JPS61220390A - 半導体レ−ザの端面保護膜形成用治具 - Google Patents
半導体レ−ザの端面保護膜形成用治具Info
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- JPS61220390A JPS61220390A JP6147185A JP6147185A JPS61220390A JP S61220390 A JPS61220390 A JP S61220390A JP 6147185 A JP6147185 A JP 6147185A JP 6147185 A JP6147185 A JP 6147185A JP S61220390 A JPS61220390 A JP S61220390A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の技術分野）
本発明は、半導体レーザの共振器端面に保護膜を形成す
る際に用いられる治具に係わり、特に複数個のバー状半
導体レーザ群に端面保護膜を形成するための半導体レー
ザの端面保護膜形成用治具に関する。
る際に用いられる治具に係わり、特に複数個のバー状半
導体レーザ群に端面保護膜を形成するための半導体レー
ザの端面保護膜形成用治具に関する。
近年、半導体発光装置として、各種の半導体レーザが用
いられている。−例として、第３図にＧａＡｊ２Ａｓよ
りなる３元系の半導体レーザを示す。
いられている。−例として、第３図にＧａＡｊ２Ａｓよ
りなる３元系の半導体レーザを示す。
こ１のレーザは、ＮＩＪ！ＧａＡｓ基板３１上に順次Ｎ
型ＧａＡｆｆｉＡＳクラッド１１３２．ＧａＡｓ活性層
３３、Ｐ型ＧａＡｎＡｓクラッド層３４及びＰ型ＧａＡ
Ｓコンタクト層３５を成長し、コンタクト層３５上に一
部開孔が形成された絶縁膜３６を介してアノード電極３
７を形成し、さらに基板３１の下面にカソード電極３８
を形成して構成される。
型ＧａＡｆｆｉＡＳクラッド１１３２．ＧａＡｓ活性層
３３、Ｐ型ＧａＡｎＡｓクラッド層３４及びＰ型ＧａＡ
Ｓコンタクト層３５を成長し、コンタクト層３５上に一
部開孔が形成された絶縁膜３６を介してアノード電極３
７を形成し、さらに基板３１の下面にカソード電極３８
を形成して構成される。
このようなレーザでは、活性層３３の発光領域が０．０
２〜０．１［μＴｒＬ］×３〜５［μｍ］と非常に微小
であり、ここから数［１ｌＩＩＩＷ］、時には数１０［
履Ｗ］に及ぶ光出力を取出すもので、単位面積当りの光
出力は１０”［Ｗ／α２）にも達する。このため、作動
寿命が伸びている現在では、その寿命限界は半導体レー
ザの共振器端面の保護膜形成如何によると言っても過言
ではない。
２〜０．１［μＴｒＬ］×３〜５［μｍ］と非常に微小
であり、ここから数［１ｌＩＩＩＷ］、時には数１０［
履Ｗ］に及ぶ光出力を取出すもので、単位面積当りの光
出力は１０”［Ｗ／α２）にも達する。このため、作動
寿命が伸びている現在では、その寿命限界は半導体レー
ザの共振器端面の保護膜形成如何によると言っても過言
ではない。
半導体レーザの端面保護膜の形成は、公知のスパッタ、
Ｅ−ガン、ＣＶＤ法等の手法により、Ｓ ｉ ０２ 、
Ａｎ２０ｓ 、Ｓ ｉ３Ｎ４１（７）１電体膜を半導体
レーザの共振器端面に半波長の厚さに付着することによ
り行われている。このとき、アノード電極３７及びカソ
ード電極３８の各電極面への誘電体膜の付着は、ヒート
シンクへのマウント及び電極のワイヤーボンディングを
困難にするため、避けなければならない。従って、端面
への保護膜付着工程においては、電極面をマスクする必
要がある。しかし、半導体レーザチップは通常極めて小
さく、例えば０．４ ［ａｓ＋］ ｘＱ、３ ［履］ｘ
ｏ、１［ａｍ］であり、このようなチップの電極面をマ
スクすることは困難である。
Ｅ−ガン、ＣＶＤ法等の手法により、Ｓ ｉ ０２ 、
Ａｎ２０ｓ 、Ｓ ｉ３Ｎ４１（７）１電体膜を半導体
レーザの共振器端面に半波長の厚さに付着することによ
り行われている。このとき、アノード電極３７及びカソ
ード電極３８の各電極面への誘電体膜の付着は、ヒート
シンクへのマウント及び電極のワイヤーボンディングを
困難にするため、避けなければならない。従って、端面
への保護膜付着工程においては、電極面をマスクする必
要がある。しかし、半導体レーザチップは通常極めて小
さく、例えば０．４ ［ａｓ＋］ ｘＱ、３ ［履］ｘ
ｏ、１［ａｍ］であり、このようなチップの電極面をマ
スクすることは困難である。
そこで従来は、第４図或いは第５図に示す如く半導体レ
ーザチップをマウントしてから端面保護膜を付着するか
、または第６図に示す如く半導体レーザチップが連なっ
たバー状半導体レーザ群を束ねて端面保護膜を付着する
かしている。
ーザチップをマウントしてから端面保護膜を付着するか
、または第６図に示す如く半導体レーザチップが連なっ
たバー状半導体レーザ群を束ねて端面保護膜を付着する
かしている。
第４図の例は、ＰＩＮダイオード４１を取付けたステム
４２にヒートシンク４３．サブマウント４４を介して半
導体レーザチップ４５を取付けている。この場合、半導
体レーザチップ４５のヒートシンク４３へのマウント及
びワイヤボンディングは端面保護膜の付着の前に済まさ
れるため、電極面への誘電体膜の付着はもはや問題とな
らない。
４２にヒートシンク４３．サブマウント４４を介して半
導体レーザチップ４５を取付けている。この場合、半導
体レーザチップ４５のヒートシンク４３へのマウント及
びワイヤボンディングは端面保護膜の付着の前に済まさ
れるため、電極面への誘電体膜の付着はもはや問題とな
らない。
しかしこの例では、一対の共振器端面のうち、ステムに
面した側の端面はステムによって膜の付着が邪魔される
のでスパッタ法或いはＥ−ガン等のように指向性のある
膜付は手段には適さない。さらに、ステム本体を膜形成
装冒内に入れる必要があるため、スペースを多くとり量
産向きではない。
面した側の端面はステムによって膜の付着が邪魔される
のでスパッタ法或いはＥ−ガン等のように指向性のある
膜付は手段には適さない。さらに、ステム本体を膜形成
装冒内に入れる必要があるため、スペースを多くとり量
産向きではない。
第５図の例では、予めサブマウント４４上に電極ポスト
４６を設け、サブマウント４４の上だけでレーザチップ
４５へのワイヤボンドを済ませる。
４６を設け、サブマウント４４の上だけでレーザチップ
４５へのワイヤボンドを済ませる。
即ち、Ｃｕ或いは３ｉのサブマウント４４上に半導体レ
ーザチップ４５及び電極ポスト４６を半田付けした後、
この間をワイヤボンディングし、これを複数個固定用冶
具に装着し、端面保護膜を付着する。その後、サブマウ
ント４４をヒートシンク４３に半田により固定したもの
である。しかしこの例では、半導体レーザが個々の素子
に分割されているため、保護膜付着に際し配列に手間が
掛かり、電極ポストを設ける等工程も多くなる。従って
、前記例と同様に量産性に対し弱点を持つ。
ーザチップ４５及び電極ポスト４６を半田付けした後、
この間をワイヤボンディングし、これを複数個固定用冶
具に装着し、端面保護膜を付着する。その後、サブマウ
ント４４をヒートシンク４３に半田により固定したもの
である。しかしこの例では、半導体レーザが個々の素子
に分割されているため、保護膜付着に際し配列に手間が
掛かり、電極ポストを設ける等工程も多くなる。従って
、前記例と同様に量産性に対し弱点を持つ。
第６図の例は、バー状に切出した複数個の半導体レーザ
群６１ （６１１，〜、６１ｓ）を、平板６２上に一体
形成されたコ字型スペーサ６３及び固定具６４からなる
固定用治具上に並べて端面保護膜を形成するものである
。この方法は、バー状で且つ多数の半導体レーザに対し
、一度に保護膜を形成できる優れた方法である。
群６１ （６１１，〜、６１ｓ）を、平板６２上に一体
形成されたコ字型スペーサ６３及び固定具６４からなる
固定用治具上に並べて端面保護膜を形成するものである
。この方法は、バー状で且つ多数の半導体レーザに対し
、一度に保護膜を形成できる優れた方法である。
しかしながら、第６図に示す方法にあっても、次のよう
な問題があった。即ち、バー状に切出した半導体レーザ
群を密に、しかも複数のバー状半導体レーザ群の共振器
端面を同一平面に揃える必要がある。第６図に示したよ
うな治具構造では、上記端面を同一平面に揃えるには、
バー状半導体レーザ群の幅（一対の共振器端面間の距離
）を一定にする必要があるが、通常バー状半導体レーザ
群の幅には〜１０［μ７ＦＬ］程度の誤差がある。この
ため、密に並べられた複数のバー状半導体レーザ群の端
面は平面とならず凹凸を生じる。そして、凹部における
バー状半導体レーザ群の端面ば凸部にあるバー状半導体
レーザ群の影になり、保護膜は均一に形成されない。
な問題があった。即ち、バー状に切出した半導体レーザ
群を密に、しかも複数のバー状半導体レーザ群の共振器
端面を同一平面に揃える必要がある。第６図に示したよ
うな治具構造では、上記端面を同一平面に揃えるには、
バー状半導体レーザ群の幅（一対の共振器端面間の距離
）を一定にする必要があるが、通常バー状半導体レーザ
群の幅には〜１０［μ７ＦＬ］程度の誤差がある。この
ため、密に並べられた複数のバー状半導体レーザ群の端
面は平面とならず凹凸を生じる。そして、凹部における
バー状半導体レーザ群の端面ば凸部にあるバー状半導体
レーザ群の影になり、保護膜は均一に形成されない。
また、相対向する別の端面に保護膜を形成する場合、冶
具から個々のレーザ群を一々取出して並べ直す必要があ
り、面倒である。さらに、保護膜が形成された共振器端
面と反対側の端面は治具からの汚染を受けている可能性
があり、良好な保護膜を形成できない場合があった。
具から個々のレーザ群を一々取出して並べ直す必要があ
り、面倒である。さらに、保護膜が形成された共振器端
面と反対側の端面は治具からの汚染を受けている可能性
があり、良好な保護膜を形成できない場合があった。
本発明は上記事情を考慮してなされたもので、その目的
とするところは、複数個ののバー状半導体レーザ群の保
護膜を形成する側の共振器端面を同一平面に揃えること
ができ、電極面をマスクして端面保護膜を形成する際に
該保護膜の均一付着をはかり得る半導体レーザの端面保
護膜形成用冶具を提供することにある。
とするところは、複数個ののバー状半導体レーザ群の保
護膜を形成する側の共振器端面を同一平面に揃えること
ができ、電極面をマスクして端面保護膜を形成する際に
該保護膜の均一付着をはかり得る半導体レーザの端面保
護膜形成用冶具を提供することにある。
本発明の骨子は、バー状半導体レーザ群を複数細密に並
べて端面保護膜を形成する際に、バー状半導体レーザ群
の長さより狭い幅の開口を有するマスクを用いることに
より、バー状半導体レーザ群の幅が一定でないものでも
保護膜形成面に凹凸を生じさせないようにしたことにあ
る。また、複数のバー状半導体レーザ群を固定するため
の押え具として摺動板を用い、必要以上のストレスをバ
ー状半導体レーザ群に加えることを防止することにある
。
べて端面保護膜を形成する際に、バー状半導体レーザ群
の長さより狭い幅の開口を有するマスクを用いることに
より、バー状半導体レーザ群の幅が一定でないものでも
保護膜形成面に凹凸を生じさせないようにしたことにあ
る。また、複数のバー状半導体レーザ群を固定するため
の押え具として摺動板を用い、必要以上のストレスをバ
ー状半導体レーザ群に加えることを防止することにある
。
即ち本発明は、複数個のバー状半導体レーザ群を該レー
ザ群の長手方向と直交する方向に且つそれぞれの共振器
端面が該レーザ群の配列方向と直交するように密に並べ
、これらのレーザ群の共振器端面に保護膜を形成する際
に用いる半導体レーザの端面保護膜形成用治具において
、前記バー状半導体レーザ群の共振器長より厚みの厚い
スペーサと、前記レーザ群の長手方向長さよりも幅の狭
い開孔部がそれぞれ設けられ、前記スペーサを挟んで該
スペーサに取付けられマスクと、これらのマスク間に配
列される前記レーザ群を固定する摺動板とを具備してな
るものである。
ザ群の長手方向と直交する方向に且つそれぞれの共振器
端面が該レーザ群の配列方向と直交するように密に並べ
、これらのレーザ群の共振器端面に保護膜を形成する際
に用いる半導体レーザの端面保護膜形成用治具において
、前記バー状半導体レーザ群の共振器長より厚みの厚い
スペーサと、前記レーザ群の長手方向長さよりも幅の狭
い開孔部がそれぞれ設けられ、前記スペーサを挟んで該
スペーサに取付けられマスクと、これらのマスク間に配
列される前記レーザ群を固定する摺動板とを具備してな
るものである。
本発明によれば、保護膜形成面に凹凸が生じるのを防止
することができ、保護膜形成面を同一平面上に揃えるこ
とができる。このため、複数個のバー状半導体レーザ群
の共振器端面に均一性の良い保護膜を形成することが可
能となる。また、バー状半導体レーザ群の端面が治具に
直接接触することはないので、端面の汚染を未然に防止
することができ、その有用性は絶大である。
することができ、保護膜形成面を同一平面上に揃えるこ
とができる。このため、複数個のバー状半導体レーザ群
の共振器端面に均一性の良い保護膜を形成することが可
能となる。また、バー状半導体レーザ群の端面が治具に
直接接触することはないので、端面の汚染を未然に防止
することができ、その有用性は絶大である。
以下、本発明の詳細を図示の実施例によって説明する。
第１図は本発明の一実施例に係わる半導体レーザの端面
保護膜形成用治具の概略構成を模式的に示す斜視図であ
る。図中１１はコ字型スペーサであり、このスペーサ１
１の上面には開口１２ａを有する第１のマスク１２及び
開口１３ａを有するカバー１３が配置される。ここで、
スペーサ１１は後述するバー状半導体レーザ群２１（２
１ｒ。
保護膜形成用治具の概略構成を模式的に示す斜視図であ
る。図中１１はコ字型スペーサであり、このスペーサ１
１の上面には開口１２ａを有する第１のマスク１２及び
開口１３ａを有するカバー１３が配置される。ここで、
スペーサ１１は後述するバー状半導体レーザ群２１（２
１ｒ。
〜２１４）の共振器端面を下にして立てるためのガイド
の役割を果たすもので、その厚みは３００［μＴｒＬ］
とした。この厚みは、レーザ群２１の幅（一対の共振器
端面間の距離）ρより僅かに厚いものである。また、ス
ペーサ１１の解放部１１ａの幅Ａはレーザ群２１の長手
方向長さより広いものとなっている。第１のマスク１２
はモリブデン等からなるもので、その開口１２ａの幅Ｂ
はバー状半導体レーザ群２１の長手方向長さよりも狭く
なっている。カバー１３の開口１３ａは上記開口１２ａ
より大径に形成されている。
の役割を果たすもので、その厚みは３００［μＴｒＬ］
とした。この厚みは、レーザ群２１の幅（一対の共振器
端面間の距離）ρより僅かに厚いものである。また、ス
ペーサ１１の解放部１１ａの幅Ａはレーザ群２１の長手
方向長さより広いものとなっている。第１のマスク１２
はモリブデン等からなるもので、その開口１２ａの幅Ｂ
はバー状半導体レーザ群２１の長手方向長さよりも狭く
なっている。カバー１３の開口１３ａは上記開口１２ａ
より大径に形成されている。
一方、スペーサ１１の下面には、上記マスク１２と同様
な形状の第２のマスク１４及び上記カバー１３と略同様
な形状のベース１５が配置される。ここで、カバー１３
及びベース１５は、前記スペーサ１１及びマスク１２．
１４を平行に保つ役割を果たすものである。そして、こ
れらはカバー１３及びベース１５をネジ等によって締結
することにより一体化されるものとなっている。また、
図中１６はスペーサ１１の解放部１１ａに挿入配列され
る半導体レーザ群２１を相互間の隙間をなくして密着固
定するための摺動板を示している。
な形状の第２のマスク１４及び上記カバー１３と略同様
な形状のベース１５が配置される。ここで、カバー１３
及びベース１５は、前記スペーサ１１及びマスク１２．
１４を平行に保つ役割を果たすものである。そして、こ
れらはカバー１３及びベース１５をネジ等によって締結
することにより一体化されるものとなっている。また、
図中１６はスペーサ１１の解放部１１ａに挿入配列され
る半導体レーザ群２１を相互間の隙間をなくして密着固
定するための摺動板を示している。
このような構成において、マスク１２．１４で挟まれた
スペーサ１１の解放部１１ａに複数個のバー状半導体レ
ーザ群２１（２１ｒ、〜、２１４）を挿入配列する。こ
こで、レーザ群２１の幅λは２５０［μＴｒＬ］、厚み
は１００ ［／、（７ＦＬ］とした。
スペーサ１１の解放部１１ａに複数個のバー状半導体レ
ーザ群２１（２１ｒ、〜、２１４）を挿入配列する。こ
こで、レーザ群２１の幅λは２５０［μＴｒＬ］、厚み
は１００ ［／、（７ＦＬ］とした。
これらのレーザ群２１は、その共振器端面がそれぞれ上
下方向を向くように配列される。そしてこの場合、レー
ザ群２１の端の一部がマスク１４によって橋渡しされる
ことになるので、保護膜形成面に対する治具からの汚染
はない。また、個々のレーザ群２１の共振器端面は平坦
であるので、下側のマスク１４に対向する各端面は同一
平面上に揃えられることになる。この後、摺動板１６に
よリレーザ群２１を密着固定する。
下方向を向くように配列される。そしてこの場合、レー
ザ群２１の端の一部がマスク１４によって橋渡しされる
ことになるので、保護膜形成面に対する治具からの汚染
はない。また、個々のレーザ群２１の共振器端面は平坦
であるので、下側のマスク１４に対向する各端面は同一
平面上に揃えられることになる。この後、摺動板１６に
よリレーザ群２１を密着固定する。
次いで、バー状半導体レーザ群２１を固定した冶具を図
示しない膜形成装置内に配置し、マスク１４の開口１４
ａを介して半導体レーザ群２１の下面側の共振器端面に
保護膜を形成する。このとき、レーザ群２１は第２図に
示す如くその幅２に誤差があっても、その下面りは同一
平面となっている。即ち、幅２の誤差はレーザ群２１の
上面Ｃの凹凸として吸収され、その下面はマスク１４の
上面と同一平面上に揃えられることになる。このため、
複数個のバー状半導体レーザ群２１の一方の共振器端面
に保護膜を均一に形成することが可能となる。なお、膜
形成装置として蒸着装置を用いる場合は、蒸着源を下に
してこの蒸着源にベース１５が対向するように冶具を配
置すればよい。
示しない膜形成装置内に配置し、マスク１４の開口１４
ａを介して半導体レーザ群２１の下面側の共振器端面に
保護膜を形成する。このとき、レーザ群２１は第２図に
示す如くその幅２に誤差があっても、その下面りは同一
平面となっている。即ち、幅２の誤差はレーザ群２１の
上面Ｃの凹凸として吸収され、その下面はマスク１４の
上面と同一平面上に揃えられることになる。このため、
複数個のバー状半導体レーザ群２１の一方の共振器端面
に保護膜を均一に形成することが可能となる。なお、膜
形成装置として蒸着装置を用いる場合は、蒸着源を下に
してこの蒸着源にベース１５が対向するように冶具を配
置すればよい。
また１、保護膜を形成すべき端面と反対側の端面にも保
ｒ！ＩＩＩＩが形成される場合は、上面側の開口を平板
等で覆うようにすればよい。
ｒ！ＩＩＩＩが形成される場合は、上面側の開口を平板
等で覆うようにすればよい。
一方、レーザ群２１の他方の共振器端面に保護膜を形成
する場合は、摺動板１６によるレーザ群２１の固定を解
除し、治具を上下逆に配置する。
する場合は、摺動板１６によるレーザ群２１の固定を解
除し、治具を上下逆に配置する。
これにより、レーザ群２１の下面となる他方の共振器端
面は、マスク１２で規定された同一平面状上に揃えられ
る。この状態で摺動板１６によりレーザ群２１を密着固
定し、膜形成装置により先と同様にしてマスク１２を介
して保ｍ膜を形成する。
面は、マスク１２で規定された同一平面状上に揃えられ
る。この状態で摺動板１６によりレーザ群２１を密着固
定し、膜形成装置により先と同様にしてマスク１２を介
して保ｍ膜を形成する。
この場合も、保護膜形成面が同一平面上に揃えられてい
るので、先と同様に共振器端面に保護膜が均一に形成さ
れることになる。
るので、先と同様に共振器端面に保護膜が均一に形成さ
れることになる。
かくして本実施例によれば、バー状半導体レーザ群２１
の共振器端面を同一平面上に揃えて保護膜を形成するこ
とが可能となり、保護膜を均一に形成することができる
。さらに、他方の共振器端面に保護膜を形成する際には
、治具の上下を反転するのみでよく、その取り扱いが極
めて容易となる。また、レーザ群２１の端部の一部が治
具と接触しているのみで、共振器端面は治具と殆ど接触
していないので、治具からの汚染を未然に防止できる等
の利点がある。
の共振器端面を同一平面上に揃えて保護膜を形成するこ
とが可能となり、保護膜を均一に形成することができる
。さらに、他方の共振器端面に保護膜を形成する際には
、治具の上下を反転するのみでよく、その取り扱いが極
めて容易となる。また、レーザ群２１の端部の一部が治
具と接触しているのみで、共振器端面は治具と殆ど接触
していないので、治具からの汚染を未然に防止できる等
の利点がある。
なお、本発明は上述した実施例に限定されるものではな
い。例えば、前記スペーサ及びマスク等の材料や形状等
は、仕様に応じて適宜変更可能である。スペーサの厚み
としては、バー状半導体レーザ群を挿入することから、
該レーザ群の共振器長と略等しい或いは僅かに厚いもの
であればよい。
い。例えば、前記スペーサ及びマスク等の材料や形状等
は、仕様に応じて適宜変更可能である。スペーサの厚み
としては、バー状半導体レーザ群を挿入することから、
該レーザ群の共振器長と略等しい或いは僅かに厚いもの
であればよい。
さらに、マスクの開口部の幅は、バー状半導体レーザ群
を橋掛けする必要上、該レーザ群の長手方向長さよりも
狭いものであればよい。また、共振器端面を両方に有す
るものに限らず、一方のみに共振器端面を有するレーザ
に適用できるのは、勿論のことである。その他、本発明
の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施すること
ができる。
を橋掛けする必要上、該レーザ群の長手方向長さよりも
狭いものであればよい。また、共振器端面を両方に有す
るものに限らず、一方のみに共振器端面を有するレーザ
に適用できるのは、勿論のことである。その他、本発明
の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施すること
ができる。
第１図は本発明の一実施例に係わる半導体レーザの端面
保護膜形成用治具の概略構成を模式的に示す斜視図、第
２図は上記実施例の作用を説明するだめの斜視図、第３
図は半導体レーザの概略構造を示す断面図、第４図乃至
第６図はそれぞれ従来の問題点を説明するための図であ
る。 １１・・・スペーサ、１１ａ・・・解放部、１２，１第
１のマスク、１２ａ、１３ａ、１４ａ、１５ａ・・・開
口部、１３．・・・カバー、１４・・・第２のマスク、
１５・・・ベース、１６・・・摺動板、２１ （２１ｔ
、〜２１４）・・・バー状半導体レーザ群。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第２図 第３図 第４図
保護膜形成用治具の概略構成を模式的に示す斜視図、第
２図は上記実施例の作用を説明するだめの斜視図、第３
図は半導体レーザの概略構造を示す断面図、第４図乃至
第６図はそれぞれ従来の問題点を説明するための図であ
る。 １１・・・スペーサ、１１ａ・・・解放部、１２，１第
１のマスク、１２ａ、１３ａ、１４ａ、１５ａ・・・開
口部、１３．・・・カバー、１４・・・第２のマスク、
１５・・・ベース、１６・・・摺動板、２１ （２１ｔ
、〜２１４）・・・バー状半導体レーザ群。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第２図 第３図 第４図
Claims (2)
- （１）複数個のバー状半導体レーザ群を該レーザ群の長
手方向と直交する方向に且つそれぞれの共振器端面が該
レーザ群の配列方向と直交するように密に並べ、これら
のレーザ群の共振器端面に保護膜を形成するための治具
であつて、前記バー状半導体レーザ群の共振器長より厚
みの厚いスペーサと、前記レーザ群の長手方向長さより
も幅の狭い開孔部がそれぞれ設けられ、前記スペーサを
挟んで該スペーサに取付けられたマスクと、これらのマ
スク間に配列される前記レーザ群を押圧して固定する摺
動板とを具備してなることを特徴とする半導体レーザの
端面保護膜形成用治具。 - （２）前記スペーサはコ字型に形成されたものであり、
前記摺動板は前記スペーサの解放側から前記半導体レー
ザ群を該スペーサに押圧して固定するものであることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体レーザの
端面保護膜形成用治具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6147185A JPS61220390A (ja) | 1985-03-26 | 1985-03-26 | 半導体レ−ザの端面保護膜形成用治具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6147185A JPS61220390A (ja) | 1985-03-26 | 1985-03-26 | 半導体レ−ザの端面保護膜形成用治具 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61220390A true JPS61220390A (ja) | 1986-09-30 |
Family
ID=13171999
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6147185A Pending JPS61220390A (ja) | 1985-03-26 | 1985-03-26 | 半導体レ−ザの端面保護膜形成用治具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61220390A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0426560U (ja) * | 1990-06-26 | 1992-03-03 | ||
| EP0558856A2 (en) * | 1992-03-04 | 1993-09-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | A method for producing a semiconductor laser device |
| EP0697756A2 (en) * | 1990-09-21 | 1996-02-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | A semiconductor laser device and a method for producing the same |
| KR100361036B1 (ko) * | 2000-02-07 | 2002-11-18 | 한국과학기술연구원 | 무반사 코팅을 위한 반도체 광소자 칩의 시료 홀더 장치 |
| CN104037617A (zh) * | 2014-06-17 | 2014-09-10 | 中国科学院半导体研究所 | 一种用于激光器无遮挡镀膜的镀膜架装置 |
-
1985
- 1985-03-26 JP JP6147185A patent/JPS61220390A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0426560U (ja) * | 1990-06-26 | 1992-03-03 | ||
| EP0697756A2 (en) * | 1990-09-21 | 1996-02-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | A semiconductor laser device and a method for producing the same |
| EP0697756A3 (en) * | 1990-09-21 | 1996-07-17 | Sharp Kk | Semiconductor laser device and manufacturing method |
| EP0558856A2 (en) * | 1992-03-04 | 1993-09-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | A method for producing a semiconductor laser device |
| KR100361036B1 (ko) * | 2000-02-07 | 2002-11-18 | 한국과학기술연구원 | 무반사 코팅을 위한 반도체 광소자 칩의 시료 홀더 장치 |
| CN104037617A (zh) * | 2014-06-17 | 2014-09-10 | 中国科学院半导体研究所 | 一种用于激光器无遮挡镀膜的镀膜架装置 |
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