JP2002232061A - 半導体レーザ装置の製造方法および半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置の製造方法および半導体レーザ装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 発光点相互の間隔を狭くしてもチップ分離の
際にチップが欠けたりクラックが発生したりして歩留ま
りを低下させることがなく、放熱が悪くなることもな
く、複数のレーザビームの相対角度ずれが生ずることを
抑えることができる半導体レーザ装置の製造方法および
半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】 複数個の半導体レーザバーを所定の重ね
方法で上下に重ね、複数個の半導体レーザバーの各へき
開端面を所定の平面に揃えて各半導体レーザバーを相互
にボンディングすることができる。所定の重ね方法とし
ては、ストライプ側を下にしてｙ軸方向に上下に重ねる
方法またはストライプ側が接着面となるようにｙ軸方向
に上下に重ねる方法等を用いることができる。さらに、
放熱を良くするために半導体レーザバーと半導体レーザ
バーとの間にサブマウント材を挟んだ構造を用いること
ができる。半導体レーザバーを相互にz軸方向へずらし
て実装することもできる。
際にチップが欠けたりクラックが発生したりして歩留ま
りを低下させることがなく、放熱が悪くなることもな
く、複数のレーザビームの相対角度ずれが生ずることを
抑えることができる半導体レーザ装置の製造方法および
半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】 複数個の半導体レーザバーを所定の重ね
方法で上下に重ね、複数個の半導体レーザバーの各へき
開端面を所定の平面に揃えて各半導体レーザバーを相互
にボンディングすることができる。所定の重ね方法とし
ては、ストライプ側を下にしてｙ軸方向に上下に重ねる
方法またはストライプ側が接着面となるようにｙ軸方向
に上下に重ねる方法等を用いることができる。さらに、
放熱を良くするために半導体レーザバーと半導体レーザ
バーとの間にサブマウント材を挟んだ構造を用いること
ができる。半導体レーザバーを相互にz軸方向へずらし
て実装することもできる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体レーザ装置の
製造方法および半導体レーザ装置に関し、特に光ディス
クシステムまたは光通信におけるハイブリッド型マルチ
ビーム半導体レーザ装置の製造方法および当該半導体レ
ーザ装置に関する。
製造方法および半導体レーザ装置に関し、特に光ディス
クシステムまたは光通信におけるハイブリッド型マルチ
ビーム半導体レーザ装置の製造方法および当該半導体レ
ーザ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、波長が７８０ｎｍ帯と６５０ｎｍ
帯との２波長半導体レーザ装置は１００〜１５０ｎｍ程
度のビーム間隔で横並びに配置して組み立てていた。図
１1は、従来の２波長半導体レーザ装置について、Ｊ−
Ｄｏｗｎ（ジャンクション−ダウン）組立の場合の構造
の一例を示す。
帯との２波長半導体レーザ装置は１００〜１５０ｎｍ程
度のビーム間隔で横並びに配置して組み立てていた。図
１1は、従来の２波長半導体レーザ装置について、Ｊ−
Ｄｏｗｎ（ジャンクション−ダウン）組立の場合の構造
の一例を示す。
【０００３】図１１において、符号１はブロック材、２
はサブマウント材であり熱伝導率が大きくて半導体レー
ザ装置に熱的ストレスがかからないように半導体レーザ
装置と線膨張率がなるべく等しい材料が用いられる。符
号３は半導体レーザ装置１、４は半導体レーザ装置２、
５ａ、５ｂ、５ｃは半導体レーザ装置１（３）または半
導体レーザ装置２（４）を配線するためのワイヤ、６は
半導体レーザ装置１（３）または半導体レーザ装置２
（４）から出射されるレーザ光のモードを安定化させる
ための幅狭い構造を有するストライプ、７は半導体レー
ザ装置１（３）または半導体レーザ装置２（４）の基
板、８は半導体レーザ装置１（３）または半導体レーザ
装置２（４）から出射されるレーザ光の発光点である。
はサブマウント材であり熱伝導率が大きくて半導体レー
ザ装置に熱的ストレスがかからないように半導体レーザ
装置と線膨張率がなるべく等しい材料が用いられる。符
号３は半導体レーザ装置１、４は半導体レーザ装置２、
５ａ、５ｂ、５ｃは半導体レーザ装置１（３）または半
導体レーザ装置２（４）を配線するためのワイヤ、６は
半導体レーザ装置１（３）または半導体レーザ装置２
（４）から出射されるレーザ光のモードを安定化させる
ための幅狭い構造を有するストライプ、７は半導体レー
ザ装置１（３）または半導体レーザ装置２（４）の基
板、８は半導体レーザ装置１（３）または半導体レーザ
装置２（４）から出射されるレーザ光の発光点である。
【０００４】図１１に示されるように、Ｊ−Ｄｏｗｎ
（ジャンクション−ダウン）組立の場合、半導体レーザ
装置１（３）または半導体レーザ装置２（４）の基板７
側が図１上で上側になる。一方、ストライプ６側が図１
上で下側となってサブマウント材２上に接着（ボンディ
ング）される。したがって、発光点８の位置に示される
ようにレーザ光は半導体レーザ装置１（３）または半導
体レーザ装置２（４）の下側から出射される。基板７側
の２つの素子のワイヤ５aはいずれも基板７側にボンデ
ィングされる。半導体レーザ装置１（３）または半導体
レーザ装置２（４）のストライプ６側電極から引き出さ
れたサブマウント材２上のパターニング・メタライズ部
にワイヤボンドされたワイヤ５ｂ、５ｃは、各々パッケ
ージの別のピンに接続され、個別駆動できるようになっ
ている。半導体レーザ装置１（３）と半導体レーザ装置
２（４）との間隔Ｌ１、すなわちチップとチップとの間
隔Ｌ１は最低でも２０〜３０μｍ必要であった。
（ジャンクション−ダウン）組立の場合、半導体レーザ
装置１（３）または半導体レーザ装置２（４）の基板７
側が図１上で上側になる。一方、ストライプ６側が図１
上で下側となってサブマウント材２上に接着（ボンディ
ング）される。したがって、発光点８の位置に示される
ようにレーザ光は半導体レーザ装置１（３）または半導
体レーザ装置２（４）の下側から出射される。基板７側
の２つの素子のワイヤ５aはいずれも基板７側にボンデ
ィングされる。半導体レーザ装置１（３）または半導体
レーザ装置２（４）のストライプ６側電極から引き出さ
れたサブマウント材２上のパターニング・メタライズ部
にワイヤボンドされたワイヤ５ｂ、５ｃは、各々パッケ
ージの別のピンに接続され、個別駆動できるようになっ
ている。半導体レーザ装置１（３）と半導体レーザ装置
２（４）との間隔Ｌ１、すなわちチップとチップとの間
隔Ｌ１は最低でも２０〜３０μｍ必要であった。
【０００５】図１２は、従来の２波長半導体レーザ装置
について、Ｊ−Ｕｐ（ジャンクション−アップ）組立の
場合の構造の一例を示す。図１２で図１１と同じ符号を
付した箇所は同じ要素を指すため説明は省略する。図１
２に示されるように、半導体レーザ装置１（３）と半導
体レーザ装置２（４）との間隔、すなわちチップとチッ
プとの間隔Ｌ１は最低でも２０〜３０μｍの間隔が必要
であった。半導体レーザ装置１（３）または半導体レー
ザ装置２（４）のストライプ６側が図２上で上側にな
る。一方、基板７側が図２上で下側となってサブマウン
ト材２上に接着（ボンディング）される。したがって、
発光点８の位置に示されるようにレーザ光は半導体レー
ザ装置１（３）または半導体レーザ装置２（４）の上側
から出射される。ストライプ６側の２つのワイヤ５ａは
各々パッケージの別のピンに接続され、個別駆動できる
ようになっており、基板７側は共通の極性を有してい
る。図２の場合も、半導体レーザ装置１（３）と半導体
レーザ装置２（４）との間隔Ｌ１、すなわちチップとチ
ップとの間隔Ｌ１は最低でも２０〜３０μｍ必要であっ
た。
について、Ｊ−Ｕｐ（ジャンクション−アップ）組立の
場合の構造の一例を示す。図１２で図１１と同じ符号を
付した箇所は同じ要素を指すため説明は省略する。図１
２に示されるように、半導体レーザ装置１（３）と半導
体レーザ装置２（４）との間隔、すなわちチップとチッ
プとの間隔Ｌ１は最低でも２０〜３０μｍの間隔が必要
であった。半導体レーザ装置１（３）または半導体レー
ザ装置２（４）のストライプ６側が図２上で上側にな
る。一方、基板７側が図２上で下側となってサブマウン
ト材２上に接着（ボンディング）される。したがって、
発光点８の位置に示されるようにレーザ光は半導体レー
ザ装置１（３）または半導体レーザ装置２（４）の上側
から出射される。ストライプ６側の２つのワイヤ５ａは
各々パッケージの別のピンに接続され、個別駆動できる
ようになっており、基板７側は共通の極性を有してい
る。図２の場合も、半導体レーザ装置１（３）と半導体
レーザ装置２（４）との間隔Ｌ１、すなわちチップとチ
ップとの間隔Ｌ１は最低でも２０〜３０μｍ必要であっ
た。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、従来の
組立方法では、半導体レーザ装置（チップ）と半導体レ
ーザ装置（チップ）との間隔は最低でも２０〜３０μｍ
必要であるため、発光点８相互の間隔Ｌ２を狭くしよう
とすればするほど発光点８の位置をチップ分離端近くに
置かざるを得なかった。この結果、チップ分離の際にチ
ップが欠けたりクラックが発生したりして歩留まりを低
下させる要因となっていた。放熱が悪くなるため、発光
点８相互の間隔Ｌ２を狭くすることが困難であるという
問題があった。さらに、１チップずつボンディングする
ため、２つのレーザビームの相対角度ずれが生じやすい
という問題があった。
組立方法では、半導体レーザ装置（チップ）と半導体レ
ーザ装置（チップ）との間隔は最低でも２０〜３０μｍ
必要であるため、発光点８相互の間隔Ｌ２を狭くしよう
とすればするほど発光点８の位置をチップ分離端近くに
置かざるを得なかった。この結果、チップ分離の際にチ
ップが欠けたりクラックが発生したりして歩留まりを低
下させる要因となっていた。放熱が悪くなるため、発光
点８相互の間隔Ｌ２を狭くすることが困難であるという
問題があった。さらに、１チップずつボンディングする
ため、２つのレーザビームの相対角度ずれが生じやすい
という問題があった。
【０００７】そこで、本発明の目的は、上記問題を解決
するためになされたものであり、発光点相互の間隔を狭
くしてもチップ分離の際にチップが欠けたりクラックが
発生したりして歩留まりを低下させることがなく、放熱
が悪くなることもない半導体レーザ装置の製造方法およ
び半導体レーザ装置を提供することにある。
するためになされたものであり、発光点相互の間隔を狭
くしてもチップ分離の際にチップが欠けたりクラックが
発生したりして歩留まりを低下させることがなく、放熱
が悪くなることもない半導体レーザ装置の製造方法およ
び半導体レーザ装置を提供することにある。
【０００８】さらに本発明の目的は、２つのレーザビー
ムの相対角度ずれが生ずることを抑えることができる半
導体レーザ装置の製造方法および半導体レーザ装置を提
供することにある。
ムの相対角度ずれが生ずることを抑えることができる半
導体レーザ装置の製造方法および半導体レーザ装置を提
供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明の半導体レーザ
装置の製造方法は、複数個の半導体レーザバーを所定の
重ね方法で上下に重ねる重ね工程と、上下に重ねられた
複数個の半導体レーザバーの各へき開端面を所定の平面
に揃える工程と、へき開端面が所定の平面に揃えられた
各半導体レーザバーを相互にボンディングする工程とを
備えたことを特徴とするものである。
装置の製造方法は、複数個の半導体レーザバーを所定の
重ね方法で上下に重ねる重ね工程と、上下に重ねられた
複数個の半導体レーザバーの各へき開端面を所定の平面
に揃える工程と、へき開端面が所定の平面に揃えられた
各半導体レーザバーを相互にボンディングする工程とを
備えたことを特徴とするものである。
【００１０】ここで、この発明の半導体レーザ装置の製
造方法において、前記重ね工程における所定の重ね方法
は、各半導体レーザバーのストライプが形成された側の
面を上側または下側の一方に揃えて重ねることができ
る。
造方法において、前記重ね工程における所定の重ね方法
は、各半導体レーザバーのストライプが形成された側の
面を上側または下側の一方に揃えて重ねることができ
る。
【００１１】ここで、この発明の半導体レーザ装置の製
造方法において、前記重ね工程における所定の重ね方法
は、各半導体レーザバーのストライプが形成された側の
面を向き合わせて重ねることができる。
造方法において、前記重ね工程における所定の重ね方法
は、各半導体レーザバーのストライプが形成された側の
面を向き合わせて重ねることができる。
【００１２】ここで、この発明の半導体レーザ装置の製
造方法において、前記重ね工程は、各半導体レーザバー
の間に所定の放熱材を挟んだ後に、複数個の半導体レー
ザバーを所定の重ね方法で上下に重ねることができる。
造方法において、前記重ね工程は、各半導体レーザバー
の間に所定の放熱材を挟んだ後に、複数個の半導体レー
ザバーを所定の重ね方法で上下に重ねることができる。
【００１３】この発明の半導体レーザ装置の製造方法
は、複数個の半導体レーザバーを所定の重ね方法で上下
に重ねる重ね工程と、上下に重ねられた複数個の半導体
レーザバーの各へき開端面を所定の位置にずらすずらし
工程と、へき開端面が所定の位置にずらされた各半導体
レーザバーを相互にボンディングする工程とを備えたこ
とを特徴とするものである。
は、複数個の半導体レーザバーを所定の重ね方法で上下
に重ねる重ね工程と、上下に重ねられた複数個の半導体
レーザバーの各へき開端面を所定の位置にずらすずらし
工程と、へき開端面が所定の位置にずらされた各半導体
レーザバーを相互にボンディングする工程とを備えたこ
とを特徴とするものである。
【００１４】ここで、この発明の半導体レーザ装置の製
造方法において、前記重ね工程における所定の重ね方法
は、各半導体レーザバーのストライプが形成された側の
面を上側または下側の一方に揃えて重ねることができ
る。
造方法において、前記重ね工程における所定の重ね方法
は、各半導体レーザバーのストライプが形成された側の
面を上側または下側の一方に揃えて重ねることができ
る。
【００１５】ここで、この発明の半導体レーザ装置の製
造方法において、前記重ね工程における所定の重ね方法
は、各半導体レーザバーのストライプが形成された側の
面を向き合わせて重ねることができる。
造方法において、前記重ね工程における所定の重ね方法
は、各半導体レーザバーのストライプが形成された側の
面を向き合わせて重ねることができる。
【００１６】ここで、この発明の半導体レーザ装置の製
造方法において、前記ずらし工程における所定の位置
は、前記重ね工程において重ねられる側の半導体レーザ
バーの電極パターンに予めパターニングされたアライン
メントマークにより示すことができる。
造方法において、前記ずらし工程における所定の位置
は、前記重ね工程において重ねられる側の半導体レーザ
バーの電極パターンに予めパターニングされたアライン
メントマークにより示すことができる。
【００１７】ここで、この発明の半導体レーザ装置の製
造方法において、前記重ね工程は、各半導体レーザバー
の間に所定の放熱材を挟んだ後に、複数個の半導体レー
ザバーを所定の重ね方法で上下に重ねることができる。
造方法において、前記重ね工程は、各半導体レーザバー
の間に所定の放熱材を挟んだ後に、複数個の半導体レー
ザバーを所定の重ね方法で上下に重ねることができる。
【００１８】ここで、この発明の半導体レーザ装置の製
造方法において、前記ずらし工程における所定の位置
は、前記重ね工程における所定の放熱材に予め設けられ
たアラインメントマークにより示すことができる。
造方法において、前記ずらし工程における所定の位置
は、前記重ね工程における所定の放熱材に予め設けられ
たアラインメントマークにより示すことができる。
【００１９】この発明の半導体レーザ装置は、所定の重
ね構造で上下に重ねられ、各へき開端面が所定の平面に
揃えられた複数個の半導体レーザバーが、相互にボンデ
ィングされた構造を有することを特徴とするものであ
る。
ね構造で上下に重ねられ、各へき開端面が所定の平面に
揃えられた複数個の半導体レーザバーが、相互にボンデ
ィングされた構造を有することを特徴とするものであ
る。
【００２０】ここで、この発明の半導体レーザ装置にお
いて、前記所定の重ね構造は、各半導体レーザバーのス
トライプが形成された側の面を上側または下側の一方に
揃えて重ねられた構造とすることができる。
いて、前記所定の重ね構造は、各半導体レーザバーのス
トライプが形成された側の面を上側または下側の一方に
揃えて重ねられた構造とすることができる。
【００２１】ここで、この発明の半導体レーザ装置にお
いて、前記所定の重ね構造は、各半導体レーザバーのス
トライプが形成された側の面を向き合わせて重ねられた
構造とすることができる。
いて、前記所定の重ね構造は、各半導体レーザバーのス
トライプが形成された側の面を向き合わせて重ねられた
構造とすることができる。
【００２２】ここで、この発明の半導体レーザ装置にお
いて、各半導体レーザバーの間に所定の放熱材を挟むこ
とができる。
いて、各半導体レーザバーの間に所定の放熱材を挟むこ
とができる。
【００２３】この発明の半導体レーザ装置は、所定の重
ね構造で上下に重ねられ、各へき開端面が所定の位置に
ずらされた複数個の半導体レーザバーが、相互にボンデ
ィングされた構造を有することを特徴とするものであ
る。
ね構造で上下に重ねられ、各へき開端面が所定の位置に
ずらされた複数個の半導体レーザバーが、相互にボンデ
ィングされた構造を有することを特徴とするものであ
る。
【００２４】ここで、この発明の半導体レーザ装置にお
いて、前記所定の重ね構造は、各半導体レーザバーのス
トライプが形成された側の面を上側または下側の一方に
揃えて重ねられた構造とすることができる。
いて、前記所定の重ね構造は、各半導体レーザバーのス
トライプが形成された側の面を上側または下側の一方に
揃えて重ねられた構造とすることができる。
【００２５】ここで、この発明の半導体レーザ装置にお
いて、前記所定の重ね構造は、各半導体レーザバーのス
トライプが形成された側の面を向き合わせて重ねられた
構造とすることができる。
いて、前記所定の重ね構造は、各半導体レーザバーのス
トライプが形成された側の面を向き合わせて重ねられた
構造とすることができる。
【００２６】ここで、この発明の半導体レーザ装置にお
いて、各へき開端面をずらす所定の位置は、前記重ね構
造における重ねられる側の半導体レーザバーの電極パタ
ーンに予めパターニングされたアラインメントマークに
より示すことができる。
いて、各へき開端面をずらす所定の位置は、前記重ね構
造における重ねられる側の半導体レーザバーの電極パタ
ーンに予めパターニングされたアラインメントマークに
より示すことができる。
【００２７】ここで、この発明の半導体レーザ装置にお
いて、各半導体レーザバーの間に所定の放熱材を挟むこ
とができる。
いて、各半導体レーザバーの間に所定の放熱材を挟むこ
とができる。
【００２８】ここで、この発明の半導体レーザ装置にお
いて、各へき開端面をずらす所定の位置は、前記所定の
放熱材に予め設けられたアラインメントマークにより示
すことができる。
いて、各へき開端面をずらす所定の位置は、前記所定の
放熱材に予め設けられたアラインメントマークにより示
すことができる。
【００２９】
【発明の実施の形態】以下、各実施の形態について図面
を参照して詳細に説明する。
を参照して詳細に説明する。
【００３０】実施の形態１．図1は、本発明の実施の形
態１における半導体レーザ装置の構造の一例を示す。図
１において、符号２１、２２は半導体レーザバー、２３
は半導体レーザバー２１または半導体レーザバー２２と
のへき開端面（cleaved surface）である。ここで半導
体レーザバーとは、複数個の半導体レーザチップを個々
に切り出さないまま隣合わせて端面へき開を行ったバー
状態の半導体レーザ装置のことである。符号２５、２５
ａおよび２５ｂはストライプ、８は発光点、複数個示さ
れる２６は各々半導体レーザチップのチップ分離位置、
２７は電極、２８は半導体レーザバー２１と半導体レー
ザバー２２とから射出されるレーザ光のビーム間隔であ
る。図１上で、半導体レーザバー２２が積み重ねられて
いる方向をｙ軸方向にとり、へき開端面をｘｙ平面にと
り、レーザ光の光軸をｚ軸にとっている。
態１における半導体レーザ装置の構造の一例を示す。図
１において、符号２１、２２は半導体レーザバー、２３
は半導体レーザバー２１または半導体レーザバー２２と
のへき開端面（cleaved surface）である。ここで半導
体レーザバーとは、複数個の半導体レーザチップを個々
に切り出さないまま隣合わせて端面へき開を行ったバー
状態の半導体レーザ装置のことである。符号２５、２５
ａおよび２５ｂはストライプ、８は発光点、複数個示さ
れる２６は各々半導体レーザチップのチップ分離位置、
２７は電極、２８は半導体レーザバー２１と半導体レー
ザバー２２とから射出されるレーザ光のビーム間隔であ
る。図１上で、半導体レーザバー２２が積み重ねられて
いる方向をｙ軸方向にとり、へき開端面をｘｙ平面にと
り、レーザ光の光軸をｚ軸にとっている。
【００３１】図１に示されるように、まず重ね工程にお
いて、半導体レーザバー２１と半導体レーザバー２２と
を所定の重ね方法でｙ軸方向に上下に重ねる。次に、結
晶のへき開端面２３を基準にして壁面に当てて、光軸で
あるｚ軸と平行なｘｙ面がフラットになるように所定の
平面に角度調整して揃える。最後に半田材（不図示）で
ボンディングする工程を行う。へき開端面２３は半導体
レーザバー２１のストライプ２５ａまたは半導体レーザ
バー２２のストライプ２５ｂに対して鉛直な面（ｘｙ
面）である。ｘ軸方向の長さが数ｃｍ程度の半導体レー
ザバー２１または半導体レーザバー２２のへき開端面２
３全体を壁面に当てるため、２つの半導体レーザバー２
１または半導体レーザバー２２のストライプ２５ａまた
はストライプ２５ｂは相対角度ずれが小さくなる。ｘ軸
方向の位置合わせは電極（パターン）２７でアライメン
トすることができる。ビーム間隔２８は、ウェーハ（基
板）の厚さまたはストライプ２５ａ等の電極２７からの
厚さで決まり、数１０〜１００μｍ程度となる。半導体
レーザバー２２の電極２７に半田材を蒸着しておくこと
で、ボンディングの際に昇降温するだけで接着すること
ができる。
いて、半導体レーザバー２１と半導体レーザバー２２と
を所定の重ね方法でｙ軸方向に上下に重ねる。次に、結
晶のへき開端面２３を基準にして壁面に当てて、光軸で
あるｚ軸と平行なｘｙ面がフラットになるように所定の
平面に角度調整して揃える。最後に半田材（不図示）で
ボンディングする工程を行う。へき開端面２３は半導体
レーザバー２１のストライプ２５ａまたは半導体レーザ
バー２２のストライプ２５ｂに対して鉛直な面（ｘｙ
面）である。ｘ軸方向の長さが数ｃｍ程度の半導体レー
ザバー２１または半導体レーザバー２２のへき開端面２
３全体を壁面に当てるため、２つの半導体レーザバー２
１または半導体レーザバー２２のストライプ２５ａまた
はストライプ２５ｂは相対角度ずれが小さくなる。ｘ軸
方向の位置合わせは電極（パターン）２７でアライメン
トすることができる。ビーム間隔２８は、ウェーハ（基
板）の厚さまたはストライプ２５ａ等の電極２７からの
厚さで決まり、数１０〜１００μｍ程度となる。半導体
レーザバー２２の電極２７に半田材を蒸着しておくこと
で、ボンディングの際に昇降温するだけで接着すること
ができる。
【００３２】図２は、本発明の実施の形態１におけるチ
ップ分離後の構造を例示する。図２において図１と同じ
符号を付した箇所は同じ要素を指すため説明は省略す
る。図２において、符号２はサブマウント材、５はワイ
ヤ、２７ａは電極である。図１に示されるようにボンデ
ィングされた後、図２に示されるように、カッティング
ソーでチップ分離して、１チップの時と同様にサブマウ
ント材２上にボンディングし、各電極２７、２７ａ上に
ワイヤ５でワイヤボンドを行う。この時の共通電極は２
つの半導体レーザ装置の間の接着された電極２７ａであ
る。ワイヤ５は各々パッケージの別々のピンに接続さ
れ、個別駆動できるようになっている。必要に応じて絶
縁性サブマウント上にワイヤボンド用パッドをパターニ
ングし、一度そこにワイヤを打ってからパッケージに接
続してもよい。
ップ分離後の構造を例示する。図２において図１と同じ
符号を付した箇所は同じ要素を指すため説明は省略す
る。図２において、符号２はサブマウント材、５はワイ
ヤ、２７ａは電極である。図１に示されるようにボンデ
ィングされた後、図２に示されるように、カッティング
ソーでチップ分離して、１チップの時と同様にサブマウ
ント材２上にボンディングし、各電極２７、２７ａ上に
ワイヤ５でワイヤボンドを行う。この時の共通電極は２
つの半導体レーザ装置の間の接着された電極２７ａであ
る。ワイヤ５は各々パッケージの別々のピンに接続さ
れ、個別駆動できるようになっている。必要に応じて絶
縁性サブマウント上にワイヤボンド用パッドをパターニ
ングし、一度そこにワイヤを打ってからパッケージに接
続してもよい。
【００３３】以上より、実施の形態１によれば、上述の
半導体レーザ装置の製造方法を用いて組立ることによ
り、発光点８相互の間隔２８が狭い場合でも発光点８を
チップ分離端近くにする必要がなくなるため、チップ分
離の際にチップが欠けたりクラックが発生したり放熱が
悪くなるという問題を生じなくさせることができる。さ
らに、ｘ軸方向の長さが数ｃｍ程度の半導体レーザバー
の全体のへき開端面で角度調整するため、２つのレーザ
ビームの相対角度ずれを抑えることができる。
半導体レーザ装置の製造方法を用いて組立ることによ
り、発光点８相互の間隔２８が狭い場合でも発光点８を
チップ分離端近くにする必要がなくなるため、チップ分
離の際にチップが欠けたりクラックが発生したり放熱が
悪くなるという問題を生じなくさせることができる。さ
らに、ｘ軸方向の長さが数ｃｍ程度の半導体レーザバー
の全体のへき開端面で角度調整するため、２つのレーザ
ビームの相対角度ずれを抑えることができる。
【００３４】実施の形態２．図３は、本発明の実施の形
態２における半導体レーザ装置の構造の一例を示す。図
３で図１と同じ符号を付した箇所は同じ要素を指すため
説明は省略する。図３において、符号３０ａ、３０ｂは
各々基板の厚さである。
態２における半導体レーザ装置の構造の一例を示す。図
３で図１と同じ符号を付した箇所は同じ要素を指すため
説明は省略する。図３において、符号３０ａ、３０ｂは
各々基板の厚さである。
【００３５】図３に示されるように、まず重ね工程にお
いて、半導体レーザバー２１と半導体レーザバー２２と
を２個ともストライプ２５ａ、２５ｂ側を図３上の下に
してｙ軸方向に上下に重ねる。次に、結晶のへき開端面
２３を基準にして壁面に当てて、光軸であるｚ軸と平行
なｘｙ面がフラットになるように所定の平面に角度調整
して揃える。最後に半田材（不図示）でボンディングす
る工程を行う。実施の形態１と同様に、へき開端面２３
は半導体レーザバー２１のストライプ２５ａまたは半導
体レーザバー２２のストライプ２５ｂに対して鉛直な面
（ｘｙ面）である。ｘ軸方向の長さが数ｃｍ程度の半導
体レーザバー２１または半導体レーザバー２２のへき開
端面２３全体を壁面に当てるため、２つの半導体レーザ
バー２１または半導体レーザバー２２のストライプ２５
ａまたはストライプ２５ｂは相対角度ずれが小さくな
る。ｘ軸方向の位置合わせは電極（パターン）２７でア
ライメントすることができる。２つのレーザ光のビーム
間隔２８は、半導体レーザ装置の基板の厚さ３０ａまた
は３０ｂ（１００μｍ前後）で決まり、精度は１０μｍ
程度である。半導体レーザバー２２の電極２７に半田材
を蒸着しておくことで、ボンディングの際に昇降温する
だけで接着することができる。
いて、半導体レーザバー２１と半導体レーザバー２２と
を２個ともストライプ２５ａ、２５ｂ側を図３上の下に
してｙ軸方向に上下に重ねる。次に、結晶のへき開端面
２３を基準にして壁面に当てて、光軸であるｚ軸と平行
なｘｙ面がフラットになるように所定の平面に角度調整
して揃える。最後に半田材（不図示）でボンディングす
る工程を行う。実施の形態１と同様に、へき開端面２３
は半導体レーザバー２１のストライプ２５ａまたは半導
体レーザバー２２のストライプ２５ｂに対して鉛直な面
（ｘｙ面）である。ｘ軸方向の長さが数ｃｍ程度の半導
体レーザバー２１または半導体レーザバー２２のへき開
端面２３全体を壁面に当てるため、２つの半導体レーザ
バー２１または半導体レーザバー２２のストライプ２５
ａまたはストライプ２５ｂは相対角度ずれが小さくな
る。ｘ軸方向の位置合わせは電極（パターン）２７でア
ライメントすることができる。２つのレーザ光のビーム
間隔２８は、半導体レーザ装置の基板の厚さ３０ａまた
は３０ｂ（１００μｍ前後）で決まり、精度は１０μｍ
程度である。半導体レーザバー２２の電極２７に半田材
を蒸着しておくことで、ボンディングの際に昇降温する
だけで接着することができる。
【００３６】図４は、本発明の実施の形態２におけるチ
ップ分離後の構造を例示する。図４において図２と同じ
符号を付した箇所は同じ要素を指すため説明は省略す
る。図３に示されるようにボンディングされた後、図４
に示されるように、カッティングソーでチップ分離し
て、１チップの時と同様にサブマウント材２上にボンデ
ィングする。この時、２つをワイヤボンドすることを考
慮して、共振器長の短いレーザ光が上になるようにす
る。次に、各電極２７、２７ａ上にワイヤ５でワイヤボ
ンドを行う。この時の共通電極は２つの半導体レーザ装
置の間の接着された電極２７ａである。ワイヤ５は各々
パッケージの別々のピンに接続され、個別駆動できるよ
うになっている。２つのレーザについて厚さ３０ａ等の
基板側とストライプ２５ｂ等側との極性の関係が同じで
ある場合、この２つのレーザは直列に接続される。一
方、厚さ３０ａ等の基板側とストライプ２５ｂ側の極性
の関係が逆の場合、この２つのレーザは並列に接続され
る。必要に応じて絶縁性サブマウント上にワイヤボンド
用パッドをパターニングし、一度そこにワイヤを打って
からパッケージに接続してもよい。
ップ分離後の構造を例示する。図４において図２と同じ
符号を付した箇所は同じ要素を指すため説明は省略す
る。図３に示されるようにボンディングされた後、図４
に示されるように、カッティングソーでチップ分離し
て、１チップの時と同様にサブマウント材２上にボンデ
ィングする。この時、２つをワイヤボンドすることを考
慮して、共振器長の短いレーザ光が上になるようにす
る。次に、各電極２７、２７ａ上にワイヤ５でワイヤボ
ンドを行う。この時の共通電極は２つの半導体レーザ装
置の間の接着された電極２７ａである。ワイヤ５は各々
パッケージの別々のピンに接続され、個別駆動できるよ
うになっている。２つのレーザについて厚さ３０ａ等の
基板側とストライプ２５ｂ等側との極性の関係が同じで
ある場合、この２つのレーザは直列に接続される。一
方、厚さ３０ａ等の基板側とストライプ２５ｂ側の極性
の関係が逆の場合、この２つのレーザは並列に接続され
る。必要に応じて絶縁性サブマウント上にワイヤボンド
用パッドをパターニングし、一度そこにワイヤを打って
からパッケージに接続してもよい。
【００３７】以上より、実施の形態２によれば、上述の
半導体レーザ装置の製造方法を用いて組立ることによ
り、発光点８相互の間隔２８が狭い場合でも発光点８を
チップ分離端近くにする必要がなくなるため、チップ分
離の際にチップが欠けたりクラックが発生したり放熱が
悪くなるという問題を生じなくさせることができる。さ
らに、ｘ軸方向の長さが数ｃｍ程度の半導体レーザバー
の全体のへき開端面で角度調整するため、２つのレーザ
ビームの相対角度ずれを抑えることができる。
半導体レーザ装置の製造方法を用いて組立ることによ
り、発光点８相互の間隔２８が狭い場合でも発光点８を
チップ分離端近くにする必要がなくなるため、チップ分
離の際にチップが欠けたりクラックが発生したり放熱が
悪くなるという問題を生じなくさせることができる。さ
らに、ｘ軸方向の長さが数ｃｍ程度の半導体レーザバー
の全体のへき開端面で角度調整するため、２つのレーザ
ビームの相対角度ずれを抑えることができる。
【００３８】実施の形態３．図５は、本発明の実施の形
態３における半導体レーザ装置の構造の一例を示す。図
５で図１と同じ符号を付した箇所は同じ要素を指すため
説明は省略する。
態３における半導体レーザ装置の構造の一例を示す。図
５で図１と同じ符号を付した箇所は同じ要素を指すため
説明は省略する。
【００３９】図５に示されるように、まず重ね工程にお
いて、半導体レーザバー２１と半導体レーザバー２２と
を各々ストライプ２５ａ、２５ｂ側が接着面となるよう
にｙ軸方向に上下に重ねる。次に、結晶のへき開端面２
３を基準にして壁面に当てて、光軸であるｚ軸と平行な
ｘｙ面がフラットになるように所定の平面に角度調整し
て揃える。最後に半田材（不図示）でボンディングする
工程を行う。実施の形態１と同様に、へき開端面２３は
半導体レーザバー２１のストライプ２５ａまたは半導体
レーザバー２２のストライプ２５ｂに対して鉛直な面
（ｘｙ面）である。ｘ軸方向の長さが数ｃｍ程度の半導
体レーザバー２１または半導体レーザバー２２のへき開
端面２３全体を壁面に当てるため、２つの半導体レーザ
バー２１または半導体レーザバー２２のストライプ２５
ａまたはストライプ２５ｂは相対角度ずれが小さくな
る。ｘ軸方向の位置合わせは電極（パターン）２７でア
ライメントすることができる。この２つのレーザ光のビ
ーム間隔は半導体レーザ装置のストライプ２５等の厚さ
で決まり、１０〜２０μｍ程度となる。実施の形態２の
場合は、ビーム間隔２８はウェーハ厚に依存し、そのウ
ェーハ厚は研磨精度によって決定される。しかし、本実
施の形態３のストライプ２５等の厚さは研磨に比べて精
度よく、１μｍ以下程度である。半導体レーザバー２２
の電極２７に半田材を蒸着しておくことで、ボンディン
グの際に昇降温するだけで接着することができる。
いて、半導体レーザバー２１と半導体レーザバー２２と
を各々ストライプ２５ａ、２５ｂ側が接着面となるよう
にｙ軸方向に上下に重ねる。次に、結晶のへき開端面２
３を基準にして壁面に当てて、光軸であるｚ軸と平行な
ｘｙ面がフラットになるように所定の平面に角度調整し
て揃える。最後に半田材（不図示）でボンディングする
工程を行う。実施の形態１と同様に、へき開端面２３は
半導体レーザバー２１のストライプ２５ａまたは半導体
レーザバー２２のストライプ２５ｂに対して鉛直な面
（ｘｙ面）である。ｘ軸方向の長さが数ｃｍ程度の半導
体レーザバー２１または半導体レーザバー２２のへき開
端面２３全体を壁面に当てるため、２つの半導体レーザ
バー２１または半導体レーザバー２２のストライプ２５
ａまたはストライプ２５ｂは相対角度ずれが小さくな
る。ｘ軸方向の位置合わせは電極（パターン）２７でア
ライメントすることができる。この２つのレーザ光のビ
ーム間隔は半導体レーザ装置のストライプ２５等の厚さ
で決まり、１０〜２０μｍ程度となる。実施の形態２の
場合は、ビーム間隔２８はウェーハ厚に依存し、そのウ
ェーハ厚は研磨精度によって決定される。しかし、本実
施の形態３のストライプ２５等の厚さは研磨に比べて精
度よく、１μｍ以下程度である。半導体レーザバー２２
の電極２７に半田材を蒸着しておくことで、ボンディン
グの際に昇降温するだけで接着することができる。
【００４０】図６は、本発明の実施の形態３におけるチ
ップ分離後の構造を例示する。図６において図２と同じ
符号を付した箇所は同じ要素を指すため説明は省略す
る。図５に示されるようにボンディングされた後、図６
に示されるように、カッティングソーでチップ分離し
て、１チップの時と同様にサブマウント材２上にボンデ
ィングする。この時、２つをワイヤボンドすることを考
慮して、共振器長の短いレーザ光が上になるようにす
る。次に、各電極２７、２７ａ上にワイヤ５でワイヤボ
ンドを行う。この時の共通電極は２つの半導体レーザ装
置の間の接着された電極２７ａである。ワイヤ５は各々
パッケージの別々のピンに接続され、個別駆動できるよ
うになっている。２つのレーザについて基板側と結晶成
長側との極性の関係が同じである場合、この２つのレー
ザは並列に接続される。一方、基板側と結晶成長側との
極性の関係が逆の場合、この２つのレーザは直列に接続
される。必要に応じて絶縁性サブマウント上にワイヤボ
ンド用パッドをパターニングし、一度そこにワイヤを打
ってからパッケージに接続してもよい。
ップ分離後の構造を例示する。図６において図２と同じ
符号を付した箇所は同じ要素を指すため説明は省略す
る。図５に示されるようにボンディングされた後、図６
に示されるように、カッティングソーでチップ分離し
て、１チップの時と同様にサブマウント材２上にボンデ
ィングする。この時、２つをワイヤボンドすることを考
慮して、共振器長の短いレーザ光が上になるようにす
る。次に、各電極２７、２７ａ上にワイヤ５でワイヤボ
ンドを行う。この時の共通電極は２つの半導体レーザ装
置の間の接着された電極２７ａである。ワイヤ５は各々
パッケージの別々のピンに接続され、個別駆動できるよ
うになっている。２つのレーザについて基板側と結晶成
長側との極性の関係が同じである場合、この２つのレー
ザは並列に接続される。一方、基板側と結晶成長側との
極性の関係が逆の場合、この２つのレーザは直列に接続
される。必要に応じて絶縁性サブマウント上にワイヤボ
ンド用パッドをパターニングし、一度そこにワイヤを打
ってからパッケージに接続してもよい。
【００４１】以上より、実施の形態３によれば、上述の
半導体レーザ装置の製造方法を用いて組立ることによ
り、発光点８相互の間隔２８が狭い場合でも発光点８を
チップ分離端近くにする必要がなくなるため、チップ分
離の際にチップが欠けたりクラックが発生したり放熱が
悪くなるという問題を生じなくさせることができる。さ
らに、ｘ軸方向の長さが数ｃｍ程度の半導体レーザバー
の全体のへき開端面で角度調整するため、２つのレーザ
ビームの相対角度ずれを抑えることができる。
半導体レーザ装置の製造方法を用いて組立ることによ
り、発光点８相互の間隔２８が狭い場合でも発光点８を
チップ分離端近くにする必要がなくなるため、チップ分
離の際にチップが欠けたりクラックが発生したり放熱が
悪くなるという問題を生じなくさせることができる。さ
らに、ｘ軸方向の長さが数ｃｍ程度の半導体レーザバー
の全体のへき開端面で角度調整するため、２つのレーザ
ビームの相対角度ずれを抑えることができる。
【００４２】実施の形態４．上述の実施の形態１ないし
３に加えて、放熱を良くするために半導体レーザバー２
１と半導体レーザバー２２との間にサブマウント材を挟
んだ構造を用いる。
３に加えて、放熱を良くするために半導体レーザバー２
１と半導体レーザバー２２との間にサブマウント材を挟
んだ構造を用いる。
【００４３】図７は、本発明の実施の形態４における半
導体レーザ装置の構造の一例を示す。図７で図１と同じ
符号を付した箇所は同じ要素を指すため説明は省略す
る。図７において、符号２９はサブマウント材、３１は
サブマウント材２９の厚さ、３２は電極２７とストライ
プ２５ｂ等との間の厚さである。
導体レーザ装置の構造の一例を示す。図７で図１と同じ
符号を付した箇所は同じ要素を指すため説明は省略す
る。図７において、符号２９はサブマウント材、３１は
サブマウント材２９の厚さ、３２は電極２７とストライ
プ２５ｂ等との間の厚さである。
【００４４】図７に示されるように、まず重ね工程にお
いて、半導体レーザバー２１、サブマウント材２９、半
導体レーザバー２２の順で各々ストライプ２５ａ、２５
ｂ側がサブマウント材２９に接着されるようにｙ軸方向
に上下に重ねる。次に、結晶のへき開端面２３を基準に
して壁面に当てて、光軸であるｚ軸と平行なｘｙ面がフ
ラットになるように所定の平面に角度調整して揃える。
最後に半田材（不図示）でボンディングする工程を行
う。実施の形態１と同様に、へき開端面２３は半導体レ
ーザバー２１のストライプ２５ａまたは半導体レーザバ
ー２２のストライプ２５ｂに対して鉛直な面（ｘｙ面）
である。ｘ軸方向の長さが数ｃｍ程度の半導体レーザバ
ー２１または半導体レーザバー２２のへき開端面２３全
体を壁面に当てるため、２つの半導体レーザバー２１ま
たは半導体レーザバー２２のストライプ２５ａまたはス
トライプ２５ｂは相対角度ずれが小さくなる。ｘ軸方向
の位置合わせは電極（パターン）２７でアライメントす
ることができる。この２つのレーザ光のビーム間隔２８
は半導体レーザ装置の電極とストライプとの間の厚さ
（例えば電極２７とストライプ２５ｂとの間の厚さ３
２）と中央のサブマウント材２９の厚さ３１とで決ま
る。このため、サブマウント材２９の厚さ３１を調節す
ることにより、ビーム間隔２８を自由に調節できるとい
うメリットがある。精度は、電極２７とストライプ２５
ｂ等との間の厚さ３２とサブマウント材２９の厚さ３１
との精度で決まり数μｍ程度である。中央のサブマウン
ト材２９の表面に半田材を蒸着しておくことで、ボンデ
ィングの際に昇降温するだけで接着することができる。
いて、半導体レーザバー２１、サブマウント材２９、半
導体レーザバー２２の順で各々ストライプ２５ａ、２５
ｂ側がサブマウント材２９に接着されるようにｙ軸方向
に上下に重ねる。次に、結晶のへき開端面２３を基準に
して壁面に当てて、光軸であるｚ軸と平行なｘｙ面がフ
ラットになるように所定の平面に角度調整して揃える。
最後に半田材（不図示）でボンディングする工程を行
う。実施の形態１と同様に、へき開端面２３は半導体レ
ーザバー２１のストライプ２５ａまたは半導体レーザバ
ー２２のストライプ２５ｂに対して鉛直な面（ｘｙ面）
である。ｘ軸方向の長さが数ｃｍ程度の半導体レーザバ
ー２１または半導体レーザバー２２のへき開端面２３全
体を壁面に当てるため、２つの半導体レーザバー２１ま
たは半導体レーザバー２２のストライプ２５ａまたはス
トライプ２５ｂは相対角度ずれが小さくなる。ｘ軸方向
の位置合わせは電極（パターン）２７でアライメントす
ることができる。この２つのレーザ光のビーム間隔２８
は半導体レーザ装置の電極とストライプとの間の厚さ
（例えば電極２７とストライプ２５ｂとの間の厚さ３
２）と中央のサブマウント材２９の厚さ３１とで決ま
る。このため、サブマウント材２９の厚さ３１を調節す
ることにより、ビーム間隔２８を自由に調節できるとい
うメリットがある。精度は、電極２７とストライプ２５
ｂ等との間の厚さ３２とサブマウント材２９の厚さ３１
との精度で決まり数μｍ程度である。中央のサブマウン
ト材２９の表面に半田材を蒸着しておくことで、ボンデ
ィングの際に昇降温するだけで接着することができる。
【００４５】図８は、本発明の実施の形態４におけるチ
ップ分離後の構造を例示する。図８において図２と同じ
符号を付した箇所は同じ要素を指すため説明は省略す
る。図８において、符号２９はサブマウント材である。
図７に示されるようにボンディングされた後、図８に示
されるように、カッティングソーでチップ分離して、１
チップの時と同様にサブマウント材２上にボンディング
する。次に、各電極２７、２７ａ上と中央のサブマウン
ト２９上にワイヤ５でワイヤボンドを行う。この時、ス
トライプ２５側を共通電極としたい場合は、導電性サブ
マウントを用いるか、または絶縁性サブマウントの周囲
にメタライズしておくと中央のサブマウント２９に少な
くとも一箇所のワイヤボンドをするだけで良い。共通電
極としない場合は絶縁性サブマウントの上下にワイヤボ
ンドをする必要がある。ワイヤ５は各々パッケージの別
々のピンに接続され、個別駆動できるようになってい
る。必要なら絶縁性サブマウント上にワイヤボンド用パ
ッドをパターニングして一度そこにワイヤを打ってから
パッケージに接続してもよい。必要に応じて絶縁性サブ
マウント上にワイヤボンド用パッドをパターニングし、
一度そこにワイヤを打ってからパッケージに接続しても
よい。
ップ分離後の構造を例示する。図８において図２と同じ
符号を付した箇所は同じ要素を指すため説明は省略す
る。図８において、符号２９はサブマウント材である。
図７に示されるようにボンディングされた後、図８に示
されるように、カッティングソーでチップ分離して、１
チップの時と同様にサブマウント材２上にボンディング
する。次に、各電極２７、２７ａ上と中央のサブマウン
ト２９上にワイヤ５でワイヤボンドを行う。この時、ス
トライプ２５側を共通電極としたい場合は、導電性サブ
マウントを用いるか、または絶縁性サブマウントの周囲
にメタライズしておくと中央のサブマウント２９に少な
くとも一箇所のワイヤボンドをするだけで良い。共通電
極としない場合は絶縁性サブマウントの上下にワイヤボ
ンドをする必要がある。ワイヤ５は各々パッケージの別
々のピンに接続され、個別駆動できるようになってい
る。必要なら絶縁性サブマウント上にワイヤボンド用パ
ッドをパターニングして一度そこにワイヤを打ってから
パッケージに接続してもよい。必要に応じて絶縁性サブ
マウント上にワイヤボンド用パッドをパターニングし、
一度そこにワイヤを打ってからパッケージに接続しても
よい。
【００４６】以上より、実施の形態４によれば、上述の
半導体レーザ装置の製造方法を用いて組立ることによ
り、発光点８相互の間隔２８が狭い場合でも発光点８を
チップ分離端近くにする必要がなくなるため、チップ分
離の際にチップが欠けたりクラックが発生したり放熱が
悪くなるという問題を生じなくさせることができる。さ
らに、ｘ軸方向の長さが数ｃｍ程度の半導体レーザバー
の全体のへき開端面で角度調整するため、２つのレーザ
ビームの相対角度ずれを抑えることができる。レーザ光
のビーム間隔２８は中央のサブマウント材２９の厚さ３
１で決まり、サブマウント材２９の厚さ３１を調節する
ことによってビーム間隔２８を自由に調節できるという
メリットがある。
半導体レーザ装置の製造方法を用いて組立ることによ
り、発光点８相互の間隔２８が狭い場合でも発光点８を
チップ分離端近くにする必要がなくなるため、チップ分
離の際にチップが欠けたりクラックが発生したり放熱が
悪くなるという問題を生じなくさせることができる。さ
らに、ｘ軸方向の長さが数ｃｍ程度の半導体レーザバー
の全体のへき開端面で角度調整するため、２つのレーザ
ビームの相対角度ずれを抑えることができる。レーザ光
のビーム間隔２８は中央のサブマウント材２９の厚さ３
１で決まり、サブマウント材２９の厚さ３１を調節する
ことによってビーム間隔２８を自由に調節できるという
メリットがある。
【００４７】実施の形態５．上述の実施の形態１ないし
４において、波長の異なる２つの半導体レーザ装置では
同一のレンズで集光する場合にビームの焦点距離が異な
る。本実施の形態５はこれを補正して、半導体レーザバ
ーを相互にz軸方向へずらして実装する方法について説
明する。
４において、波長の異なる２つの半導体レーザ装置では
同一のレンズで集光する場合にビームの焦点距離が異な
る。本実施の形態５はこれを補正して、半導体レーザバ
ーを相互にz軸方向へずらして実装する方法について説
明する。
【００４８】図９は、本発明の実施の形態５における半
導体レーザ装置の構造の一例を示す。図９で図１と同じ
符号を付した箇所は同じ要素を指すため説明は省略す
る。図９において、符号３５はアラインメントマークで
ある。
導体レーザ装置の構造の一例を示す。図９で図１と同じ
符号を付した箇所は同じ要素を指すため説明は省略す
る。図９において、符号３５はアラインメントマークで
ある。
【００４９】実施の形態１を例にして説明すると、まず
重ね工程において、半導体レーザバー２１と半導体レー
ザバー２２とを所定の重ね方法でｙ軸方向に上下に重ね
る。次に、へき開端面２３ｂがｚ軸方向で前方になる半
導体レーザバー２１については、へき開端面２３ａをｚ
軸方向でずらして重ねる位置に電極パターン２７にアラ
イメントマーク３５をパターニングしておく。そのアラ
イメントマーク３５の位置に他方の半導体レーザバー２
２のへき開端面２３ａの位置を合わせて接着する。
重ね工程において、半導体レーザバー２１と半導体レー
ザバー２２とを所定の重ね方法でｙ軸方向に上下に重ね
る。次に、へき開端面２３ｂがｚ軸方向で前方になる半
導体レーザバー２１については、へき開端面２３ａをｚ
軸方向でずらして重ねる位置に電極パターン２７にアラ
イメントマーク３５をパターニングしておく。そのアラ
イメントマーク３５の位置に他方の半導体レーザバー２
２のへき開端面２３ａの位置を合わせて接着する。
【００５０】または、半導体レーザバー２１と半導体レ
ーザバー２２とをｙ軸方向で上下に重ね、へき開端面２
３ｂが前方になる半導体レーザバー２１のへき開端を基
準としてカメラ等でモニターすることによってもアライ
メントすることができる。ｘ軸方向の長さが数ｃｍ程度
の半導体レーザバー２１、２２の両端でへき開端面２３
ａのアライメントを行うことにより、相対誤差を小さく
でき、ビームの相対角度ずれも小さくすることができ
る。ｘ軸方向の位置合わせは電極パターン２７でアライ
メントすることができる。半導体レーザ装置の電極２７
メッキに半田材を蒸着しておくことにより、ボンディン
グの際に昇降温するだけで接着することができる。
ーザバー２２とをｙ軸方向で上下に重ね、へき開端面２
３ｂが前方になる半導体レーザバー２１のへき開端を基
準としてカメラ等でモニターすることによってもアライ
メントすることができる。ｘ軸方向の長さが数ｃｍ程度
の半導体レーザバー２１、２２の両端でへき開端面２３
ａのアライメントを行うことにより、相対誤差を小さく
でき、ビームの相対角度ずれも小さくすることができ
る。ｘ軸方向の位置合わせは電極パターン２７でアライ
メントすることができる。半導体レーザ装置の電極２７
メッキに半田材を蒸着しておくことにより、ボンディン
グの際に昇降温するだけで接着することができる。
【００５１】図９に示されるようにボンディングされた
後、カッティングソーでチップ分離して、１チップの時
と同様にサブマウント材上にボンディングし、各電極上
にワイヤボンドを行う。ワイヤは各々パッケージの別々
のピンに接続され、個別駆動できるようになっている。
必要に応じて絶縁性サブマウント上にワイヤボンド用パ
ッドをパターニングし、一度そこにワイヤを打ってから
パッケージに接続してもよい。
後、カッティングソーでチップ分離して、１チップの時
と同様にサブマウント材上にボンディングし、各電極上
にワイヤボンドを行う。ワイヤは各々パッケージの別々
のピンに接続され、個別駆動できるようになっている。
必要に応じて絶縁性サブマウント上にワイヤボンド用パ
ッドをパターニングし、一度そこにワイヤを打ってから
パッケージに接続してもよい。
【００５２】上述の方法は実施の形態１を例にして説明
したが、当該方法は実施の形態２と３とにおいても同様
に適用することができる。
したが、当該方法は実施の形態２と３とにおいても同様
に適用することができる。
【００５３】上述の方法を実施の形態４においても適用
することができる。図１０は、本発明の実施の形態５に
おける半導体レーザ装置の構造の一例を示す。図１０で
図７と同じ符号を付した箇所は同じ要素を指すため説明
は省略する。図１０において、符号３５はアラインメン
トマークである。上述の方法を実施の形態４に対して適
用する場合は、図１０に示すようにサブマウント材２９
にアライメントマーク３５を入れておき、そのアライメ
ントマーク３５の位置に他方の半導体レーザバー２２の
へき開端面２３ａの位置を合わせて接着する。
することができる。図１０は、本発明の実施の形態５に
おける半導体レーザ装置の構造の一例を示す。図１０で
図７と同じ符号を付した箇所は同じ要素を指すため説明
は省略する。図１０において、符号３５はアラインメン
トマークである。上述の方法を実施の形態４に対して適
用する場合は、図１０に示すようにサブマウント材２９
にアライメントマーク３５を入れておき、そのアライメ
ントマーク３５の位置に他方の半導体レーザバー２２の
へき開端面２３ａの位置を合わせて接着する。
【００５４】以上より、実施の形態５によれば、上述の
半導体レーザ装置の製造方法を用いて組立ることによ
り、発光点８相互の間隔２８が狭い場合でも発光点８を
チップ分離端近くにする必要がなくなるため、チップ分
離の際にチップが欠けたりクラックが発生したり放熱が
悪くなるという問題を生じなくさせることができる。さ
らに、ｘ軸方向の長さが数ｃｍ程度の半導体レーザバー
の両端で角度調整するため、２つのレーザビームの相対
角度ずれを抑えることができ、焦点距離を補正すること
ができる。レーザ光のビーム間隔２８は中央のサブマウ
ント材２９の厚さ３１で決まり、サブマウント材２９の
厚さ３１を調節することによってビーム間隔２８を自由
に調節できるというメリットがある。
半導体レーザ装置の製造方法を用いて組立ることによ
り、発光点８相互の間隔２８が狭い場合でも発光点８を
チップ分離端近くにする必要がなくなるため、チップ分
離の際にチップが欠けたりクラックが発生したり放熱が
悪くなるという問題を生じなくさせることができる。さ
らに、ｘ軸方向の長さが数ｃｍ程度の半導体レーザバー
の両端で角度調整するため、２つのレーザビームの相対
角度ずれを抑えることができ、焦点距離を補正すること
ができる。レーザ光のビーム間隔２８は中央のサブマウ
ント材２９の厚さ３１で決まり、サブマウント材２９の
厚さ３１を調節することによってビーム間隔２８を自由
に調節できるというメリットがある。
【００５５】上述の実施の形態では、半導体レーザバー
２１を下側、半導体レーザバー２２を上側にして組立て
られた構造を示したが、半導体レーザバー２１と２２と
は上下どちらの側であってもよい。上述の実施の形態で
は、半導体レーザバーが２個の場合、すなわち２ビーム
半導体レーザ装置の場合について説明した。しかしこれ
はあくまでも説明のためであって、半導体レーザバーが
３個以上ある場合、すなわち複数ビームのマルチビーム
半導体レーザ装置の場合であっても本発明を適用できる
ことはいうまでもない。
２１を下側、半導体レーザバー２２を上側にして組立て
られた構造を示したが、半導体レーザバー２１と２２と
は上下どちらの側であってもよい。上述の実施の形態で
は、半導体レーザバーが２個の場合、すなわち２ビーム
半導体レーザ装置の場合について説明した。しかしこれ
はあくまでも説明のためであって、半導体レーザバーが
３個以上ある場合、すなわち複数ビームのマルチビーム
半導体レーザ装置の場合であっても本発明を適用できる
ことはいうまでもない。
【００５６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体レ
ーザ装置の製造方法および半導体レーザ装置によれば、
複数個の半導体レーザバーを所定の重ね方法で上下に重
ね、複数個の半導体レーザバーの各へき開端面を所定の
平面に揃えて各半導体レーザバーを相互にボンディング
することができる。所定の重ね方法としては、ストライ
プ側を下にしてｙ軸方向に上下に重ねる方法またはスト
ライプ側が接着面となるようにｙ軸方向に上下に重ねる
方法等を用いることができる。さらに、放熱を良くする
ために半導体レーザバーと半導体レーザバーとの間にサ
ブマウント材を挟んだ構造を用いることができる。以上
により、発光点相互の間隔を狭くしてもチップ分離の際
にチップが欠けたりクラックが発生したりして歩留まり
を低下させることがなく、放熱が悪くなることもなく、
複数のレーザビームの相対角度ずれが生ずることを抑え
ることができる半導体レーザ装置の製造方法および半導
体レーザ装置を提供することができる。
ーザ装置の製造方法および半導体レーザ装置によれば、
複数個の半導体レーザバーを所定の重ね方法で上下に重
ね、複数個の半導体レーザバーの各へき開端面を所定の
平面に揃えて各半導体レーザバーを相互にボンディング
することができる。所定の重ね方法としては、ストライ
プ側を下にしてｙ軸方向に上下に重ねる方法またはスト
ライプ側が接着面となるようにｙ軸方向に上下に重ねる
方法等を用いることができる。さらに、放熱を良くする
ために半導体レーザバーと半導体レーザバーとの間にサ
ブマウント材を挟んだ構造を用いることができる。以上
により、発光点相互の間隔を狭くしてもチップ分離の際
にチップが欠けたりクラックが発生したりして歩留まり
を低下させることがなく、放熱が悪くなることもなく、
複数のレーザビームの相対角度ずれが生ずることを抑え
ることができる半導体レーザ装置の製造方法および半導
体レーザ装置を提供することができる。
【００５７】本発明の半導体レーザ装置の製造方法およ
び半導体レーザ装置によれば、半導体レーザバーを相互
にz軸方向へずらして実装することによっても、発光点
相互の間隔を狭くしてもチップ分離の際にチップが欠け
たりクラックが発生したりして歩留まりを低下させるこ
とがなく、放熱が悪くなることもなく、複数のレーザビ
ームの相対角度ずれが生ずることを抑えることができる
半導体レーザ装置の製造方法および半導体レーザ装置を
提供することができる。
び半導体レーザ装置によれば、半導体レーザバーを相互
にz軸方向へずらして実装することによっても、発光点
相互の間隔を狭くしてもチップ分離の際にチップが欠け
たりクラックが発生したりして歩留まりを低下させるこ
とがなく、放熱が悪くなることもなく、複数のレーザビ
ームの相対角度ずれが生ずることを抑えることができる
半導体レーザ装置の製造方法および半導体レーザ装置を
提供することができる。
【図１】 本発明の実施の形態１における半導体レーザ
装置の構造の一例を示す図である。
装置の構造の一例を示す図である。
【図２】 本発明の実施の形態１におけるチップ分離後
の構造を例示する図である。
の構造を例示する図である。
【図３】 本発明の実施の形態２における半導体レーザ
装置の構造の一例を示す図である。
装置の構造の一例を示す図である。
【図４】 本発明の実施の形態２におけるチップ分離後
の構造を例示する図である。
の構造を例示する図である。
【図５】 本発明の実施の形態３における半導体レーザ
装置の構造の一例を示す図である。
装置の構造の一例を示す図である。
【図６】 本発明の実施の形態３におけるチップ分離後
の構造を例示する図である。
の構造を例示する図である。
【図７】 本発明の実施の形態４における半導体レーザ
装置の構造の一例を示す図である。
装置の構造の一例を示す図である。
【図８】 本発明の実施の形態４におけるチップ分離後
の構造を例示する図である。
の構造を例示する図である。
【図９】 本発明の実施の形態５における半導体レーザ
装置の構造の一例を示す図である。
装置の構造の一例を示す図である。
【図１０】 本発明の実施の形態５における半導体レー
ザ装置の構造の一例を示す図である。
ザ装置の構造の一例を示す図である。
【図１１】 従来の２波長半導体レーザ装置について、
Ｊ−Ｄｏｗｎ（ジャンクション−ダウン）組立の場合の
構造の一例を示す図である。
Ｊ−Ｄｏｗｎ（ジャンクション−ダウン）組立の場合の
構造の一例を示す図である。
【図１２】 従来の２波長半導体レーザ装置について、
Ｊ−Ｕｐ（ジャンクション−アップ）組立の場合の構造
の一例を示す図である。
Ｊ−Ｕｐ（ジャンクション−アップ）組立の場合の構造
の一例を示す図である。
１ ブロック材、 ２，２９ サブマウント材、 ３
半導体レーザ装置１、４ 半導件レーザ装置２、 ５，
５ａ，５ｂ，５ｃ ワイヤ、 ６ ストライプ、 ７
基板、 ８ 発光点、 ２１，２２ 半導体レーザバ
ー、 ２３，２３ａ，２３ｂ へき開端面、 ２５，２
５ａ，２５ｂ ストライプ、 ２６ チップ分離位置、
２７，２７ａ 電極、 ２８ ビーム間隔、 ３０
ａ，３０ｂ基板の厚さ、 ３１ サブマウント材２９の
厚さ、 ３２ 電極−ストライプ間の厚さ、 ３５ ア
ライメントマーク。
半導体レーザ装置１、４ 半導件レーザ装置２、 ５，
５ａ，５ｂ，５ｃ ワイヤ、 ６ ストライプ、 ７
基板、 ８ 発光点、 ２１，２２ 半導体レーザバ
ー、 ２３，２３ａ，２３ｂ へき開端面、 ２５，２
５ａ，２５ｂ ストライプ、 ２６ チップ分離位置、
２７，２７ａ 電極、 ２８ ビーム間隔、 ３０
ａ，３０ｂ基板の厚さ、 ３１ サブマウント材２９の
厚さ、 ３２ 電極−ストライプ間の厚さ、 ３５ ア
ライメントマーク。
Claims (20)
- 【請求項１】 半導体レーザ装置の製造方法であって、 複数個の半導体レーザバーを所定の重ね方法で上下に重
ねる重ね工程と、 上下に重ねられた複数個の半導体レーザバーの各へき開
端面を所定の平面に揃える工程と、 へき開端面が所定の平面に揃えられた各半導体レーザバ
ーを相互にボンディングする工程とを備えたことを特徴
とする半導体レーザ装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記重ね工程における所定の重ね方法
は、各半導体レーザバーのストライプが形成された側の
面を上側または下側の一方に揃えて重ねることを特徴と
する請求項１記載の半導体レーザ装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記重ね工程における所定の重ね方法
は、各半導体レーザバーのストライプが形成された側の
面を向き合わせて重ねることを特徴とする請求項１記載
の半導体レーザ装置の製造方法。 - 【請求項４】 前記重ね工程は、各半導体レーザバーの
間に所定の放熱材を挟んだ後に、複数個の半導体レーザ
バーを所定の重ね方法で上下に重ねることを特徴とする
請求項１ないし３のいずれかに記載の半導体レーザ装置
の製造方法。 - 【請求項５】 半導体レーザ装置の製造方法であって、 複数個の半導体レーザバーを所定の重ね方法で上下に重
ねる重ね工程と、 上下に重ねられた複数個の半導体レーザバーの各へき開
端面を所定の位置にずらすずらし工程と、 へき開端面が所定の位置にずらされた各半導体レーザバ
ーを相互にボンディングする工程とを備えたことを特徴
とする半導体レーザ装置の製造方法。 - 【請求項６】 前記重ね工程における所定の重ね方法
は、各半導体レーザバーのストライプが形成された側の
面を上側または下側の一方に揃えて重ねることを特徴と
する請求項５記載の半導体レーザ装置の製造方法。 - 【請求項７】 前記重ね工程における所定の重ね方法
は、各半導体レーザバーのストライプが形成された側の
面を向き合わせて重ねることを特徴とする請求項５記載
の半導体レーザ装置の製造方法。 - 【請求項８】 前記ずらし工程における所定の位置は、
前記重ね工程において重ねられる側の半導体レーザバー
の電極パターンに予めパターニングされたアラインメン
トマークにより示されることを特徴とする請求項５ない
し７のいずれかに記載の半導体レーザ装置の製造方法。 - 【請求項９】 前記重ね工程は、各半導体レーザバーの
間に所定の放熱材を挟んだ後に、複数個の半導体レーザ
バーを所定の重ね方法で上下に重ねることを特徴とする
請求項５ないし７のいずれかに記載の半導体レーザ装置
の製造方法。 - 【請求項１０】 前記ずらし工程における所定の位置
は、前記重ね工程における所定の放熱材に予め設けられ
たアラインメントマークにより示されることを特徴とす
る請求項９記載の半導体レーザ装置の製造方法。 - 【請求項１１】 所定の重ね構造で上下に重ねられ、各
へき開端面が所定の平面に揃えられた複数個の半導体レ
ーザバーが、相互にボンディングされた構造を有するこ
とを特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項１２】 前記所定の重ね構造は、各半導体レー
ザバーのストライプが形成された側の面を上側または下
側の一方に揃えて重ねられた構造であることを特徴とす
る請求項１１記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項１３】 前記所定の重ね構造は、各半導体レー
ザバーのストライプが形成された側の面を向き合わせて
重ねられた構造であることを特徴とする請求項１１記載
の半導体レーザ装置。 - 【請求項１４】 各半導体レーザバーの間に所定の放熱
材を挟んだことを特徴とする請求項１１ないし１３のい
ずれかに記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項１５】 所定の重ね構造で上下に重ねられ、各
へき開端面が所定の位置にずらされた複数個の半導体レ
ーザバーが、相互にボンディングされた構造を有するこ
とを特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項１６】 前記所定の重ね構造は、各半導体レー
ザバーのストライプが形成された側の面を上側または下
側の一方に揃えて重ねられた構造であることを特徴とす
る請求項１５記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項１７】 前記所定の重ね構造は、各半導体レー
ザバーのストライプが形成された側の面を向き合わせて
重ねられた構造であることを特徴とする請求項１５記載
の半導体レーザ装置。 - 【請求項１８】 各へき開端面をずらす所定の位置は、
前記重ね構造における重ねられる側の半導体レーザバー
の電極パターンに予めパターニングされたアラインメン
トマークにより示されることを特徴とする請求項１５な
いし１７のいずれかに記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項１９】 各半導体レーザバーの間に所定の放熱
材を挟んだことを特徴とする請求項１５ないし１７のい
ずれかに記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項２０】 各へき開端面をずらす所定の位置は、
前記所定の放熱材に予め設けられたアラインメントマー
クにより示されることを特徴とする請求項１９記載の半
導体レーザ装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001025597A JP2002232061A (ja) | 2001-02-01 | 2001-02-01 | 半導体レーザ装置の製造方法および半導体レーザ装置 |
| TW090119219A TWI282651B (en) | 2001-02-01 | 2001-08-07 | Semiconductor laser device and manufacturing method |
| KR1020010049213A KR100673561B1 (ko) | 2001-02-01 | 2001-08-16 | 반도체 레이저장치의 제조방법 및 반도체 레이저장치 |
| CNB011357010A CN1264258C (zh) | 2001-02-01 | 2001-08-18 | 半导体激光器装置的制造方法及半导体激光器装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001025597A JP2002232061A (ja) | 2001-02-01 | 2001-02-01 | 半導体レーザ装置の製造方法および半導体レーザ装置 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010033520A Division JP2010109397A (ja) | 2010-02-18 | 2010-02-18 | 半導体レーザ装置の製造方法および半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002232061A true JP2002232061A (ja) | 2002-08-16 |
Family
ID=18890556
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001025597A Pending JP2002232061A (ja) | 2001-02-01 | 2001-02-01 | 半導体レーザ装置の製造方法および半導体レーザ装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002232061A (ja) |
| KR (1) | KR100673561B1 (ja) |
| CN (1) | CN1264258C (ja) |
| TW (1) | TWI282651B (ja) |
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| CN110431720B (zh) * | 2017-03-23 | 2021-01-08 | 三菱电机株式会社 | 光半导体元件 |
| CN110476308B (zh) * | 2017-04-12 | 2021-07-16 | 三菱电机株式会社 | 半导体元件的制造方法 |
| CN113410750B (zh) * | 2020-03-17 | 2022-07-12 | 潍坊华光光电子有限公司 | 一种双光束半导体激光器及制作方法 |
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-
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- 2001-08-07 TW TW090119219A patent/TWI282651B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-08-16 KR KR1020010049213A patent/KR100673561B1/ko not_active IP Right Cessation
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| JP4671617B2 (ja) * | 2004-03-30 | 2011-04-20 | 三洋電機株式会社 | 集積型半導体レーザ素子 |
| US7769069B2 (en) | 2004-03-30 | 2010-08-03 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Integrated semiconductor laser diode module and manufacturing method of the same |
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| JP2007201223A (ja) * | 2006-01-27 | 2007-08-09 | Toshiba Corp | 多波長半導体レーザ装置 |
| JP4711838B2 (ja) * | 2006-01-27 | 2011-06-29 | 株式会社東芝 | 多波長半導体レーザ装置 |
| US9450376B2 (en) * | 2012-08-13 | 2016-09-20 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Method of producing a semiconductor laser element, and semiconductor laser element |
| US20150207293A1 (en) * | 2012-08-13 | 2015-07-23 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Method of producing a semiconductor laser element, and semiconductor laser element |
| DE102012107409B4 (de) | 2012-08-13 | 2022-06-15 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Laserelements |
| CN104871378A (zh) * | 2012-12-18 | 2015-08-26 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 用于制造半导体激光器元件的方法和半导体激光器元件 |
| WO2014095903A1 (de) * | 2012-12-18 | 2014-06-26 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur herstellung von halbleiter-laserelementen und halbleiter-laserelement |
| US9608401B2 (en) | 2012-12-18 | 2017-03-28 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Method for producing semiconductor laser elements and semi-conductor laser element |
| JP2021132088A (ja) * | 2020-02-19 | 2021-09-09 | ウシオ電機株式会社 | 半導体レーザ装置 |
| JP2021132089A (ja) * | 2020-02-19 | 2021-09-09 | ウシオ電機株式会社 | 半導体レーザ装置 |
| JP7371522B2 (ja) | 2020-02-19 | 2023-10-31 | ウシオ電機株式会社 | 半導体レーザ装置 |
| JP7384067B2 (ja) | 2020-02-19 | 2023-11-21 | ウシオ電機株式会社 | 半導体レーザ装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20020064632A (ko) | 2002-08-09 |
| CN1492549A (zh) | 2004-04-28 |
| TWI282651B (en) | 2007-06-11 |
| CN1264258C (zh) | 2006-07-12 |
| KR100673561B1 (ko) | 2007-01-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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|
| A977 | Report on retrieval |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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