JP2000261088A - 発光素子 - Google Patents
発光素子Info
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- JP2000261088A JP2000261088A JP11058024A JP5802499A JP2000261088A JP 2000261088 A JP2000261088 A JP 2000261088A JP 11058024 A JP11058024 A JP 11058024A JP 5802499 A JP5802499 A JP 5802499A JP 2000261088 A JP2000261088 A JP 2000261088A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】大出力発光素子の放熱特性を改善し、出力特性
を改善する。従来は表面電極は発熱部に近いが、裏面電
極は基板裏面に形成されるため発熱部から遠く、放熱へ
の寄与が少なかった。 【解決手段】半導体基板１にエピタキシャル成長層２〜
７を形成し、その上下に上面電極８及び裏面電極９を設
けた半導体レーザにおいて、少なくとも成長層のの発熱
領域１０に対応する部分の裏面電極９を半導体基板１を
通過して成長層２に届く位置に形成する。 【効果】発熱で制限されていた最大光出力を改善出来
る。また実装の容易なジャンクションアップ法でもジャ
ンクションダウン法と同等の放熱が得られる。
を改善する。従来は表面電極は発熱部に近いが、裏面電
極は基板裏面に形成されるため発熱部から遠く、放熱へ
の寄与が少なかった。 【解決手段】半導体基板１にエピタキシャル成長層２〜
７を形成し、その上下に上面電極８及び裏面電極９を設
けた半導体レーザにおいて、少なくとも成長層のの発熱
領域１０に対応する部分の裏面電極９を半導体基板１を
通過して成長層２に届く位置に形成する。 【効果】発熱で制限されていた最大光出力を改善出来
る。また実装の容易なジャンクションアップ法でもジャ
ンクションダウン法と同等の放熱が得られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は発光素子、更に詳し
くいえば、半導体レーザーのように、半導体基板上に結
晶を成長した発光能動層をもつ発光素子の構造、特に、
放熱部の構成に関するもので、信頼性の高いかつ大出力
レーザーに適した電極構造を提供するものである。
くいえば、半導体レーザーのように、半導体基板上に結
晶を成長した発光能動層をもつ発光素子の構造、特に、
放熱部の構成に関するもので、信頼性の高いかつ大出力
レーザーに適した電極構造を提供するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザー等の発光素子では、一般
に温度の変化によって出力特性が変動する。そのため、
放熱手段を付加し、温度特性を改善することが行われて
いる。図１は従来の半導体レーザーの断面模式図の一例
である。ｎ型ＧａＡｓ基板１の上にｎ−ＡｌＧａＩｎＰ
下部クラッド層（バッファ層を含む）２、量子井戸層
３、ｐ−ＧａＩｎＰ層４、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ上部クラ
ッド層５などをエピタキシャル成長した後上部クラッド
層５を所定の形状にエッチングし、周辺及び上部にｎ−
ＧａＡｓ層６及びｐ−ＧａＡｓ層７を再成長し、表面電
極８を形成する。しかる後、基板１を１００μｍ程度の
厚さまで研磨し、裏面電極９を形成する。このような構
造のレーザーに表面及び裏面電極を通じて通電すると領
域１０の部分で発光する。発熱が一番激しい領域は１０
（ジャンクション）の部分である。ジャンクションと表
面電極８及び裏面電極９の距離はそれぞれ通常数μｍ及
び約１００μｍと大きな差がある。
に温度の変化によって出力特性が変動する。そのため、
放熱手段を付加し、温度特性を改善することが行われて
いる。図１は従来の半導体レーザーの断面模式図の一例
である。ｎ型ＧａＡｓ基板１の上にｎ−ＡｌＧａＩｎＰ
下部クラッド層（バッファ層を含む）２、量子井戸層
３、ｐ−ＧａＩｎＰ層４、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ上部クラ
ッド層５などをエピタキシャル成長した後上部クラッド
層５を所定の形状にエッチングし、周辺及び上部にｎ−
ＧａＡｓ層６及びｐ−ＧａＡｓ層７を再成長し、表面電
極８を形成する。しかる後、基板１を１００μｍ程度の
厚さまで研磨し、裏面電極９を形成する。このような構
造のレーザーに表面及び裏面電極を通じて通電すると領
域１０の部分で発光する。発熱が一番激しい領域は１０
（ジャンクション）の部分である。ジャンクションと表
面電極８及び裏面電極９の距離はそれぞれ通常数μｍ及
び約１００μｍと大きな差がある。
【０００３】上述のような半導体レーザーの放熱を良く
する方法として、例えば、伊藤良一、中村道治編：”半
導体レーザー”培風館（１９８９年）第２３１頁に解説
されているように、半導体レーザーをパッケージに実装
する際に、表面電極をヒートシンク材に半田等で接着す
るジャンクションダウン法とジャンクションから遠い裏
面電極をヒートシンク材に接着するジャンクションアッ
プ法が知られている。
する方法として、例えば、伊藤良一、中村道治編：”半
導体レーザー”培風館（１９８９年）第２３１頁に解説
されているように、半導体レーザーをパッケージに実装
する際に、表面電極をヒートシンク材に半田等で接着す
るジャンクションダウン法とジャンクションから遠い裏
面電極をヒートシンク材に接着するジャンクションアッ
プ法が知られている。
【０００４】図２は従来のジャンクションダウン実装に
よる半導体レーザーの構造を示す。レーザーチップは表
面電極８をヒートシンクとなるマウント１１に半田材１
２によって接着される。裏面電極９はワイヤ１３が接続
されマウント１１との間で通電される。この構造はジャ
ンクションアップ法に比べ、発熱領域１０が半田材１２
及びマウント１１に近いため（距離は数μｍ以下）放熱
に有利であり大出力のレーザーに適しているものの、半
田材１２が光の射出部（領域１０のチップ端部）を汚し
やすいという欠点がある。また基板１が約１００μｍと
厚いため、裏面電極９及びワイヤ１３はあまり放熱に寄
与しないという問題があった。
よる半導体レーザーの構造を示す。レーザーチップは表
面電極８をヒートシンクとなるマウント１１に半田材１
２によって接着される。裏面電極９はワイヤ１３が接続
されマウント１１との間で通電される。この構造はジャ
ンクションアップ法に比べ、発熱領域１０が半田材１２
及びマウント１１に近いため（距離は数μｍ以下）放熱
に有利であり大出力のレーザーに適しているものの、半
田材１２が光の射出部（領域１０のチップ端部）を汚し
やすいという欠点がある。また基板１が約１００μｍと
厚いため、裏面電極９及びワイヤ１３はあまり放熱に寄
与しないという問題があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、放熱
特性が更に優れた発光素子を実現することである。すな
わち、ジャンクションダウン法を採用した場合は従来の
ジャンクションダウン法以上の放熱特性が得られ、ジャ
ンクションアップ法を採用した場合も従来のジャンクシ
ョンダウン法と同等の放熱特性が得られる電極構造の発
光素子を提供することである。
特性が更に優れた発光素子を実現することである。すな
わち、ジャンクションダウン法を採用した場合は従来の
ジャンクションダウン法以上の放熱特性が得られ、ジャ
ンクションアップ法を採用した場合も従来のジャンクシ
ョンダウン法と同等の放熱特性が得られる電極構造の発
光素子を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の発光素子は、半導体基板上に成長した結晶
を能動層として用いる発光素子であって、上記発光素子
に給電するための２つの金属電極うち上記成長した結晶
の上記半導体基板側につける裏面電極が上記成長した結
晶の裏面ないしは内部に位置するよう設ける。
め、本発明の発光素子は、半導体基板上に成長した結晶
を能動層として用いる発光素子であって、上記発光素子
に給電するための２つの金属電極うち上記成長した結晶
の上記半導体基板側につける裏面電極が上記成長した結
晶の裏面ないしは内部に位置するよう設ける。
【０００７】本発明の好ましい実施形態は半導体基板上
にエピタキシャル成長した結晶を能動層とする半導体レ
ーザであるが、半導体レーザに限定されない。また更に
放熱を良くするため、上記２つの金属電極の少なくとも
一方に放熱用金属電極を付加する。
にエピタキシャル成長した結晶を能動層とする半導体レ
ーザであるが、半導体レーザに限定されない。また更に
放熱を良くするため、上記２つの金属電極の少なくとも
一方に放熱用金属電極を付加する。
【０００８】上記裏面電極は上記半導体基板の上記能動
層の発光部に対応する位置に溝を設けたその溝全面に電
極層を設ける他、上記能動層の全体に平面状に設けても
よい。 本発明によれば、発光素子を構成する表面電極
及び裏面電極の熱抵抗はあまり差がなくなり、裏面電極
をヒートシンクに接着するジャンクションアップ実装し
た場合でも従来のジャンクションダウン実装と同等の放
熱特性が得られる。また裏面及び表面電極双方に放熱効
果が期待できるので、ジャンクションダウン実装した場
合は従来のジャンクションダウン法より良好な放熱特性
が得られる。
層の発光部に対応する位置に溝を設けたその溝全面に電
極層を設ける他、上記能動層の全体に平面状に設けても
よい。 本発明によれば、発光素子を構成する表面電極
及び裏面電極の熱抵抗はあまり差がなくなり、裏面電極
をヒートシンクに接着するジャンクションアップ実装し
た場合でも従来のジャンクションダウン実装と同等の放
熱特性が得られる。また裏面及び表面電極双方に放熱効
果が期待できるので、ジャンクションダウン実装した場
合は従来のジャンクションダウン法より良好な放熱特性
が得られる。
【０００９】
【発明の実施の形態】＜実施形態１＞図３は本発明によ
る光発光素子の一実施形態である半導体レーザーの断面
図である。半導体基板１上に順次エピタキシャル成長し
て構成された下部クラッド層２、量子井戸層３、ｐ−Ｇ
ａＩｎＰ４、上部クラッド層５、ｎ−ＧａＡｓ層６、ｐ
−ＧａＡｓ層７の能動層が構成され、半導体基板１には
裏面電極９が発光領域１０に対応する位置に下部クラッ
ド層２に届くように設けられた溝及び半導体基板１の下
側全面に設けられている。さらに放熱を良くするため、
裏面電極９の金属層上に放熱用金属電極１４が設けられ
ている。ｐ−ＧａＡｓ層７の上側（すなわち能動層に対
して裏面電極と反対側）には上面電極８が設けられてい
る。
る光発光素子の一実施形態である半導体レーザーの断面
図である。半導体基板１上に順次エピタキシャル成長し
て構成された下部クラッド層２、量子井戸層３、ｐ−Ｇ
ａＩｎＰ４、上部クラッド層５、ｎ−ＧａＡｓ層６、ｐ
−ＧａＡｓ層７の能動層が構成され、半導体基板１には
裏面電極９が発光領域１０に対応する位置に下部クラッ
ド層２に届くように設けられた溝及び半導体基板１の下
側全面に設けられている。さらに放熱を良くするため、
裏面電極９の金属層上に放熱用金属電極１４が設けられ
ている。ｐ−ＧａＡｓ層７の上側（すなわち能動層に対
して裏面電極と反対側）には上面電極８が設けられてい
る。
【００１０】図４〜図７は、いずれも図３に示した半導
体レーザのレーザーチップの作成工程を示す図である。
なお、各図では図３と上下を反転し、図３と同一部分に
は同一番号を付している。図４において、基板１の研磨
工程までは従来知られている工程と同じ工程である。１
００μｍ程度まで研磨された基板１の上にエッチングマ
スクとなるＳｉＯ2膜１５を被着し、フォトリソ技術に
よって発熱領域１０に位置合わせた開口１６を設ける。
体レーザのレーザーチップの作成工程を示す図である。
なお、各図では図３と上下を反転し、図３と同一部分に
は同一番号を付している。図４において、基板１の研磨
工程までは従来知られている工程と同じ工程である。１
００μｍ程度まで研磨された基板１の上にエッチングマ
スクとなるＳｉＯ2膜１５を被着し、フォトリソ技術に
よって発熱領域１０に位置合わせた開口１６を設ける。
【００１１】次いで図５に示すように、ＳｉＣｌ4ガス
を用いたドライエッチング法でＧａＡS基板１をエッチ
ングして溝穴１７を設ける。このときｎ−ＡｌＧａＩｎ
Ｐ下部クラッド層２はエッチングされないためエッチン
グが量子井戸層３に及ぶことはない。
を用いたドライエッチング法でＧａＡS基板１をエッチ
ングして溝穴１７を設ける。このときｎ−ＡｌＧａＩｎ
Ｐ下部クラッド層２はエッチングされないためエッチン
グが量子井戸層３に及ぶことはない。
【００１２】次ぎに図６に示すように、溝穴１７が設け
られた基板１に裏面電極９を形成する。必要に応じて図
７に示すようにＡｕメッキによる放熱電極１４で溝穴を
埋めて完成する。
られた基板１に裏面電極９を形成する。必要に応じて図
７に示すようにＡｕメッキによる放熱電極１４で溝穴を
埋めて完成する。
【００１３】＜実施形態２＞図８は本発明による光発光
素子の他の実施形態である半導体レーザーの断面図であ
る。同図において部分Ａは図３の半導体レーザーと同じ
構成である。本実施形態は上面電極８及び放熱用金属電
極１４のそれぞれにヒートシンク１１及びヒートシンク
１１’を半田材１２及び１２’を介して接着した。ヒー
トシンク１１のジャンクションダウンによる放熱に加
え、下部電極９、１４にもヒートシンク１１’による放
熱を行う。ヒートシンク１１’及び１１’の大きさ、材
質は実装装置の種類によりことなるが、上面電極、裏面
電極より大きく設定される。
素子の他の実施形態である半導体レーザーの断面図であ
る。同図において部分Ａは図３の半導体レーザーと同じ
構成である。本実施形態は上面電極８及び放熱用金属電
極１４のそれぞれにヒートシンク１１及びヒートシンク
１１’を半田材１２及び１２’を介して接着した。ヒー
トシンク１１のジャンクションダウンによる放熱に加
え、下部電極９、１４にもヒートシンク１１’による放
熱を行う。ヒートシンク１１’及び１１’の大きさ、材
質は実装装置の種類によりことなるが、上面電極、裏面
電極より大きく設定される。
【００１４】図９は図８に示した構造の実装例における
半導体レーザーの光出力の改善効果を示す出力特性の実
測図である。図９において、横軸は入力電流（ｍＡ）、
縦軸は光出力（ｍＷ）で表す。従来のジャンクションダ
ウン実装（図２の例）のものは、は７５ｍＷ程度で熱の
ために飽和していた最大出力が本実施例（図８）では９
０ｍＷと２０％も改善されている。
半導体レーザーの光出力の改善効果を示す出力特性の実
測図である。図９において、横軸は入力電流（ｍＡ）、
縦軸は光出力（ｍＷ）で表す。従来のジャンクションダ
ウン実装（図２の例）のものは、は７５ｍＷ程度で熱の
ために飽和していた最大出力が本実施例（図８）では９
０ｍＷと２０％も改善されている。
【００１５】＜実施形態３＞図１０は本発明による光発
光素子の更に他の実施形態である半導体レーザーの断面
図である。本実施形態は図３に示したレーザーチップを
従来と同様のジャンクションダウン法で実装した例であ
る。その出力特性は図８に示した半導体レーザーには及
ばないが、放熱用メタル１４及びワイヤ１３も放熱に寄
与するため、従来のジャンクションダウン実装（図２に
示す）のものよりも良好な放熱効果が得られる。
光素子の更に他の実施形態である半導体レーザーの断面
図である。本実施形態は図３に示したレーザーチップを
従来と同様のジャンクションダウン法で実装した例であ
る。その出力特性は図８に示した半導体レーザーには及
ばないが、放熱用メタル１４及びワイヤ１３も放熱に寄
与するため、従来のジャンクションダウン実装（図２に
示す）のものよりも良好な放熱効果が得られる。
【００１６】＜実施形態４＞図１１は本発明による光発
光素子の第４の実施形態である半導体レーザーの断面図
である。本実施形態は図３に示したレーザーチップを従
来と同様のジャンクションアップ法で実装した例であ
る。本実施形態でも従来のジャンクションダウン法（図
３）と同じ程度の放熱効果が得られ、さらに、半田汚れ
の問題がない。
光素子の第４の実施形態である半導体レーザーの断面図
である。本実施形態は図３に示したレーザーチップを従
来と同様のジャンクションアップ法で実装した例であ
る。本実施形態でも従来のジャンクションダウン法（図
３）と同じ程度の放熱効果が得られ、さらに、半田汚れ
の問題がない。
【００１７】＜実施形態５＞図１２は本発明による光発
光素子の第５の実施形態である半導体レーザーの断面図
である。本実施形態は裏面電極８が、結晶の成長層２の
裏面全面に形成されている。他の部分の構成は図３に示
したものと実質的に同様である。この半導体レーザーの
製造は以下の説明の方法によって行われる。
光素子の第５の実施形態である半導体レーザーの断面図
である。本実施形態は裏面電極８が、結晶の成長層２の
裏面全面に形成されている。他の部分の構成は図３に示
したものと実質的に同様である。この半導体レーザーの
製造は以下の説明の方法によって行われる。
【００１８】図１３（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）はいずれ
も図１２に示す半導体レーザーの製造工程の断面図であ
る。前記実施形態における構成要素と実質的に同じ要素
ついては同じ番号を付して詳細な説明を省く。図１３
（ａ）のように基板１上にＡｌＡｓからなる犠牲層１８
を成長した後、レーザー構成に必要な各層２〜７を成長
する。表面電極８を形成した後、保持板１９を剥離材で
剥離可能な接着材２０で接着し、水中に放置し、犠牲層
１８を溶解し、図１３（ｂ）のように基板１が除去され
エピタキシャル成長による結晶層２が露出した構造を得
る。その後、裏面電極９を層２の表面に形成し、保持板
１６とともに加工、組立を行った後ヒートシンク１１を
半田材１２を用いて接着し、保持板１９を剥離すること
により、図１３（ｃ）のように極めて薄いレーザーを完
成する。裏面電極９が広い範囲にわたって発熱領域と接
するので図３に示した構造のレーザよりも良好な放熱特
性がえられる。
も図１２に示す半導体レーザーの製造工程の断面図であ
る。前記実施形態における構成要素と実質的に同じ要素
ついては同じ番号を付して詳細な説明を省く。図１３
（ａ）のように基板１上にＡｌＡｓからなる犠牲層１８
を成長した後、レーザー構成に必要な各層２〜７を成長
する。表面電極８を形成した後、保持板１９を剥離材で
剥離可能な接着材２０で接着し、水中に放置し、犠牲層
１８を溶解し、図１３（ｂ）のように基板１が除去され
エピタキシャル成長による結晶層２が露出した構造を得
る。その後、裏面電極９を層２の表面に形成し、保持板
１６とともに加工、組立を行った後ヒートシンク１１を
半田材１２を用いて接着し、保持板１９を剥離すること
により、図１３（ｃ）のように極めて薄いレーザーを完
成する。裏面電極９が広い範囲にわたって発熱領域と接
するので図３に示した構造のレーザよりも良好な放熱特
性がえられる。
【００１９】以上本発明の実施形態について半導体レー
ザの例について説明したが、本発明は、上記実施形態に
限定されず、上下２電極を半導体部品で構成される発光
能動層の両側に設ける発光素子に適用できる。また上記
実施形態に示した構成各層の材質も他の材質によって構
成できることは明らかである。
ザの例について説明したが、本発明は、上記実施形態に
限定されず、上下２電極を半導体部品で構成される発光
能動層の両側に設ける発光素子に適用できる。また上記
実施形態に示した構成各層の材質も他の材質によって構
成できることは明らかである。
【００２０】
【発明の効果】本発明によれば半導体レーザー等の半導
体基板側に設ける電極の放熱特性を基板に簡単な工程に
よって、溝を設けるあるいは基板の剥離の工程を付加す
るのみで、向上させることができ、特に大出力の半導体
レーザーの出力向上、信頼性向上を図ることができる。
体基板側に設ける電極の放熱特性を基板に簡単な工程に
よって、溝を設けるあるいは基板の剥離の工程を付加す
るのみで、向上させることができ、特に大出力の半導体
レーザーの出力向上、信頼性向上を図ることができる。
【図１】従来の半導体レーザーの断面図
【図２】従来の半導体レーザーのジャンクションダウン
実装図
実装図
【図３】本発明による半導体レーザーの一実施形態の断
面図
面図
【図４】図３に示した半導体レーザーの製造工程の一工
程を示す断面図
程を示す断面図
【図５】図３に示した半導体レーザーの製造工程の一工
程を示す断面図
程を示す断面図
【図６】図３に示した半導体レーザーの製造工程の一工
程を示す断面図
程を示す断面図
【図７】図３に示した半導体レーザーの製造工程の一工
程を示す断面図
程を示す断面図
【図８】本発明による半導体レーザーの他の実施形態の
断面図
断面図
【図９】図８の半導体レーザーの光出力特性曲線図
【図１０】本発明による光発光素子の更に他の実施形態
である半導体レーザーの断面図
である半導体レーザーの断面図
【図１１】本発明による光発光素子の第４の実施形態で
ある半導体レーザーの断面図
ある半導体レーザーの断面図
【図１２】本発明による光発光素子の第５の実施形態で
ある半導体レーザーの断面図
ある半導体レーザーの断面図
【図１３】第５の実施形態である半導体レーザーの製造
工程を示す断面図
工程を示す断面図
１…半導体基板 ２…下部クラッド層 ３…量子井戸層 ４…ｐ−ＧａＩｎＰ層 ５…上部クラッド層 ６…ｎ−ＧａＡｓ層 ７…ｐ−ＧａＡｓ層 ８…表面電極 ９…裏面電極 １０…発熱領域 １１，１１’…マウント（ヒートシンク） １２，１２’…半田材 １３…ワイヤ １４…放熱用メタル １５…Ｓ１Ｏ２膜 １６…開口 １７…溝穴 １８…犠牲層 １９…保持板 ２０…接着剤
Claims (6)
- 【請求項１】半導体基板上に成長した結晶を能動層とし
て用いる発光素子であって、上記発光素子に給電するた
めの表面電極及び裏面電極の２つの金属電極の裏面電極
の少なくとも一部が上記能動層の発熱領域近傍の結晶の
裏面ないしは内部に位置するように形成されたことを特
徴とする発光素子。 - 【請求項２】上記成長した結晶の能動層がエピタキシャ
ル成長層であり、上記裏面電極が半導体基板を貫通し、
上記エピタキシャル成長層に接していることを特徴とす
る請求項１の発光素子。 - 【請求項３】上記半導体基板が除去され、エピタキシャ
ル成長による結晶の両面に上記表面電極及び裏面電極が
形成されたことを特徴とする請求項１又は２記載の発光
素子。 - 【請求項４】上記表面電極及び裏面電極の少なくとも一
方にヒートシンク板が固着されたことを特徴とする請求
項１、２又は３記載の発光素子。 - 【請求項５】上記発光素子が半導体レーザである請求項
１ないし４のいずれかに記載された発光素子。 - 【請求項６】半導体基板上に犠牲層を形成し、上記犠牲
層上にレーザ構成に必要なエピタキシャル成長層を積層
し、上記エピタキシャル成長層上に表面電極を形成し、
上記表面電極上に接着剤を介して保持版を固着し、上記
各層を水地中に挿入して、上記半導体基板及び上記犠牲
層を除去し、上記エピタキシャル成長層の上記犠牲が除
かれた面に裏面電極を形成し、上記裏面電極上に半田材
を用いてヒートシンク板を固着する半導体レーザーの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11058024A JP2000261088A (ja) | 1999-03-05 | 1999-03-05 | 発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11058024A JP2000261088A (ja) | 1999-03-05 | 1999-03-05 | 発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000261088A true JP2000261088A (ja) | 2000-09-22 |
Family
ID=13072394
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11058024A Pending JP2000261088A (ja) | 1999-03-05 | 1999-03-05 | 発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000261088A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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