JP3784639B2 - 半導体レーザ端面コート方法及び固定フレーム - Google Patents
半導体レーザ端面コート方法及び固定フレーム Download PDFInfo
- Publication number
- JP3784639B2 JP3784639B2 JP2000361382A JP2000361382A JP3784639B2 JP 3784639 B2 JP3784639 B2 JP 3784639B2 JP 2000361382 A JP2000361382 A JP 2000361382A JP 2000361382 A JP2000361382 A JP 2000361382A JP 3784639 B2 JP3784639 B2 JP 3784639B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vapor deposition
- incident angle
- coat
- fixed frame
- angle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 44
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims description 35
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 72
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 26
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 claims description 15
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 12
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 10
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 4
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 4
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000313 electron-beam-induced deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000012966 insertion method Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/02—Details
- H05B3/06—Heater elements structurally combined with coupling elements or holders
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/10—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor
- H05B3/16—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor the conductor being mounted on an insulating base
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/20—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater
- H05B3/22—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible
- H05B3/32—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible heating conductor mounted on insulators on a metallic frame
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、CD−R/RW等に使用する高出力半導体レーザの、電子ビーム蒸着法による、端面コート時における膜厚の調整を行なう端面コート方法及びこの方法に使用する固定フレームに関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、半導体レーザの端面のコート方法として電子ビーム蒸着が用いられることがあった。
【0003】
ところが、近年のように通信用及びストレージ用等の半導体レーザの需要が増大すると、製品化前に劈開面となる端面のコートを行なう際に、1回の作業において大量の半導体レーザに対してコート処理を行なうことにより作業効率を向上させることが必要となっている。
【0004】
そこで、作業効率の向上を図るべく、電子ビーム蒸着装置に半導体レーザを配置する際に、一度に多量の半導体レーザを配列させて配置する方法が用いられており、例えば、縦m列、横n列からなるm×nのマトリックス状に配置したコ−トバッチのそれぞれに複数の半導体レーザの端面を配置する方法が採り入れられることがあった。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
上述のように、一度に多量の半導体端面を配列して端面コートを行なう方法により、端面コートの作業効率の向上を図ることができる。
【0006】
しかしながら、この電子ビーム蒸着による端面コートにおいて問題なのは、一度に多量の端面コートを行なった場合には、蒸着源からそれぞれのコートバッチへの蒸着ビームの各コートバッチにおける入射角度の差が大きくなり、蒸着完了後に形成される蒸着膜の厚みにバラツキが生じることである。
【0007】
かかる蒸着膜の厚みのバラツキは、図1の蒸着材料Al2 O3 における端面コート膜厚と反射率との関係が示すように、半導体端面蒸着完了後の端面の反射率のバラツキとなって現れる。かかる反射率のバラツキは半導体レーザの特性に大きく影響を与える。
【0008】
例えば、高出力半導体レーザでは、端面(レーザ出射面)の反射率が高いと発光寿命が短くなり、反射率が低いと所謂SCOOP不良が発生することが知られている。このため、半導体レーザの端面コートを行なうにあたっては蒸着完了後の端面の反射率を所定の反射率(通常13±2%程度)に合わせ込む必要がある。ここで、各半導体端面の配置される位置による蒸着完了後の反射率のバラツキを示したのが図2であるが、同図の場合では2段目中央のコ−トバッチEを構成する半導体レーザ端面の反射率が上記所定の反射率の範囲外になり、この半導体レーザを製品として使用することはできなくなり、高いG/W歩留りを確保しようとする産業界の要請に反することになる。
【0009】
この発明の目的は、半導体レーザの端面コートを行なう際に、電子ビーム蒸着装置に配列したすべての半導体レーザ端面の蒸着完了後の反射率のバラツキを所定範囲内に規制し、より高いG/W歩留りの確保を可能とする方法を提供することである。
【0010】
【課題を解決するための手段】
この発明は以下の構成を備えている。
【0014】
(1)蒸着ビームの中心軸を法線とする配列面上に、それぞれが複数の半導体レーザの端面によって構成される複数のコートバッチを配置して、電子ビーム蒸着によって半導体レーザの端面に対してコート材料をコートする半導体レーザ端面コート方法において、
それぞれのコートバッチへの蒸着ビームにより形成される膜厚が所定範囲内になるように、それぞれのコートバッチへの蒸着ビームの入射角を調整する角度調整工程を含むことを特徴とする。
【0015】
この構成においては、配列面上の配置されたそれぞれのコートバッチへの蒸着ビームにより形成される膜厚が所定範囲内になるように、それぞれのコートバッチの入射角を調整することから、それぞれのコートバッチに形成される蒸着膜によって影響される反射率も所定範囲内となり、電子ビーム蒸着装置内での配置場所の違いによる蒸着膜形成後の反射率のバラツキが生じることがない。
【0016】
(2)蒸着ビームの中心軸を法線とする配列面上に、それぞれが複数の半導体レーザの端面によって構成される複数のコートバッチを配置して、電子ビーム蒸着によって半導体レーザの端面に対してコート材料をコートする半導体レーザ端面コート方法において、
配列面上で蒸着ビームの中心軸との対向位置上に位置するコートバッチへの蒸着ビームの入射角を第1の入射角とし、前記配列面上において蒸着ビームの入射角が最大となるコートバッチへの蒸着ビームの入射角を第2の入射角としたとき、第1の入射角と第2の入射角との角度差が所定範囲内になるように、少なくとも第1の入射角を調整する角度調整工程を含むことを特徴とする。
【0017】
この構成においては、前記第1の入射角と前記第2の入射角との角度差が減少し所定の範囲内におさまるように第1の入射角を調整する角度調整工程を行なうことから、入射角度の差による単位時間における単位面積あたりの蒸着量の差も減少することになり、蒸着完了後のコートバッチ毎の膜厚のバラツキが抑制される。
【0018】
(3)半導体レーザの電子ビ−ム蒸着による端面コートの際に、それぞれが複数のレーザバーを各端面が同一方向に面するように収容する複数のバー整列治具を配列する固定フレームであって、
各バー整列治具の固定フレームにおける蒸着ビームの中心軸を法線とする配列面との間の角度を調整する調整機構を備えたことを特徴とする。
【0019】
この構成においては、蒸着ビームの中心軸を法線とする配列面に配列される固定フレームに、複数のレーザバーを収容するバー整列治具の固定フレームにおける蒸着ビームの中心軸を法線とする配列面との間の角度を調整する調整機構を備えたことにより、この固定フレームに配置される半導体レーザの端面への蒸着ビームの入射角の調整を、固定フレームにおいて行なうことになる。
【0020】
【発明の実施の形態】
以下、図3〜図5を用いて、本発明の第1の実施形態の構成を説明する。
【0021】
図3は、半導体レーザの端面コートをするにあたって、半導体レーザを電子ビーム蒸着装置に投入する準備工程である半導体レーザの挿入方法についての説明図である。
【0022】
GaAs基板上にDH構造を形成したウェハから帯板状に切断された半導体レーザ(以下レーザバーという。)1は、バー整列治具2に挿入される。
【0023】
バー整列治具2は、ほぼコの字型の形状からなる部材により構成されており、この部材には互いに対向する位置に溝部13a及び13bが形成されている。また、少なくとも前面にはコの字型の切り欠き部14が設けられており、このバー整列治具2に収容されるレーザバー1の端面3に入射する蒸着ビームがバー整列治具2を構成する部材によって遮られることがないようにしている。
【0024】
溝部13a及び13bは、レーザバー1の長手方向と直交する方向の幅とほぼ同じ長さの幅を有しており、互いの対向面の間隔はレーザバー1の長手方向の長さとほぼ同じにされている。よって、レーザバー1をバー整列治具2に収容するには、レーザバーの長手方向の端部をそれぞれ溝部13a及び13bの内壁面に摺動させつつ挿入することになり、一度挿入されたレーザバー1は、溝部13a及び13bによって固定されるため脱離することがない。
【0025】
ここで、図中の矢印Aが電子蒸着装置内における蒸着源からの端面材料の入射方向を示している。よって、バー整列治具2にレーザバー1を挿入する際には、レーザバーの劈開面となる端面3a又は3bが蒸着源と対向するように配置する。
【0026】
そして、パターン電極4の面上にレーザバー1をバー整列治具2内に重ねて挿入していき、バー整列治具2の所定の収容能力の限界までレーザバー1を収容すると次のバー整列治具2にレーザバー1を挿入する。このとき、1つのバー整列治具2に収容されるレーザバー1の端面3の集合を1まとまりの単位として、便宜上、コートバッチと呼ぶ。
【0027】
こうして、レーザバー1をバー整列治具2に収容し、バー整列治具2の準備が出来ると、次は図4に示すように、固定フレーム5にバー整列治具2を挿入する。本実施の形態においては、3つのバー整列治具2を1つの固定フレーム5に収容する。そして、この固定フレーム5を3つ一組として、電子ビーム蒸着装置に投入する。
【0028】
図5は、固定フレーム5を縦3列に重ねて、電子ビーム蒸着装置内に配置した状態を示している。同図に示すとおり、水平の左右方向にX軸をとり、垂直方向にY軸をとり、これらの軸に直交する方向にZ軸をとり、以下の説明にあたって適宜これらの軸を用いる。
【0029】
ここで、蒸着源6に配置される蒸着材料には、コート材料としてアルミナを用い、発振波長は780nmとした。アルミナは電子ビームで加熱蒸発させられ、図に示すX−Y平面上に固定フレーム5によって形成される配列面7に配置されたそれぞれのコートバッチに対して照射される。このとき、蒸着源6からそれぞれのコートバッチへと向かうアルミナを、蒸着ビーム8を呼ぶ。
【0030】
本実施形態においては、蒸着源6から配列面までの距離L1は約60cmとし、図に示す配列面7上で蒸着ビームの中心との対向位置上に位置するコートバッチへの蒸着ビーム8aと、配列面7上において蒸着ビームの入射角が最大となるコートバッチへの乗蒸着ビーム8dとのコートバッチへの入射位置のX軸上における距離L2は約6cmである。
【0031】
次に、同じく図5を用いて、本発明の動作について説明する。
【0032】
上述の蒸着ビーム8により、蒸着が完了するとそれぞれのコートバッチには所定の厚さの蒸着膜が形成される。
【0033】
ところが、図に示すコートバッチへの入射角が0°の蒸着ビーム8aと、コートバッチへの入射角がαの蒸着ビーム8c又は8bと、の間では単位時間に単位面積を通過して輸送される蒸着ビームの量、すなわちフラックスの差により、形成される蒸着膜の膜厚に差が生じる。フラックスが均一に分布しているとすれば、通常、上述の条件では蒸着ビーム8aと蒸着ビーム8cとには入射角において約6°の差が生じる。又、このとき蒸着ビーム8aによる第1の入射角と蒸着ビーム8dによる第2の入射角との入射角の差は約8°になる。実際には蒸着ビームは中心軸上が最もフラックス量が大きく、中心軸となす角が大きくなる程フラックス量が減少する。
【0034】
本実施形態においては蒸着完了後の端面(劈開面)の反射率が13±2%となるように、各コートバッチに形成される膜厚の目標値を159±5nmとしているが、実際には、前記入射角の差により図2で示すように蒸着完了後において上記規定の反射率をオーバーするコートバッチが生じている。
【0035】
通常、上述のフラックスの差により中央部分程反射率が高く、図において位置Aのコートバッチ(位置C、位置G、及び位置Iの場合も同様。)と位置Eのコートバッチとの蒸着完了後の反射率は1〜2%の差が生じている。さらに、同一のコートバッチ内においても、各レーザバー1の工作精度等によるバラツキがあるため、同じ位置にバー整列治具2を配置しても、各端面3毎に±1.5%程度の反射率のバラツキが発生することがある。
【0036】
本発明は、このような膜厚のバラツキにより生じる製品不良を、蒸着ビームの入射角を調整することにより防止するものである。そして、本実施形態では膜厚が159±5nmの範囲内におさまるように、各コートバッチにおける入射ビームの入射角の角度差を最大5%の範囲内にすることを目的とするが、蒸着材料や半導体レーザの用途によってはこの数値に限定されることはない。
【0037】
本発明は、同一フラックスのコート材料が蒸着すべき端面3の面積を大きくすることにより単位面積あたりの蒸着量を低減して膜厚を薄くするのであるが、ここで図6を用いて、詳細に説明する。
【0038】
同図はレーザバー1の端面3に蒸着により形成される蒸着膜9の状態を示している。この場合、同一のレーザバー1における端から端までの幅は、蒸着源からの距離に比べて微小であるとすると、端面3に形成される蒸着膜9の膜厚は蒸着ビーム8aと平行な方向に均一となる。このときの蒸着ビーム8aの中心軸方向の膜厚を9aとし、端面3に垂直な膜厚を9bとすると、実際上この半導体レーザの性能を決定する要因となる膜厚は9bとなり同図に示すように9bは、
実際の膜厚9b=蒸着ビーム8aの中心軸方向の膜厚9a×cosβ
で表され、またこのとき、0≦cosβ≦1
であることから、端面3をβ°傾けることにより、入射角0°における蒸着ビームの中心軸方向の膜厚9aと比較して減少する。即ち、フラックスが均一に分布しているとすると、αが6°であればβを6〜8°とすれば良い。この場合、結果として図2に示すコートバッチEの反射率を15.3%(角度調整前)から14.9%と所定の反射率に合わせ込むことができる。実際にはフラックスに分布があるため、中央部分のコートバッチの方が外側のコートバッチよりもフラックスの強度が大きいことを考慮して、β>αとなるように角度を調整するとより適正な反射率を得ることができる。具体的には、αが6°のときβを9°とすることにより、図2に示すコートバッチEの反射率を15.3%(角度調整前)から14.4%に低下させることができて、他のコートバッチとの差がほとんど生じない最適の値にすることができる。
【0039】
よって、固定フレームにおけるレーザバー整列治具2の角度を自在に調整し得るようにすれば、当該レーザバー整列治具2に収容されているレーザバー1によって形成されるコートバッチの膜厚の調整を可能とすることができる。
【0040】
ここで、図7を用いて、上述の固定フレーム5に設けられるレーザバー整列治具2の角度を調整する調整機構について説明する。図7(a)は固定フレーム5の斜視図であり、図7(b)は固定フレーム5側面の断面図である。図7(b)が示すように、固定フレーム5に収容されるバー整列治具2の断面は、固定フレーム5の断面よりも小さくなっているため、後述するバー整列治具2の固定フレーム5内での角度調整が可能となっている。
【0041】
図7(b)で示すように、固定フレーム5にはレーザバー整列治具2との当接量を調節する4本の当接ネジ10(10a〜10d)が螺入するためのネジ穴(15a〜15d)が略対角位置に設けられている。それぞれの当接ネジ10は、固定フレーム5に対する螺入量の調節により、バー整列治具2との当接量を自在に調整することができ、この当接量の調整によりレーザバー整列治具2の上部及び下部をそれぞれ相反する方向に押圧する押圧力の調整を可能にする。そして、これらの当接ネジ10(10a〜10d)のうち、当接ネジ10a及び10bはバー整列治具2の上部を前方から後方へ押圧し、当接ネジ10c及び10dはバー整列治具2の下部をその逆方向に押圧することから、これらの押圧力の作用によりバー整列治具2は回転中心点11を中心として回転する。
【0042】
これにより、レーザバー整列治具2がそれぞれの当接ネジ10(10a〜10d)の押圧力により回転中心点11を中心に回転する際の回転角度を調整することができ、このレーザバー整列治具2によって構成されるコートバッチの固定フレーム5における配列面7との間の角度を変化させることができる。
【0043】
このとき、固定フレーム5は蒸着源の中心軸、つまり、図5における蒸着源6からX座標及びY座標が共に同一のまま、固定フレーム5へと向かう蒸着ビーム8aを法線とする配列面上に配置されている。よって、固定フレーム5におけるレーザバー整列治具2の角度を調整することにより、このレーザバー整列治具2によって構成されるコートバッチへの蒸着ビームの入射角を調整し、膜厚の調整をすることができる。
【0044】
次に、図8を用いて本発明の第2の実施形態について説明する。図8は図5に示した実施形態と同様に、縦3列×横3列にレーザバー整列治具2を配置し、電子ビーム蒸着装置に投入した状態を示している。
【0045】
上述のように、形成される膜厚は蒸着ビーム8の入射角度によるフラックスによって決定される。そして、入射角度は蒸着源ビームの中心軸との対向位置12からの距離に比例して大きくなる。つまり、対向位置12から等距離に位置するコートバッチ上に形成される膜厚は等しくなり、本実施形態においてはこれを利用し、図示するB、D、F、Hの位置にのみレーザバー整列治具2を配置している。
【0046】
また、図示はしていないが、A、C、G、Iの位置にのみレーザバー整列治具2を配置しても同様の効果を奏する。
【0047】
【発明の効果】
以上のように、この発明によれば、
(1)配列面上の配置されたそれぞれのコートバッチへの蒸着ビームにより形成される膜厚が所定範囲内になるように、それぞれのコートバッチの入射角を調整することから、それぞれのコートバッチに形成される蒸着膜によって影響される反射率も所定範囲内となり、電子ビーム蒸着装置内での配置場所の違いによる蒸着膜形成後の反射率のバラツキが生じることを防止できる。
【0050】
(2)前記第1の入射角と前記第2の入射角との角度差が減少し所定の範囲内におさまるように第1の入射角を調整する角度調整工程を行なうことから、入射角度の差による単位時間における単位面積あたりの蒸着量の差も減少させることができ、蒸着完了後のコートバッチ毎の膜厚のバラツキを抑制できる。
【0051】
(3)蒸着ビームの中心軸を法線とする配列面に配列される固定フレームに、複数のレーザバーを収容するバー整列治具の固定フレームにおける蒸着ビームの中心軸を法線とする配列面との間の角度を調整する調整機構を備えたことにより、この固定フレームに配置される半導体レーザの端面への蒸着ビームの入射角の調整を、固定フレームにおいて行なうことができる。
【0052】
よって、半導体レーザの端面コートを行なう際に、電子ビーム蒸着装置に配列したすべての半導体レーザ端面の蒸着完了後の反射率のバラツキを所定範囲内に規制し、歩留りを向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】端面コートの膜厚と反射率との関係を示す図である。
【図2】蒸着完了後の各コートバッチにおける反射率を示す図である。
【図3】レーザバーをバー整列治具に収容する状態を示す図である。
【図4】バー整列治具を固定フレームに収容する状態を示す図である。
【図5】電子ビーム蒸着装置内での状態を示す図である。
【図6】本発明の角度調整による膜厚の変化を示す図である。
【図7】本発明の固定フレームの角度調整機構の1形態を示す図である。
【図8】本発明の第2の実施形態を示す図である。
【符号の説明】
1−レーザバー
2−バー整列治具
3(3a〜3b)−端面(劈開面)
4−パターン電極
5−固定フレーム
6−蒸着源
7−配列面
8(8a〜8d)−蒸着ビーム
9(9a〜9b)−膜厚
10(10a〜10d)−当接ネジ
11−回転中心点
12−対向位置
13(13a〜13b)−溝部
14−切り欠き部
15(15a〜15d)−ネジ穴
Claims (3)
- 蒸着ビームの中心軸を法線とする配列面上に、それぞれが複数の半導体レーザの端面によって構成される複数のコートバッチを配置して、電子ビーム蒸着によって半導体レーザの端面に対してコート材料をコートする半導体レーザ端面コート方法において、
それぞれのコートバッチへの蒸着ビームにより形成される膜厚が所定範囲内になるように、それぞれのコートバッチへの蒸着ビームの入射角を調整する角度調整工程を含むことを特徴とする半導体レーザ端面コート方法。 - 蒸着ビームの中心軸を法線とする配列面上に、それぞれが複数の半導体レーザの端面によって構成される複数のコートバッチを配置して、電子ビーム蒸着によって半導体レーザの端面に対してコート材料をコートする半導体レーザ端面コート方法において、
配列面上で蒸着ビームの中心軸との対向位置上に位置するコートバッチへの蒸着ビームの入射角を第1の入射角とし、前記配列面上において蒸着ビームの入射角が最大となるコートバッチへの蒸着ビームの入射角を第2の入射角としたとき、
第1の入射角と第2の入射角との角度差が所定範囲内になるように、少なくとも第1の入射角を調整する角度調整工程を含むことを特徴とする半導体レーザ端面コート方法。 - 半導体レーザの電子ビ−ム蒸着による端面コートの際に、それぞれが複数のレーザバーを各端面が同一方向に面するように収容する複数のバー整列治具を配列する固定フレームであって、
各バー整列治具の固定フレームにおける蒸着ビームの中心軸を法線とする配列面との間の角度を調整する調整機構を備えたことを特徴とする固定フレーム。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000361382A JP3784639B2 (ja) | 2000-11-28 | 2000-11-28 | 半導体レーザ端面コート方法及び固定フレーム |
US09/994,673 US6756322B2 (en) | 2000-11-28 | 2001-11-28 | Method for evenly coating semiconductor laser end faces and frame used in the method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000361382A JP3784639B2 (ja) | 2000-11-28 | 2000-11-28 | 半導体レーザ端面コート方法及び固定フレーム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002164610A JP2002164610A (ja) | 2002-06-07 |
JP3784639B2 true JP3784639B2 (ja) | 2006-06-14 |
Family
ID=18832826
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000361382A Expired - Fee Related JP3784639B2 (ja) | 2000-11-28 | 2000-11-28 | 半導体レーザ端面コート方法及び固定フレーム |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6756322B2 (ja) |
JP (1) | JP3784639B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102007011564B4 (de) * | 2007-03-07 | 2019-08-22 | Jenoptik Optical Systems Gmbh | Verfahren zur verbesserten Herstellung von Diodenlaserbarren |
JP2009164499A (ja) * | 2008-01-10 | 2009-07-23 | Mitsubishi Electric Corp | 端面処理用治具およびそれを用いる半導体レーザ装置の製造方法 |
CN114045460B (zh) * | 2021-10-27 | 2023-06-16 | 海南师范大学 | 一种中远红外半导体激光器腔面金属膜镀膜夹具 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04162613A (ja) * | 1990-10-26 | 1992-06-08 | Hitachi Ltd | 半導体製造装置 |
JPH0669607A (ja) | 1992-08-19 | 1994-03-11 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 薄膜膜厚測定装置とこれを用いた半導体レーザの反射鏡形成方法 |
JPH06125149A (ja) | 1992-10-12 | 1994-05-06 | Canon Inc | 半導体素子及びその製造方法 |
US5763020A (en) * | 1994-10-17 | 1998-06-09 | United Microelectronics Corporation | Process for evenly depositing ions using a tilting and rotating platform |
JPH09260777A (ja) | 1996-03-27 | 1997-10-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザー装置 |
US5911830A (en) * | 1996-05-09 | 1999-06-15 | Lucent Technologies Inc. | Method and fixture for laser bar facet coating |
JP3738301B2 (ja) * | 1997-04-21 | 2006-01-25 | 株式会社東芝 | 電磁ポンプ |
JP3509543B2 (ja) | 1998-03-30 | 2004-03-22 | シャープ株式会社 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
-
2000
- 2000-11-28 JP JP2000361382A patent/JP3784639B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-11-28 US US09/994,673 patent/US6756322B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20020076943A1 (en) | 2002-06-20 |
US6756322B2 (en) | 2004-06-29 |
JP2002164610A (ja) | 2002-06-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7595089B2 (en) | Deposition method for semiconductor laser bars using a clamping jig | |
US20070034614A1 (en) | Method of forming grooves in chemical mechanical polishing pad utilizing laser ablation | |
EP0806494B1 (en) | Method and fixture for laser bar facet coating | |
JP3784639B2 (ja) | 半導体レーザ端面コート方法及び固定フレーム | |
US7888146B2 (en) | Method for assembling array-type semiconductor laser device | |
US5636235A (en) | Semiconductor laser device including columns of semiconductor lasers with non-central light emitting regions | |
JP3040763B1 (ja) | 半導体装置の製造方法及びそれに用いる被膜形成用治具 | |
US5307183A (en) | Apparatus and method for fabricating a curved grating in a surface emitting distributed feedback semiconductor laser diode device | |
US6826218B2 (en) | Semiconductor laser device capable of suppressing leakage current in a light emitting end surface and method for manufacturing same | |
CA1269748A (en) | Method of forming a variable width channel | |
JP3298529B2 (ja) | 成膜のためのワークの端面揃え方法及び装置 | |
KR100556451B1 (ko) | 레이저 다이오드의 반사막 제조방법 | |
JPH1093187A (ja) | 半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置、スペーサ及びホルダー | |
EP3579362A1 (en) | Ex-situ conditioning of laser facets and passivated devices formed using the same | |
JP2004339543A (ja) | 半導体レーザーバーの固定用治具 | |
JP3434447B2 (ja) | 半導体レーザ素子の製造方法 | |
JP2005136080A (ja) | 半導体レーザ素子、その製造方法及び光ピックアップ素子 | |
JPS6196733A (ja) | イオン・ビ−ム加工法 | |
JP2003332675A (ja) | 半導体レーザ素子の製造方法 | |
JPH0644664B2 (ja) | 半導体レ−ザ外部傾斜ミラ−形成法 | |
JPH10135572A (ja) | 半導体レーザ素子及びその製造方法及び製造装置 | |
JPS6199395A (ja) | 半導体レ−ザの製造方法 | |
JP3402778B2 (ja) | 分布帰還形半導体レーザ装置の製造方法 | |
KR100277946B1 (ko) | 레이저 다이오드의 미러 제조방법 | |
JPH02123780A (ja) | 半導体面発光レーザの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050301 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050913 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051114 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051213 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060213 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060307 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060315 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100324 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100324 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110324 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120324 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120324 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130324 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130324 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140324 Year of fee payment: 8 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |