JPS63141385A - マルチビ−ム半導体レ−ザ装置 - Google Patents
マルチビ−ム半導体レ−ザ装置Info
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- JPS63141385A JPS63141385A JP28914386A JP28914386A JPS63141385A JP S63141385 A JPS63141385 A JP S63141385A JP 28914386 A JP28914386 A JP 28914386A JP 28914386 A JP28914386 A JP 28914386A JP S63141385 A JPS63141385 A JP S63141385A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 27
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 6
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 238000005219 brazing Methods 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 11
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 abstract description 4
- 238000005476 soldering Methods 0.000 abstract 2
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 abstract 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 abstract 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 6
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 4
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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- H01L2924/1015—Shape
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- H01L2924/10158—Shape being other than a cuboid at the passive surface
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はマルチビーム半導体レーザ装置に関する。
従来のマルチビーム半導体レーザ装置は、第２図に示さ
れるが、これを工程に従い詳細に説明すると、３１単結
晶基板２０１上にアルミナ（Ａｔ。
れるが、これを工程に従い詳細に説明すると、３１単結
晶基板２０１上にアルミナ（Ａｔ。
Ｏｓ ）２（１２をイオンビーム蒸着等で堆積し、引出
し電極用の導電材料、例えばＡｕをスパッタ法で成膜し
た後、普通のフォトリングラフィ工程によりパターニン
グし、引出し電極１０３を形成し基台としてマルチビー
ム半導体レーザ素子１０４をジャンクシ盲ンダウンでろ
う材を介し接着し、金ワイヤ−１０５で共通電極及び引
出し電極１゜３をボンディングし、各電極の配線を形成
していた。
し電極用の導電材料、例えばＡｕをスパッタ法で成膜し
た後、普通のフォトリングラフィ工程によりパターニン
グし、引出し電極１０３を形成し基台としてマルチビー
ム半導体レーザ素子１０４をジャンクシ盲ンダウンでろ
う材を介し接着し、金ワイヤ−１０５で共通電極及び引
出し電極１゜３をボンディングし、各電極の配線を形成
していた。
しかし上記の従来技術では、引出し電極１０３間の絶縁
のためＳ１単結晶基板１０１上にアルミナ（Ａ／、、Ｏ
，）１０２を形成し、放熱板としていた。アルミナの熱
伝導率は、室温で５６ Ｗ／ｍ−にであり高出力マルチ
ビーム半導体レーザに対しては、まだ不十分であった。
のためＳ１単結晶基板１０１上にアルミナ（Ａ／、、Ｏ
，）１０２を形成し、放熱板としていた。アルミナの熱
伝導率は、室温で５６ Ｗ／ｍ−にであり高出力マルチ
ビーム半導体レーザに対しては、まだ不十分であった。
また、８１単結晶基板上にアルミナを形成するという工
程が心安であった。
程が心安であった。
そこで本発明では、従来のこのような問題点を解決する
ため、アルミナよりも熱伝導率の大きい絶縁体材料を放
熱板として用いて、放熱性を向上することを目的として
いる。
ため、アルミナよりも熱伝導率の大きい絶縁体材料を放
熱板として用いて、放熱性を向上することを目的として
いる。
上記問題点を解決するために、本発明のマルチビーム半
導体レーザ装置は、複数のレーザビーム対が独立に放射
できるマルチビーム半導体レーザ装置において、単結晶
サファイア（Ａ／、、Ｏ，）放熱板上に前記レーザビー
ム対の数の導電材料配線を備えた基台と、マルチビーム
半導体レーザ素子がろう材を介して、ジャンクシｌンダ
ウンで固着されていることを特徴とする。
導体レーザ装置は、複数のレーザビーム対が独立に放射
できるマルチビーム半導体レーザ装置において、単結晶
サファイア（Ａ／、、Ｏ，）放熱板上に前記レーザビー
ム対の数の導電材料配線を備えた基台と、マルチビーム
半導体レーザ素子がろう材を介して、ジャンクシｌンダ
ウンで固着されていることを特徴とする。
〔実施例６〕
以下、本発明について実施例に基づき詳細に説明する。
第１図は本発明のマルチビーム牛導体し〒ザ装置の構造
を示す安部斜視図である。工程を追って説明すると、単
結晶サファイア（Ａ２．０． ）放熱板１０１上に引出
し電極用の導電材料、例えばＡｕをスパッタ法で成膜し
た後、普通のフォトリングラフィ工程によりパターニン
グし、引出しｉｔ極１０３を形成し基台とする。本実施
例では、スリービーム半導体レーザ素子を用いたため、
３個の引出し電極１０３がある。
を示す安部斜視図である。工程を追って説明すると、単
結晶サファイア（Ａ２．０． ）放熱板１０１上に引出
し電極用の導電材料、例えばＡｕをスパッタ法で成膜し
た後、普通のフォトリングラフィ工程によりパターニン
グし、引出しｉｔ極１０３を形成し基台とする。本実施
例では、スリービーム半導体レーザ素子を用いたため、
３個の引出し電極１０３がある。
室温での単結晶サファイアの熱伝導率は、４６Ｗ／ｍ−
にであり、従来から使用されているアルミナの熱伝導率
５６Ｗ／ｍ’により大きい。
にであり、従来から使用されているアルミナの熱伝導率
５６Ｗ／ｍ’により大きい。
一方、マルチビーム半導体レーザ素子１０４の詳しい構
造は第五図に示す、第１導電型の半導体単結晶基板３０
１上に、順次第１導電型のバッファ層３０２．第１導電
型のクラツド層３０５１ノンドープ活性層３０４．第２
導電型のクラッド層３０５、第２導電型のコンタクト層
３０６がエピタ午シャル成長され、第１導電型側の電極
３０８、第２導電型側の電極３０７をそれぞれ半導体単
結晶基板３０１．コンタクト層３０６側に蒸着で形成し
た後、オーミック接触するようアニールし、リアクティ
ブイオンビームエツチング法等で、分離されたそれぞれ
の部分が独立にレーザ発振するよう活性層３０４を３つ
に分離する。レーザビームは、３組の発光部１０６から
エツチングストライプに平行方向に放射される。
造は第五図に示す、第１導電型の半導体単結晶基板３０
１上に、順次第１導電型のバッファ層３０２．第１導電
型のクラツド層３０５１ノンドープ活性層３０４．第２
導電型のクラッド層３０５、第２導電型のコンタクト層
３０６がエピタ午シャル成長され、第１導電型側の電極
３０８、第２導電型側の電極３０７をそれぞれ半導体単
結晶基板３０１．コンタクト層３０６側に蒸着で形成し
た後、オーミック接触するようアニールし、リアクティ
ブイオンビームエツチング法等で、分離されたそれぞれ
の部分が独立にレーザ発振するよう活性層３０４を３つ
に分離する。レーザビームは、３組の発光部１０６から
エツチングストライプに平行方向に放射される。
この半導体レーザ素子を第１図に示すようジャンクシ冒
ンダウンでろう材を介して接着し、金ワイヤ−１０５で
共通電極及び引出し電極１０３をボンディングし、各電
極の配線を形成する。
ンダウンでろう材を介して接着し、金ワイヤ−１０５で
共通電極及び引出し電極１０３をボンディングし、各電
極の配線を形成する。
本実施例では、スリービーム半導体レーザを用いて説明
したが、ツービーム半導体レーザとか、スリービーム以
上の発光部を所有する半導体レーザについても当然同様
の構造を使用できる。
したが、ツービーム半導体レーザとか、スリービーム以
上の発光部を所有する半導体レーザについても当然同様
の構造を使用できる。
以上述べたように本発明は、従来の８１単結晶基板上に
アルミナを形成した放熱板の代わりに、ｍ此旦４＋−７
，７７４：＆放ヅル田１＾ス＝ｂＬ−ｙｎ 専磁気デ
ィスク用半導体レーザ等の高出力マルチビーム半導体レ
ーザの放熱性の向上が得られる。かつ単結晶サファイア
放熱板を用いることにより、Ｓ１単結晶基板上にアルミ
ナを形成すると−う手間が省ける。このように本発明の
実用的効果は極めて大きい。
アルミナを形成した放熱板の代わりに、ｍ此旦４＋−７
，７７４：＆放ヅル田１＾ス＝ｂＬ−ｙｎ 専磁気デ
ィスク用半導体レーザ等の高出力マルチビーム半導体レ
ーザの放熱性の向上が得られる。かつ単結晶サファイア
放熱板を用いることにより、Ｓ１単結晶基板上にアルミ
ナを形成すると−う手間が省ける。このように本発明の
実用的効果は極めて大きい。
第１図は本発明のマルチビーム半導体レーザ装置を示す
要部斜視図。 第２図は、従来のマルチビーム半導体レーザ装置を示す
要部斜視図。 第３図は本発明のマルチビーム半導体レーザ装置のマル
チビーム半導体レーザ素子部を示す断面斜視図。 １０１・・・・・・単結晶サファイア（Ａｔ、Ｏ，）１
０３・・・・・・引出し電極 １０４・・・・・・マルチビーム半導体レーザ素子１０
５・・・・・・金ワイヤ− １０６・・・・・・発光部 ２０１・・・・・・Ｓ１単結晶基板 ２０２・・・・・・アルミナ（Ａｔ１０Ｂ）以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社−。 ａｆ
要部斜視図。 第２図は、従来のマルチビーム半導体レーザ装置を示す
要部斜視図。 第３図は本発明のマルチビーム半導体レーザ装置のマル
チビーム半導体レーザ素子部を示す断面斜視図。 １０１・・・・・・単結晶サファイア（Ａｔ、Ｏ，）１
０３・・・・・・引出し電極 １０４・・・・・・マルチビーム半導体レーザ素子１０
５・・・・・・金ワイヤ− １０６・・・・・・発光部 ２０１・・・・・・Ｓ１単結晶基板 ２０２・・・・・・アルミナ（Ａｔ１０Ｂ）以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社−。 ａｆ
Claims (1)
- 複数のレーザビーム対が独立に放射できるマルチビーム
半導体レーザ装置において、単結晶サファイア（Ａｌ＿
２Ｏ＿３）放熱板上に前記レーザビーム対の数の導電材
料配線を備えた基台と、マルチビーム半導体体レーザ素
子がろう材を介して、ジャンクションダウンで固着され
ていることを特徴とするマルチビーム半導体レーザ装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28914386A JPS63141385A (ja) | 1986-12-04 | 1986-12-04 | マルチビ−ム半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28914386A JPS63141385A (ja) | 1986-12-04 | 1986-12-04 | マルチビ−ム半導体レ−ザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63141385A true JPS63141385A (ja) | 1988-06-13 |
Family
ID=17739311
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28914386A Pending JPS63141385A (ja) | 1986-12-04 | 1986-12-04 | マルチビ−ム半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63141385A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02237185A (ja) * | 1989-03-10 | 1990-09-19 | Fuji Xerox Co Ltd | マルチビーム半導体レーザ装置 |
| JP2011216770A (ja) * | 2010-04-01 | 2011-10-27 | Mitsubishi Electric Corp | 光半導体パッケージ |
| DE102011076570A1 (de) * | 2011-05-27 | 2012-11-29 | Robert Bosch Gmbh | Elektronisches Bauteil mit verbessertem Kühlkörper |
-
1986
- 1986-12-04 JP JP28914386A patent/JPS63141385A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02237185A (ja) * | 1989-03-10 | 1990-09-19 | Fuji Xerox Co Ltd | マルチビーム半導体レーザ装置 |
| JP2011216770A (ja) * | 2010-04-01 | 2011-10-27 | Mitsubishi Electric Corp | 光半導体パッケージ |
| DE102011076570A1 (de) * | 2011-05-27 | 2012-11-29 | Robert Bosch Gmbh | Elektronisches Bauteil mit verbessertem Kühlkörper |
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