JP2002158393A - 半導体レーザ素子および半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ素子および半導体レーザ装置Info
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- JP2002158393A JP2002158393A JP2001045118A JP2001045118A JP2002158393A JP 2002158393 A JP2002158393 A JP 2002158393A JP 2001045118 A JP2001045118 A JP 2001045118A JP 2001045118 A JP2001045118 A JP 2001045118A JP 2002158393 A JP2002158393 A JP 2002158393A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＧａＮ基板を用いた半導体レーザ素子におい
て、低出力から高出力までガウス型の高信頼性の高品位
なビームを得る。 【解決手段】 ＧａＮ基板15'上に、ｎ−ＧａＮコンタ
クト層16、ｎ−Ｇａ1-z 1Ａｌz1Ｎ/ＧａＮ超格子クラッ
ド層17、ｎ−Ｇａ1-z2Ａｌz2Ｎ光導波層18、Ｉｎ x2Ｇａ
1-x2Ｎ（Si-ドープ）/Ｉｎx1Ｇａ1-x1Ｎ多重量子井戸活
性層19、ｐ-Ｇａ1 -z3Ａｌz3Ｎキャリアブロッキング層2
0、p−Ｇａ1-z2Ａｌz2Ｎ光導波層21、ｐ−Ｇａ1-z1Ａｌ
z1Ｎ/ＧａＮ超格子クラッド層22、ｐ−ＧａＮコンタク
ト層23を積層して、幅２μｍのリッジ部を形成し、絶縁
膜26およびＮｉ/Ａｕよりなるp電極27を形成する。Ｇａ
Ｎ基板15'に、ｐ電極面に形成されたストライプと平行
に、幅１００μｍでｎ−ＧａＮコンタクト層16までエッ
チングして溝を形成し、その溝の表面にTi/Auよりなる
ｎ電極28を形成する。
て、低出力から高出力までガウス型の高信頼性の高品位
なビームを得る。 【解決手段】 ＧａＮ基板15'上に、ｎ−ＧａＮコンタ
クト層16、ｎ−Ｇａ1-z 1Ａｌz1Ｎ/ＧａＮ超格子クラッ
ド層17、ｎ−Ｇａ1-z2Ａｌz2Ｎ光導波層18、Ｉｎ x2Ｇａ
1-x2Ｎ（Si-ドープ）/Ｉｎx1Ｇａ1-x1Ｎ多重量子井戸活
性層19、ｐ-Ｇａ1 -z3Ａｌz3Ｎキャリアブロッキング層2
0、p−Ｇａ1-z2Ａｌz2Ｎ光導波層21、ｐ−Ｇａ1-z1Ａｌ
z1Ｎ/ＧａＮ超格子クラッド層22、ｐ−ＧａＮコンタク
ト層23を積層して、幅２μｍのリッジ部を形成し、絶縁
膜26およびＮｉ/Ａｕよりなるp電極27を形成する。Ｇａ
Ｎ基板15'に、ｐ電極面に形成されたストライプと平行
に、幅１００μｍでｎ−ＧａＮコンタクト層16までエッ
チングして溝を形成し、その溝の表面にTi/Auよりなる
ｎ電極28を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＧａＮ系の半導体
からなる半導体レーザ素子およびその半導体レーザ素子
を備えた半導体レーザ装置に関するものである。
からなる半導体レーザ素子およびその半導体レーザ素子
を備えた半導体レーザ装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】微小スポットを有する400ｎｍ帯の半導
体レーザは、光ディスクメモリおよび感光材料を用いた
印刷などの分野では、その高密度化および高画質化に伴
い、光密度がガウス分布の基本横モード発振する、信頼
性の高い高品質なビームが要求されている。例えば、41
0ｎｍ帯の短波長半導体レーザとして、1998年発行のJp
n. J. Appl. Phys. Lett., Vol.37,pp.L1020に記載の中
村氏らによるInGaN/GaN/AlGaN-Based Laser Diodes Gro
wn on GaN Substrates with a Fundamental Transverse
Modeにおいて、サファイア基板上にGaNを形成した後、
SiO2をマスクとして選択成長を利用してGaN層を形成し
た後、サファイア基板からGaN層の一部までを剥がして
できたGaN基板上に、n-GaNバッファ層、n-InGaNクラッ
ク防止層、n-AlGaN/GaN変調ドープ超格子クラッド層、n
-GaN光導波層、n-InGaN/InGaN多重量子井戸活性層、p-A
lGaNキャリアブロック層、p-GaN光導波層、p-AlGaN/GaN
変調ドープ超格子クラッド層、p-GaNコンタクト層を積
層してなる半導体レーザが報告されている。
体レーザは、光ディスクメモリおよび感光材料を用いた
印刷などの分野では、その高密度化および高画質化に伴
い、光密度がガウス分布の基本横モード発振する、信頼
性の高い高品質なビームが要求されている。例えば、41
0ｎｍ帯の短波長半導体レーザとして、1998年発行のJp
n. J. Appl. Phys. Lett., Vol.37,pp.L1020に記載の中
村氏らによるInGaN/GaN/AlGaN-Based Laser Diodes Gro
wn on GaN Substrates with a Fundamental Transverse
Modeにおいて、サファイア基板上にGaNを形成した後、
SiO2をマスクとして選択成長を利用してGaN層を形成し
た後、サファイア基板からGaN層の一部までを剥がして
できたGaN基板上に、n-GaNバッファ層、n-InGaNクラッ
ク防止層、n-AlGaN/GaN変調ドープ超格子クラッド層、n
-GaN光導波層、n-InGaN/InGaN多重量子井戸活性層、p-A
lGaNキャリアブロック層、p-GaN光導波層、p-AlGaN/GaN
変調ドープ超格子クラッド層、p-GaNコンタクト層を積
層してなる半導体レーザが報告されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記半導体レーザは、
変調ドープ超格子クラッド層を用いて素子抵抗低減を図
っているが、十分ではないので、駆動時のジュール熱に
よる信頼性の劣化が見られる。また、上記のような系の
半導体層からなる半導体レーザでは、素子抵抗が高いた
めに、特に、単一モードのレーザでは、コンタクト層と
の接触面積が狭いため発熱による影響が実用上問題とな
る。ジュール熱の発生に対しては、ヒートシンクなどを
用いる冷却により対処しているが、上記素子構造では、
素子側面をエッチングして露出したn-GaN層上に形成し
ているので、素子形状が複雑で発熱が生じる活性層に近
いｐ電極側からの冷却が困難であり、活性層から遠いｎ
電極面からしか冷却が行えないため、放熱が十分でな
い。また、ｐ電極とｎ電極が互いに上下方向に位置する
のではなく、左右に並んでいるため、ｐ電極から注入さ
れた電流の流れが真直ぐでなく不均一になりやすく、そ
のため光密度がガウス型分布の均一な発光を得ることが
できない。ガウス型分布の発光を得るためにはリッジ幅
を極力狭める必要があるが、リッジ幅を狭めると高出力
化が難しいという問題がある。
変調ドープ超格子クラッド層を用いて素子抵抗低減を図
っているが、十分ではないので、駆動時のジュール熱に
よる信頼性の劣化が見られる。また、上記のような系の
半導体層からなる半導体レーザでは、素子抵抗が高いた
めに、特に、単一モードのレーザでは、コンタクト層と
の接触面積が狭いため発熱による影響が実用上問題とな
る。ジュール熱の発生に対しては、ヒートシンクなどを
用いる冷却により対処しているが、上記素子構造では、
素子側面をエッチングして露出したn-GaN層上に形成し
ているので、素子形状が複雑で発熱が生じる活性層に近
いｐ電極側からの冷却が困難であり、活性層から遠いｎ
電極面からしか冷却が行えないため、放熱が十分でな
い。また、ｐ電極とｎ電極が互いに上下方向に位置する
のではなく、左右に並んでいるため、ｐ電極から注入さ
れた電流の流れが真直ぐでなく不均一になりやすく、そ
のため光密度がガウス型分布の均一な発光を得ることが
できない。ガウス型分布の発光を得るためにはリッジ幅
を極力狭める必要があるが、リッジ幅を狭めると高出力
化が難しいという問題がある。
【０００４】本発明は上記事情に鑑みて、素子の放熱性
を向上し、また、活性層への電流の注入を均一にして、
光密度がガウス型分布の、均一且つ高品質なビームを有
する、高出力発振下においても信頼性が高い半導体レー
ザ素子および半導体レーザ装置を提供することを目的と
するものである。
を向上し、また、活性層への電流の注入を均一にして、
光密度がガウス型分布の、均一且つ高品質なビームを有
する、高出力発振下においても信頼性が高い半導体レー
ザ素子および半導体レーザ装置を提供することを目的と
するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザ素
子は、一対の電極の一方を備えたＧａＮ基板上に、少な
くとも活性層を含むＧａＮ系の半導体からなる半導体層
と他方の電極とがこの順に積層されてなり、半導体層に
電流の注入領域が形成されている半導体レーザ素子にお
いて、ＧａＮ基板の電流の注入領域と対応する領域に、
該基板の半導体層が形成されている面と反対側の面から
半導体層に至るまでの深さで溝が形成されており、該溝
の表面に一方の電極が形成されていることを特徴とする
ものである。
子は、一対の電極の一方を備えたＧａＮ基板上に、少な
くとも活性層を含むＧａＮ系の半導体からなる半導体層
と他方の電極とがこの順に積層されてなり、半導体層に
電流の注入領域が形成されている半導体レーザ素子にお
いて、ＧａＮ基板の電流の注入領域と対応する領域に、
該基板の半導体層が形成されている面と反対側の面から
半導体層に至るまでの深さで溝が形成されており、該溝
の表面に一方の電極が形成されていることを特徴とする
ものである。
【０００６】前記半導体層のＧａＮ基板側に、コンタク
ト層が形成され、該コンタクト層と溝の表面に形成され
た一方の電極とがオーミック接合されていることが望ま
しい。
ト層が形成され、該コンタクト層と溝の表面に形成され
た一方の電極とがオーミック接合されていることが望ま
しい。
【０００７】また、溝にＧａＮより熱伝導率が高い金属
が埋め込まれて該溝が形成されている側の面が平坦化さ
れており、該平坦化された面にヒートシンクが接合され
ていることが望ましい。前記金属はＡｕであることが望
ましい。
が埋め込まれて該溝が形成されている側の面が平坦化さ
れており、該平坦化された面にヒートシンクが接合され
ていることが望ましい。前記金属はＡｕであることが望
ましい。
【０００８】本発明の半導体レーザ装置は、上記構成に
よる本発明の半導体レーザ素子と、半導体レーザ素子の
ＧａＮ基板側に接合された、溝へ冷却媒質を供給する供
給通路および該溝から冷却媒質を排出させる排出通路が
形成されているヒートシンクと、両通路により溝に冷却
媒質を流通させる手段とを備えたことを特徴とするもの
である。
よる本発明の半導体レーザ素子と、半導体レーザ素子の
ＧａＮ基板側に接合された、溝へ冷却媒質を供給する供
給通路および該溝から冷却媒質を排出させる排出通路が
形成されているヒートシンクと、両通路により溝に冷却
媒質を流通させる手段とを備えたことを特徴とするもの
である。
【０００９】なお、溝は、光の共振方向に垂直な一方の
端面から他方の端面まで形成されていてもよく、あるい
は、端面から端面の間の一部であってもよい。
端面から他方の端面まで形成されていてもよく、あるい
は、端面から端面の間の一部であってもよい。
【００１０】また、前記一方の電極は、溝の内部の表面
のみならず、溝内部の表面からＧａＮ基板の半導体層が
積層されている面とは反対側の面まで覆うように形成さ
れていてもよい。
のみならず、溝内部の表面からＧａＮ基板の半導体層が
積層されている面とは反対側の面まで覆うように形成さ
れていてもよい。
【００１１】なお、上記ＧａＮ系の半導体とは、Ｇａと
Ｎを構成要素に含むことを示し、例えばＧａＮ、ＩｎＧ
ａＮおよびＡｌＧａＮを挙げることができる。
Ｎを構成要素に含むことを示し、例えばＧａＮ、ＩｎＧ
ａＮおよびＡｌＧａＮを挙げることができる。
【００１２】
【発明の効果】本発明の半導体レーザ素子によれば、Ｇ
ａＮ基板の電流の注入領域と対応する領域に、半導体層
に至るまでの深さで溝が形成されており、該溝の表面に
一方の電極が形成されていることにより、積層方向の両
端面に一対の電極のそれぞれが形成されている構成とな
っており、電流の通路が真直ぐ形成されるため、電流が
均一に活性層に注入されるので、光密度がガウス型分布
をした均一な発振モードを得ることができる。よって、
高出力化する際、従来のように光密度を均一にするため
にリッジ幅を狭める必要がないので、高出力化が可能で
あり、高品質でかつ高信頼性の発振ビームを得ることが
できる。
ａＮ基板の電流の注入領域と対応する領域に、半導体層
に至るまでの深さで溝が形成されており、該溝の表面に
一方の電極が形成されていることにより、積層方向の両
端面に一対の電極のそれぞれが形成されている構成とな
っており、電流の通路が真直ぐ形成されるため、電流が
均一に活性層に注入されるので、光密度がガウス型分布
をした均一な発振モードを得ることができる。よって、
高出力化する際、従来のように光密度を均一にするため
にリッジ幅を狭める必要がないので、高出力化が可能で
あり、高品質でかつ高信頼性の発振ビームを得ることが
できる。
【００１３】また、これまでのＧａＮ基板を用いた半導
体レーザ素子は、素子の側面をｎ−ＧａＮ層までエッチ
ングしてそこにｎ電極を形成していたので、素子の形状
が複雑で活性層に近いｐ電極側をヒートシンクにボンデ
ィング（p−downボンディング）することができず、ｎ
電極側から冷却を行っていた。しかし、本発明の半導体
レーザ素子によれば、活性層に近いｐ電極側をヒートシ
ンクにボンディングすることが可能となり、冷却効果が
高まり、高出力発振下においても高品質な発振モードを
得ることができる。あるいはｎ電極側を下にしてボンデ
ィングする（n−downボンディング）ことも可能とな
る。さらには、両電極側をヒートシンクにボンディング
することが可能であり、冷却効果がさらに高まり、高出
力発振下においても高品質な発振モードを得ることがで
きる。
体レーザ素子は、素子の側面をｎ−ＧａＮ層までエッチ
ングしてそこにｎ電極を形成していたので、素子の形状
が複雑で活性層に近いｐ電極側をヒートシンクにボンデ
ィング（p−downボンディング）することができず、ｎ
電極側から冷却を行っていた。しかし、本発明の半導体
レーザ素子によれば、活性層に近いｐ電極側をヒートシ
ンクにボンディングすることが可能となり、冷却効果が
高まり、高出力発振下においても高品質な発振モードを
得ることができる。あるいはｎ電極側を下にしてボンデ
ィングする（n−downボンディング）ことも可能とな
る。さらには、両電極側をヒートシンクにボンディング
することが可能であり、冷却効果がさらに高まり、高出
力発振下においても高品質な発振モードを得ることがで
きる。
【００１４】また、半導体層のＧａＮ基板側にコンタク
ト層が形成されており、該コンタクト層と溝の表面に形
成された一方の電極とがオーミック接合となっているこ
とにより、素子抵抗を低減することができるので、発熱
による影響を抑制して、高品位なビームを得ることがで
きる。
ト層が形成されており、該コンタクト層と溝の表面に形
成された一方の電極とがオーミック接合となっているこ
とにより、素子抵抗を低減することができるので、発熱
による影響を抑制して、高品位なビームを得ることがで
きる。
【００１５】また、溝がＧａＮより熱伝導率が高い金属
により埋め込まれて、該溝が形成されている側の面が平
坦化されており、該平坦化された面にヒートシンクが接
合されていることにより、素子とヒートシンクが均一な
接合がなされているため、放熱性が向上し発熱の影響を
抑制することができる。また、埋め込まれる金属がＡｕ
であることにより、良好に放熱を行うことができる。
により埋め込まれて、該溝が形成されている側の面が平
坦化されており、該平坦化された面にヒートシンクが接
合されていることにより、素子とヒートシンクが均一な
接合がなされているため、放熱性が向上し発熱の影響を
抑制することができる。また、埋め込まれる金属がＡｕ
であることにより、良好に放熱を行うことができる。
【００１６】また、本発明の半導体レーザ装置によれ
ば、上記構成による本発明の半導体レーザ素子と、該半
導体レーザ素子の基板側に接合された、溝へ冷却媒質を
供給する供給通路および該溝から冷却媒質を排出させる
排出通路が形成されているヒートシンクと、両通路によ
り溝に冷却媒質を流通させる手段とを備えた構成である
ことにより、より効率良く放熱が可能であり、高出力発
振下においても高品質な発振モードを得ることができ
る。
ば、上記構成による本発明の半導体レーザ素子と、該半
導体レーザ素子の基板側に接合された、溝へ冷却媒質を
供給する供給通路および該溝から冷却媒質を排出させる
排出通路が形成されているヒートシンクと、両通路によ
り溝に冷却媒質を流通させる手段とを備えた構成である
ことにより、より効率良く放熱が可能であり、高出力発
振下においても高品質な発振モードを得ることができ
る。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を用いて詳細に説明する。
を用いて詳細に説明する。
【００１８】本発明の第１の実施の形態による半導体レ
ーザ素子についてその製造過程に沿って説明する。図１
にその半導体レーザ素子のＧａＮ基板の製造過程の断面
図を示し、図２にその半導体レーザ素子の出射光に垂直
な断面図を示し、図３にその半導体レーザ素子の側面図
を示す。なお、以下に示す半導体レーザ素子の各層の成
長用原料としては、トリメチルガリウム（TMG）、トリ
メチルインジュウム（TMI）、トリメチルアルミニウム
（TMA）とアンモニアを用い、n型ドーパントガスとして
シランガスを用い、p型ドーパントとしてシクロペンタ
ジエニルマグネシウム（Cp2Mg）を用いる。
ーザ素子についてその製造過程に沿って説明する。図１
にその半導体レーザ素子のＧａＮ基板の製造過程の断面
図を示し、図２にその半導体レーザ素子の出射光に垂直
な断面図を示し、図３にその半導体レーザ素子の側面図
を示す。なお、以下に示す半導体レーザ素子の各層の成
長用原料としては、トリメチルガリウム（TMG）、トリ
メチルインジュウム（TMI）、トリメチルアルミニウム
（TMA）とアンモニアを用い、n型ドーパントガスとして
シランガスを用い、p型ドーパントとしてシクロペンタ
ジエニルマグネシウム（Cp2Mg）を用いる。
【００１９】図１（ａ）に示すように、有機金属気相成
長法により（０００１）C面サファイア基板11上に、５
００℃で３０ｎｍの膜厚のＧａＮ低温層10を形成し、低
圧１００torrでＧａＮバッファ層12を２μm程度の膜厚
で形成する。その上に0.1μｍ厚のＳｉＯ2膜13をP-CVD
装置で形成し、フォトリソエッチングにより５μｍ幅ス
トライプを１０μｍ間隔でＳｉＯ2マスクパターンを形
成する。続いてＳｉＯ2マスクパターン上に厚さ２０μ
ｍ程度のＧａＮ膜14を成長させる。さらにHVPE（hydrid
e vapor phase epitaxy）法を用いて1000℃で厚さ200μ
ｍ程度のノンドープＧａＮ膜15を積層成長させる。
長法により（０００１）C面サファイア基板11上に、５
００℃で３０ｎｍの膜厚のＧａＮ低温層10を形成し、低
圧１００torrでＧａＮバッファ層12を２μm程度の膜厚
で形成する。その上に0.1μｍ厚のＳｉＯ2膜13をP-CVD
装置で形成し、フォトリソエッチングにより５μｍ幅ス
トライプを１０μｍ間隔でＳｉＯ2マスクパターンを形
成する。続いてＳｉＯ2マスクパターン上に厚さ２０μ
ｍ程度のＧａＮ膜14を成長させる。さらにHVPE（hydrid
e vapor phase epitaxy）法を用いて1000℃で厚さ200μ
ｍ程度のノンドープＧａＮ膜15を積層成長させる。
【００２０】サファイヤ基板11の裏面から、厚さｔの領
域を、切削および研磨して、HVPE法で成長したノンドー
プＧａＮ膜15を厚さ１５０μｍとする。図１（ｂ）に示
すように、この厚さ１５０μｍのＧａＮ層15を、ＧａＮ
基板15'とする。
域を、切削および研磨して、HVPE法で成長したノンドー
プＧａＮ膜15を厚さ１５０μｍとする。図１（ｂ）に示
すように、この厚さ１５０μｍのＧａＮ層15を、ＧａＮ
基板15'とする。
【００２１】次に、図２に示すように、上記のようにし
て作製したＧａＮ基板15'上に、ｎ−ＧａＮコンタクト
層16、ｎ−Ｇａ1-z1Ａｌz1Ｎ(厚さ2.5nm)/ＧａＮ超格子
クラッド層(厚さ2.5nm)17、ｎ−Ｇａ1-z2Ａｌz2Ｎ光導
波層18、Ｉｎx2Ｇａ1-x2Ｎ（Si-ドープ）/Ｉｎx1Ｇａ
1-x1Ｎ多重量子井戸活性層（0.5＞x1＞x2≧0）19、ｐ-
Ｇａ1-z3Ａｌz3Ｎキャリアブロッキング層20、p−Ｇａ
1-z2Ａｌz2Ｎ光導波層21、ｐ−Ｇａ1-z1Ａｌz1Ｎ(厚さ
2.5nm)/ＧａＮ(厚さ2.5nm)超格子クラッド層22、ｐ−Ｇ
ａＮコンタクト層23を成長する。引き続き、ＳｉＯ2膜2
4（図示せず）とレジスト25（図示せず）を形成し、通
常のリソグラフィーにより、幅１０μｍのリッジ溝の間
に、幅約２μｍのリッジ部が形成されるように、幅１０
μｍの２本のリッジ溝の領域のレジスト25（図示せず）
とＳｉＯ2膜24（図示せず）を除去する。RIE（反応性イ
オンエッチング）装置で選択エッチングによりｐ−Ｇａ
1-z1Ａｌz1Ｎ/ＧａＮ超格子クラッド層22の途中までエ
ッチングを行ってリッジ溝を２本形成する。このエッチ
ングによるクラッド層22の残し厚は、基本横モード発振
が達成できる厚みとする。レジスト25（図示せず）とＳ
ｉＯ2膜24（図示せず）を除去した後、絶縁膜26を形成
し、通常のフォトリソエッチング技術で、リッジ部上部
のＳｉＯ2膜26を幅約２μｍでエッチング除去し、電流
の注入領域を開口する。ｐ−ＧａＮコンタクト層23の表
面にＮｉ/Ａｕよりなるｐ電極27を形成する。
て作製したＧａＮ基板15'上に、ｎ−ＧａＮコンタクト
層16、ｎ−Ｇａ1-z1Ａｌz1Ｎ(厚さ2.5nm)/ＧａＮ超格子
クラッド層(厚さ2.5nm)17、ｎ−Ｇａ1-z2Ａｌz2Ｎ光導
波層18、Ｉｎx2Ｇａ1-x2Ｎ（Si-ドープ）/Ｉｎx1Ｇａ
1-x1Ｎ多重量子井戸活性層（0.5＞x1＞x2≧0）19、ｐ-
Ｇａ1-z3Ａｌz3Ｎキャリアブロッキング層20、p−Ｇａ
1-z2Ａｌz2Ｎ光導波層21、ｐ−Ｇａ1-z1Ａｌz1Ｎ(厚さ
2.5nm)/ＧａＮ(厚さ2.5nm)超格子クラッド層22、ｐ−Ｇ
ａＮコンタクト層23を成長する。引き続き、ＳｉＯ2膜2
4（図示せず）とレジスト25（図示せず）を形成し、通
常のリソグラフィーにより、幅１０μｍのリッジ溝の間
に、幅約２μｍのリッジ部が形成されるように、幅１０
μｍの２本のリッジ溝の領域のレジスト25（図示せず）
とＳｉＯ2膜24（図示せず）を除去する。RIE（反応性イ
オンエッチング）装置で選択エッチングによりｐ−Ｇａ
1-z1Ａｌz1Ｎ/ＧａＮ超格子クラッド層22の途中までエ
ッチングを行ってリッジ溝を２本形成する。このエッチ
ングによるクラッド層22の残し厚は、基本横モード発振
が達成できる厚みとする。レジスト25（図示せず）とＳ
ｉＯ2膜24（図示せず）を除去した後、絶縁膜26を形成
し、通常のフォトリソエッチング技術で、リッジ部上部
のＳｉＯ2膜26を幅約２μｍでエッチング除去し、電流
の注入領域を開口する。ｐ−ＧａＮコンタクト層23の表
面にＮｉ/Ａｕよりなるｐ電極27を形成する。
【００２２】次に、ＧａＮ基板15'の表面に、フォトリ
ソ法でｐ電極面に形成された電流注入領域と対応する領
域に平行に１００μｍ幅のストライプ開口部を形成し、
Ｃｌ 2ガスを用いたECRドライエッチング法を用いてｎ−
ＧａＮコンタクト層16までエッチングを行う。レジスト
剥離後、溝内部からＧａＮ基板15'の表面にＴｉ/Ａｌよ
りなるｎ電極28を形成する。図３に示すように、上記の
ようにして作製された試料をへき開してできた共振器面
に高反射率コート29および無反射コート30を行い、チッ
プ化して半導体レーザ素子を作製する。その後、半導体
レーザ素子のｐ電極27側の面をヒートシンク32にＡｕＳ
ｎロウ材31を用いてボンディングする。
ソ法でｐ電極面に形成された電流注入領域と対応する領
域に平行に１００μｍ幅のストライプ開口部を形成し、
Ｃｌ 2ガスを用いたECRドライエッチング法を用いてｎ−
ＧａＮコンタクト層16までエッチングを行う。レジスト
剥離後、溝内部からＧａＮ基板15'の表面にＴｉ/Ａｌよ
りなるｎ電極28を形成する。図３に示すように、上記の
ようにして作製された試料をへき開してできた共振器面
に高反射率コート29および無反射コート30を行い、チッ
プ化して半導体レーザ素子を作製する。その後、半導体
レーザ素子のｐ電極27側の面をヒートシンク32にＡｕＳ
ｎロウ材31を用いてボンディングする。
【００２３】上記各層のＡｌＧａＮの組成は、1＞z1＞z
2≧0、1＞z3＞z2の関係を満足することが望ましい。
2≧0、1＞z3＞z2の関係を満足することが望ましい。
【００２４】また、リッジ溝部での垂直方向に伝搬する
光の等価屈折率をｎAとし、リッジ部の垂直方向に伝搬
する光の等価屈折率をｎBとし、リッジ溝の下部のクラ
ッド層の厚みを制御することにより、ｎB-ｎA で表され
る等価屈折率を、7×10-3＞ｎB-ｎA＞1.5×10-3の範囲
で制御できる。
光の等価屈折率をｎAとし、リッジ部の垂直方向に伝搬
する光の等価屈折率をｎBとし、リッジ溝の下部のクラ
ッド層の厚みを制御することにより、ｎB-ｎA で表され
る等価屈折率を、7×10-3＞ｎB-ｎA＞1.5×10-3の範囲
で制御できる。
【００２５】本実施の形態による半導体レーザ素子は、
図３に示すように、ＧａＮ基板15'に形成された溝は、
リッジ部に形成された電流注入領域に対応する領域に、
該電流注入領域の幅（２μｍ）よりも広い１００μｍの
幅で、反射膜コートが施された一方の端面から他方の端
面までの長さで形成されている。
図３に示すように、ＧａＮ基板15'に形成された溝は、
リッジ部に形成された電流注入領域に対応する領域に、
該電流注入領域の幅（２μｍ）よりも広い１００μｍの
幅で、反射膜コートが施された一方の端面から他方の端
面までの長さで形成されている。
【００２６】また、この半導体レーザ素子は、溝の表面
にｎ電極28が形成されており、ｐ電極27から真直ぐ下の
方向にｎ電極28が位置しているので、ｐ電極27側から注
入された電流が活性層へ均一に流れ、安定して光密度が
ガウス型分布を有する発振ビームを得ることが可能とな
る。また、ｎ電極28がｎ−ＧａＮコンタクト層16と直に
コンタクトを形成していることにより、コンタクト抵抗
を低減できるので、素子の発熱を低減することができ
る。
にｎ電極28が形成されており、ｐ電極27から真直ぐ下の
方向にｎ電極28が位置しているので、ｐ電極27側から注
入された電流が活性層へ均一に流れ、安定して光密度が
ガウス型分布を有する発振ビームを得ることが可能とな
る。また、ｎ電極28がｎ−ＧａＮコンタクト層16と直に
コンタクトを形成していることにより、コンタクト抵抗
を低減できるので、素子の発熱を低減することができ
る。
【００２７】また、ヒートシンクへのボンディングが活
性層に近いｐ電極面において行うことが可能であるの
で、素子の発熱の冷却効果が従来のｎ電極面の実装に比
べて高く、高出力発振下においても、光密度がガウス型
分布を有する高品質なレーザ発光を実現することが可能
である。
性層に近いｐ電極面において行うことが可能であるの
で、素子の発熱の冷却効果が従来のｎ電極面の実装に比
べて高く、高出力発振下においても、光密度がガウス型
分布を有する高品質なレーザ発光を実現することが可能
である。
【００２８】また、絶縁膜26としてＳｉＯ2の他にＳｉ
Ｎを用いてもよい。ＳｉＮを用いた場合、膜がより緻密
であるので、欠陥などによるリーク電流を低減させるこ
とが可能であり、歩留まりを向上させることができる。
Ｎを用いてもよい。ＳｉＮを用いた場合、膜がより緻密
であるので、欠陥などによるリーク電流を低減させるこ
とが可能であり、歩留まりを向上させることができる。
【００２９】また、さらに活性層に近いところにｎ電極
が形成されているので、冷却効果が高く、高出力発振下
においても高い信頼性を得ることができる。
が形成されているので、冷却効果が高く、高出力発振下
においても高い信頼性を得ることができる。
【００３０】次に本発明の第２の実施の形態による半導
体レーザ素子についてその製造方法に沿って説明する。
図４にその半導体レーザ素子の出射光に垂直な断面図を
示し、図５にその半導体レーザ素子の側面図を示す。半
導体レーザ素子の各層の成長用原料として、トリメチル
ガリウム（TMG）、トリメチルインジュウム（TMI）、ト
リメチルアルミニウム（TMA）とアンモニアを用い、n型
ドーパントガスとしてシランガスを用い、p型ドーパン
トとしてシクロペンタジエニルマグネシウム（Cp2Mg）
を用いる。ＧａＮ基板として上記第１の実施の形態で作
製されたＧａＮ基板15'を用いる。
体レーザ素子についてその製造方法に沿って説明する。
図４にその半導体レーザ素子の出射光に垂直な断面図を
示し、図５にその半導体レーザ素子の側面図を示す。半
導体レーザ素子の各層の成長用原料として、トリメチル
ガリウム（TMG）、トリメチルインジュウム（TMI）、ト
リメチルアルミニウム（TMA）とアンモニアを用い、n型
ドーパントガスとしてシランガスを用い、p型ドーパン
トとしてシクロペンタジエニルマグネシウム（Cp2Mg）
を用いる。ＧａＮ基板として上記第１の実施の形態で作
製されたＧａＮ基板15'を用いる。
【００３１】図４に示すように、ＧａＮ基板15'の上
に、ｎ−ＧａＮコンタクト層46、ｎ−Ｇａ1-z1Ａｌz１
Ｎ(厚さ2.5nm)/ＧａＮ超格子クラッド層(厚さ2.5nm)4
7、ｎ−Ｇａ1-z2Ａｌz2Ｎ光導波層48、Ｉｎx2Ｇａ1-x2
Ｎ（Si-ドープ）/Ｉｎx1Ｇａ1-x1Ｎ多重量子井戸活性層
（0.5＞x1＞ｘ2≧0）49、ｐ-Ｇａ1-z3Ａｌz3Ｎキャリア
ブロッキング層50、p−Ｇａ1-z2Ａｌz2Ｎ光導波層51、
ｐ−Ｇａ1-z1Ａｌz1Ｎ(厚さ2.5nm)/ＧａＮ(厚さ2.5nm)
超格子クラッド層52、ｐ−ＧａＮコンタクト層53を成長
する。引き続き、SiO2膜54（図示せず）とレジスト55
（図示せず）を形成し、通常のリソグラフィーにより、
幅１０μｍのリッジ溝の間に、幅約５０μｍのリッジ部
が形成されるように、幅１０μｍの２本のリッジ溝の領
域のレジスト54（図示せず）とSiO2膜55（図示せず）を
除去する。RIE（反応性イオンエッチング）装置で選択
エッチングによりｐ−Ｇａ1-z1Ａｌz1Ｎ/ＧａＮ超格子
クラッド層52の途中までエッチングを行ってリッジ溝を
形成する。このエッチングのクラッド層残し厚は、基本
横モード発振が達成できる厚みとする。レジスト54（図
示せず）とSiO2膜55（図示せず）を除去した後、ＳｉＯ
2膜56を形成し、通常のフォトリソエッチング技術でリ
ッジ部の幅５０μｍのＳｉＯ2膜56をエッチングにより
除去し、電流の注入領域を開口する。ｐ−ＧａＮコンタ
クト層53の表面にＮｉ/Ａｕよりなるｐ電極57を形成す
る。
に、ｎ−ＧａＮコンタクト層46、ｎ−Ｇａ1-z1Ａｌz１
Ｎ(厚さ2.5nm)/ＧａＮ超格子クラッド層(厚さ2.5nm)4
7、ｎ−Ｇａ1-z2Ａｌz2Ｎ光導波層48、Ｉｎx2Ｇａ1-x2
Ｎ（Si-ドープ）/Ｉｎx1Ｇａ1-x1Ｎ多重量子井戸活性層
（0.5＞x1＞ｘ2≧0）49、ｐ-Ｇａ1-z3Ａｌz3Ｎキャリア
ブロッキング層50、p−Ｇａ1-z2Ａｌz2Ｎ光導波層51、
ｐ−Ｇａ1-z1Ａｌz1Ｎ(厚さ2.5nm)/ＧａＮ(厚さ2.5nm)
超格子クラッド層52、ｐ−ＧａＮコンタクト層53を成長
する。引き続き、SiO2膜54（図示せず）とレジスト55
（図示せず）を形成し、通常のリソグラフィーにより、
幅１０μｍのリッジ溝の間に、幅約５０μｍのリッジ部
が形成されるように、幅１０μｍの２本のリッジ溝の領
域のレジスト54（図示せず）とSiO2膜55（図示せず）を
除去する。RIE（反応性イオンエッチング）装置で選択
エッチングによりｐ−Ｇａ1-z1Ａｌz1Ｎ/ＧａＮ超格子
クラッド層52の途中までエッチングを行ってリッジ溝を
形成する。このエッチングのクラッド層残し厚は、基本
横モード発振が達成できる厚みとする。レジスト54（図
示せず）とSiO2膜55（図示せず）を除去した後、ＳｉＯ
2膜56を形成し、通常のフォトリソエッチング技術でリ
ッジ部の幅５０μｍのＳｉＯ2膜56をエッチングにより
除去し、電流の注入領域を開口する。ｐ−ＧａＮコンタ
クト層53の表面にＮｉ/Ａｕよりなるｐ電極57を形成す
る。
【００３２】次に、ＧａＮ基板15'にフォトリソ法によ
り、ｐ電極57面に形成された電流注入領域と対応する領
域に平行に２００μｍ幅の開口部を形成し、Ｃｌ2ガス
を用いたＥＣＲドライエッチング法を用いてｎ−ＧａＮ
コンタクト層46までエッチングを行う。図５に示すよう
に、溝は一方の端面から他方の端面の間の一部に、側面
から見てメサ状（破線で示す）に形成されている。
り、ｐ電極57面に形成された電流注入領域と対応する領
域に平行に２００μｍ幅の開口部を形成し、Ｃｌ2ガス
を用いたＥＣＲドライエッチング法を用いてｎ−ＧａＮ
コンタクト層46までエッチングを行う。図５に示すよう
に、溝は一方の端面から他方の端面の間の一部に、側面
から見てメサ状（破線で示す）に形成されている。
【００３３】次に、レジスト剥離した後、溝内部からＧ
ａＮ基板15'の裏面までＴｉ/Ａｌよりなるｎ電極58を形
成する。その後、特開平10-22574号に示されるようなＡ
ｕ材を含んだ溶媒をスピン塗布法で、溝を埋め込んだ
後、約400℃で３０分のアニーリングを行う。これによ
り溝部が平坦に埋め込まれたＡｕ層33が形成される。試
料をへき開して形成した共振器面に高反射率コート59、
無反射コート60を行い、その後、チップ化して半導体レ
ーザ素子61を作製する。その後、ヒートシンク32にＡｕ
Ｓｎロウ材31を用いてｎ電極58側面をボンディングす
る。
ａＮ基板15'の裏面までＴｉ/Ａｌよりなるｎ電極58を形
成する。その後、特開平10-22574号に示されるようなＡ
ｕ材を含んだ溶媒をスピン塗布法で、溝を埋め込んだ
後、約400℃で３０分のアニーリングを行う。これによ
り溝部が平坦に埋め込まれたＡｕ層33が形成される。試
料をへき開して形成した共振器面に高反射率コート59、
無反射コート60を行い、その後、チップ化して半導体レ
ーザ素子61を作製する。その後、ヒートシンク32にＡｕ
Ｓｎロウ材31を用いてｎ電極58側面をボンディングす
る。
【００３４】上記各層のＡｌＧａＮの組成は、1＞z1＞z
2≧0、1＞z3＞z2の関係を満足することが望ましい。
2≧0、1＞z3＞z2の関係を満足することが望ましい。
【００３５】また、リッジ溝部での垂直方向に伝搬する
光の等価屈折率をｎAとし、リッジ部の垂直方向に伝搬
する光の等価屈折率をｎBとし、リッジ溝の下部のクラ
ッド層の厚みを制御することにより、ｎB-ｎA で表され
る等価屈折率を、7×10-3＞ｎB-ｎA＞1.5×10-3の範囲
で制御できる。
光の等価屈折率をｎAとし、リッジ部の垂直方向に伝搬
する光の等価屈折率をｎBとし、リッジ溝の下部のクラ
ッド層の厚みを制御することにより、ｎB-ｎA で表され
る等価屈折率を、7×10-3＞ｎB-ｎA＞1.5×10-3の範囲
で制御できる。
【００３６】本実施の形態における半導体レーザ装置に
おいても、ｎ電極をＧａＮ基板15'を部分的にエッチン
グし露出されたｎ−ＧａＮコンタクト層46と直にコンタ
クトを形成することによって、ｐ電極57側から注入され
た電流が活性層に均一に流れる。そのため、５０μｍ幅
のリッジストライプを有する高出力な半導体レーザ素子
においても、マルチモード発振ながら低雑音な発振特性
が得られることが可能となる。さらに、ＧａＮ基板15'
に形成された溝はＡｕ材で埋め込まれ平坦化されている
ためヒートシンクへのボンディングが均一に行われるの
で、素子の発熱の冷却効果が高く、高出力発振下でも高
信頼性なレーザ発光を実現することが可能となる。
おいても、ｎ電極をＧａＮ基板15'を部分的にエッチン
グし露出されたｎ−ＧａＮコンタクト層46と直にコンタ
クトを形成することによって、ｐ電極57側から注入され
た電流が活性層に均一に流れる。そのため、５０μｍ幅
のリッジストライプを有する高出力な半導体レーザ素子
においても、マルチモード発振ながら低雑音な発振特性
が得られることが可能となる。さらに、ＧａＮ基板15'
に形成された溝はＡｕ材で埋め込まれ平坦化されている
ためヒートシンクへのボンディングが均一に行われるの
で、素子の発熱の冷却効果が高く、高出力発振下でも高
信頼性なレーザ発光を実現することが可能となる。
【００３７】なお、本実施の形態による半導体レーザ素
子においては、溝の形状はＧａＮ基板を下にしてメサ形
状であるが、この形状に限定されるものではなく、逆メ
サ形状あるいは矩形状の溝であってもよい。
子においては、溝の形状はＧａＮ基板を下にしてメサ形
状であるが、この形状に限定されるものではなく、逆メ
サ形状あるいは矩形状の溝であってもよい。
【００３８】次に本発明の第３の実施の形態による半導
体レーザ装置について説明する。図６にその半導体レー
ザ装置の出射光に垂直な断面図を示す。本実施の形態に
よる半導体レーザ装置は、上記第２の実施の形態による
半導体レーザ素子61に冷却媒質の通路を備えたヒートシ
ンクと冷却媒質を流通させる手段とを備えたものであ
る。
体レーザ装置について説明する。図６にその半導体レー
ザ装置の出射光に垂直な断面図を示す。本実施の形態に
よる半導体レーザ装置は、上記第２の実施の形態による
半導体レーザ素子61に冷却媒質の通路を備えたヒートシ
ンクと冷却媒質を流通させる手段とを備えたものであ
る。
【００３９】図６に示すように、本実施の形態による半
導体レーザ装置は、上記半導体レーザ素子61と、半導体
レーザ素子61のｎ電極58側の表面がＡｕＳｎロウ材31に
より接合されたヒートシンク70と、該ヒートシンクを貫
通する冷媒供給通路70ａおよび冷媒排出通路70ｂにそれ
ぞれ接続された絶縁チューブ71ａおよび71ｂと、該チュ
ーブに接続されたサーキュレーター72とからなるもので
ある。
導体レーザ装置は、上記半導体レーザ素子61と、半導体
レーザ素子61のｎ電極58側の表面がＡｕＳｎロウ材31に
より接合されたヒートシンク70と、該ヒートシンクを貫
通する冷媒供給通路70ａおよび冷媒排出通路70ｂにそれ
ぞれ接続された絶縁チューブ71ａおよび71ｂと、該チュ
ーブに接続されたサーキュレーター72とからなるもので
ある。
【００４０】この半導体レーザ装置においては、ＧａＮ
基板15'に形成されたメサ状の溝がヒートシンク70によ
って閉じられて、この溝がｎ電極58およびヒートシンク
70を通路壁とする冷却媒質通路を構成している。この冷
却媒質通路には、上記サーキュレーター72によって循環
される冷却媒質73が流通し、この冷却媒質73によって半
導体レーザ素子61が冷却される。溝中の矢印は、冷却媒
質73の大まかな流れの向きを示している。なお冷却媒体
73としては、例えば水、もしくはそれに準じるものが好
適に利用可能である。
基板15'に形成されたメサ状の溝がヒートシンク70によ
って閉じられて、この溝がｎ電極58およびヒートシンク
70を通路壁とする冷却媒質通路を構成している。この冷
却媒質通路には、上記サーキュレーター72によって循環
される冷却媒質73が流通し、この冷却媒質73によって半
導体レーザ素子61が冷却される。溝中の矢印は、冷却媒
質73の大まかな流れの向きを示している。なお冷却媒体
73としては、例えば水、もしくはそれに準じるものが好
適に利用可能である。
【００４１】この構造においては、冷却媒質73が半導体
レーザ素子61およびヒートシンク70に直接接して流れ
る。そこで、半導体レーザ素子61からヒートシンク70へ
の放熱がこの冷却媒質73を介して十分良好になされるよ
うになり、半導体レーザ素子61の（より具体的には量子
井戸活性層近傍の）温度上昇が抑制されて、高出力発振
下においても高い信頼性が得られる。
レーザ素子61およびヒートシンク70に直接接して流れ
る。そこで、半導体レーザ素子61からヒートシンク70へ
の放熱がこの冷却媒質73を介して十分良好になされるよ
うになり、半導体レーザ素子61の（より具体的には量子
井戸活性層近傍の）温度上昇が抑制されて、高出力発振
下においても高い信頼性が得られる。
【００４２】また、さらにｐ電極57側の表面にもヒート
シンクが接合されていてもよい。
シンクが接合されていてもよい。
【００４３】本発明の半導体レーザ素子および装置は、
低出力から高出力までガウス型分布の高品位でかつ高信
頼性なビームを発するので、高速な情報・画像処理及び
通信、計測、医療、印刷の分野での光源として応用可能
である。
低出力から高出力までガウス型分布の高品位でかつ高信
頼性なビームを発するので、高速な情報・画像処理及び
通信、計測、医療、印刷の分野での光源として応用可能
である。
【図１】ＧａＮ基板の作製過程を示す断面図
【図２】本発明の第１の実施の形態による半導体レーザ
素子を示す、出射光に垂直な断面図
素子を示す、出射光に垂直な断面図
【図３】本発明の第１の実施の形態による半導体レーザ
素子を示す側面図
素子を示す側面図
【図４】本発明の第２の実施の形態による半導体レーザ
素子を示す、出射光に垂直な断面図
素子を示す、出射光に垂直な断面図
【図５】本発明の第２の実施の形態による半導体レーザ
素子を示す側面図
素子を示す側面図
【図６】本発明の第３の実施の形態による半導体レーザ
装置を示す、出射光に垂直な断面図
装置を示す、出射光に垂直な断面図
11 （０００１）C面サファイア基板 10 ＧａＮ低温層 12 ＧａＮバッファ層 13 SiO2膜 14 ＧａＮ層 15 ノンドープＧａＮ層 15' ＧａＮ基板 16 ｎ−ＧａＮコンタクト層 17 ｎ−Ｇａ1-z1Ａｌz1Ｎ/ＧａＮ超格子クラッド層 18 ｎ−Ｇａ1-z2Ａｌz2Ｎ光導波層 19 Ｉｎx2Ｇａ1-x2Ｎ/Ｉｎx1Ｇａ1-x1Ｎ多重量子井
戸活性層 20 ｐ-Ｇａ1-z3Ａｌz3Ｎキャリアブロッキング層 21 p−Ｇａ1-z2Ａｌz2Ｎ光導波層 22 ｐ−Ｇａ1-z1Ａｌz1Ｎ/ＧａＮ超格子クラッド層 23 ｐ−ＧａＮコンタクト層 26 絶縁膜 27 ｐ電極 28 ｎ電極 31 ＡｕＳｎロウ材 32 ヒートシンク
戸活性層 20 ｐ-Ｇａ1-z3Ａｌz3Ｎキャリアブロッキング層 21 p−Ｇａ1-z2Ａｌz2Ｎ光導波層 22 ｐ−Ｇａ1-z1Ａｌz1Ｎ/ＧａＮ超格子クラッド層 23 ｐ−ＧａＮコンタクト層 26 絶縁膜 27 ｐ電極 28 ｎ電極 31 ＡｕＳｎロウ材 32 ヒートシンク
フロントページの続き (72)発明者 福永 敏明 神奈川県足柄上郡開成町宮台798番地 富 士写真フイルム株式会社内 Ｆターム(参考） 5F036 BB01 BB41 5F073 AA11 AA45 AA61 AA74 AA77 AA83 AB18 BA06 BA07 CB02 DA30 EA19 EA20 EA24 FA26
Claims (5)
- 【請求項１】 一対の電極の一方を備えたＧａＮ基板上
に、少なくとも活性層を含むＧａＮ系の半導体からなる
半導体層と他方の電極とがこの順に積層されてなり、前
記半導体層に電流の注入領域が形成されている半導体レ
ーザ素子において、 前記ＧａＮ基板の前記電流の注入領域と対応する領域
に、該基板の前記半導体層が形成されている面と反対側
の面から前記半導体層に至るまでの深さで溝が形成され
ており、該溝の表面に前記一方の電極が形成されている
ことを特徴とする半導体レーザ素子。 - 【請求項２】 前記半導体層の前記ＧａＮ基板側にコン
タクト層が形成されており、該コンタクト層と前記溝の
表面に形成された一方の電極とがオーミック接合されて
いることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ素
子。 - 【請求項３】 前記溝に前記ＧａＮより熱伝導率が高い
金属が埋め込まれて該溝が形成されている側の面が平坦
化されており、該平坦化された面にヒートシンクが接合
されていることを特徴とする請求項１または２記載の半
導体レーザ素子。 - 【請求項４】 前記金属がＡｕであることを特徴とする
請求項３記載の半導体レーザ素子。 - 【請求項５】 請求項１または２記載の半導体レーザ素
子と、 該半導体レーザ素子の前記ＧａＮ基板側に接合された、
前記溝へ冷却媒質を供給する供給通路および該溝から前
記冷却媒質を排出させる排出通路が形成されているヒー
トシンクと、 前記両通路により前記溝に冷却媒質を流通させる手段と
を備えたことを特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001045118A JP2002158393A (ja) | 2000-09-11 | 2001-02-21 | 半導体レーザ素子および半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000-274774 | 2000-09-11 | ||
| JP2000274774 | 2000-09-11 | ||
| JP2001045118A JP2002158393A (ja) | 2000-09-11 | 2001-02-21 | 半導体レーザ素子および半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002158393A true JP2002158393A (ja) | 2002-05-31 |
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ID=26599636
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001045118A Pending JP2002158393A (ja) | 2000-09-11 | 2001-02-21 | 半導体レーザ素子および半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002158393A (ja) |
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| JP2009099655A (ja) * | 2007-10-15 | 2009-05-07 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | ワイドギャップ半導体チップの鉛フリー半田付け方法 |
| JP2009521115A (ja) * | 2005-12-23 | 2009-05-28 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 犠牲相互接続部を用いたオンチップ相互接続スタック冷却 |
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| JP2011119521A (ja) * | 2009-12-04 | 2011-06-16 | Sharp Corp | 半導体レーザチップ、半導体レーザ装置および半導体レーザチップの製造方法 |
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-
2001
- 2001-02-21 JP JP2001045118A patent/JP2002158393A/ja active Pending
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