保持工程が、バー状半導体の上に押さえ部
材を載置した後、押さえ部材と枠体とを螺子部材の回転
に伴って互いに接近させてバー状半導体を押さえ部材と
桟とによって挟持するようにすると、バー状半導体が収
納用溝の内部で移動したり傾いたりしないので、バー状
半導体の膜形成面に対して被膜を確実に形成することが
できる。

【０１１３】本発明の半導体装置の製造方法において、
バー状半導体をその膜形成面がターゲットのスパッタ面
に垂直な方向に対して角度を持つように配置すると、被
膜面に堆積される被膜の膜厚を制御することができる。

【０１１４】本発明の半導体装置の製造方法において、
半導体デバイスが半導体レーザ素子であると共に、膜形
成面が半導体レーザ素子の共振器端面であると、半導体
レーザ素子の膜形成面に保護膜を確実に形成することが
できる。

【０１１５】本発明の半導体装置の製造方法において、
複数の桟が単結晶シリコン、セラミック又は超硬質合金
からなると、桟の高さを小さくすることができるので、
バー状半導体の膜形成面に対する成膜の堆積レートを向
上させることができる。

【０１１６】本発明の被膜形成用治具によると、複数の
凹状部に複数の桟を挿入することにより、バー状半導体
を収納する複数の収納用溝を形成することができるの
で、バー状半導体を保持する工程が容易になる。また、
複数の桟の上に載置されるバー状半導体を桟と共に挟持
する押さえ部材を備えているため、バー状半導体を保持
する工程が容易になると共に、バー状半導体を確実に保
持できるのでバー状半導体の脱落を確実に防止すること
ができる。また、収納用溝を形成していた複数の凸状部
を取り去ることによって、バー状半導体の両側に空間部
を形成できるため、該空間部からバー状半導体の膜形成
面に成膜できるので、成膜工程を確実に行なうことがで
きる。

【０１１７】本発明の被膜形成用治具において、凹状部
の深さがバー状半導体の高さと桟の高さとの合計寸法よ
りも大きいと、収納用溝にバー状半導体を収納したとき
に、バー状半導体の上面と凸状部の上面との間に間隔を
確保できるので、バー状半導体の高さがばらついたりバ
ー状半導体が反ったりしても、押さえ部材と桟とによっ
てバー状半導体を確実に挟持することができる。

【０１１８】本発明の被膜形成用治具において、複数の
桟が格子部材の枠体に該枠体の面方向に対して垂直な方
向へ移動可能に保持されていると、バー状半導体の高さ
がばらついたりバー状半導体が反ったりしても、押さえ
部材と桟とによってバー状半導体を確実に挟持すること
ができる。

【０１１９】本発明の被膜形成用治具が、格子部材とベ
ースとの相対位置を規制するガイド手段を備えている
と、桟を凹状部の所定位置に確実に挿入できるため、桟
とバー状半導体との位置関係を制御できるので、バー状
半導体の膜形成面に形成される被膜の状態を制御するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の実施形態に係る被膜形成用治具の分解斜
視図である。

【図２】第１の実施形態に係る被膜形成用治具及び半導
体装置の製造方法の対象となるバー状半導体レーザの斜
視図である。

【図３】第１の実施形態に係る被膜形成用治具のベース
の斜視図である。

【図４】第１の実施形態に係る被膜形成用治具の格子部
材の斜視図である。

【図５】（ａ）及び（ｂ）は第１の実施形態に係る半導
体装置の製造方法を示す断面図であって、（ａ）は図１
における前後方向の断面構造を示し、（ｂ）は図１にお
ける左右方向の断面構造を示す。

【図６】（ａ）及び（ｂ）は第１の実施形態に係る半導
体装置の製造方法を示す断面図であって、（ａ）は図１
における前後方向の断面構造を示し、（ｂ）は図１にお
ける左右方向の断面構造を示す。

【図７】第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を
示す断面図であって、図１における前後方向の断面構造
を示す。

【図８】第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を
示す断面図であって、図１における前後方向の断面構造
を示す。

【図９】第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を
示す断面図であって、図１における前後方向の断面構造
を示す。

【図１０】第２の実施形態に係る被膜形成用治具の分解
斜視図である。

【図１１】第２の実施形態に係る被膜形成用治具の格子
部材の分解斜視図である。

【図１２】（ａ）及び（ｂ）は第２の実施形態に係る半
導体装置の製造方法を示す断面図であって、（ａ）は図
１０における前後方向の断面構造を示し、（ｂ）は図１
０における左右方向の断面構造を示す。

【図１３】（ａ）及び（ｂ）は第２の実施形態に係る半
導体装置の製造方法を示す断面図であって、（ａ）は図
１０における前後方向の断面構造を示し、（ｂ）は図１
０における左右方向の断面構造を示す。

【図１４】第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法
を示す断面図であって、図１０における前後方向の断面
構造を示す。

【図１５】第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法
を示す断面図であって、図１０における前後方向の断面
構造を示す。

【図１６】第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法
を示す断面図であって、図１０における前後方向の断面
構造を示す。

【図１７】従来の被膜形成用治具の分解斜視図である。

【図１８】従来の被膜形成用治具の断面図である。

【符号の説明】

１ バー状半導体レーザ ２ 半導体レーザ素子 ３ 共振器端面 ４ 電極面 １００ ベース １０１ 段差部 １０１ａ 上面 １０１ｂ 下面 １０２ 凸状部 １０３ 凹状部 １０４ ガイド部材 １１０ 枠部材 １１１ ガイド孔 １１２ 雌ねじ部 １２０ 格子部材 １２１ 枠体 １２２ 桟 １２３ ガイド部材 １２４ 貫通孔 １３０ 押さえ部材 １３１ ガイド孔 １３２ 貫通孔 １４０ ボルト部材 １５０ 空間部 １６０ ターゲット ２００ ベース ２０２ 凸状部 ２０３ 凹状部 ２０４ ガイド部材 ２１０ 枠部材 ２１２ 雌ねじ部 ２２０ 格子部材 ２２１ 枠体 ２２１ａ 下枠 ２２１ｂ 上枠 ２２１ｃ 中枠 ２２２ 桟 ２２３ ガイド孔 ２２５ 切り込み部 ２２６ ボルト ２３０ 押さえ部材 ２３２ 貫通孔 ２４０ ボルト部材 ２５０ 空間部 ２６０ ターゲット

フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭60−140779（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−247016（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−28859（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−251824（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−283821（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−266348（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01S 5/00 - 5/50 C23C 14/00 - 14/58 H01L 21/31 - 21/32

Claims (17)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 互いに対向する両側面に膜形成面を有す
   る複数の半導体デバイスが前記膜形成面が連続するよう
   に一体化されてなる複数のバー状半導体の前記膜形成面
   に被膜を形成する半導体装置の製造方法であって、 前記バー状半導体の幅寸法よりも若干大きい間隔を持っ
   て互いに平行に延びるように配置された複数の凸状部同
   士の間に形成される複数の凹状部に、該凹状部と同じピ
   ッチを持って保持されていると共に前記凸状部の高さよ
   りも小さい高さを持つ複数の桟をそれぞれ挿入すること
   により、互いに隣り合う一対の前記凸状部及び前記一対
   の凸状部の間に挿入された前記桟によって複数の収納用
   溝を形成する収納用溝形成工程と、 前記バー状半導体を前記収納用溝に、前記バー状半導体
   が前記桟の上に載置され且つ前記膜形成面が前記凸状部
   と対向するように収納するバー状半導体収納工程と、 前記収納用溝に収納されている前記バー状半導体を押さ
   え部材と前記桟とによって挟持するバー状半導体保持工
   程と、 前記複数の凸状部を取り去ることによって、前記バー状
   半導体の両側に空間部を形成する空間部形成工程と、 前記押さえ部材と前記桟とによって挟持されている前記
   バー状半導体の膜形成面に前記空間部から成膜する成膜
   工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造
   方法。
2. 【請求項２】 前記複数の凸状部はベースに一体に設け
   られていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装
   置の製造方法。
3. 【請求項３】 前記凹状部の深さは、前記バー状半導体
   の高さと前記桟の高さとの合計寸法よりも大きいことを
   特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
4. 【請求項４】 前記複数の桟は枠体に保持されており、 前記押さえ部材と前記枠体とは、前記桟が延びる方向に
   対して交差する方向に位置する少なくとも一対の固定部
   において互いに固定されていることを特徴とする請求項
   １に記載の半導体装置の製造方法。
5. 【請求項５】 前記複数の桟は枠体に、該枠体の面方向
   に対して垂直な方向へ移動可能に保持されていることを
   特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
6. 【請求項６】 前記押さえ部材は、前記空間部と対応す
   る位置に開口部を有していることを特徴とする請求項１
   に記載の半導体装置の製造方法。
7. 【請求項７】 前記押さえ部材における前記バー状半導
   体と対向する面は湾曲状に形成されていることを特徴と
   する請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
8. 【請求項８】 前記複数の凸状部はベースに一体に形成
   されており、 前記空間部形成工程は、前記複数の凸状部を前記ベース
   と共に取り去る工程を含むことを特徴とする請求項１に
   記載の半導体装置の製造方法。
9. 【請求項９】 前記複数の凸状部はベースに一体に設け
   られていると共に、前記複数の桟は枠体に保持されてお
   り、 前記収納用溝形成工程は、前記ベースと前記枠体との相
   対位置を規制するガイド手段によって、前記複数の桟を
   前記複数の凹状部の所定位置に挿入する工程を含むこと
   を特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
10. 【請求項１０】 前記バー状半導体保持工程は、前記収
    納用溝に収納されている前記バー状半導体の上に前記押
    さえ部材を載置する工程と、前記押さえ部材と前記枠体
    とを螺子部材の回転に伴って互いに接近させることによ
    って、前記バー状半導体を前記押さえ部材と前記桟とに
    よって挟持する工程とを含むことを特徴とする請求項１
    に記載の半導体装置の製造方法。
11. 【請求項１１】 前記成膜工程は、前記膜形成面が、タ
    ーゲットのスパッタ面に垂直な方向に対して角度を持つ
    ように前記バー状半導体を配置する工程を含むことを特
    徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
12. 【請求項１２】 前記半導体デバイスは半導体レーザ素
    子であると共に、前記膜形成面は前記半導体レーザ素子
    の共振器端面であることを特徴とする請求項１に記載の
    半導体装置の製造方法。
13. 【請求項１３】 前記複数の桟は、単結晶シリコン、セ
    ラミック又は超硬質合金からなることを特徴とする請求
    項１に記載の半導体装置の製造方法。
14. 【請求項１４】 互いに対向する両側面に膜形成面を有
    する複数の半導体デバイスが前記膜形成面が連続するよ
    うに一体化されてなる複数のバー状半導体の前記膜形成
    面に被膜を形成するための被膜形成用治具であって、 前記バー状半導体の幅寸法よりも若干大きい間隔を持っ
    て互いに平行に延びるように設けられた複数の凸状部を
    有するベースと、 前記複数の凸状部同士の間に形成される複数の凹状部と
    同じピッチで設けられ、前記凹状部の幅寸法よりも小さ
    い幅寸法を持つと共に前記凸状部の高さよりも小さい高
    さを持つ複数の桟を有する格子部材と、 前記複数の桟の上にそれぞれ載置される前記バー状半導
    体を前記桟と共に挟持する押さえ部材とを備えているこ
    とを特徴とする被膜形成用治具。
15. 【請求項１５】 前記凹状部の深さは、前記バー状半導
    体の高さと前記桟の高さとの合計寸法よりも大きいこと
    を特徴とする請求項１４に記載の被膜形成用治具。
16. 【請求項１６】 前記格子部材は前記複数の桟を保持す
    る枠体を有しており、前記複数の桟は前記枠体に該枠体
    の面方向に対して垂直な方向へ移動可能に保持されてい
    ることを特徴とする請求項１４に記載の被膜形成用治
    具。
17. 【請求項１７】 前記格子部材の複数の桟が前記ベース
    の複数の凹状部の所定位置に挿入されるように、前記格
    子部材と前記ベースとの相対位置を規制するガイド手段
    をさらに備えていることを特徴とする請求項１４に記載
    の被膜形成用治具。