KR100223835B1 - 레이저 다이오드의 서브마운트 제조방법 - Google Patents

레이저 다이오드의 서브마운트 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100223835B1
KR100223835B1 KR1019960073508A KR19960073508A KR100223835B1 KR 100223835 B1 KR100223835 B1 KR 100223835B1 KR 1019960073508 A KR1019960073508 A KR 1019960073508A KR 19960073508 A KR19960073508 A KR 19960073508A KR 100223835 B1 KR100223835 B1 KR 100223835B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
solder
electrode
substrate
laser diode
submount
Prior art date
Application number
KR1019960073508A
Other languages
English (en)
Other versions
KR19980054360A (ko
Inventor
서주옥
Original Assignee
구자홍
엘지전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 구자홍, 엘지전자주식회사 filed Critical 구자홍
Priority to KR1019960073508A priority Critical patent/KR100223835B1/ko
Publication of KR19980054360A publication Critical patent/KR19980054360A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100223835B1 publication Critical patent/KR100223835B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0235—Method for mounting laser chips
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
    • H01S5/0231—Stems
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0233—Mounting configuration of laser chips

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

레이저 다이오드의 서브마운트(submount) 제조방법에 관한 것으로, 기판 상면에 절연막을 형성하고 기판 하면에 제 2전극을 먼저 형성한 다음, 절연막상의 일정영역에 형성된 포토레지스트 패턴을 마스크로 절연막을 에칭한 후, 포토레지스트 패턴 및 노출된 기판상에 제 1 전극 및 제1솔더를 차례로 형성하여, 포토레지스트 패턴 및 포토레지스트 패턴상의 제 1 전극 및 제1솔더를 제거하고 제 2전극상에 제2솔더를 형성함으로써, 전극과 기판 및 전극과 솔더 사이의 접착력을 향상시키고, 솔더의 종류에 관계없이 레이저 다이오드의 조립을 가능하게 하고 일정한 두께의 솔더를 얻을 수 있다.

Description

레이저 다이오드의 서브마운트 제조방법
본 발명은 레이저 다이오드에 관한 것으로, 특히 레이저 다이오드의 서브마운트(submount) 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 레이저 다이오드의 서브마운트로 사용되는 물질로써, 구동시 열의 발생이 적은 낮은 출력의 레이저 다이오드에서는 실리콘(Si)이 주로 사용된다.
하지만, 구동시 열의 발생이 많은 가시광 레이저 다이오드나 고출력 레이저 다이오드의 경우에는 실리콘카바이드(SiC) 등과 같은 열의 전도율이 좋은 물질을 서브마운트로 사용한다.
서브마운트는 레이저 다이오드의 수명에 매우 중요한 영향을 미치므로 제작시 알맞은 솔더(solder)의 선택 및 재료의 선택에 신중을 기해야 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 종래 기술에 따른 레이저 다이오드의 서부마운트 제조방법을 설명하면 다음과 같다.
도1a 내지 1d는 종래 기술에 따른 서브마운트의 제조공정을 보여주는 제조공정 사시도 및 공정 단면도이다.
도1a에 도시된 바와 같이, 실리콘 기판(1)의 상측 및 하측상에 전극(2)을 형성한다.
이때, 전극(2)은 Cr/Ni/Au계 또는 Ti/Pt/Au계의 금속으로 형성한다.
이어, 도1b에 도시된 바와 같이, 기판(1) 상측의 전극(2)상에 ㅓ자 형태의 포토레지스트(3) 패턴을 형성한다.
이때, 포토레지스트(3) 패턴을 형성하는 것은 레이저 다이오드 조립시에 솔더가 없는 부분을 사용하여 서브마운트를 마음대로 이동할 수 있게 하기 위한 것이다.
그리고, 도1c에 도시된 바와 같이, 기판(1) 상측의 포토레지스트(3) 패턴을 포함한 전극(2)상에 제1솔더(4)를 증착한 후, 도1d에 도시된 바와 같이, 리프트오프(lift off) 공정으로 포토레지스트(3) 및 포토레지스트(3)상에 형성된 제1솔더(4)를 제거하여 ㄷ자 형태의 제1솔더(4) 패턴을 형성한다.
그리고, 기판(1) 하측의 전극(2)상에 제2솔더(5)를 증착한 후, 적당한 크기로 절단하여 서브마운트를 완성한다.
종래 기술에 따른 레이저 다이오드의 서브마운트에 있어서는 다음과 같은 문제점이 있었다.
첫째, 기판에 전극을 형성한 후, 솔더를 형성하므로, 전극 표면상에 오염이나 파티클(particle)들이 있을 경우 솔더와의 접착력이 좋지 않다.
둘째, 레이저 다이오드 조립시, 솔더의 퍼짐 현상으로 인하여 레이저 다이오드 조립시에 필요한 일정 두께의 솔더를 얻기가 힘들어 조립 공정이 어렵다.
본 발명은 이와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 전극과 기판 및 전극과 솔더의 접착력을 향상시키고 솔더의 퍼짐 현상을 방지하는 레이저 다이오드의 서브마운트 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
도1a 내지 1d는 종래 기술에 따른 서브마운트의 제조공정을 보여주는 제조공정 사시도 및 공정 단면도
도2a 내지 2e는 본 발명에 따른 서브마운트 제조공정을 보여주는 공정 사시도 및 공정 단면도
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
11 : 기판 12 : 절연막
13 : 제 2전극 14 : 포토레지스트
15 : 제1전극 16 : 제1솔더
17 : 제2솔더
본 발명에 따른 레이저 다이오드의 서브마운트 제조방법은 기판 상면에 절연막을 형성하고 기판 하면에 제 2전극을 먼저 형성한 다음, 절연막상의 일정영역에 형성된 포토레지스트 패턴을 마스크로 절연막을 에칭한 후, 포토레지스트 패턴 및 노출된 기판상에 제 1 전극 및 제1솔더를 차례로 형성하여, 포토레지스트 패턴 및 포토레지스트 패턴상의 제 1 전극 및 제1솔더를 제거하고 제 2전극상에 제2솔더를 형성함에 그 특징이 있다.
상기와 같은 특징을 갖는 본 발명에 따른 레이저 다이오드의 서브마운트 제조방법을 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도2a 내지 2e는 본 발명에 따른 서브마운트 제조공정을 보여주는 공정 사시도 및 공정 단면도이다.
도2a에 도시된 바와 같이, 기판(11)의 상면에 PECVD공정으로 절연막(12)을 형성하고 기판(11)의 하면에는 제 2전극(13)을 형성한다.
이때, 절연막(12)은 산화막 또는 질화막으로 형성한다.
이어, 도2b에 도시된 바와 같이, 절연막(12)상의 일정영역에 ㅓ자 형태의 포토레지스트(14) 패턴을 형성한 후, 도2c에 도시된 바와 같이, 포토레지스트(14) 패턴을 마스크로 BOE를 사용하여 노출된 절연막(12)을 오버 에칭(over etching)하여 기판(11)을 노출시킨다.
그리고, 도2d에 도시된 바와 같이, 노출된 기판(11) 및 포토레지스터(14) 패턴상에 제 1 전극(15) 및 제1솔더(16)를 차례로 형성한 다음, 도2e에 도시된 바와 같이, 리프트 오프(lift off) 공정으로 포토레지스트(14) 패턴 및 포토레지스트(14) 패턴상의 제 1 전극(15) 및 제1솔더(16)를 제거하여 ㄷ자 형태의 제 1 전극(15) 및 제1솔더(16)를 형성한다.
그리고, 제 2전극(13)상에 제2솔더(17)를 형성한 다음, 일정한 크기로 절단하여 레이저 다이오드의 서브마운트를 완성한다.
본 발명에 따른 레이저 다이오드의 서브마운트 제조방법에 있어서는 다음과 같은 효과가 있다.
첫째, 기판상에 먼저 포토레지스트 패턴을 형성한 후, 전극과 솔더를 동시에 형성함으로써, 전극과 기판 및 전극과 솔더 사이의 접착력을 향상시킨다.
둘째, 전극상에만 솔더를 형성하고 그 외의 부분은 절연막으로 격리시킴으로써, 솔더가 ㄷ자 형태의 패턴 이외의 부분으로 퍼지지 않도록 하여 솔더의 종류에 관계없이 레이저 다이오드의 조립을 가능하게 하고 일정한 두께의 솔더를 얻을 수 있다.

Claims (3)

  1. 기판 상면에 절연막을 형성하고 기판 하면에 제 2전극을 형성하는 스텝; 상기 절연막상의 일정영역에 포토레지스트 패턴을 형성하는 스텝; 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 상기 절연막을 에칭하여 기판의 일정영역을 노출시키는 스템; 상기 포토레지스트 패턴 및 노출된 기판상에 제 1 전극 및 제1솔더를 차례로 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴 및 포토레지스트 패턴상의 제 1 전극 및 제1솔더를 제거하고 상기 제 2전극상에 제2솔더를 형성하는 스텝으로 이루어짐을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 서브마운트 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 절연막은 산화막 또는 질화막으로 형성함을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 서브마운트 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 에칭은 오버에칭으로 함을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 서브마운트 제조방법.
KR1019960073508A 1996-12-27 1996-12-27 레이저 다이오드의 서브마운트 제조방법 KR100223835B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960073508A KR100223835B1 (ko) 1996-12-27 1996-12-27 레이저 다이오드의 서브마운트 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960073508A KR100223835B1 (ko) 1996-12-27 1996-12-27 레이저 다이오드의 서브마운트 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR19980054360A KR19980054360A (ko) 1998-09-25
KR100223835B1 true KR100223835B1 (ko) 1999-10-15

Family

ID=19491369

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960073508A KR100223835B1 (ko) 1996-12-27 1996-12-27 레이저 다이오드의 서브마운트 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100223835B1 (ko)

Also Published As

Publication number Publication date
KR19980054360A (ko) 1998-09-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100707955B1 (ko) 발광 다이오드 및 이의 제조 방법
CA1201537A (en) Semiconductor structures and manufacturing methods
DE10162421A1 (de) Lichtemittierendes Bauteil sowie zugehöriges Herstellungsverfahren
JP3501520B2 (ja) 半導体レーザーダイオード製造方法
US6727167B2 (en) Method of making an aligned electrode on a semiconductor structure
US4249967A (en) Method of manufacturing a light-emitting diode by liquid phase epitaxy
JP3453238B2 (ja) 窒化物半導体発光素子及びその製造方法
KR100475714B1 (ko) 질화물계 화합물 반도체장치 및 그 제조방법
KR100223835B1 (ko) 레이저 다이오드의 서브마운트 제조방법
JP2005505133A (ja) 窒化物−化合物半導体をベースとする半導体デバイスの製造方法
US5451819A (en) Semiconductor device having conductive plug projecting from contact hole and connected at side surface thereof to wiring layer
JPH0716081B2 (ja) 半導体発光装置
JPH08125270A (ja) 積層型半導体レーザ
KR100395660B1 (ko) 터널접합층을 갖는 질화물반도체 발광소자 제조방법
KR100474820B1 (ko) 오믹층 일부를 식각한 발광 다이오드 제조방법
CN114823324B (zh) 用于减小划道宽度的发光二极管芯片的制备方法
JPH0444285A (ja) 半導体発光素子
JP3219969B2 (ja) 発光ダイオードの製造方法
JP3231613B2 (ja) Ｌｅｄアレイの製造方法
JP2003069077A (ja) 窒化ガリウム系発光ダイオードの製造方法
KR100437181B1 (ko) 반도체 레이저 다이오드의 제조방법
KR101036462B1 (ko) 레이저 다이오드 패키지 및 그 서브 마운트 제조 방법
JP2669895B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPH10190046A (ja) 発光ダイオードチップ
KR950012902A (ko) 반도체 레이저 다이오드 및 그의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20060616

Year of fee payment: 8

LAPS Lapse due to unpaid annual fee