JPH06283807A - スタックレーザ - Google Patents
スタックレーザInfo
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- JPH06283807A JPH06283807A JP5068022A JP6802293A JPH06283807A JP H06283807 A JPH06283807 A JP H06283807A JP 5068022 A JP5068022 A JP 5068022A JP 6802293 A JP6802293 A JP 6802293A JP H06283807 A JPH06283807 A JP H06283807A
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- laser
- laser element
- light emitting
- filler metal
- brazing filler
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ろう材により光出射面が汚されることのない
スタック型レーザの構造を提供する。 【構成】 銅製ヒートシンク２上にＣｒ／Ａｕからなる
上部電極およびＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕからなる下部電極
を形成した半導体レーザ１１，１２，１３を順次レーザ
の光出射面１１ａ，１２ａ，１３ａを下段の半導体レー
ザよりも後ろ側となるようにずらしてろう材金属１１
２，１２２，１３２により接合する。そして半導体レー
ザ１３上の上部電極１３３上にワイヤ３を接合し３スタ
ックレーザとする。このように上段の素子が下段の素子
よりも後ろ側にずらされるように接合されるため、接合
の際、溶融し接合面からはみ出したろう材は下段の半導
体レーザの上部電極部により保持されることとなり光出
射面１１ａ，１２ａに垂れレーザ発光部１１１，１２１
を覆い隠すことはない。
スタック型レーザの構造を提供する。 【構成】 銅製ヒートシンク２上にＣｒ／Ａｕからなる
上部電極およびＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕからなる下部電極
を形成した半導体レーザ１１，１２，１３を順次レーザ
の光出射面１１ａ，１２ａ，１３ａを下段の半導体レー
ザよりも後ろ側となるようにずらしてろう材金属１１
２，１２２，１３２により接合する。そして半導体レー
ザ１３上の上部電極１３３上にワイヤ３を接合し３スタ
ックレーザとする。このように上段の素子が下段の素子
よりも後ろ側にずらされるように接合されるため、接合
の際、溶融し接合面からはみ出したろう材は下段の半導
体レーザの上部電極部により保持されることとなり光出
射面１１ａ，１２ａに垂れレーザ発光部１１１，１２１
を覆い隠すことはない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体レーザをスタック
化し、大出力のレーザ光を得ようとするもので、特に測
距用のレーザレーダシステムを構成する大出力半導体レ
ーザとして利用されるものである。
化し、大出力のレーザ光を得ようとするもので、特に測
距用のレーザレーダシステムを構成する大出力半導体レ
ーザとして利用されるものである。
【０００２】
【従来技術】近年、半導体レーザを用いて自動車間の距
離を計測し、車間距離を一定に保ったり、前方の車に接
近し過ぎた場合警報を発するようなシステムが検討され
ている。このようなシステムにおいては、１００ｍ先の
物体を検知することが必要不可決であり、そのような仕
様を満足するために半導体レーザにおいては、パルス駆
動で４０〜８０Ｗもの光出力が要求されている。一般に
現在市販化されている１チップの半導体レーザでは、実
用上最大でも１０〜２０Ｗ程度の出力しか得られないた
め、上記素子を縦方向にいくつも積み重ね、ろう材金属
で接合し、スタック化することで、光出力を増加させる
ようにしている。ここで素子同士の接合では、Ａｕ／Ｓ
ｎやＡｕ／Ｓｉあるいは、Ｓｎ／Ｐｎなどで構成された
合金を所定の温度で素子を加圧しながら加熱溶融して、
それを冷却することにより、共晶化させ接合するように
している。
離を計測し、車間距離を一定に保ったり、前方の車に接
近し過ぎた場合警報を発するようなシステムが検討され
ている。このようなシステムにおいては、１００ｍ先の
物体を検知することが必要不可決であり、そのような仕
様を満足するために半導体レーザにおいては、パルス駆
動で４０〜８０Ｗもの光出力が要求されている。一般に
現在市販化されている１チップの半導体レーザでは、実
用上最大でも１０〜２０Ｗ程度の出力しか得られないた
め、上記素子を縦方向にいくつも積み重ね、ろう材金属
で接合し、スタック化することで、光出力を増加させる
ようにしている。ここで素子同士の接合では、Ａｕ／Ｓ
ｎやＡｕ／Ｓｉあるいは、Ｓｎ／Ｐｎなどで構成された
合金を所定の温度で素子を加圧しながら加熱溶融して、
それを冷却することにより、共晶化させ接合するように
している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、各素子
の接合部とレーザ光を出射する発光部との距離は約５μ
ｍ程度しかないため、ろう材に温度をかけて接合する場
合、溶融したろう材は接合面からはみ出るとそのまま下
段に位置する素子の光出射面に流れだしレーザー発光部
を覆い隠してしまい、光出力を低下させてしまうといっ
た問題があった。
の接合部とレーザ光を出射する発光部との距離は約５μ
ｍ程度しかないため、ろう材に温度をかけて接合する場
合、溶融したろう材は接合面からはみ出るとそのまま下
段に位置する素子の光出射面に流れだしレーザー発光部
を覆い隠してしまい、光出力を低下させてしまうといっ
た問題があった。
【０００４】これに対し、ろう材が溶融して流れ出す温
度よりも低い温度で接合するようにすることも考えられ
るが、この場合各素子間の接合強度が弱く、自動車等の
振動の激しい環境で使用する際は、その接合部において
各素子が剥離してしまいスタック型のレーザとして信頼
性の低いものになってしまうといった問題がある。
度よりも低い温度で接合するようにすることも考えられ
るが、この場合各素子間の接合強度が弱く、自動車等の
振動の激しい環境で使用する際は、その接合部において
各素子が剥離してしまいスタック型のレーザとして信頼
性の低いものになってしまうといった問題がある。
【０００５】従って、本発明の目的とするところは、ろ
う材により光出射面が汚されることのないスタック型レ
ーザを提供するものである。
う材により光出射面が汚されることのないスタック型レ
ーザを提供するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】すなわち、上記問題を解
決するためになされた本発明の請求項１記載のスタック
型レーザは、台座と、該台座上に設置された第１のレー
ザ素子と、該第１のレーザ素子と光出射面を同一方向と
して、該第１のレーザ素子上にその光出射面が該第１の
レーザ素子の光出射面よりも後ろ側に位置するようにろ
う材金属を介して設置された第２のレーザ素子とを有す
ることを特徴とする。
決するためになされた本発明の請求項１記載のスタック
型レーザは、台座と、該台座上に設置された第１のレー
ザ素子と、該第１のレーザ素子と光出射面を同一方向と
して、該第１のレーザ素子上にその光出射面が該第１の
レーザ素子の光出射面よりも後ろ側に位置するようにろ
う材金属を介して設置された第２のレーザ素子とを有す
ることを特徴とする。
【０００７】請求項２記載のスタック型レーザは、台座
と、該台座上に設置された第１のレーザ素子と、該第１
のレーザ素子と光出射面を同一方向として、その裏面電
極に設置され該裏面電極よりも両端を短くしそのキャビ
ティ長よりも短くされたろう材金属を介して前記第１の
レーザ素子上に設置された第２のレーザ素子とを有する
ことを特徴とする。
と、該台座上に設置された第１のレーザ素子と、該第１
のレーザ素子と光出射面を同一方向として、その裏面電
極に設置され該裏面電極よりも両端を短くしそのキャビ
ティ長よりも短くされたろう材金属を介して前記第１の
レーザ素子上に設置された第２のレーザ素子とを有する
ことを特徴とする。
【０００８】請求項３記載のスタック型レーザは、台座
と、該台座上に設置されその光出射面側の素子上面にろ
う材金属はみ出し抑止部材を設けた第１のレーザ素子
と、該第１のレーザ素子と光出射面を同一方向として、
該第１のレーザ素子上にろう材金属を介して設置された
第２のレーザ素子とを有することを特徴とする。
と、該台座上に設置されその光出射面側の素子上面にろ
う材金属はみ出し抑止部材を設けた第１のレーザ素子
と、該第１のレーザ素子と光出射面を同一方向として、
該第１のレーザ素子上にろう材金属を介して設置された
第２のレーザ素子とを有することを特徴とする。
【０００９】
【作用】請求項１記載の発明によると、第２のレーザ素
子がその光出射面を第１のレーザ素子の光出射面よりも
後ろ側となるようにして前記第１のレーザ素子上に接合
されるため、ろう材金属を溶融して該第１のレーザ素子
と該第２のレーザ素子とを接合するとき、溶融した前記
ろう材金属が該第１のレーザ素子と該第２のレーザ素子
との接合面から溢れ出たとしても該第１のレーザの上面
に流れ出しそこで保持されることとなり、該第１のレー
ザ素子の光出射面にまで溶融したろう材金属が溢れ出る
ことはない。
子がその光出射面を第１のレーザ素子の光出射面よりも
後ろ側となるようにして前記第１のレーザ素子上に接合
されるため、ろう材金属を溶融して該第１のレーザ素子
と該第２のレーザ素子とを接合するとき、溶融した前記
ろう材金属が該第１のレーザ素子と該第２のレーザ素子
との接合面から溢れ出たとしても該第１のレーザの上面
に流れ出しそこで保持されることとなり、該第１のレー
ザ素子の光出射面にまで溶融したろう材金属が溢れ出る
ことはない。
【００１０】請求項２記載の発明によると、第２のレー
ザ素子の裏面電極に接合されるろう材金属が該第２のレ
ーザ素子のキャビティ長よりも短くなるように該裏面電
極よりも両端が短くされているため、前記ろう材金属を
溶融して第１のレーザ素子と前記第２のレーザ素子とを
接合するとき、溶融した該ろう材金属は短くされた両端
に広がる程度に流動するが該第１のレーザ素子の光出射
面にまで溶融したろう材金属が溢れ出ることはない。
ザ素子の裏面電極に接合されるろう材金属が該第２のレ
ーザ素子のキャビティ長よりも短くなるように該裏面電
極よりも両端が短くされているため、前記ろう材金属を
溶融して第１のレーザ素子と前記第２のレーザ素子とを
接合するとき、溶融した該ろう材金属は短くされた両端
に広がる程度に流動するが該第１のレーザ素子の光出射
面にまで溶融したろう材金属が溢れ出ることはない。
【００１１】請求項３記載の発明によると、第１のレー
ザ素子の光出射面側の素子上面にろう材金属はみ出し抑
止部材を設けるようにしているため、該第１のレーザ素
子と第２のレーザ素子とをろう材金属を溶融して接合す
る際、溶融した該ろう材金属が前記第１のレーザ素子の
光出射面に溢れだすことはない。
ザ素子の光出射面側の素子上面にろう材金属はみ出し抑
止部材を設けるようにしているため、該第１のレーザ素
子と第２のレーザ素子とをろう材金属を溶融して接合す
る際、溶融した該ろう材金属が前記第１のレーザ素子の
光出射面に溢れだすことはない。
【００１２】
【実施例】以下本発明の実施例を図面に基づいて詳細に
説明する。図１及び図２は第一実施例を表すものであ
り、これは金メッキを表面に施した銅製のヒートシンク
２上に、半導体レーザ素子１１，１２，１３を順次積み
重ねた、いわゆる３スタックレーザを示すものである。
図１はスタックレーザを光出射面１１ａ，１２ａ，１３
ａの斜め前方から見た図であり、図２は光出射面の横方
向から見た図である。ここで上記各半導体レーザ素子の
上部電極１１３，１２３，１３３はＣｒ／Ａｕから構成
される薄膜を真空蒸着法にて形成した後、約３６０℃に
おいて熱処理を行いオーミックコンタクトを取ったもの
である。また、該半導体レーザの図示しない下部電極は
ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕから構成される薄膜を上記と同様
の方法にて形成後、熱処理を行いオーミックコンタクト
を取ったものである。該半導体レーザの下部電極上には
各素子を接合するためのろう材１１２，１２２，１３２
が真空蒸着法で形成されている。本ろう材は、ＳｎとＡ
ｕの膜で構成され、その膜厚はそれぞれ８００ｎｍと２
００ｎｍとした。
説明する。図１及び図２は第一実施例を表すものであ
り、これは金メッキを表面に施した銅製のヒートシンク
２上に、半導体レーザ素子１１，１２，１３を順次積み
重ねた、いわゆる３スタックレーザを示すものである。
図１はスタックレーザを光出射面１１ａ，１２ａ，１３
ａの斜め前方から見た図であり、図２は光出射面の横方
向から見た図である。ここで上記各半導体レーザ素子の
上部電極１１３，１２３，１３３はＣｒ／Ａｕから構成
される薄膜を真空蒸着法にて形成した後、約３６０℃に
おいて熱処理を行いオーミックコンタクトを取ったもの
である。また、該半導体レーザの図示しない下部電極は
ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕから構成される薄膜を上記と同様
の方法にて形成後、熱処理を行いオーミックコンタクト
を取ったものである。該半導体レーザの下部電極上には
各素子を接合するためのろう材１１２，１２２，１３２
が真空蒸着法で形成されている。本ろう材は、ＳｎとＡ
ｕの膜で構成され、その膜厚はそれぞれ８００ｎｍと２
００ｎｍとした。
【００１３】次に上記スタックレーザの製造工程を簡単
に説明する。第１段目の半導体レーザ素子１１を銅ヒー
トシンク２上にダイボンダ装置にて素子に加重を加えな
がら、４４０℃の温度条件で前記ろう材１１２を溶接せ
しめて、該ヒートシンク２と接合する。次に、第２段目
の半導体レーザ素子１２を今度は前記と同様の方法で第
１段目の半導体レーザ素子１１の光出射面１１ａよりも
該光出射面１２ａを２０μｍだけ後ろへ配置し、該半導
体レーザ素子１１の上部電極１１３上に接合する。最後
に、上記と同様第３段目の素子１３を第２段目の半導体
レーザ素子１２上の電極１２３とを接合する。この時も
前記同様、第３段目の半導体レーザ１３の光の出射面１
３ａは、第２段目の半導体レーザ１２の光出射面より２
０μｍだけ後ろに配置してある。なおダイボンダ装置で
の接合では、一度に３つの素子を加重を加えながら加熱
して接合してもかまわない。最後に第３段目の半導体レ
ーザ素子１３上の上部電極１３３上にワイヤボンダ装置
にてＡｕのワイヤ３を形成する。
に説明する。第１段目の半導体レーザ素子１１を銅ヒー
トシンク２上にダイボンダ装置にて素子に加重を加えな
がら、４４０℃の温度条件で前記ろう材１１２を溶接せ
しめて、該ヒートシンク２と接合する。次に、第２段目
の半導体レーザ素子１２を今度は前記と同様の方法で第
１段目の半導体レーザ素子１１の光出射面１１ａよりも
該光出射面１２ａを２０μｍだけ後ろへ配置し、該半導
体レーザ素子１１の上部電極１１３上に接合する。最後
に、上記と同様第３段目の素子１３を第２段目の半導体
レーザ素子１２上の電極１２３とを接合する。この時も
前記同様、第３段目の半導体レーザ１３の光の出射面１
３ａは、第２段目の半導体レーザ１２の光出射面より２
０μｍだけ後ろに配置してある。なおダイボンダ装置で
の接合では、一度に３つの素子を加重を加えながら加熱
して接合してもかまわない。最後に第３段目の半導体レ
ーザ素子１３上の上部電極１３３上にワイヤボンダ装置
にてＡｕのワイヤ３を形成する。
【００１４】上述のようにして製作した半導体レーザ素
子１１，１２，１３の寸法はストライプ幅（光出射幅）
４００μｍ、キャビティ長（図２のａの長さ）６００μ
ｍと同一である。
子１１，１２，１３の寸法はストライプ幅（光出射幅）
４００μｍ、キャビティ長（図２のａの長さ）６００μ
ｍと同一である。
【００１５】このように本構造をとることにより上記半
導体レーザ素子１１，１２の発光部１１１，１２１は接
合用ろう材金属１２２，１３２で覆い隠されることは無
くなる。これは、溶融して前面に押し出されたろう材が
上段素子１３，１２よりもそれぞれはみ出ている下段素
子１２，１１の上部電極２２３，１１３上で図２中Ａの
ように保持されるようになっているからである。このよ
うな構成をとることにより、３スタックレーザの発光効
率を低下させずに１チップの素子のちょうど３倍の光出
力を得ることが可能となる。
導体レーザ素子１１，１２の発光部１１１，１２１は接
合用ろう材金属１２２，１３２で覆い隠されることは無
くなる。これは、溶融して前面に押し出されたろう材が
上段素子１３，１２よりもそれぞれはみ出ている下段素
子１２，１１の上部電極２２３，１１３上で図２中Ａの
ように保持されるようになっているからである。このよ
うな構成をとることにより、３スタックレーザの発光効
率を低下させずに１チップの素子のちょうど３倍の光出
力を得ることが可能となる。
【００１６】図３及び図４は第２の実施例を示すもので
あり、上記図１および図２に示したスタックレーザと同
様の方法で接合した３スタックレーザの別の例である。
これはヒートシンク２上に、３つの半導体レーザ素子の
中で１番キャビティ長の長い半導体レーザ２１を接合さ
せ、その上に順次素子のキャビティ長が短くなるよう
に、すなわち、それぞれの素子のキャビティ長ａ，ｂ，
ｃがａ＞ｂ＞ｃとなるように、かつ上段の素子ほどレー
ザ光を出射する光出射面が後ろ側になるように半導体レ
ーザ２２，２３を接合する。そして、ワイヤ３を半導体
レーザ２３の上部電極２３３上に接合し、３スタックレ
ーザとする。
あり、上記図１および図２に示したスタックレーザと同
様の方法で接合した３スタックレーザの別の例である。
これはヒートシンク２上に、３つの半導体レーザ素子の
中で１番キャビティ長の長い半導体レーザ２１を接合さ
せ、その上に順次素子のキャビティ長が短くなるよう
に、すなわち、それぞれの素子のキャビティ長ａ，ｂ，
ｃがａ＞ｂ＞ｃとなるように、かつ上段の素子ほどレー
ザ光を出射する光出射面が後ろ側になるように半導体レ
ーザ２２，２３を接合する。そして、ワイヤ３を半導体
レーザ２３の上部電極２３３上に接合し、３スタックレ
ーザとする。
【００１７】本構成では、上段の素子など長さが短くな
り、しかもピラミッド状に搭載されているので、素子接
合の際、溶融したろう材は前面および背面に押し出され
ても図４中Ａのように上部電極２１３，２２３上に保持
されることとなり発光部２１１，２２１を覆い隠すこと
はない。なお、図３，４中の２３１は半導体レーザ２３
の発光部を表す。
り、しかもピラミッド状に搭載されているので、素子接
合の際、溶融したろう材は前面および背面に押し出され
ても図４中Ａのように上部電極２１３，２２３上に保持
されることとなり発光部２１１，２２１を覆い隠すこと
はない。なお、図３，４中の２３１は半導体レーザ２３
の発光部を表す。
【００１８】なお、本実施例では半導体レーザ素子の接
合方法を特にピラミッド状に限定するものではなく、レ
ーザ発光部を有する前端面部が上段の素子ほど後ろ側に
なるものであればよい。
合方法を特にピラミッド状に限定するものではなく、レ
ーザ発光部を有する前端面部が上段の素子ほど後ろ側に
なるものであればよい。
【００１９】図５及び図６は第３の実施例を示すもので
あり、上記と同様な方法で接合したスタックレーザの例
である。本例のスタックレーザは、半導体レーザ素子１
２の裏面電極上に形成されたＳｎ／Ａｕからなるろう材
１２４の形成領域のキャビティ長方向の長さｄがキャビ
ティ長ｅよりも小さいことを特徴とする。
あり、上記と同様な方法で接合したスタックレーザの例
である。本例のスタックレーザは、半導体レーザ素子１
２の裏面電極上に形成されたＳｎ／Ａｕからなるろう材
１２４の形成領域のキャビティ長方向の長さｄがキャビ
ティ長ｅよりも小さいことを特徴とする。
【００２０】このように、ろう材金属が素子のキャビテ
ィ長よりも短くなるように素子の裏面電極よりも両端を
短くしているため、半導体レーザ素子同士を接合の際、
溶融したろう材金属は図６中Ｂに示されるように、素子
を接合後も上部電極端まで広がる程度にとどまり、レー
ザ発光部１１１を有する光出射面１１ａに溢れ出ること
はない。
ィ長よりも短くなるように素子の裏面電極よりも両端を
短くしているため、半導体レーザ素子同士を接合の際、
溶融したろう材金属は図６中Ｂに示されるように、素子
を接合後も上部電極端まで広がる程度にとどまり、レー
ザ発光部１１１を有する光出射面１１ａに溢れ出ること
はない。
【００２１】図７は、第４の実施例を表すものであり、
これは下段素子となる半導体レーザ３１及び３２のレー
ザ発光部３１１，３２１を有する光出射面３１ａ，３２
ａ側の接合面上にそれぞれろう材金属はみ出し抑止部３
１Ｂ，３２Ｂを設けるようにした、半導体レーザ３１，
３２，３３からなる３スタックレーザを表すものであ
る。このろう材金属はみ出し抑止部３１Ｂ，３２Ｂによ
り上段となる半導体レーザ３２，３３は図７に示される
ように接合される。
これは下段素子となる半導体レーザ３１及び３２のレー
ザ発光部３１１，３２１を有する光出射面３１ａ，３２
ａ側の接合面上にそれぞれろう材金属はみ出し抑止部３
１Ｂ，３２Ｂを設けるようにした、半導体レーザ３１，
３２，３３からなる３スタックレーザを表すものであ
る。このろう材金属はみ出し抑止部３１Ｂ，３２Ｂによ
り上段となる半導体レーザ３２，３３は図７に示される
ように接合される。
【００２２】このように本構成とすることにより素子同
士を接合の際、溶融したろう材金属３２２，３３２はろ
う材金属はみ出し抑止部３１Ｂ，３２Ｂによりレーザ発
光部３１１，３２１を有する光出射面３１ａ，３２ａに
溢れ出ることはない。
士を接合の際、溶融したろう材金属３２２，３３２はろ
う材金属はみ出し抑止部３１Ｂ，３２Ｂによりレーザ発
光部３１１，３２１を有する光出射面３１ａ，３２ａに
溢れ出ることはない。
【００２３】以上、本発明の実施例を２スタック、３ス
タックの例で詳しく説明したが、上述に限定するもので
はなく、各素子を接合するどのようなスタックレーザに
も適用できる。
タックの例で詳しく説明したが、上述に限定するもので
はなく、各素子を接合するどのようなスタックレーザに
も適用できる。
【００２４】本方法によると、溶融したろう材により発
光部が覆い隠されることが無いためスタックレーザの光
出力がろう材により低下することはない。しかも、ろう
材が発光部を覆い隠さないため、ろう材を高い温度で溶
融し、素子を接合することができ、それにより接合強度
が高くなる。従って、高い歩留まり率で信頼性のあるス
タックレーザを製造するとができる。
光部が覆い隠されることが無いためスタックレーザの光
出力がろう材により低下することはない。しかも、ろう
材が発光部を覆い隠さないため、ろう材を高い温度で溶
融し、素子を接合することができ、それにより接合強度
が高くなる。従って、高い歩留まり率で信頼性のあるス
タックレーザを製造するとができる。
【００２５】
【発明の効果】本発明により、ろう材金属が第１のレー
ザ素子の光出射面を覆い隠すことがないため、スタック
型レーザとしてろう材金属の付着による光出力の低下と
いう問題を完全に解決できる。しかも本構成をとること
により、前記ろう材金属が光出射面を覆い隠すことがな
いため、ろう材金属の温度を十分上昇させて共晶温度で
接合できる。従って、ろう材金属を完全に溶融合金化し
た状態で接合でき、接合強度が高く極めて信頼性の高い
スタック型レーザを供給することが可能となる。
ザ素子の光出射面を覆い隠すことがないため、スタック
型レーザとしてろう材金属の付着による光出力の低下と
いう問題を完全に解決できる。しかも本構成をとること
により、前記ろう材金属が光出射面を覆い隠すことがな
いため、ろう材金属の温度を十分上昇させて共晶温度で
接合できる。従って、ろう材金属を完全に溶融合金化し
た状態で接合でき、接合強度が高く極めて信頼性の高い
スタック型レーザを供給することが可能となる。
【図１】各半導体素子の発光面を順次ずらして接合した
３スタックレーザの斜視図である。
３スタックレーザの斜視図である。
【図２】図１の３スタックレーザの側面図である。
【図３】上段素子が下段素子よりキャビティ長の短い素
子を接合するようにした３スタックレーザの斜視図であ
る。
子を接合するようにした３スタックレーザの斜視図であ
る。
【図４】図４の３スタックレーザの側面図である。
【図５】ろう材金属が半導体レーザのキャビティ長より
も短くなるようにした２スタックレーザの接合工程を示
す説明図である。
も短くなるようにした２スタックレーザの接合工程を示
す説明図である。
【図６】図５の２スタックレーザの側面図である。
【図７】発光部の上側に止め部を設けた３スタックレー
ザの側面図である。
ザの側面図である。
２ 銅製ヒートシンク ３ 金製ワイヤ １１ 一段目半導体レーザ １２ 二段目半導体レーザ １３ 三段目半導体レーザ １１１ 半導体レーザの発光部 １２１ 半導体レーザの発光部 １３１ 半導体レーザの発光部 １１２ ろう材金属 １２２ ろう材金属 １３２ ろう材金属 １１３ 上部電極 １２３ 上部電極 １３３ 上部電極 １１ａ 光出射面 １２ａ 光出射面 １３ａ 光出射面
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 上野 祥樹 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 日本電 装株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 台座と、 該台座上に設置された第１のレーザ素子と、 該第１のレーザ素子と光出射面を同一方向として、該第
１のレーザ素子上にその光出射面が該第１のレーザ素子
の光出射面よりも後ろ側に設置するようにろう材金属を
介して設置された第２のレーザ素子と、 を有することを特徴としたスタック型レーザ。 - 【請求項２】 台座と、 該台座上に設置された第１のレーザ素子と、 該第１のレーザ素子と光出射面を同一方向として、その
裏面電極に設置され該裏面電極よりも両端を短かくしそ
のキャビティ長よりも短くされたろう材金属を介して前
記第１のレーザ素子上に設置された第２のレーザ素子
と、 を有することを特徴としたスタック型レーザ。 - 【請求項３】 台座と、 該台座上に設置されその光出射面側の素子上面にろう材
金属はみ出し抑止部材を設けた第１のレーザ素子と、 該第１のレーザ素子と光出射面を同一方向として、該第
１のレーザ素子上にろう材金属を介して設置された第２
のレーザ素子と、 を有することを特徴としたスタック型レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06802293A JP3146735B2 (ja) | 1993-03-26 | 1993-03-26 | スタックレーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06802293A JP3146735B2 (ja) | 1993-03-26 | 1993-03-26 | スタックレーザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06283807A true JPH06283807A (ja) | 1994-10-07 |
| JP3146735B2 JP3146735B2 (ja) | 2001-03-19 |
Family
ID=13361779
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06802293A Expired - Fee Related JP3146735B2 (ja) | 1993-03-26 | 1993-03-26 | スタックレーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3146735B2 (ja) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US5636235A (en) * | 1994-09-07 | 1997-06-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device including columns of semiconductor lasers with non-central light emitting regions |
| US5638391A (en) * | 1994-12-21 | 1997-06-10 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device and optical disc apparatus provided with the semiclonductor laser device |
| US5644586A (en) * | 1994-09-16 | 1997-07-01 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device and method of fabricating semiconductor laser device |
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| CN104485576A (zh) * | 2014-12-12 | 2015-04-01 | 中国工程物理研究院流体物理研究所 | 一种多芯组高功率塑封脉冲半导体激光二极管 |
| CN108370094A (zh) * | 2015-12-18 | 2018-08-03 | 帝斯曼知识产权资产管理有限公司 | 含有多层聚合物片材的雷达罩壁 |
-
1993
- 1993-03-26 JP JP06802293A patent/JP3146735B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| JP3146735B2 (ja) | 2001-03-19 |
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