JPS592390A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS592390A JPS592390A JP57111047A JP11104782A JPS592390A JP S592390 A JPS592390 A JP S592390A JP 57111047 A JP57111047 A JP 57111047A JP 11104782 A JP11104782 A JP 11104782A JP S592390 A JPS592390 A JP S592390A
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- electrodes
- laser chips
- contact
- brought
- shielding plate
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0233—Mounting configuration of laser chips
- H01S5/02345—Wire-bonding
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ） 発明の技術分野
本発明は半導体装置の製造方法、特にチップ状又はアレ
イ状の半導体基体上への気相成長方法−２る選択的皮膜
形成方法に関する。
イ状の半導体基体上への気相成長方法−２る選択的皮膜
形成方法に関する。
（ｂ） 従来技術と問題点
光フアイバ通信その他の光を、情報信号媒体に用いる技
術において、光信号を発生する光源として半導体レーザ
は最も重要で基本的な構成要素で −ｍ−半導体レーザ
の光共振器としては、その両端面が光反射面であるファ
プリーペロー形が用いられることか多い。との両端面を
光反射向とすることができる鏡面に形成する方法で、埃
在最も確実な方法は結晶の令聞性を利用する臂開グ法で
ある。
術において、光信号を発生する光源として半導体レーザ
は最も重要で基本的な構成要素で −ｍ−半導体レーザ
の光共振器としては、その両端面が光反射面であるファ
プリーペロー形が用いられることか多い。との両端面を
光反射向とすることができる鏡面に形成する方法で、埃
在最も確実な方法は結晶の令聞性を利用する臂開グ法で
ある。
との骨開工程はその作業の性質上、半導体層もしくは基
板上にｐ側及びｎ側の電極を配設した後に一方向のみに
ついて基板を分割して、レーザチップが横方向に連結さ
れたアレイ状態で実施され暮。
板上にｐ側及びｎ側の電極を配設した後に一方向のみに
ついて基板を分割して、レーザチップが横方向に連結さ
れたアレイ状態で実施され暮。
襞間等の方法によって鏡面が形成された後に、この端面
を保護しまた光反射率を制御する目的で、この端面に例
えば璧化シリコン（５ｉＪＮ４） 、１ｍ化アルミニウ
ム（ＩＮ）もしくは二酸化シリコン（Ｓ１０、）等より
なる皮膜が形成されることが望ましい。
を保護しまた光反射率を制御する目的で、この端面に例
えば璧化シリコン（５ｉＪＮ４） 、１ｍ化アルミニウ
ム（ＩＮ）もしくは二酸化シリコン（Ｓ１０、）等より
なる皮膜が形成されることが望ましい。
これらの皮膜は従来例えば化学気相成長法（以下ＣＶＤ
法と略称する）、特にプラズマＣＶＤ法などによって、
第１図に断面図を示す例の如き配置で形成されることが
多い。
法と略称する）、特にプラズマＣＶＤ法などによって、
第１図に断面図を示す例の如き配置で形成されることが
多い。
すなわちアレイ状態のレーザチップ１をグラズマＣＶＤ
室円の所定の基台２上に配置して、レーザチップｌの表
面上に例えばｓｒ、Ｎ、膜３を形成する。
室円の所定の基台２上に配置して、レーザチップｌの表
面上に例えばｓｒ、Ｎ、膜３を形成する。
ここで５ｉｓＮ、Ｐａａはレーザチップ１の襞間面Ａ及
びＢのみならず、上面Ｃにも形成される。
びＢのみならず、上面Ｃにも形成される。
この百〇にはこれに対向する面りとともに、ｐ側もしく
はｎ側の′電極が形成されてお９組立工程に先立ってＳ
ｉ、Ｎ、等電気絶縁性の皮膜を除去することが心安とな
る。しかしながら襞開面Ａ及びＢに形成された皮膜３及
びレーザチップｌそのものに怒影臀を及ばずことなく、
断面寸法が例えば、１００ （μｍ）Ｘ ２００ （μ
ｍ）＠度のレーザチップアレイの面Ｃのみについて皮膜
３を完全に除去することは容易では碌＜、面りのみなら
ず面Ｃについても皮膜３が形成されることが防止された
皮膜形成方法が要求されている。
はｎ側の′電極が形成されてお９組立工程に先立ってＳ
ｉ、Ｎ、等電気絶縁性の皮膜を除去することが心安とな
る。しかしながら襞開面Ａ及びＢに形成された皮膜３及
びレーザチップｌそのものに怒影臀を及ばずことなく、
断面寸法が例えば、１００ （μｍ）Ｘ ２００ （μ
ｍ）＠度のレーザチップアレイの面Ｃのみについて皮膜
３を完全に除去することは容易では碌＜、面りのみなら
ず面Ｃについても皮膜３が形成されることが防止された
皮膜形成方法が要求されている。
（Ｃ） 発明の目的
本発明は、気相成長方法によってチップ状又はアレイ状
の半導体素子の表面に皮膜を形成するに除して、前記半
導体水子の所望の対向する２ｉｆｌへの前記皮膜の形成
を防止する半導体装置の製造方法を提供することを目的
とする。
の半導体素子の表面に皮膜を形成するに除して、前記半
導体水子の所望の対向する２ｉｆｌへの前記皮膜の形成
を防止する半導体装置の製造方法を提供することを目的
とする。
（ｄ） 発明の構成
本発明の前記目的は、複数個のチップ状又はアレイ状の
半導体素子を、該半導体素子の第１の面を所定の基台面
に接して配置し、該半導体素子の前記第１の面に対向す
る第２の面を、該第２の面に接し且つ複数個の半導体素
子を共通に覆う辿触体によシ被覆した後、該半導体素子
の露出表面に所望の皮膜を形成することによって達成さ
れる。
半導体素子を、該半導体素子の第１の面を所定の基台面
に接して配置し、該半導体素子の前記第１の面に対向す
る第２の面を、該第２の面に接し且つ複数個の半導体素
子を共通に覆う辿触体によシ被覆した後、該半導体素子
の露出表面に所望の皮膜を形成することによって達成さ
れる。
（ｅ） 発明の実施例
以下本発明を実施例によシ図面を参照して具体的に説明
する。
する。
第２図（ａ）は本発明の実施例を示す模式平面図、第２
図（ｂ）はそのｘ−ｘ’断面ｌを示す断面図である。
図（ｂ）はそのｘ−ｘ’断面ｌを示す断面図である。
本実施例においては、アレイ状態のレーザチップ１１を
気相成長室内の所定の基台１２上に、その第１の電極、
例えばエピタキシャル成長層側の電極を基台１２の上面
に接せしめて、適幽な間隔を隔てて配置する。アレイ状
態のレーザチップ１１の第２の、例えば基板側の電極は
この結果レーザ３− チップ１１の上面に現われる。
気相成長室内の所定の基台１２上に、その第１の電極、
例えばエピタキシャル成長層側の電極を基台１２の上面
に接せしめて、適幽な間隔を隔てて配置する。アレイ状
態のレーザチップ１１の第２の、例えば基板側の電極は
この結果レーザ３− チップ１１の上面に現われる。
次いで本発明の特徴とする遮蔽板１３を複数個のレーザ
チップ１１に共通に且つその上面に接せしめて配置する
。ξの配置によって、レーザチップ１１の第２の電極の
主たる表面は遮蔽板１３によって被覆され、且つ、レー
ザチップ１１の光共振器反射面を３む端面Ａ及びＢは基
台１２と遮蔽板１３とに挾まれる空間に表出する状態と
々る。
チップ１１に共通に且つその上面に接せしめて配置する
。ξの配置によって、レーザチップ１１の第２の電極の
主たる表面は遮蔽板１３によって被覆され、且つ、レー
ザチップ１１の光共振器反射面を３む端面Ａ及びＢは基
台１２と遮蔽板１３とに挾まれる空間に表出する状態と
々る。
本実施例においては、遮蔽板１３に図に示す如く選択的
に穴１４を配設して、基台１２と遮蔽板１３とに挾まれ
る空間と遮蔽板１３より上の開放された空間との間のガ
スの流通を容易にしてｉる。
に穴１４を配設して、基台１２と遮蔽板１３とに挾まれ
る空間と遮蔽板１３より上の開放された空間との間のガ
スの流通を容易にしてｉる。
しかしながらこの穴１４は必ずしも必要ではない。
また本実施例においては、鉤蔽板１３に石英板を用いて
いるが、石英板に限られるものではなく、気相成長方法
の実施中にガスの放出、接触する電極、近接する半導体
等に悪影響を及ばずこと等がなく必要な耐熱性をＡ４ｍ
する材料であればよく、例えばステンレス鋼でもよい。
いるが、石英板に限られるものではなく、気相成長方法
の実施中にガスの放出、接触する電極、近接する半導体
等に悪影響を及ばずこと等がなく必要な耐熱性をＡ４ｍ
する材料であればよく、例えばステンレス鋼でもよい。
−４〜
えばプラズマＣＶＤ法を、従来知られている方法と同様
に東施するならば、所要の例えばｓｉ、Ｎ４よｐなる皮
膜１５を端面Ａ及びＢに形成し、かつ、電極形成面につ
いては皮膜１５の形成を防止することができる。
に東施するならば、所要の例えばｓｉ、Ｎ４よｐなる皮
膜１５を端面Ａ及びＢに形成し、かつ、電極形成面につ
いては皮膜１５の形成を防止することができる。
（ｆ） 発明の効果
本発明によれば、以上説明した如くチップ状又はアレイ
状の半導体素子の表面への気相成長方法による皮膜の形
成の際に、前記半導体素子の対向する２面への前記皮膜
の形成が防止されて、従来の如く微少な寸法のチップ状
又はアレイ状の半導体素子面上の皮膜を選択的に除去す
ることが不必要となり、半導体レーザ等の半導体装置の
作業性の向上と歩留、信頼性の向上に有効である。
状の半導体素子の表面への気相成長方法による皮膜の形
成の際に、前記半導体素子の対向する２面への前記皮膜
の形成が防止されて、従来の如く微少な寸法のチップ状
又はアレイ状の半導体素子面上の皮膜を選択的に除去す
ることが不必要となり、半導体レーザ等の半導体装置の
作業性の向上と歩留、信頼性の向上に有効である。
第１図は従来方法による気相成長方法による皮膜形成の
例を示す断面図、第２図（ａ）は本発明の実施例を示す
平面図、第２図（ｂ）はその断面図を示す。 図において、１はプレイ状の半導体素子、２は素子、１
２は基台、１３は遮蔽板、１５は皮膜を示す。 ７− ％ １ｌｆｆｉ’ 兇 ２ 図 （（２） ４ 第２ 図（ｂ）
例を示す断面図、第２図（ａ）は本発明の実施例を示す
平面図、第２図（ｂ）はその断面図を示す。 図において、１はプレイ状の半導体素子、２は素子、１
２は基台、１３は遮蔽板、１５は皮膜を示す。 ７− ％ １ｌｆｆｉ’ 兇 ２ 図 （（２） ４ 第２ 図（ｂ）
Claims (1)
- 複数個のチップ状又はアレイ状の半導体素子を、該半導
体素子の第１の面を所定の基台面に接してｌ配置し、該
半導体素子の前記第１の面に対向する第２の面を、該第
２の面に接し且つ複数個の半導ることを特徴とする半導
体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57111047A JPS592390A (ja) | 1982-06-28 | 1982-06-28 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57111047A JPS592390A (ja) | 1982-06-28 | 1982-06-28 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS592390A true JPS592390A (ja) | 1984-01-07 |
Family
ID=14551055
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57111047A Pending JPS592390A (ja) | 1982-06-28 | 1982-06-28 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS592390A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04247670A (ja) * | 1990-10-04 | 1992-09-03 | Telefunken Electronic Gmbh | 半導体装置 |
-
1982
- 1982-06-28 JP JP57111047A patent/JPS592390A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04247670A (ja) * | 1990-10-04 | 1992-09-03 | Telefunken Electronic Gmbh | 半導体装置 |
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