JP2001203427A - 波長多重面型発光素子装置、その製造方法およびこれを用いた波長多重伝送システム - Google Patents
波長多重面型発光素子装置、その製造方法およびこれを用いた波長多重伝送システムInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】発光波長、多重数を柔軟に設定可能な波長多重
面型発光素子装置、それを歩留まり良く作製する方法、
及びそれを用いた波長多重伝送システムである。 【解決手段】波長多重面型発光素子装置において、異な
る発光波長を持つ面型発光素子の発光に必要な組成の異
なる複数の機能層部分１ａ，１ｂ，２ａ，２ｂ，３ａ，
３ｂが共通の支持体４上に配置されている。
面型発光素子装置、それを歩留まり良く作製する方法、
及びそれを用いた波長多重伝送システムである。 【解決手段】波長多重面型発光素子装置において、異な
る発光波長を持つ面型発光素子の発光に必要な組成の異
なる複数の機能層部分１ａ，１ｂ，２ａ，２ｂ，３ａ，
３ｂが共通の支持体４上に配置されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、独立駆動が可能で
発光波長を任意に設定できる２次元アレイ型等の波長多
重面型発光素子装置、その製造方法およびこれを用いた
波長多重伝送方法ないしシステムに関するものである。
発光波長を任意に設定できる２次元アレイ型等の波長多
重面型発光素子装置、その製造方法およびこれを用いた
波長多重伝送方法ないしシステムに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】現在、基板に対して垂直にレーザ光を射
出するいわゆる面発光レーザにおいて、これを平面上に
配列し、電極パターンを工夫して各面発光レーザを独立
に駆動できる様にした２次元面発光レーザアレイは広く
知られている。一方、波長多重光源は、光を用いた情報
伝送において、伝送帯域を拡大する手段として非常に重
要なものであり、他にも、フルカラー表示装置などへの
様々な応用が考えられている。２次元配列と波長多重の
両者を組み合わせた波長多重面型発光素子としては、特
開平０７−２１１９８６号公報に見られる様に、プロセ
スの途中段階でエッチングにより膜厚に分布を設ける方
法が報告されている。
出するいわゆる面発光レーザにおいて、これを平面上に
配列し、電極パターンを工夫して各面発光レーザを独立
に駆動できる様にした２次元面発光レーザアレイは広く
知られている。一方、波長多重光源は、光を用いた情報
伝送において、伝送帯域を拡大する手段として非常に重
要なものであり、他にも、フルカラー表示装置などへの
様々な応用が考えられている。２次元配列と波長多重の
両者を組み合わせた波長多重面型発光素子としては、特
開平０７−２１１９８６号公報に見られる様に、プロセ
スの途中段階でエッチングにより膜厚に分布を設ける方
法が報告されている。
【０００３】これを図９に示す。図９において、符号１
００，１０１は発光素子、１０２は活性層、１０３，１
０４は誘電体多層膜ミラー、１０５は薄膜積層構造、１
０６はｐ型ＧａＡｓ薄膜、１０７はｐ型ＡｌＧａＡｓ薄
膜、１０８はカソード電極、１０９はアノード電極であ
る。ここにおいて、活性層１０２と誘電体多層膜ミラー
１０４の間に精密に制御された薄膜層１０５を積層し、
その積層構造にエッチング方法の異なる２種類の半導体
薄膜１０６，１０７を用いている。これにより、一層ず
つ正確に２種類の半導体薄膜１０６，１０７を除去する
ことが可能となり、所望の膜厚分布を形成した後、誘電
体多層膜ミラー１０４を形成している。このことで、各
面発光レーザの共振器長を異ならせる為の膜厚分布の制
御を容易に行えるというものである。
００，１０１は発光素子、１０２は活性層、１０３，１
０４は誘電体多層膜ミラー、１０５は薄膜積層構造、１
０６はｐ型ＧａＡｓ薄膜、１０７はｐ型ＡｌＧａＡｓ薄
膜、１０８はカソード電極、１０９はアノード電極であ
る。ここにおいて、活性層１０２と誘電体多層膜ミラー
１０４の間に精密に制御された薄膜層１０５を積層し、
その積層構造にエッチング方法の異なる２種類の半導体
薄膜１０６，１０７を用いている。これにより、一層ず
つ正確に２種類の半導体薄膜１０６，１０７を除去する
ことが可能となり、所望の膜厚分布を形成した後、誘電
体多層膜ミラー１０４を形成している。このことで、各
面発光レーザの共振器長を異ならせる為の膜厚分布の制
御を容易に行えるというものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の如くプ
ロセスの途中段階でエッチングにより膜厚に分布を設け
る方法では、同一の基板内でその機能層部分の厚さをコ
ントロールするため、波長間隔を大きく取れないという
欠点がある。発光波長は、本質的には、その活性層の材
料系によるからである。例えば、波長多重伝送への応用
を考える場合、波長多重間隔が狭ければ、受光側での分
波が困難である。
ロセスの途中段階でエッチングにより膜厚に分布を設け
る方法では、同一の基板内でその機能層部分の厚さをコ
ントロールするため、波長間隔を大きく取れないという
欠点がある。発光波長は、本質的には、その活性層の材
料系によるからである。例えば、波長多重伝送への応用
を考える場合、波長多重間隔が狭ければ、受光側での分
波が困難である。
【０００５】本発明の目的は、上記の欠点を解消し、任
意の波長（すなわち異なる材料系の面型発光素子が混在
できる）、多重数を厳密且つ柔軟に設定可能で、波長多
重伝送への応用においては受光側での容易な分波を実現
することを可能とする構成を有する波長多重面型発光素
子装置、それを歩留まり良く作製する方法、及びそれを
用いた波長多重伝送システムを提供することにある。
意の波長（すなわち異なる材料系の面型発光素子が混在
できる）、多重数を厳密且つ柔軟に設定可能で、波長多
重伝送への応用においては受光側での容易な分波を実現
することを可能とする構成を有する波長多重面型発光素
子装置、それを歩留まり良く作製する方法、及びそれを
用いた波長多重伝送システムを提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明の波長多重面型発光素子装置は、異なる発光波長を持
つ面型発光素子の発光に必要な組成の異なる複数の機能
層部分が共通の支持体に配置されていることを特徴とす
る。
明の波長多重面型発光素子装置は、異なる発光波長を持
つ面型発光素子の発光に必要な組成の異なる複数の機能
層部分が共通の支持体に配置されていることを特徴とす
る。
【０００７】図１にその一例を示す様に、発光波長の異
なる複数の面型発光素子の支持基板部分を除去した、発
光に必要な機能層部分１ａ，１ｂ，２ａ，２ｂ，３ａ，
３ｂのみが、別の支持体４上に形成されている。これら
発光波長の異なる面型発光素子は、支持体４上に形成さ
れた上部電極パターン５ａ〜５ｆおよび下部電極パター
ン６ａ〜６ｆと、上部配線７ａ〜７ｆおよび絶縁材８ａ
〜８ｆによって各素子毎に独立配線がなされれば、各素
子間の絶縁も保たれており、独立な駆動が可能である。
勿論、厚みは増すことになるが、面型発光素子の支持基
板部分を残したまま各素子を分離してもよい。この様
に、予め別個に最適化された方法で任意の発光波長の面
型発光素子を作製し、これを共通の支持体上に集積する
ので、任意の波長と多重間隔を持った波長多重面型発光
素子装置を実現できる。
なる複数の面型発光素子の支持基板部分を除去した、発
光に必要な機能層部分１ａ，１ｂ，２ａ，２ｂ，３ａ，
３ｂのみが、別の支持体４上に形成されている。これら
発光波長の異なる面型発光素子は、支持体４上に形成さ
れた上部電極パターン５ａ〜５ｆおよび下部電極パター
ン６ａ〜６ｆと、上部配線７ａ〜７ｆおよび絶縁材８ａ
〜８ｆによって各素子毎に独立配線がなされれば、各素
子間の絶縁も保たれており、独立な駆動が可能である。
勿論、厚みは増すことになるが、面型発光素子の支持基
板部分を残したまま各素子を分離してもよい。この様
に、予め別個に最適化された方法で任意の発光波長の面
型発光素子を作製し、これを共通の支持体上に集積する
ので、任意の波長と多重間隔を持った波長多重面型発光
素子装置を実現できる。
【０００８】この基本構成に基づいて、以下の如き態様
も可能である。少なくとも１つの前記機能層部分と前記
支持体の間に、該機能層部分の下部電極と該支持体上の
各電極パターンを電気的に接続する厚みを持つ導電性の
スペーサが配置される構成を採り得る。これは、第１実
施例の所で説明する様に、面型発光素子の転写に際して
のプロセスの都合上、行なわれるものである。
も可能である。少なくとも１つの前記機能層部分と前記
支持体の間に、該機能層部分の下部電極と該支持体上の
各電極パターンを電気的に接続する厚みを持つ導電性の
スペーサが配置される構成を採り得る。これは、第１実
施例の所で説明する様に、面型発光素子の転写に際して
のプロセスの都合上、行なわれるものである。
【０００９】全ての前記機能層部分が前記支持体上の同
一面上に配置される構成も採り得る。これは後記の第２
実施例の所で説明されている。
一面上に配置される構成も採り得る。これは後記の第２
実施例の所で説明されている。
【００１０】前記支持体上の各層に少なくとも１つの機
能層部分が配置され、該機能層部分を含む層が絶縁層
（絶縁膜、スペーサを用いたエアギャップ層等）を挟ん
で複数積層配置され、かつ各機能層部分が、その出射光
ビームが互いに重ならない様に位置合わせされている構
成も採り得る。この例は第３実施例に述べられている。
この例では、前記絶縁層が絶縁材料から成る絶縁膜から
成り、該絶縁膜を挟んで複数の該機能層部分が配置さ
れ、該機能層部分と該絶縁膜が交互に層状に積み重なっ
た構造を有する。更には、前記各層が、前記機能層部分
を埋め込んだ絶縁材料の膜から構成されている。この場
合、前記面型発光素子からの光の出射を遮る部分に孔が
設けられたり、面型発光素子からの光の出射を遮る部分
が出射光の波長に対して透明な物質で構成されたりす
る。
能層部分が配置され、該機能層部分を含む層が絶縁層
（絶縁膜、スペーサを用いたエアギャップ層等）を挟ん
で複数積層配置され、かつ各機能層部分が、その出射光
ビームが互いに重ならない様に位置合わせされている構
成も採り得る。この例は第３実施例に述べられている。
この例では、前記絶縁層が絶縁材料から成る絶縁膜から
成り、該絶縁膜を挟んで複数の該機能層部分が配置さ
れ、該機能層部分と該絶縁膜が交互に層状に積み重なっ
た構造を有する。更には、前記各層が、前記機能層部分
を埋め込んだ絶縁材料の膜から構成されている。この場
合、前記面型発光素子からの光の出射を遮る部分に孔が
設けられたり、面型発光素子からの光の出射を遮る部分
が出射光の波長に対して透明な物質で構成されたりす
る。
【００１１】前記支持体上に配置された複数の機能層部
分を駆動するのに必要な駆動回路も該支持体上に形成さ
れ得る。
分を駆動するのに必要な駆動回路も該支持体上に形成さ
れ得る。
【００１２】前記面型発光素子は垂直共振器型面発光レ
ーザ（ＶＣＳＥＬ）であり得る。勿論、ＬＥＤ等でもあ
り得る。
ーザ（ＶＣＳＥＬ）であり得る。勿論、ＬＥＤ等でもあ
り得る。
【００１３】更に、上記目的を達成する本発明の波長多
重伝送システムは、上記の波長多重面型発光素子装置、
該波長多重面型発光素子装置からの光ビームを伝送する
光ファイバ（典型的には、プラスチック光ファイバ）、
該光ファイバからの光ビームを受けて処理をする受光器
を用いて波長多重伝送が行われることを特徴とする。
重伝送システムは、上記の波長多重面型発光素子装置、
該波長多重面型発光素子装置からの光ビームを伝送する
光ファイバ（典型的には、プラスチック光ファイバ）、
該光ファイバからの光ビームを受けて処理をする受光器
を用いて波長多重伝送が行われることを特徴とする。
【００１４】更に、上記目的を達成する本発明のスペー
サを用いた波長多重面型発光素子装置の製造方法は、前
記支持体上に少なくとも１つの機能層部分を転写する工
程、該支持体上の所定の空き領域に少なくとも１つの所
定の厚みを持つ導電性のスペーサを配置する工程、該支
持体上に転写された機能層部分を保護する層を形成する
工程、該スペーサ上に他の機能層部分を転写する工程、
該保護層を除去する工程を少なくとも有することを特徴
とする。この製造方法は第１実施例の所で述べられてい
る。
サを用いた波長多重面型発光素子装置の製造方法は、前
記支持体上に少なくとも１つの機能層部分を転写する工
程、該支持体上の所定の空き領域に少なくとも１つの所
定の厚みを持つ導電性のスペーサを配置する工程、該支
持体上に転写された機能層部分を保護する層を形成する
工程、該スペーサ上に他の機能層部分を転写する工程、
該保護層を除去する工程を少なくとも有することを特徴
とする。この製造方法は第１実施例の所で述べられてい
る。
【００１５】また、上記目的を達成する本発明の全機能
層部分が支持体上の同一面上に配置された波長多重面型
発光素子装置の製造方法は、前記支持体上に少なくとも
１つの機能層部分を転写する工程、該支持体上に転写さ
れた機能層部分を保護する層を形成する工程、該保護層
を避ける様に形状決めされた基板付きの他の機能層部分
を該支持体上の所定の空き領域に転写する工程、該他の
機能層部分を分離する工程、該保護層を除去する工程を
少なくとも有することを特徴とする。この製造方法は第
２実施例の所で述べられている。
層部分が支持体上の同一面上に配置された波長多重面型
発光素子装置の製造方法は、前記支持体上に少なくとも
１つの機能層部分を転写する工程、該支持体上に転写さ
れた機能層部分を保護する層を形成する工程、該保護層
を避ける様に形状決めされた基板付きの他の機能層部分
を該支持体上の所定の空き領域に転写する工程、該他の
機能層部分を分離する工程、該保護層を除去する工程を
少なくとも有することを特徴とする。この製造方法は第
２実施例の所で述べられている。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図面に示す実施の
形態に基づいて詳細に説明する。
形態に基づいて詳細に説明する。
【００１７】（第１実施例）図１は、本発明による波長
多重面型発光素子装置の第１の実施例を示す基本構造の
斜視図である。図１において、１ａ，１ｂは発振波長が
７７０ｎｍであるＡｌＧａＡｓ系面発光レーザ（典型的
には、垂直共振器型面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ））の発
光に必要な機能層部分、すなわち活性層の上下に誘電体
多層膜ミラーが形成され電流注入により発振が可能な部
分（以下同じ）である。更に、２ａ，２ｂは発振波長が
８３０ｎｍであるＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ系面発光レー
ザの発光に必要な機能層部分であり、３ａ，３ｂは発振
波長が９８０ｎｍであるＩｎＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ系
面発光レーザの発光に必要な機能層部分であり、５ａ〜
５ｆは各レーザの上部電極パターンであり、６ａ〜６ｆ
は各レーザの下部電極パターンであり、７ａ〜７ｆは各
レーザの上部配線であり、８ａ〜８ｆは各レーザの上部
配線の絶縁材であり、９ａ，９ｂ，１０ａ，１０ｂは夫
々レーザの機能層部分２ａ，２ｂ，３ａ，３ｂの下部電
極と下部電極パターン６ｃ，６ｄ，６ｅ，６ｆを電気的
に繋ぐ導電性のスペーサであり、４は全てのレーザが配
置された絶縁性Ｓｉからなる支持体である。
多重面型発光素子装置の第１の実施例を示す基本構造の
斜視図である。図１において、１ａ，１ｂは発振波長が
７７０ｎｍであるＡｌＧａＡｓ系面発光レーザ（典型的
には、垂直共振器型面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ））の発
光に必要な機能層部分、すなわち活性層の上下に誘電体
多層膜ミラーが形成され電流注入により発振が可能な部
分（以下同じ）である。更に、２ａ，２ｂは発振波長が
８３０ｎｍであるＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ系面発光レー
ザの発光に必要な機能層部分であり、３ａ，３ｂは発振
波長が９８０ｎｍであるＩｎＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ系
面発光レーザの発光に必要な機能層部分であり、５ａ〜
５ｆは各レーザの上部電極パターンであり、６ａ〜６ｆ
は各レーザの下部電極パターンであり、７ａ〜７ｆは各
レーザの上部配線であり、８ａ〜８ｆは各レーザの上部
配線の絶縁材であり、９ａ，９ｂ，１０ａ，１０ｂは夫
々レーザの機能層部分２ａ，２ｂ，３ａ，３ｂの下部電
極と下部電極パターン６ｃ，６ｄ，６ｅ，６ｆを電気的
に繋ぐ導電性のスペーサであり、４は全てのレーザが配
置された絶縁性Ｓｉからなる支持体である。
【００１８】次に、図１に示した構造の各部について詳
細に説明する。図２は本装置の作製手順を示した図であ
る（図２は、レーザの機能層部分１ａ，１ｂに相当する
部分の形成方法を示す）。まず、別途最適化された方法
で上記３種類の発振波長の面発光レーザをそれぞれ作製
する。その後、機能層転写を行う支持体４に予め上部電
極パターン５ａ〜５ｆおよび下部電極パターン６ａ〜６
ｆ（図２では不図示）を形成する（図２（ａ））。そし
て、位置合わせを行って、まず発振波長７７０ｎｍの、
基板部分１１と発光に必要な機能層部分１２からなるＡ
ｌＧａＡｓ系面発光レーザ１３を、支持体４に、導電性
接着剤やハンダなどの通常の方法を用いて貼り付ける
（図２（ｂ））。
細に説明する。図２は本装置の作製手順を示した図であ
る（図２は、レーザの機能層部分１ａ，１ｂに相当する
部分の形成方法を示す）。まず、別途最適化された方法
で上記３種類の発振波長の面発光レーザをそれぞれ作製
する。その後、機能層転写を行う支持体４に予め上部電
極パターン５ａ〜５ｆおよび下部電極パターン６ａ〜６
ｆ（図２では不図示）を形成する（図２（ａ））。そし
て、位置合わせを行って、まず発振波長７７０ｎｍの、
基板部分１１と発光に必要な機能層部分１２からなるＡ
ｌＧａＡｓ系面発光レーザ１３を、支持体４に、導電性
接着剤やハンダなどの通常の方法を用いて貼り付ける
（図２（ｂ））。
【００１９】その後、機能層１２の側面をレジストなど
で保護し、塩酸を用いたウエットエッチングで基板部１
１を除去する（図２（ｃ））。この際、機能層１２と基
板部１２の間にはエッチストップ層としてＡｌＡｓが形
成されており、完全な選択エッチングとなる。この様に
して基板部分１１を除去し、ドライエッチングによりＡ
ｌＡｓ層を除去する。手法としては公知のスパッタ法を
用いる。尚、基板部１１の除去は、研削によって、或
は、研削とエッチングの組合わせによって行なうことも
できる。
で保護し、塩酸を用いたウエットエッチングで基板部１
１を除去する（図２（ｃ））。この際、機能層１２と基
板部１２の間にはエッチストップ層としてＡｌＡｓが形
成されており、完全な選択エッチングとなる。この様に
して基板部分１１を除去し、ドライエッチングによりＡ
ｌＡｓ層を除去する。手法としては公知のスパッタ法を
用いる。尚、基板部１１の除去は、研削によって、或
は、研削とエッチングの組合わせによって行なうことも
できる。
【００２０】その後、レジストマスクで必要な部分を保
護した後、硫酸過酸化水素によってウエットエッチング
を行い、ピッチを１ｍｍとやや広めにとって素子分離を
行う。こうして分離された面発光レーザの機能層１４
ａ，１４ｂの上部にリフトオフ法により上部電極１７
ａ，１７ｂを形成し（図２（ｄ））、絶縁材１５ａ，１
５ｂを形成した後、上部配線１６ａ，１６ｂの形成を行
って１回目の機能層転写が完了する（図２（ｅ））。
護した後、硫酸過酸化水素によってウエットエッチング
を行い、ピッチを１ｍｍとやや広めにとって素子分離を
行う。こうして分離された面発光レーザの機能層１４
ａ，１４ｂの上部にリフトオフ法により上部電極１７
ａ，１７ｂを形成し（図２（ｄ））、絶縁材１５ａ，１
５ｂを形成した後、上部配線１６ａ，１６ｂの形成を行
って１回目の機能層転写が完了する（図２（ｅ））。
【００２１】次に、２回目の機能層転写を行うのである
が、この際、１回目の機能層転写により支持体４上には
既に面発光レーザの機能層１４ａ，１４ｂが形成されて
おり、これが邪魔になって２回目の機能層転写が困難で
ある。これを回避するため、２回目の機能層転写で面発
光レーザの機能層が形成されるべき場所（下部電極パタ
ーン上）に導電性のスペーサ、例えば金バンプ１８ａ，
１８ｂを図３に示す様に予め形成する（図３（ａ））。
尚、図３の導電性スペーサ１８ａ，１８ｂは図１の導電
性スペーサ９ａ，９ｂ或は１０ａ，１０ｂに相当する
が、図１のレーザ配置と図３のレーザ配置は異なる。
が、この際、１回目の機能層転写により支持体４上には
既に面発光レーザの機能層１４ａ，１４ｂが形成されて
おり、これが邪魔になって２回目の機能層転写が困難で
ある。これを回避するため、２回目の機能層転写で面発
光レーザの機能層が形成されるべき場所（下部電極パタ
ーン上）に導電性のスペーサ、例えば金バンプ１８ａ，
１８ｂを図３に示す様に予め形成する（図３（ａ））。
尚、図３の導電性スペーサ１８ａ，１８ｂは図１の導電
性スペーサ９ａ，９ｂ或は１０ａ，１０ｂに相当する
が、図１のレーザ配置と図３のレーザ配置は異なる。
【００２２】図３の説明に戻って、その後、１回目の機
能層転写と同様に、発振波長８３０ｎｍの、基板部分１
９と発光に必要な機能層部分２０からなるＡｌＧａＡｓ
／ＧａＡｓ系面発光レーザ２１を、予め形成した金バン
プ１８ａ，１８ｂに導電性接着剤やハンダなどの通常の
方法を用いて貼り付ける。その後、機能層２０、および
予め１回自の機能層転写で形成されている発振波長７７
０ｎｍの面発光レーザの機能層１４ａ，１４ｂと支持体
４上の電極パターン、配線等を保護するために隙間部分
を全てレジスト２２で保護した後に（図３（ｂ））、１
回目の機能層転写と同様に塩酸でウエットエッチングを
行い、基板部分１９を除去する（図３（ｃ））。
能層転写と同様に、発振波長８３０ｎｍの、基板部分１
９と発光に必要な機能層部分２０からなるＡｌＧａＡｓ
／ＧａＡｓ系面発光レーザ２１を、予め形成した金バン
プ１８ａ，１８ｂに導電性接着剤やハンダなどの通常の
方法を用いて貼り付ける。その後、機能層２０、および
予め１回自の機能層転写で形成されている発振波長７７
０ｎｍの面発光レーザの機能層１４ａ，１４ｂと支持体
４上の電極パターン、配線等を保護するために隙間部分
を全てレジスト２２で保護した後に（図３（ｂ））、１
回目の機能層転写と同様に塩酸でウエットエッチングを
行い、基板部分１９を除去する（図３（ｃ））。
【００２３】その後、１回目の機能層転写と同様の手順
で、隙間部分をレジスト２２で保護したまま１回目と同
じ１ｍｍのピッチで素子分離まで行い、この段階でレジ
スト２２を除去する。その後はやはり１回目の機能層転
写と同様の手順で、分離された面発光レーザの機能層２
３ａ，２３ｂに上部電極２４ａ，２４ｂの形成を行い
（図３（ｄ））、絶縁材２５ａ，２５ｂを形成した後、
上部配線２６ａ，２６ｂを行って２回目の機能層転写が
完了する（図３（ｅ））。以降、必要なら、まったく同
様の手順で３回目以降の機能層転写を繰り返す。
で、隙間部分をレジスト２２で保護したまま１回目と同
じ１ｍｍのピッチで素子分離まで行い、この段階でレジ
スト２２を除去する。その後はやはり１回目の機能層転
写と同様の手順で、分離された面発光レーザの機能層２
３ａ，２３ｂに上部電極２４ａ，２４ｂの形成を行い
（図３（ｄ））、絶縁材２５ａ，２５ｂを形成した後、
上部配線２６ａ，２６ｂを行って２回目の機能層転写が
完了する（図３（ｅ））。以降、必要なら、まったく同
様の手順で３回目以降の機能層転写を繰り返す。
【００２４】上記の手順により、任意の波長多重間隔を
持ち独立駆動が可能な波長多重面型発光素子装置を得る
ことができる。特に、各波長の面型発光素子を、別途、
それぞれの材料系において最適化された方法で作製し、
必要ならば試験を行って特性の良いものを選んで機能層
転写を行うことができるため、歩留まりや信頼性の向上
が実現される。
持ち独立駆動が可能な波長多重面型発光素子装置を得る
ことができる。特に、各波長の面型発光素子を、別途、
それぞれの材料系において最適化された方法で作製し、
必要ならば試験を行って特性の良いものを選んで機能層
転写を行うことができるため、歩留まりや信頼性の向上
が実現される。
【００２５】なお、本実施例ならびに後述の実施例にお
いても、面型発光素子の発振波長ならびに材料系に関し
ては上記のものに限定されるものではなく、ＧａＡｓ系
以外にも、ＩｎＰ系やＧａＮ系の面発光レーザや同ＬＥ
Ｄ、また有機ＥＬ（エレクトロルミネセンス）素子など
でも実施が可能である。
いても、面型発光素子の発振波長ならびに材料系に関し
ては上記のものに限定されるものではなく、ＧａＡｓ系
以外にも、ＩｎＰ系やＧａＮ系の面発光レーザや同ＬＥ
Ｄ、また有機ＥＬ（エレクトロルミネセンス）素子など
でも実施が可能である。
【００２６】（第２実施例）図４は、本発明による波長
多重面型発光素子装置の第２の実施例を示す基本構造の
斜視図である。図４における各符号は、図１のものと実
質的に同じものを示す。図４では、図１と比べて、導電
性スペーサ９ａ，９ｂ，１０ａ，１０ｂを欠いている次
に、図４に示した構造の各部について詳細に説明する。
図５は本装置の作製手順を示した図であり（但し、図１
と図２、図３との関係の様に、図４と図５のレーザ配置
は異なる）、第１実施例との差異のみを説明する。同じ
く、図５における各符号は、図２、図３のものと実質的
に同じものを示す。
多重面型発光素子装置の第２の実施例を示す基本構造の
斜視図である。図４における各符号は、図１のものと実
質的に同じものを示す。図４では、図１と比べて、導電
性スペーサ９ａ，９ｂ，１０ａ，１０ｂを欠いている次
に、図４に示した構造の各部について詳細に説明する。
図５は本装置の作製手順を示した図であり（但し、図１
と図２、図３との関係の様に、図４と図５のレーザ配置
は異なる）、第１実施例との差異のみを説明する。同じ
く、図５における各符号は、図２、図３のものと実質的
に同じものを示す。
【００２７】本実施例では、２回目以降の機能層転写に
おいて導電性のスペーサを用いず、全てのレーザ素子を
同一平面上に形成し、なおかつ上部配線プロセスを最後
に一括して行う。
おいて導電性のスペーサを用いず、全てのレーザ素子を
同一平面上に形成し、なおかつ上部配線プロセスを最後
に一括して行う。
【００２８】まず１回目の機能層１４ａ，１４ｂの転写
を、上部配線を行わない段階で完了する（図５（ａ）参
照）。そして、２回目の機能層転写において、発振波長
８３０ｎｍの、基板部分１９と発光に必要な機能層部分
２０からなるＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ系面発光レーザ２
１を、転写に必要な部分を残して予め素子分離を行い、
１回目の機能層１４ａ，１４ｂの転写において素子が形
成されている部分を窪ませておく（図５（ｂ）参照）。
かつ、１回目の機能層転写において形成された素子部分
を図５（ｂ）に示す様にレジスト２７で保護し、貼り付
けを行ってから（図５（ｃ）参照）、基板部分１９を前
述のウエットエッチングの手法により図５（ｄ）に示す
様に除去する。
を、上部配線を行わない段階で完了する（図５（ａ）参
照）。そして、２回目の機能層転写において、発振波長
８３０ｎｍの、基板部分１９と発光に必要な機能層部分
２０からなるＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ系面発光レーザ２
１を、転写に必要な部分を残して予め素子分離を行い、
１回目の機能層１４ａ，１４ｂの転写において素子が形
成されている部分を窪ませておく（図５（ｂ）参照）。
かつ、１回目の機能層転写において形成された素子部分
を図５（ｂ）に示す様にレジスト２７で保護し、貼り付
けを行ってから（図５（ｃ）参照）、基板部分１９を前
述のウエットエッチングの手法により図５（ｄ）に示す
様に除去する。
【００２９】その後、レジスト２７を除去して２回目の
機能層２３ａ，２３ｂの転写が完了する。この後は、必
要なら、同様の手順で機能層転写を繰り返し、最後に一
括して上部電極１７ａ，１７ｂ，２４ａ，２４ｂの形
成、上部配線１６ａ，１６ｂ，２６ａ，２６ｂなど必要
なプロセスを前述の手法と同様に行えばよい（図５
（ｅ）参照）。
機能層２３ａ，２３ｂの転写が完了する。この後は、必
要なら、同様の手順で機能層転写を繰り返し、最後に一
括して上部電極１７ａ，１７ｂ，２４ａ，２４ｂの形
成、上部配線１６ａ，１６ｂ，２６ａ，２６ｂなど必要
なプロセスを前述の手法と同様に行えばよい（図５
（ｅ）参照）。
【００３０】この手法によっても、異なる発振波長の面
発光レーザの機能層部分を、全て同一平面上に形成する
ことが可能となる。上部配線プロセスは、各機能層転写
ごとに行っても勿論構わない。
発光レーザの機能層部分を、全て同一平面上に形成する
ことが可能となる。上部配線プロセスは、各機能層転写
ごとに行っても勿論構わない。
【００３１】上記の手順により、任意の波長多重間隔を
持ち、独立駆動が可能で、なおかつ全ての発光部が同一
平面上に形成される波長多重面型発光素子装置を得るこ
とができる。これにより、例えば光ファイバなどとの結
合において、各波長の面型発光素子からの光路差がなく
なり、結合効率が向上する。
持ち、独立駆動が可能で、なおかつ全ての発光部が同一
平面上に形成される波長多重面型発光素子装置を得るこ
とができる。これにより、例えば光ファイバなどとの結
合において、各波長の面型発光素子からの光路差がなく
なり、結合効率が向上する。
【００３２】（第３実施例）図６は、本発明による波長
多重面型発光素子装置の第３の実施例を示す基本構造の
断面図である。本実施例は複数層スタック構成を有し、
各層に少なくとも１つの面型発光素子が配置されてい
る。そして、面型発光素子を含む層が絶縁層を挟んで複
数積層配置され、更に各面型発光素子は、その出射光ビ
ームが重ならない様に位置合わせされている。
多重面型発光素子装置の第３の実施例を示す基本構造の
断面図である。本実施例は複数層スタック構成を有し、
各層に少なくとも１つの面型発光素子が配置されてい
る。そして、面型発光素子を含む層が絶縁層を挟んで複
数積層配置され、更に各面型発光素子は、その出射光ビ
ームが重ならない様に位置合わせされている。
【００３３】図６において、２８ａ，２８ｂは発振波長
が７７０ｎｍであるＡｌＧａＡｓ系面発光レーザの発光
に必要な機能層部分、２９ａ，２９ｂは発振波長が８３
０ｎｍであるＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ系面発光レーザの
発光に必要な機能層部分、３０ａ，３０ｂは発振波長が
９８０ｎｍであるＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ系面発光レー
ザの発光に必要な機能層部分、３１ａ〜３１ｆは夫々各
レーザの上部配線、３２ａ〜３２ｆは夫々各レーザの上
部配線３１ａ〜３１ｆ用の絶縁材、３３ａ〜３３ｆは夫
々各レーザの上部電極、３４ａ〜３４ｃは各層のレーザ
を埋め込んで各レーザ間の絶縁を確立している絶縁膜、
４は絶縁性Ｓｉからなる支持体である。
が７７０ｎｍであるＡｌＧａＡｓ系面発光レーザの発光
に必要な機能層部分、２９ａ，２９ｂは発振波長が８３
０ｎｍであるＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ系面発光レーザの
発光に必要な機能層部分、３０ａ，３０ｂは発振波長が
９８０ｎｍであるＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ系面発光レー
ザの発光に必要な機能層部分、３１ａ〜３１ｆは夫々各
レーザの上部配線、３２ａ〜３２ｆは夫々各レーザの上
部配線３１ａ〜３１ｆ用の絶縁材、３３ａ〜３３ｆは夫
々各レーザの上部電極、３４ａ〜３４ｃは各層のレーザ
を埋め込んで各レーザ間の絶縁を確立している絶縁膜、
４は絶縁性Ｓｉからなる支持体である。
【００３４】次に、図６に示した構造の各部について詳
細に説明する。図７は本装置の作製手順を示した図であ
り、第１実施例との差異のみ示す。図７では、２層目の
機能層転写の手順が示され、ここでは導電性のスペーサ
を用いず、一旦、１層目のレーザの機能層部分２８ａ，
２８ｂを埋め込む絶縁膜３４ａを成膜した後に２層目の
機能層２９ａ，２９ｂの転写を行う方法が示されてい
る。
細に説明する。図７は本装置の作製手順を示した図であ
り、第１実施例との差異のみ示す。図７では、２層目の
機能層転写の手順が示され、ここでは導電性のスペーサ
を用いず、一旦、１層目のレーザの機能層部分２８ａ，
２８ｂを埋め込む絶縁膜３４ａを成膜した後に２層目の
機能層２９ａ，２９ｂの転写を行う方法が示されてい
る。
【００３５】まず、１回目の機能層転写が完了した後、
２回目の機能層転写を行う前に、支持体４の、１回目の
機能層転写を行った側全てに、機能層転写を行う面発光
レーザの異なる発振波長全て（この場合、７７０ｎｍ、
８３０ｎｍ、９８０ｎｍ）に対して透明な絶縁材３４ａ
を塗り、公知のエッチバック法やＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃ
ａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈ）法などに
よって平坦化を行う。その後、成膜した絶縁膜３４ａの
表面に上部電極パターン（各機能層に対して形成され、
各上部電極３３ｂ，３３ｅと上部配線３１，３１ｅを介
して接続される）およびコモン電極となる下部電極パタ
ーン（両パターン共に不図示）を形成する。その上で、
基板部分３５と発振波長８３０ｎｍの発光に必要な機能
層部分３６からなるＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ系面発光レ
ーザ３７を絶縁膜３４ａの上に貼り付け、２回目の機能
層転写を行う。ただし、２回目の機能層転写において
は、１回目の機能層転写によって形成された面発光レー
ザの機能層２８ａ，２８ｂから射出される光を妨げない
よう、各機能層の位置合わせを行う。この様にして２回
目の機能層転写を行う。
２回目の機能層転写を行う前に、支持体４の、１回目の
機能層転写を行った側全てに、機能層転写を行う面発光
レーザの異なる発振波長全て（この場合、７７０ｎｍ、
８３０ｎｍ、９８０ｎｍ）に対して透明な絶縁材３４ａ
を塗り、公知のエッチバック法やＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃ
ａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈ）法などに
よって平坦化を行う。その後、成膜した絶縁膜３４ａの
表面に上部電極パターン（各機能層に対して形成され、
各上部電極３３ｂ，３３ｅと上部配線３１，３１ｅを介
して接続される）およびコモン電極となる下部電極パタ
ーン（両パターン共に不図示）を形成する。その上で、
基板部分３５と発振波長８３０ｎｍの発光に必要な機能
層部分３６からなるＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ系面発光レ
ーザ３７を絶縁膜３４ａの上に貼り付け、２回目の機能
層転写を行う。ただし、２回目の機能層転写において
は、１回目の機能層転写によって形成された面発光レー
ザの機能層２８ａ，２８ｂから射出される光を妨げない
よう、各機能層の位置合わせを行う。この様にして２回
目の機能層転写を行う。
【００３６】以降、この手順を繰り返す。上記の手順に
より、任意の波長、多重間隔を持ち、独立駆動が可能
で、なおかつ高集積密度と低抵抗の電気配線を併せ持つ
波長多重面型発光素子装置を得ることができる。全ての
素子を同一平面上に形成する場合、集積密度の向上につ
れて配線の密度も高くなり、抵抗も増大してしまうが、
本実施例によれば多層配線が実現できるため、低抵抗の
電気配線が実現できる。
より、任意の波長、多重間隔を持ち、独立駆動が可能
で、なおかつ高集積密度と低抵抗の電気配線を併せ持つ
波長多重面型発光素子装置を得ることができる。全ての
素子を同一平面上に形成する場合、集積密度の向上につ
れて配線の密度も高くなり、抵抗も増大してしまうが、
本実施例によれば多層配線が実現できるため、低抵抗の
電気配線が実現できる。
【００３７】（第４実施例）図８は、本発明による波長
多重面型発光素子装置を用いた波長多重伝送の実施例を
示す斜視図である。図８において、３８は、第２実施例
の方法で作製された、全ての面型発光素子の機能層が同
一平面上に形成され、発光素子の駆動用ＩＣも同一支持
体上に集積された波長多重面型発光素子装置である。
多重面型発光素子装置を用いた波長多重伝送の実施例を
示す斜視図である。図８において、３８は、第２実施例
の方法で作製された、全ての面型発光素子の機能層が同
一平面上に形成され、発光素子の駆動用ＩＣも同一支持
体上に集積された波長多重面型発光素子装置である。
【００３８】更に、３９は絶縁性Ｓｉの支持体、４０は
発振波長が７７０ｎｍであるＡｌＧａＡｓ系面発光レー
ザの発光に必要な機能層部分、４１は発振波長が８３０
ｎｍであるＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ系面発光レーザの発
光に必要な機能層部分、４２は発振波長が９８０ｎｍで
あるＩｎＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ系面発光レーザの発光
に必要な機能層部分、４３ａ〜４３ｃは上部電極パター
ン、４４ａ〜４４ｃは下部電極パターン、４５ａ〜４５
ｃは上部配線、４６ａ〜４６ｃは上部配線の絶縁材、４
７ａ〜４７ｃは信号配線、４８は信号配線４７ａ〜４７
ｃを介して入力された信号を基に３つの面型発光素子４
０，４１，４２を駆動する駆動用ＩＣ、４９はＰＯＦ
（プラスチック光ファイバ）である。
発振波長が７７０ｎｍであるＡｌＧａＡｓ系面発光レー
ザの発光に必要な機能層部分、４１は発振波長が８３０
ｎｍであるＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ系面発光レーザの発
光に必要な機能層部分、４２は発振波長が９８０ｎｍで
あるＩｎＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ系面発光レーザの発光
に必要な機能層部分、４３ａ〜４３ｃは上部電極パター
ン、４４ａ〜４４ｃは下部電極パターン、４５ａ〜４５
ｃは上部配線、４６ａ〜４６ｃは上部配線の絶縁材、４
７ａ〜４７ｃは信号配線、４８は信号配線４７ａ〜４７
ｃを介して入力された信号を基に３つの面型発光素子４
０，４１，４２を駆動する駆動用ＩＣ、４９はＰＯＦ
（プラスチック光ファイバ）である。
【００３９】次に、図８で示した構造の各部について詳
細に説明する。波長多重面型発光素子装置３８の作製に
おいて、駆動用ＩＣ４８は、第２実施例の方法で面型発
光素子４０，４１，４２を支持体３９に形成した後、ベ
アチップ実装などの手法を用いて貼り付ければよい。或
は、支持体３９はＳｉより成るため、予め支持体３９上
に駆動用ＩＣ４８を形成しておき、その後、第２実施例
の方法で機能層４０，４１，４２の転写を行なってもよ
い。
細に説明する。波長多重面型発光素子装置３８の作製に
おいて、駆動用ＩＣ４８は、第２実施例の方法で面型発
光素子４０，４１，４２を支持体３９に形成した後、ベ
アチップ実装などの手法を用いて貼り付ければよい。或
は、支持体３９はＳｉより成るため、予め支持体３９上
に駆動用ＩＣ４８を形成しておき、その後、第２実施例
の方法で機能層４０，４１，４２の転写を行なってもよ
い。
【００４０】面型発光素子４０，４１，４２はＰＯＦ４
９の開口径（例えば、１ｍｍ程度）に合わせ、２５０μ
ｍピッチ程度で形成される。この程度のサイズであるの
で、ＰＯＦ４９と波長多重面型発光素子装置３８の光学
的な結合は、レンズ系を介することなく、波長多重面型
発光素子装置内の各面型発光素子４０，４１，４２の出
射端面とＰＯＦ４９の端面を１ｍｍ程度まで近づけるだ
けでよい。こうしてＰＯＦ４９に入射した光は、３つの
光の波長間隔が十分大きいため、受光側で容易に分波さ
れ、受光素子および光電変換回路により電気信号に変換
される。
９の開口径（例えば、１ｍｍ程度）に合わせ、２５０μ
ｍピッチ程度で形成される。この程度のサイズであるの
で、ＰＯＦ４９と波長多重面型発光素子装置３８の光学
的な結合は、レンズ系を介することなく、波長多重面型
発光素子装置内の各面型発光素子４０，４１，４２の出
射端面とＰＯＦ４９の端面を１ｍｍ程度まで近づけるだ
けでよい。こうしてＰＯＦ４９に入射した光は、３つの
光の波長間隔が十分大きいため、受光側で容易に分波さ
れ、受光素子および光電変換回路により電気信号に変換
される。
【００４１】上記の手順により、波長間隔を大きく取る
ことで受光側での負担が軽減され、容易且つ確実に信号
復元が可能な波長多重伝送が可能となる。
ことで受光側での負担が軽減され、容易且つ確実に信号
復元が可能な波長多重伝送が可能となる。
【００４２】
【発明の効果】以上説明した様に、本発明により、波長
多重面型発光素子装置の作製に際し、予め最適化された
方法で任意の発光波長の面型発光素子を作製し、これを
共通の支持体上に集積することで、任意の波長と多重間
隔を持った波長多重面型発光素子装置を歩留まり良く作
製することが可能になる。また、本発明による波長多重
面型発光素子装置を用いた波長多重伝送においては、波
長の多重間隔を十分大きく取ることができる為、受光側
での分波の負担が軽減され、容易且つ確実な信号復元が
可能となる。
多重面型発光素子装置の作製に際し、予め最適化された
方法で任意の発光波長の面型発光素子を作製し、これを
共通の支持体上に集積することで、任意の波長と多重間
隔を持った波長多重面型発光素子装置を歩留まり良く作
製することが可能になる。また、本発明による波長多重
面型発光素子装置を用いた波長多重伝送においては、波
長の多重間隔を十分大きく取ることができる為、受光側
での分波の負担が軽減され、容易且つ確実な信号復元が
可能となる。
【図１】図１は本発明による波長多重面型発光素子装置
の第１の実施例を示す斜視図である。
の第１の実施例を示す斜視図である。
【図２】図２は本発明の第１の実施例の作製手順を示す
断面図である。
断面図である。
【図３】図３は本発明の第１の実施例の作製手順を示す
断面図である。
断面図である。
【図４】図４は本発明による波長多重面型発光素子装置
の第２の実施例を示す斜視図である。
の第２の実施例を示す斜視図である。
【図５】図５は本発明の第２の実施例の作製手順を示す
断面図である。
断面図である。
【図６】図６は本発明による波長多重面型発光素子装置
の第３の実施例を示す断面図である。
の第３の実施例を示す断面図である。
【図７】図７は本発明の第３の実施例の作製手順を示す
断面図である。
断面図である。
【図８】図８は本発明による波長多重伝送システムの実
施例を示す斜視図である。
施例を示す斜視図である。
【図９】図９は従来例を示す断面図である。
１ａ，１ｂ，１２，２８ａ，２８ｂ，３６，４０ Ａ
ｌＧａＡｓ系面発光レーザの発光に必要な機能層部分 ２ａ，２ｂ，２０，２９ａ，２９ｂ，４１ ＡｌＧａ
Ａｓ／ＧａＡｓ系面発光レーザの発光に必要な機能層部
分 ３ａ，３ｂ，３０ａ，３０ｂ，４２ ＩｎＧａＡｓ／
ＧａＡｓ系面発光レーザの発光に必要な機能層部分 ４，３９ 絶縁性Ｓｉからなる支持体 ５ａ〜５ｆ，４３ａ〜４３ｃ 上部電極パターン ６ａ〜６ｆ，４４ａ〜４４ｃ 下部電極パターン ７ａ〜７ｆ，１６ａ，１６ｂ，２６ａ，２６ｂ，３１ａ
〜３１ｆ，４５ａ〜４５ｃ 上部配線 ８ａ〜８ｆ，１５ａ，１５ｂ，２５ａ，２５ｂ，３２ａ
〜３２ｆ，４６ａ〜４６ｃ 絶縁材 ９ａ，９ｂ，１０ａ，１０ｂ，１８ａ，１８ｂ 金バ
ンプ １１，３５ ＡｌＧａＡｓ系面発光レーザの基板部分 １３，３７ ＡｌＧａＡｓ系面発光レーザ １４ａ，１４ｂ 素子分離されたＡｌＧａＡｓ系面発
光レーザの発光に必要な機能層部分 １７ａ，１７ｂ，２４ａ，２４ｂ，３３ａ〜３３ｆ
上部電極 １９ ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ系面発光レーザの基板
部分 ２１ ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ系面発光レーザ ２２，２７ レジスト ２３ａ，２３ｂ 素子分離されたＡｌＧａＡｓ／Ｇａ
Ａｓ系面発光レーザの発光に必要な機能層部分 ３４ａ〜３４ｃ 絶縁膜 ３８ 発光素子の駆動用ＩＣも同一支持体上に集積さ
れた波長多重面型発光素子装置 ４７ａ〜４７ｃ 信号入力配線 ４８ 駆動用ＩＣ ４９ ＰＯＦ（プラスチック光ファイバ） １００，１０１ 発光素子 １０２ ｐｎ接合活性層 １０３，１０４ 誘電体多層膜ミラー １０５ 薄膜積層構造 １０６ ｐ型ＧａＡｓ薄膜 １０７ ｐ型ＡｌＧａＡｓ薄膜 １０８ カソード電極 １０９ アノード電極
ｌＧａＡｓ系面発光レーザの発光に必要な機能層部分 ２ａ，２ｂ，２０，２９ａ，２９ｂ，４１ ＡｌＧａ
Ａｓ／ＧａＡｓ系面発光レーザの発光に必要な機能層部
分 ３ａ，３ｂ，３０ａ，３０ｂ，４２ ＩｎＧａＡｓ／
ＧａＡｓ系面発光レーザの発光に必要な機能層部分 ４，３９ 絶縁性Ｓｉからなる支持体 ５ａ〜５ｆ，４３ａ〜４３ｃ 上部電極パターン ６ａ〜６ｆ，４４ａ〜４４ｃ 下部電極パターン ７ａ〜７ｆ，１６ａ，１６ｂ，２６ａ，２６ｂ，３１ａ
〜３１ｆ，４５ａ〜４５ｃ 上部配線 ８ａ〜８ｆ，１５ａ，１５ｂ，２５ａ，２５ｂ，３２ａ
〜３２ｆ，４６ａ〜４６ｃ 絶縁材 ９ａ，９ｂ，１０ａ，１０ｂ，１８ａ，１８ｂ 金バ
ンプ １１，３５ ＡｌＧａＡｓ系面発光レーザの基板部分 １３，３７ ＡｌＧａＡｓ系面発光レーザ １４ａ，１４ｂ 素子分離されたＡｌＧａＡｓ系面発
光レーザの発光に必要な機能層部分 １７ａ，１７ｂ，２４ａ，２４ｂ，３３ａ〜３３ｆ
上部電極 １９ ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ系面発光レーザの基板
部分 ２１ ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ系面発光レーザ ２２，２７ レジスト ２３ａ，２３ｂ 素子分離されたＡｌＧａＡｓ／Ｇａ
Ａｓ系面発光レーザの発光に必要な機能層部分 ３４ａ〜３４ｃ 絶縁膜 ３８ 発光素子の駆動用ＩＣも同一支持体上に集積さ
れた波長多重面型発光素子装置 ４７ａ〜４７ｃ 信号入力配線 ４８ 駆動用ＩＣ ４９ ＰＯＦ（プラスチック光ファイバ） １００，１０１ 発光素子 １０２ ｐｎ接合活性層 １０３，１０４ 誘電体多層膜ミラー １０５ 薄膜積層構造 １０６ ｐ型ＧａＡｓ薄膜 １０７ ｐ型ＡｌＧａＡｓ薄膜 １０８ カソード電極 １０９ アノード電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｓ 5/183 Ｈ０１Ｓ 5/183
Claims (11)
- 【請求項１】異なる発光波長を持つ面型発光素子の発光
に必要な組成の異なる複数の機能層部分が共通の支持体
上に配置されていることを特徴とする波長多重面型発光
素子装置。 - 【請求項２】少なくとも１つの前記機能層部分と前記支
持体の間に、該支持体上の電極パターンを電気的に接続
する厚みを持つ導電性のスペーサが配置されている請求
項１に記載の波長多重面型発光素子装置。 - 【請求項３】全ての前記機能層部分が前記支持体上の同
一面上に配置されている請求項１に記載の波長多重面型
発光素子装置。 - 【請求項４】前記支持体上の各層に少なくとも１つの機
能層部分が配置され、該機能層部分を含む層が絶縁層を
挟んで複数積層配置され、かつ各機能層部分は、その出
射光ビームが互いに重ならない様に位置合わせされてい
る請求項１に記載の波長多重面型発光素子装置。 - 【請求項５】前記絶縁層が絶縁材料から成る絶縁膜から
成り、該絶縁膜を挟んで複数の該機能層部分が配置さ
れ、該機能層部分と該絶縁膜が交互に層状に積み重なっ
た構造を有する請求項４に記載の波長多重面型発光素子
装置。 - 【請求項６】前記各層は、前記機能層部分を埋め込んだ
絶縁材料の膜から構成されている請求項５に記載の面型
発光素子装置。 - 【請求項７】前記支持体上に配置された複数の機能層部
分を駆動するのに必要な駆動回路が該支持体上に形成さ
れている請求項１乃至６のいずれかに記載の波長多重面
型発光素子装置。 - 【請求項８】前記面型発光素子が垂直共振器型面発光レ
ーザである請求項１乃至７のいずれかに記載の波長多重
面型発光素子装置。 - 【請求項９】請求項１乃至８のいずれかに記載の波長多
重面型発光素子装置、該波長多重面型発光素子装置から
の光ビームを伝送する光ファイバ、該光ファイバからの
光ビームを受けて処理をする受光器を用いて波長多重伝
送が行われることを特徴とする波長多重伝送システム。 - 【請求項１０】請求項２に記載の波長多重面型発光素子
装置の製造方法において、前記支持体上に少なくとも１
つの機能層部分を転写する工程、該支持体上の所定の空
き領域に少なくとも１つの所定の厚みを持つ導電性のス
ペーサを配置する工程、該支持体上に転写された機能層
部分を保護する層を形成する工程、該スペーサ上に他の
機能層部分を転写する工程、該保護層を除去する工程を
少なくとも有することを特徴とする製造方法。 - 【請求項１１】請求項３に記載の波長多重面型発光素子
装置の製造方法において、前記支持体上に少なくとも１
つの機能層部分を転写する工程、該支持体上に転写され
た機能層部分を保護する層を形成する工程、該保護層を
避ける様に形状決めされた基板付きの他の機能層部分を
該支持体上の所定の空き領域に転写する工程、該他の機
能層部分を分離する工程、該保護層を除去する工程を少
なくとも有することを特徴とする製造方法。
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|---|---|---|---|
| JP2000011119A JP2001203427A (ja) | 2000-01-20 | 2000-01-20 | 波長多重面型発光素子装置、その製造方法およびこれを用いた波長多重伝送システム |
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| JP2001203427A true JP2001203427A (ja) | 2001-07-27 |
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ID=18539028
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| JP2000011119A Pending JP2001203427A (ja) | 2000-01-20 | 2000-01-20 | 波長多重面型発光素子装置、その製造方法およびこれを用いた波長多重伝送システム |
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| JP (1) | JP2001203427A (ja) |
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- 2000-01-20 JP JP2000011119A patent/JP2001203427A/ja active Pending
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