JP2000049415A

JP2000049415A - 窒化物半導体レーザ素子

Info

Publication number: JP2000049415A
Application number: JP21524398A
Authority: JP
Inventors: Hidetoshi Matsumoto; 秀俊松本; Shinichiro Yano; 振一郎矢野; Tatsuya Hiwatari; 竜也樋渡
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1998-07-30
Filing date: 1998-07-30
Publication date: 2000-02-18

Abstract

(57)【要約】【課題】支持体に段差調整用の絶縁膜やリード電極を
形成することなく、あるいは、エッチングにより支持体
に段差を形成することなく、レーザ出射位置が一定にな
り、しかも放熱効果の優れた信頼性の高い窒化物半導体
レーザ素子を提供することを目的とする。【解決手段】基板１にｎ型コンタクト層２、ｐ型コン
タクト層３、絶縁物層４を含む窒化物半導体層を積層
し、積層体の一部を除去してｎ型コンタクト層２を露出
させた溝１０の両側の絶縁物層４の上部に、一端をｎ型
コンタクト層２に接続した負電極８と正電極７を配置し
たレーザチップ５を、第１の導電性部材４１と第２の導
電性部材４２が絶縁部材４３で分割され、同一高さの平
面を有する構成の支持体４５にフェイスダウン方式で導
電性接着剤４４を介してボンディングしている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】本発明は窒化物半導体よりなるレーザ素子
に関する。

【０００２】

【従来の技術】窒化物半導体（ＩｎX ＡｌY Ｇａ1-X-Y
Ｎ，０≦Ｘ，０≦Ｙ，Ｘ＋Ｙ≦１）レーザ素子は、サフ
ァイア等からなる基板と、この基板上にそれぞれ順に積
層形成された、窒化物半導体よりなるｎ型コンタクト
層、ｎ型光閉じこめ層、活性層、ｐ型光閉じこめ層、ｐ
型コンタクト層等から構成されている。

【０００３】ここで使用されるサファイア基板は絶縁物
であるため、他の半導体レーザ素子のように基板そのも
のを電極として使用することができず、したがって同一
面側から電極を取り出す構造とする必要がある。

【０００４】このため、絶縁物の基板を使用した従来の
窒化物半導体レーザ素子では、一番上層にあるｐ型コン
タクト層の上部に正電極が形成され、またｐ型コンタク
ト層、ｐ型光閉じこめ層、活性層、ｎ型光閉じこめ層の
一部をエッチングにより除去し、露出したｎ型コンタク
ト層表面に負電極が形成されている。さらに、このよう
にして形成されたチップを、フェイスダウン方式で支持
体にボンディングするか、又はフェイスアップ方式で支
持体にダイボンドしてワイヤボンドにより実装されてい
る。

【０００５】このように、絶縁物の基板を使用した窒化
物半導体レーザ素子においては、積層された各層の最も
上面に正電極を形成し、またｐ型コンタクト層、ｐ型光
閉じこめ層等を除去し露出したｎ型コンタクト層表面に
負電極を形成する構造であるために、正電極と負電極の
間に１〜７μｍ程度の段差が生じることとなる。特にレ
ーザ光を上下に洩らすことなく活性層の中に封じ込め効
率よく発光させるためには、ｐ型光閉じこめ層及びｎ型
光閉じこめ層等の厚みを厚くする必要がある。また、ｐ
型コンタクト層も形成方法によっては抵抗値減少の効果
のため厚くすることが必要であり、これに伴い、両電極
の間に生じる段差も高いものになる。

【０００６】正電極と負電極の間に段差が生じると、上
記したフェイスダウン方式で支持体に実装した場合、こ
の段差が負電極と支持体との間の隙間となる。一方、支
持体に実装されたチップは、レーザ光の出射位置を一定
にするため水平に取り付ける必要があるが、前記した電
極の段差により傾斜した状態で素子が支持体に実装され
ると、レーザ光の出射位置が安定せず、出射したレーザ
光のレンズ等による集光も困難なものとなる。

【０００７】この対策として、特開平９−２２３８４６
号公報や特開平９−１８１３９４号公報には、絶縁膜の
厚さ、リード電極の厚さ、支持体の厚さを両電極の段差
に応じて調整することが提案されている。

【０００８】図１１は、特開平９−２２３８４６号公報
に開示された窒化物半導体レーザ素子の断面図で、支持
体１０１の上部に第１の絶縁膜１２０とリード電極１３
０が形成され、リード電極１３０は金線１５０でワイヤ
ボンディングされている。レーザチップは、基板１１０
と窒化物半導体層１１１と正電極１１２と負電極１１３
とで構成されている。両電極１１２，１１３が支持体１
０１上面と対向するようにフェイスダウン方式で半田、
銀ペースト等の導電性接着剤１４０を用いてレーザチッ
プが支持体１０１にボンディングされている。

【０００９】ここでは正電極１１２と負電極１１３との
間の段差を解消するため、正電極１１２と負電極１１３
の高さの差を補うように、絶縁膜１２０とリード電極１
３０の厚みが調整され、これによって、レーザの出射位
置が一定となるようにしている。

【００１０】図１２は、特開平９−１８１３９４号公報
に開示された窒化物半導体レーザ素子の断面図で、支持
体２０１の両側にリード電極２３０，２３１が形成さ
れ、レーザチップは、基板２１０と窒化物半導体層２１
１と正電極２１２と負電極２１３とで構成されている。
レーザチップは、電極面側が支持体２０１面側と対向す
るようにフェイスダウン方式で半田、銀ペースト等の導
電性接着剤２４０を介して支持体２０１にボンディング
されている。

【００１１】ここでは、正電極２１２と負電極２１３と
の間の段差を解消するために、正電極２１２と負電極２
１３の高さの差を補うように支持体２０１にエッチング
や研削により段差を設け、これによってレーザの出射位
置が一定となるようにしている。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】特開平９−２２３８４
６号公報に記載されたように、正負電極に対向する支持
体面側にレーザチップの正負電極高さと同じ厚みの絶縁
膜とリード電極を支持体に形成し、これによってレーザ
チップの平行を調整する場合、支持体に絶縁膜とリード
電極を、膜厚を微妙に調整しながら成膜し、フォトリソ
グラフィ等の方法によりパターンを形成する必要があ
る。しかし、このような製造方法はその実施が困難であ
り、また、膜厚の管理が不十分であるとチップの平行調
整にバラツキが発生し、さらに、リード電極の下部に絶
縁膜を形成しているため、チップを直接支持体にボンデ
ィングした場合と比較して放熱の効果が悪くなる。

【００１３】また特開平９−１８１３９４号公報に記載
されたように、正負電極に対向する支持体表面に電極の
段差に対応した段差を形成する方法では、フォトリソグ
ラフィ等の方法によりパターンを形成した後に、支持体
の段差をエッチング時間を調整しながら形成する必要が
あるが、このような製造方法もその実施は困難であり、
また、エッチング時間の管理が不十分であるとチップの
平行調整にバラツキが発生する場合がある。

【００１４】一方、レーザチップは動作時に発熱するた
め、この熱を支持体に放熱して逃がす必要があるが、特
に紫外、青色等を発光させる窒化物半導体系のレーザチ
ップは赤色や赤外等を発光させるレーザチップと比較し
て高エネルギーが発生し発熱量も大きい。これに対し
て、上記したいずれの素子構造においても、充分な放熱
効果を得られていないのが現実である。

【００１５】そこで本発明は、支持体に段差調整用の絶
縁膜やリード電極を形成することなく、あるいは、エッ
チングにより支持体に段差を形成することなく、レーザ
出射位置が一定になり、しかも放熱効果の優れた信頼性
の高い窒化物半導体レーザ素子を提供することを目的と
する。

【００１６】

【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に、本発明は、基板にｎ型コンタクト層とｐ型コンタク
ト層を含む窒化物半導体層を積層し、同積層体の上面に
正電極と負電極を配置したレーザチップを支持体にフェ
イスダウンでボンディングした窒化物半導体レーザ素子
であって、前記正電極と負電極とを前記基板から同一距
離の前記積層体上面に配置した窒化物半導体レーザを用
いる。このような電極配置によって正電極と負電極とが
基板面に対して平行で同一距離となるので、支持体に段
差を設けることなく、レーザチップが傾いた状態で支持
体にボンディングされることを防止することができ、そ
の結果レーザの出射位置が一定となり安定する。

【００１７】

【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、基板にｎ型コンタクト層とｐ型コンタクト層を含む
窒化物半導体層を積層し、同積層体の上面に正電極と負
電極を配置したレーザチップを支持体にフェイスダウン
でボンディングした窒化物半導体レーザ素子であって、
前記正電極と負電極とを前記基板から同一距離の前記積
層体上面に配置した窒化物半導体レーザである。このよ
うな電極配置によって正電極と負電極とが基板面に対し
て平行で同一距離となるので、支持体に段差を設けるこ
となく、レーザの出射位置が一定となるようにレーザチ
ップを支持体にボンディングすることができる。また、
レーザチップ接着時の押しつけ圧力がレーザチップに均
等にかかるようになるので、応力集中が発生しない。ま
た、平面と平面の接着であるので、接着後に凹部や凸部
に応力が発生せず、ボンディングによるレーザ素子への
ダメージが軽減できる。

【００１８】請求項２に記載の発明は、請求項１記載の
窒化物半導体レーザ素子において、前記正電極と前記負
電極の間の積層体の一部を除去して積層体中のｎ型コン
タクト層を露出させた溝を形成したものである。このよ
うな溝を形成することにより、負電極とｎ型コンタクト
層との接続および負電極を正電極とを同じ高さ位置に配
置することを両立させることができる。

【００１９】請求項３に記載の発明は、請求項２記載の
窒化物半導体レーザ素子において、前記積層体上面に配
置した負電極を延長して前記露出したｎ型コンタクト層
に接続したものである。負電極をこのような構造とする
ことにより、負電極をｎ型コンタクト層に接続し、かつ
積層体上面の負電極を正電極とを同じ高さ位置に配置す
ることができる。

【００２０】請求項４に記載の発明は、請求項２記載の
窒化物半導体レーザ素子において、前記積層体上面と前
記露出したｎ型コンタクト層上にそれぞれ負電極を配置
したものである。負電極をこのような配置としたうえ
で、両負電極を導電性接着剤により支持体にボンディン
グすることにより、負電極とｎ型コンタクト層との接続
および負電極を正電極とを同じ高さの位置に配置するこ
とを両立させることができる。

【００２１】請求項５に記載の発明は、請求項１〜４記
載の窒化物半導体レーザ素子において、前記支持体の前
記正電極および前記負電極がボンディングされる部位を
導電性部材とし、この両導電性部材を絶縁部材によって
絶縁したものである。このような支持体構造とすること
により、支持体にリード電極を設けることなくレーザチ
ップをボンディングすることができる。また、導電性部
材として熱伝導性の高い金属などを使用することによ
り、放熱効果を向上させることができる。

【００２２】請求項６に記載の発明は、請求項５記載の
窒化物半導体レーザ素子において、前記支持体の前記正
電極および前記負電極がボンディングされる部位を同一
高さの平面としたものである。レーザチップの正負電極
を同じ高さ位置としたうえで、支持体の電極ボンディン
グ部位を同じ高さ位置とすることにより、レーザチップ
が傾いた状態で支持体にボンディングされることを防止
することができる。

【００２３】請求項７に記載の発明は、請求項１〜４記
載の窒化物半導体レーザ素子において、前記支持体が絶
縁体であり、この支持体の前記正電極および前記負電極
がボンディングされる部位にそれぞれリード電極を形成
し、この両リード電極の最表面を同一高さの平面とした
ものである。段差のない支持体に同一膜厚のリード電極
を形成して最表面を同一高さの平面とすることにより、
レーザチップが傾いた状態で支持体にボンディングされ
ることを防止することができる。また、両リード電極の
膜厚と形状を同一とすることにより、両リード電極の抵
抗値を揃えることができる。

【００２４】請求項８に記載の発明は、請求項２〜７記
載の窒化物半導体レーザ素子において、前記支持体の前
記レーザチップの溝に対応する部位に凸形状のガイド部
を形成したものである。レーザチップを支持体にボンデ
ィングする際に、支持体に形成したガイド部にレーザチ
ップの溝を合わせることにより、支持体のガイド部方向
にレーザチップの共振器方向を一致させることができ、
その結果レーザ出射方向を一定にすることができる。ま
た、レーザチップの正負電極に接着した導電性接着剤ど
うしが接触して短絡するのを防止することができる。

【００２５】以下、本発明の実施の形態について、図１
から図１０を用いて説明する。（実施の形態１）図１は、本発明の実施の形態１の窒化
物半導体レーザ素子のレーザチップの斜視図、図２は図
１のレーザチップを支持体に実装した窒化物半導体レー
ザ素子の断面図である。

【００２６】図１において、１は上部が平坦なサファイ
ア製基板、２は基板１上に形成された厚みが２μｍで窒
化物半導体よりなるｎ型コンタクト層、３は厚みが１μ
ｍの窒化物半導体よりなるｐ型コンタクト層、４はｐ型
コンタクト層３の上部に形成された厚みが０．３μｍの
シリコン酸化膜よりなる絶縁物層、７は絶縁物層４の上
部に形成された厚みが０．３μｍの金製の正電極、８は
一端がｎ型コンタクト層２に接続され他端が絶縁物層４
の上面に位置するように形成された負電極をそれぞれ示
す。

【００２７】なお、図示しないが、ｎ型コンタクト層２
の上部には、厚みが０．３μｍで窒化物半導体よりなる
ｎ型光閉じこめ層が、ｎ型光閉じこめ層の上部には、厚
みが０．１μｍで窒化物半導体よりなる活性層が形成さ
れ、さらにこの活性層の上部には厚みが０．３μｍで窒
化物半導体よりなるｐ型光閉じこめ層がそれぞれ形成さ
れている。

【００２８】図２を参照して、支持体４５はＡｌ、Ｃ
ｕ、Ａｇ、Ｓｉ、Ｇｅ等からなる第１の導電性部材４１
と第２の導電性部材４２が、ＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｓｉ
Ｎ、ダイヤモンド等からなる絶縁部材４３で分割された
構成となっている。

【００２９】図１に示すレーザチップ５は、両電極７，
８面側が支持体４５面側と対向するようにフェイスダウ
ンの状態で、厚みが１μｍの半田、銀ペースト等よりな
る導電性接着剤４４を介してダイボンドされている。図
２に示す実施の形態では、支持体４５の第１の導電性部
材４１と第２の導電性部材４２は金線５０でワイヤボン
ディングされている。

【００３０】本実施の形態の窒化物半導体レーザ素子に
おいては、特開平９−１８１３９４号公報や特開平９−
２２３８４６号公報に開示された従来のレーザ素子のよ
うに、負電極を形成するために一旦積層形成されたｐ型
コンタクト層、絶縁物層、ｎ型光閉じこめ層、活性層、
ｐ型光閉じこめ層を、正電極形成部位を除きすべて除去
するのではなく、図１に示すように、正電極７と負電極
８が短絡しないようにするためとｎ型コンタクト層２と
負電極８を接続するためにｎ型コンタクト層２が露出す
る溝１０を設けたうえで、正電極７形成部と同様に負電
極８形成部も残し、正電極７、負電極８共に絶縁物層４
表面上に形成している。

【００３１】このような構造によって、フェイスダウン
方式で支持体４５にレーザチップ５を実装する際、導電
性接着剤４４を同じ厚みにするだけで、レーザチップ５
を容易に水平に取り付けることが可能となり、従来のよ
うに支持体にその製造管理が困難である段差調整用の絶
縁膜やリード電極を形成することなく、また、エッチン
グにより支持体に段差を形成することなく、レーザ出射
位置が一定の信頼性の高い窒化物半導体レーザ素子が得
られる。

【００３２】また、支持体４５に段差調整用の絶縁膜の
形成を不要としたことにより、放熱効果の高い支持体４
５に直接レーザチップ５を接着することが可能となり、
これによって、動作時に発生するレーザチップ５からの
熱を支持体４５に効率的に放熱することが可能となる。

【００３３】次いで、図３（ａ）〜（ｇ）及び図４
（ｈ）〜（ｋ）を参照して、本実施の形態の窒化物半導
体レーザの製造方法について説明する。

【００３４】図３（ａ）〜（ｃ）に示すように、サファ
イア製基板１の上部に、厚みが２μｍの窒化物半導体よ
りなるｎ型コンタクト層２と、このｎ型コンタクト層２
の上部に厚みが０．３μｍの窒化物半導体よりなるｎ型
光閉じこめ層（図示せず）と、このｎ型光閉じこめ層の
上部に厚みが０．１μｍの窒化物半導体よりなる活性層
（図示せず）と、さらにこの活性層の上部に厚みが０．
３μｍの窒化物半導体よりなるｐ型光閉じこめ層（図示
せず）と、このｐ型光閉じこめ層の上部に厚みが１μｍ
の窒化物半導体よりなるｐ型コンタクト層３とを順に結
晶成長法により形成する。

【００３５】次いで、図３（ｄ）に示すように、ｐ型コ
ンタクト層３の上部に厚みが０．５μｍのシリコン酸化
膜よりなる絶縁物層４を蒸着法により形成する。

【００３６】さらに、図３（ｅ）に示すように、後述す
る共振器形成と同一面側から電極を取り出すために、絶
縁物層４にフォトリソグラフィ法で共振器と負電極が支
持体と接続する部分のパターンを同時に形成し、その
後、図３（ｆ）に示すように、ｐ型コンタクト層３、ｐ
型光閉じこめ層、活性層、ｎ型光閉じこめ層の一部（図
面の中央部のみ）をドライエッチング法で除去してｎ型
コンタクト層２が表面に露出した状態とする。さらに確
実にｎ型コンタクト層２を露出させるため、０．２μｍ
の追加のドライエッチングを行う。このドライエッチン
グで絶縁物層４は減膜し、厚みが０．３μｍになる。

【００３７】次いで、図３（ｇ）に示すように、絶縁物
層４にフォトリソグラフィ法で正電極とｐ型コンタクト
層３の接続パターンを形成し、バファードフッ酸で絶縁
物層４をウェットエッチング法で除去する。

【００３８】このあと、図４（ｈ）に示すように、絶縁
物層４にフォトリソグラフィ法で正電極のパターンを形
成し、絶縁物層４の上部とｐ型コンタクト層３の上部に
厚みが０．３μｍで金よりなる正電極７を蒸着法で形成
する。

【００３９】次に、絶縁物層４とｎ型コンタクト層２の
上部にフォトリソグラフィ法で負電極のパターンを形成
し、絶縁物層４の上部とｎ型コンタクト層２の上部に厚
みが０．３μｍで金よりなる負電極８を蒸着法で形成す
る。この負電極８は一部をｎ型コンタクト層２の上部に
形成しているため、ｎ型コンタクト層２に電気的に接続
され、しかも絶縁物層４の上部まで連続的につながって
いる。

【００４０】次いで、図４（ｊ）に示すように、絶縁部
材４３で第１の導電性部材４１と第２の導電性部材４２
が分割された支持体５０を準備し、レーザチップは電極
面側が支持体面側と対向するようにフェイスダウンの状
態で、厚みが１μｍで材料が半田、銀ペースト等よりな
る導電性接着剤４４を介してダイボンドする。以上によ
り本実施の形態の窒化物半導体レーザ素子が完成する。

【００４１】このようにして形成された正電極７と負電
極８は、共に絶縁物層４の上部に形成されている部分が
存在し、基板１からの距離が一定であり、支持体４５に
実装した際、出射位置から両電極までの距離は一定にな
りしかも平行に形成することができる。

【００４２】（実施の形態２）図５は本発明の実施の形
態２の窒化物半導体レーザ素子の断面図である。

【００４３】本実施の形態の窒化物半導体レーザ素子に
おいては、支持体４５は絶縁材料からなる本体の上面中
央部に厚みが３．８μｍで絶縁材料からなるガイド部５
３が形成され、その両側に厚みが１μｍの第１のリード
電極５１と第２のリード電極５２が分離、絶縁されて形
成されている。第１，第２のリード電極５１，５２から
ガイド部５３上部の段差は２．８μｍになる。ガイド部
５３は、レーザチップ５を実装したときに、レーザチッ
プ実装方向の固定が可能になり、これによってレーザチ
ップの出射方向の安定化の役目を果たす。

【００４４】ここで、レーザチップ５の中央部の溝１０
の段差は２．０μｍ、導電性接着剤４４を含めると中央
部の段差は３．０μｍであり、これにに対してガイド部
５３と両リード電極５１，５２の段差は２．８μｍとレ
ーザチップ５の中央部の段差以下としている。

【００４５】これによって、支持体４５のガイド部５３
がレーザチップ５の中央部の段差底面に当たることなく
ダイボンドでき、ガイド部５３で形成されるガイドライ
ンに沿ったレーザチップ５の設置が可能になる。

【００４６】次いで、図６を参照して本実施の形態の窒
化物半導体レーザ素子の製造方法について説明する。

【００４７】まず、図６（ａ），（ｂ）に示すように、
ＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃等の絶縁材料からなる上部が平坦な
支持体素材４０にフォトリソグラフィ法でパターニング
を行い、支持体素材４０をウェットエッチング法でエッ
チングすることにより、中央上部に厚みが３．８μｍの
ガイド部５３を形成した支持体４５を得る。この支持体
４５のガイド部５３の両側に、図６（ｃ）に示すよう
に、厚みが１μｍで材質が金、鉄、Ｎｉ等の金属よりな
るの第１のリード電極５１と第２のリード電極５２を薄
膜形成技術とフォトリソグラフィ法で形成する。金等の
金属の下部に密着性を向上させるためにＴｉ等の密着性
のある金属を形成したリード電極でもよい。

【００４８】次いで、図６（ｄ）に示すように、実施の
形態１で示したレーザチップ５の溝１０とガイド部５３
が一致するようにレーザチップ５を電極面側が支持体面
側と対向するようにフェイスダウンの状態で、厚みが１
μｍで材料が半田、銀ペースト等よりなる導電性接着剤
４４を介してダイボンドする。

【００４９】（実施の形態３）図７は本発明の実施の形
態３の窒化物半導体レーザ素子の断面図、図８は図７の
レーザチップの斜視図である。

【００５０】本実施の形態の窒化物半導体レーザ素子に
おいては、支持体４６は絶縁性材料で構成され、平坦な
上面に第１，第２のリード電極５１，５２が形成されて
いる。第１，第２のリード電極５１，５２は金線５０で
ワイヤボンディングされている。レーザチップ６は、サ
ファイア製基板１上にｎ型コンタクト層２、ｎ型光閉じ
こめ層（図示せず）、活性層（図示せず）、ｐ型光閉じ
こめ層（図示せず）、ｐ型コンタクト層３、絶縁物層４
が積層され、絶縁物層４の上部に正電極７と第２の負電
極９が形成され、ｎ型コンタクト層２を露出させた面に
負電極８が形成されている。

【００５１】なお、負電極８と第２の負電極９は接続し
ていると導電性の点で都合がよいが、接続していなくて
もダイボンドを行うと導電性接着剤４４と負電極８が接
続されるので問題ない。

【００５２】本実施の形態におけるレーザ素子において
は、レーザチップ６の負電極８と第３の電極９および第
２のリード電極５２を接続させるのに導電性接着剤４４
を利用するので、実施の形態１におけるレーザチップ５
の場合のような、ドライエッチング法でｎ型コンタクト
層２を露出させるときにエッチング側面を４５度程度に
傾斜させる工程が不要となるので、製造工程が簡略化さ
れるという利点がある。

【００５３】本実施の形態の場合も、正電極７と第２の
負電極９の高さは同じであるので、レーザチップ６は支
持体４６と平行にダイボンドされ、出射位置が一定にな
る。

【００５４】図９および図１０は第２の負電極９の他の
実施の形態を示すレーザチップの斜視図であり、図８に
示した第２の負電極９よりも短い負電極９ａを間隔をお
いて複数個形成したものである。この場合も、図８に示
したレーザチップ６と同様な効果がある。

【００５５】

【発明の効果】本発明は、基板にｎ型コンタクト層とｐ
型コンタクト層を含む窒化物半導体層を積層し、同積層
体の上面に正電極と負電極を配置したレーザチップを支
持体にフェイスダウンでボンディングした窒化物半導体
レーザ素子において、正電極と負電極とを基板から同一
距離の積層体上面に配置することにより、支持体に段差
を設けることなく、レーザチップが傾いた状態で支持体
にボンディングされることを防止することができ、その
結果レーザの出射位置が一定となり安定する。またボン
ディング時の不要な応力の発生を防止できる。さらに、
新たに特別な工程を行うことなく、マスク図面の変更の
みで製造可能な簡単な製造方法で信頼性の高い窒化物半
導体レーザを製造することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態１の窒化物半導体レーザ素
子のレーザチップの斜視図

【図２】図１のレーザチップを支持体に実装した窒化物
半導体レーザ素子の断面図

【図３】図２の窒化物半導体レーザの製造方法の説明図

【図４】図２の窒化物半導体レーザの製造方法の説明図

【図５】本発明の実施の形態２の窒化物半導体レーザ素
子の断面図

【図６】図５のの窒化物半導体レーザの製造方法の説明
図

【図７】本発明の実施の形態３の窒化物半導体レーザ素
子の断面図

【図８】図７のレーザチップの斜視図

【図９】実施の形態３における第２の負電極の他の実施
の形態を示すレーザチップの斜視図

【図１０】実施の形態３における第２の負電極の他の実
施の形態を示すレーザチップの斜視図

【図１１】従来の窒化物半導体レーザ素子の断面図

【図１２】従来の窒化物半導体レーザ素子の断面図

【符号の説明】

１基板２ｎ型コンタクト層３ｐ型コンタクト層４絶縁物層５，６レーザチップ７正電極８負電極９，９ａ第２の負電極１０溝４０支持体素材４１第１の導電性部材４２第２の導電性部材４３絶縁部材４４導電性接着剤４５，４６支持体５０金線５１第１のリード電極５２第２のリード電極５３ガイド部１０１支持体１１０基板１１１窒化物半導体１１２正電極１１３負電極１２０絶縁膜１３０リード電極１４０導電性接着剤１５０金線２０１支持体２１０基板２１１窒化物半導体２１２正電極２１３負電極２３０，２３１リード電極２４０導電性接着剤

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者樋渡竜也大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内Ｆターム(参考） 5F041 AA11 AA33 AA43 CA22 CA34 CA46 CA75 CA93 DA02 DA07 DA19 DA25 DA32 DA33 5F073 AA89 CA17 CB05 CB22 CB23 DA21 EA07 EA28 FA13 FA14 FA15 FA18 FA22 FA27

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板にｎ型コンタクト層とｐ型コンタクト
層を含む窒化物半導体層を積層し、同積層体の上面に正
電極と負電極を配置したレーザチップを支持体にフェイ
スダウンでボンディングした窒化物半導体レーザ素子で
あって、前記正電極と負電極とを前記基板から同一距離
の前記積層体上面に配置したことを特徴とする窒化物半
導体レーザ素子。
【請求項２】前記正電極と前記負電極の間の積層体の一
部を除去して積層体中のｎ型コンタクト層を露出させた
溝を形成した請求項１記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項３】前記積層体上面に配置した負電極を延長し
て前記露出したｎ型コンタクト層に接続した請求項２記
載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項４】前記積層体上面と前記露出したｎ型コンタ
クト層上にそれぞれ負電極を配置した請求項２記載の窒
化物半導体レーザ素子。
【請求項５】前記支持体の前記正電極および前記負電極
がボンディングされる部位が導電性部材であり、この両
導電性部材が絶縁部材によって絶縁されている請求項１
〜４記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項６】前記支持体の前記正電極および前記負電極
がボンディングされる部位を同一高さの平面とした請求
項５記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項７】前記支持体が絶縁体であり、この支持体の
前記正電極および前記負電極がボンディングされる部位
にそれぞれリード電極を形成し、この両リード電極の最
表面を同一高さの平面とした請求項１〜４記載の窒化物
半導体レーザ素子。
【請求項８】前記支持体の前記レーザチップの溝に対応
する部位に凸形状のガイド部を形成した窒化物半導体レ
ーザ素子。
【請求項９】前記支持体の前記レーザチップの溝に対応
する部位に凸形状のガイド部を形成した請求項２〜７記
載の窒化物半導体レーザ素子。