CN104485576A - 一种多芯组高功率塑封脉冲半导体激光二极管 - Google Patents

Abstract

本发明涉及高功率脉冲半导体激光二极管领域，尤其是涉及一种多芯组高功率塑封脉冲半导体激光二极管。本发明针对现有技术存在的问题，提供一种多芯组高功率塑封脉冲半导体激光二极管，通过调节半导体激光二极管芯组的数量M、芯组的间距D、每个半导体激光二极管芯组中半导体激光二极管芯片的数量N、芯片的间距H来调节半导体激光二极管输出的激光脉冲的激光能量、激光功率、光斑的面积和分布，以适应不同尺寸、不同结构的光导开关对激光脉冲参数的不同要求，显著提高在高功率半导体激光二极管驱动下的光导开关的导通性能和使用寿命，同时可降低光导开关的使用成本，减小光导开关触发系统的体积和重量，推动光导开关技术的进一步发展。

Description

一种多芯组高功率塑封脉冲半导体激光二极管

技术领域

本发明涉及高功率脉冲半导体激光二极管领域，尤其是涉及一种多芯组高功率塑封脉冲半导体激光二极管。

背景技术

光导开关是一种利用光导半导体和超快脉冲激光相结合形成的新型固态开关。由于光导开关具有导通速度快、触发抖动小、同步精度高、功率容量大等优良特性，使它在超快电子学、高功率微波、闪光照相等众多领域有着良好的应用前景。

近年来，随着光导开关性能的逐渐提升，对光导开关特性的研究也引起了各国科学家的高度重视，而研究光导开关所采用的最普遍的驱动方式是利用高能激光器产生的激光脉冲来驱动。但这种方法结构复杂，可同步驱动的光导开关数量十分有限，同时使得光导开关的使用需要配备价格昂贵的高能激光器，大大增加了光导开关的使用成本，这也成为目前限制光导开关大规模应用的主要因素。

幸运的是，砷化镓光导开关非线性工作模式的发现，使得光导开关的触发光能可低至纳焦耳量级，让高功率半导体激光二极管作为光导开关的触发源成为可能。利用高功率半导体激光二极管触发光导开关一方面大大降低了光导开关的使用成本，另一方面使得可同步驱动的光导开关数量大幅增加，同时还减小了光导开关触发系统的体积和重量。然而，即使是工作于非线性模式的光导开关，对触发源也有着较高的要求，这种要求主要体现在激光脉冲的能量、激光脉冲的功率、激光光斑的大小和分布上。激光脉冲的能量越大、功率越高，激光光斑面积越大、分布越均匀，则光导开关的导通性能越好，寿命也越长；反之，激光脉冲参数在任何一方面不满足要求，都将会对光导开关的导通性能和寿命产生严重的影响。

目前，市场上所能买到的高功率半导体激光二极管都不是专门为驱动光导开关而设计的，在激光脉冲能量和功率方面都不能较好地满足驱动光导开关所需要的条件，在激光光斑的大小和分布上更是无法保证。因此，迫切需要一种在激光脉冲的能量、激光脉冲的功率、激光光斑的大小和分布上都符合要求的高功率半导体激光二极管来驱动光导开关，让在高功率半导体激光二极管驱动下的光导开关的性能可以和在高能激光器驱动下的光导开关的性能相比拟，最终使高功率半导体激光二极管代替高功率激光器成为驱动光导开关最普遍的驱动源，降低光导开关的使用成本，减小光导开关触发系统的体积和重量，加快光导开关的大规模应用，推动光导开关技术的进一步发展。

发明内容

本发明所要解决的问题是：针对现有技术存在的问题，提供一种多芯组高功率塑封脉冲半导体激光二极管，通过多个半导体激光二极管芯组的串联使用，使半导体激光二极管输出的激光脉冲能量更大、功率更高、光斑面积更大且更均匀，显著提高光导开关在高功率半导体激光二极管驱动下的导通性能和使用寿命，同时解决以往光导开关触发系统造价高、体积大的问题。

本发明目的通过下述技术方案来实现：

一种多芯组高功率塑封脉冲半导体激光二极管包括：正电极、负电极、半导体激光二极管管座、多个半导体激光二极管芯组、导电银浆、陶瓷片、银电极、电流流入端金丝、芯组连接金丝、电流流出端金丝；

半导体激光二极管管座，用于在半导体激光二极管管座底端面上固定正电极、负电极，并在半导体激光二极管管座横切面上固定陶瓷片；

陶瓷片表面等间距分布有M个银电极，每个银电极之间相互独立，每个银电极都通过导电银浆将一个半导体激光二极管芯组垂直粘接固定于陶瓷片上，其中每个半导体激光二极管芯组的第N芯片的负极与银电极直接接触；陶瓷片底面粘接于半导体激光二极管管座上，靠近正电极一侧的陶瓷片的末端为陶瓷片始端，远离正电极一侧的陶瓷片的末端为陶瓷片末端；

多个半导体激光二极管芯组之间通过芯组连接金丝采用串联的连接方式，正电极通过电流流入端金丝与第一半导体激光二极管芯组第一芯片正极连接；第M半导体激光器二极管芯组第N芯片负极通过电流流出端金丝与负电极连接；位于陶瓷片始端的半导体激光二极管芯组为第一芯组，与第一芯组相邻的芯组为第二芯组，以此类推，位于陶瓷片末端的半导体激光二极管芯组为第M芯组；

正电极，驱动电流流入该多芯组高功率塑封脉冲半导体激光二极管的电极，正电极穿过半导体激光二极管管座上的小孔固定在在半导体激光二极管管座上，所述小孔内填充绝缘硅胶使正电极和半导体激光二极管管座之间相互绝缘；

通过树脂封装层封装半导体激光二极管管座、半导体激光二极管芯组、电流流入端金丝、芯组连接金丝、电流流出端金丝、正电极、负电极和陶瓷片，形成正电极一端、负电极一端在树脂外边的圆柱体结构；其中正电极另一端、负电极另一端、半导体激光二极管管座、半导体激光二极管芯组、电流流入端金丝、芯组连接金丝、电流流出端金丝和陶瓷片封装在树脂内，半导体激光二极管管座底端面与树脂封装层形成的圆柱体底端面平行。

进一步的，所述半导体激光二极管管座是沿圆柱体轴线所在任意平面将圆柱体横切，形成横切面，其中横切长度X小于圆柱体轴线长度4Y/5，所述陶瓷片9底面与横切面粘连，陶瓷片9表面放置等间距分布有M个银电极10，未被横切的圆柱体底面部分设置小孔3；陶瓷片9底面通过绝缘硅胶粘接固定于半导体激光二极管管座6的横切面上。

进一步的，所述多个半导体激光二极管芯组之间通过芯组连接金丝12采用串联的连接方式；芯组连接金丝12与前一个半导体激光二极管芯组连接的半导体激光二极管芯片为第一芯片；一个半导体激光二极管芯组通过芯组连接金丝12与后一个半导体激光二极管芯组连接且与陶瓷片上的银电极直接接触的半导体激光二极管芯片为第N芯片；电流由第一半导体激光二极管芯组的第一芯片正极流入该芯组，并由该半导体激光二极管芯组的第N芯片的负极流出后，再通过与该半导体激光二极管芯组第N芯片的负极直接接触的银电极上所固定的芯组连接金丝12流入到下一个半导体激光二极管芯组的第一芯片的正极，以此类推；半导体激光二极管芯组连接金丝、银电极和半导体激光二极管芯片接触时，均采用导电银浆粘接固定；正电极通过电流流入端金丝与第一半导体激光二极管芯组中第一芯片的正极相连，电流流入端金丝、正电极和第一芯片的正极接触时，均采用导电银浆粘接固定；负电极通过电流流出端金丝与第M半导体激光二极管芯组中第N芯片的负极相连，电流流出端金丝、负电极和第M半导体激光二极管芯组中第N芯片的负极接触时，均采用导电银浆粘接固定。

进一步的，所述半导体激光二极管芯组6包括多个半导体激光二极管芯片7，各个半导体激光二极管芯片之间通过导电银浆9粘接固定，各个半导体激光二极管芯片依次叠放于银电极表面，银电极底面与陶瓷片表面粘接；所述电流从正电极、电流流入端金丝流入到第一半导体激光二极管芯组中第一芯片的正极，经过第一芯片负极流出后，再流入下一个半导体激光二极管芯片的正极，并由负极流出，以此类推；直到电流从第M个半导体激光二极管芯组中第N芯片的负极、电流流出端金丝、负电极流出。

进一步的，所述银电极10是通过丝网印刷工艺制作到陶瓷片表面的。

进一步的，所述多芯组高功率塑封脉冲半导体激光二极管包含的半导体激光二极管芯组的数量为M，芯组的间距D；每个半导体激光二极管芯组中包含的半导体激光二极管芯片的数量为N，芯片的间距为H，所述多芯组高功率塑封脉冲半导体激光二极管包含的半导体激光二极管芯组的数量为M，芯组的间距D；每个半导体激光二极管芯组中包含的半导体激光二极管芯片的数量为N，芯片的间距为H， 1≤M≤10,1≤N≤20,M和N都为整数；0≤D≤10 mm,0≤H≤5 mm；若单个半导体激光二极管芯片的功率为p，则多芯组激光二极管的功率就为M*N*p。

本发明的有益效果：

通过多个半导体激光二极管芯组的串联使用，使半导体激光二极管输出的激光脉冲能量更大、功率更高、光斑面积更大且更均匀，显著提高了在高功率半导体激光二极管驱动下的光导开关的导通性能和使用寿命，使高功率半导体激光二极管代替高功率激光器成为驱动光导开关最普遍的驱动源成为可能，同时，解决了以往光导开关触发系统造价高、体积大的问题。

2、通过调节半导体激光二极管芯组的数量M、芯组的间距D、每个半导体激光二极管芯组中半导体激光二极管芯片的数量N、芯片的间距H来调节半导体激光二极管输出的激光脉冲的激光能量、激光功率、光斑的面积和分布，可以满足不同尺寸、不同结构的光导开关对激光脉冲参数的不同要求。

3、各个半导体激光二极管芯组之间、每个半导体激光二极管芯组内各个半导体激光二极管芯片之间都采用串联的连接方式，使流过每个半导体激光二极管芯片的电流都是相同的，保证了所有半导体激光二极管芯片发射出的激光脉冲的均匀性和一致性。

4、各个半导体激光二极管芯组之间、芯组与正负电极之间都采用导电性能最好的金丝连接，减小了由于线路连接而引入的电阻，有效地降低了该多芯组高功率塑封半导体脉冲激光二极管的发热，大幅度扩展了该激光二极管可工作的频率范围。

5、使用树脂封装层封装其他部件避免了半导体激光二极管在高压环境中使用时因发生闪络、打火等导致的损坏，提高了半导体激光二极管的可靠性。

附图说明

图1是本发明半导体激光二极管芯片7发光示意图。

图2是本发明陶瓷片上固定多个半导体激光二极管芯组时的结构示意图。

图3a是本发明半导体激光二极管管座4的主视图。

图3b是本发明半导体激光二极管管座4的俯视图。

图3c是本发明半导体激光二极管管座4的右视图。

图4a是本发明包括正负电极、陶瓷片、半导体激光二极管芯组在内的部件都安装在半导体激光二极管管座上时的主视图。

图4b是本发明包括正负电极、陶瓷片、半导体激光二极管芯组在内的部件都安装在半导体激光二极管管座上时的俯视图。

图4c是本发明包括正负电极、陶瓷片、半导体激光二极管芯组在内的部件都安装在半导体激光二极管管座上时的右视图。

其中1-正电极       2-负电极        3-小孔       4-半导体激光二极管管座

5-树脂封装层       6-半导体激光二极管芯组    7-半导体激光二极管芯片

8-导电银浆         9-陶瓷片        10-银电极       11-电流流入端金丝

12-芯组连接金丝      13-电流流出端金丝。

具体实施方式

下列非限制性实施例用于说明本发明。

1、           本发明相关说明：

电流输入端金丝、电流流出端金丝、电流流出端金丝都是材质是金的细丝。流入端金丝作用是连接正极和第一个芯组的第一个芯片的正极，让电流从正极流入到第一芯片正极；连接金丝作用是让电流从一个芯组流入到下一个芯组；流出端金丝就是连接负极和第M芯组的第N芯片的负极，让电流从第N芯片流出到负极，最终流出二极管。

半导体激光二极管芯片的结构和原理请参考《半导体物理学》（第二版）593-594页，叶良修 编著，高等教育出版社。

树脂封装层是通过树脂封装其他部件的结构。

2、             本装置包括正电极、负电极、小孔、半导体激光二极管管座、树脂封装、半导体激光二极管芯组、半导体激光二极管芯片、导电银浆、陶瓷片、银电极、电流流入端金丝、芯组连接金丝、电流流出端金丝；

正电极，驱动电流流入该多芯组高功率塑封脉冲半导体激光二极管的电极，穿过半导体激光二极管管座上的小孔，并通过向小孔内填充绝缘硅胶，将正电极垂直固定在半导体激光二极管管座上，同时使正电极和半导体激光二极管管座之间相互绝缘；正电极通过电流流入端金丝与第一芯组中第一芯片的正极相连，金丝与正电极和第一芯片的正极接触时，均采用导电银浆粘接固定；

负电极，驱动电流流出半导体激光二极管的电极，直接垂直焊接固定在半导体激光二极管管座上；负电极通过电流流出端金丝与第M芯组中第N芯片的负极相连，金丝与负电极和第M芯组中第N芯片的负极接触时，均采用导电银浆粘接固定；负电极，驱动电流流出多芯组高功率塑封脉冲半导体激光二极管的电极，负电极垂直焊接固定在半导体激光二极管管座上；（电流流出端金丝粘接固定到负电极上。其实电流流出端金丝也可以粘接到底座上，但是粘接的位置不好表述，因此，在这里写成粘接在负电极上，效果是一样的）

小孔，在半导体激光二极管管座上开的一个孔，正电极穿过小孔，并通过用向小孔内填充绝缘硅胶将正电极垂直固定在半导体激光二极管管座上，同时使正电极和半导体激光二极管管座之间相互绝缘；

半导体激光二极管管座，用于固定正电极、负电极和陶瓷片；

树脂封装层，用于封装半导体激光二极管管座、半导体激光二极管芯组、电流流入端金丝、芯组连接金丝、电流流出端金丝和陶瓷片；

半导体激光二极管芯组，由N个半导体激光二极管芯片组成，该多芯组高功率塑封脉冲半导体激光二极管内共有M个半导体激光二极管芯组，此M个半导体激光二极管芯组通过分布在陶瓷片表面的银电极等间距固定于陶瓷片上，每个芯组的第N半导体激光二极管芯片的负极与银电极直接接触；其中，位于陶瓷片始端的半导体激光二极管芯组为第一芯组，与第一芯组相邻的半导体激光二极管芯组为第二芯组，以此类推，位于陶瓷片末端的半导体激光二极管芯组为第M芯组；第一芯组中第一半导体激光二极管芯片的正极通过电流流入端金丝与正电极相连，金丝与正电极和第一半导体激光二极管芯片的正极接触时，均采用导电银浆粘接固定；第M芯组中第N半导体激光二极管芯片的负极通过电流流出端金丝与负电极相连，金丝与负电极和第M芯组中第N半导体激光二极管芯片的负极接触时，均采用导电银浆粘接固定；各个芯组间通过芯组连接金丝串联；

银电极是通过丝网印刷工艺制作到陶瓷片表面的；每个银电极处都利用导电银浆将一个半导体激光二极管芯组垂直粘接固定于陶瓷片上，实现M个半导体激光二极管芯组等间距固定于陶瓷片上，其中每个芯组的第N芯片的负极与银电极直接接触；陶瓷片自身通过绝缘硅胶粘接固定于半导体激光二极管管座上，靠近正电极一侧的陶瓷片的末端为陶瓷片始端，远离正电极一侧的陶瓷片的末端为陶瓷片末端。

半导体激光二极管芯片，产生激光脉冲的单元，由N个半导体激光二极管芯片通过导电银浆粘接固定组成一个半导体激光二极管芯组，各个芯片间连接方式为串联。其中，在一个半导体激光二极管芯组中，通过芯组连接金丝与前一个芯组连接的半导体激光二极管芯片为第一芯片，电流由第一芯片的正极流入该芯组；通过芯组连接金丝与后一个芯组连接且与陶瓷片上的银电极直接接触的半导体激光二极管芯片为第N芯片，电流由第N芯片的负极流出该芯组；

导电银浆，用于各个部分之间的粘接固定，包括半导体激光二极管芯片之间、半导体激光二极管芯组与陶瓷片上的银电极之间、金丝与正负电极之间、金丝与半导体激光二极管芯片之间和金丝与银电极之间；

陶瓷片，表面等间距分布有M个银电极，每个银电极之间相互独立，其中银电极是通过丝网印刷工艺制作到陶瓷片表面的；每个银电极处都利用导电银浆将一个半导体激光二极管芯组垂直粘接固定于陶瓷片上，实现M个半导体激光二极管芯组等间距固定于陶瓷片上，其中每个芯组的第N芯片的负极与银电极直接接触；陶瓷片自身通过绝缘硅胶粘接固定于半导体激光二极管管座上；其中，靠近正电极一侧的陶瓷片的末端为陶瓷片始端，靠近负电极一侧的陶瓷片的末端为陶瓷片末端；

树脂封装层对半导体激光二极管芯组产生的激光是透明的，即半导体激光二极管芯组产生的激光穿过树脂封装层时能量不会发生衰减。

多芯组高功率塑封脉冲半导体激光二极管包含的半导体激光二极管芯组的数量为M，芯组的间距D；每个半导体激光二极管芯组中包含的半导体激光二极管芯片的数量为N，芯片的间距为H。可以通过调节M、D、N、H的值来调节该多芯组高功率塑封脉冲半导体激光二极管输出的激光脉冲的激光能量、激光功率、光斑的面积和分布，以适应不同尺寸、不同结构的光导开关对激光脉冲参数的不同要求。

驱动电流由正电极流入该多芯组高功率塑封脉冲半导体激光二极管，经流入端金丝流入第一芯组的第一芯片的正极，并由第一芯组的第N芯片的负极流出，再通过芯组连接金丝流入到第二芯组的第一芯片的正极，以此类推，最后经流出端金丝流入负电极后，流出该多芯组高功率塑封脉冲半导体激光二极管。正电极和负电极都垂直固定在半导体激光二极管管座上，其中，正电极穿过半导体激光二极管管座上开的小孔，并通过小孔内填充的绝缘硅胶垂直固定在半导体激光二极管管座上且与半导体激光二极管管座之间相互绝缘；负电极则直接垂直焊接固定在半导体激光二极管管座上。

半导体激光二极管芯片之间、半导体激光二极管芯组与陶瓷片上的银电极之间、金丝与正负电极之间、金丝与半导体激光二极管芯片之间和金丝与银电极之间都采用导电银浆来粘接固定；各个半导体激光二极管芯组之间、芯组与正负电极之间都采用导电性能最好的金丝连接，减小了由于线路连接而引入的电阻，有效地降低了该多芯组高功率塑封半导体脉冲激光二极管的发热，大幅度扩展了该激光二极管可工作的频率范围。

用树脂封装层封装的方式将半导体激光二极管管座、半导体激光二极管芯组、电流流入端金丝、芯组连接金丝、电流流出端金丝和陶瓷片封装起来，防止半导体激光二极管在高压环境中使用时因发生闪络、打火等导致的损坏，提高半导体激光二极管的可靠性。所述树脂封装层对半导体激光二极管芯组产生的激光是透明的，即半导体激光二极管芯组产生的激光穿过树脂封装层时能量不会发生衰减。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (6)

1.一种多芯组高功率塑封脉冲半导体激光二极管，其特征在于包括：正电极、负电极、半导体激光二极管管座、多个半导体激光二极管芯组、导电银浆、陶瓷片、银电极、电流流入端金丝、芯组连接金丝、电流流出端金丝；

半导体激光二极管管座，用于在半导体激光二极管管座底端面上固定正电极、负电极，并在半导体激光二极管管座横切面上固定陶瓷片；

陶瓷片表面等间距分布有M个银电极，每个银电极之间相互独立，每个银电极都通过导电银浆将一个半导体激光二极管芯组垂直粘接固定于陶瓷片上，其中每个半导体激光二极管芯组的第N芯片的负极与银电极直接接触；陶瓷片底面粘接于半导体激光二极管管座上，靠近正电极一侧的陶瓷片的末端为陶瓷片始端，远离正电极一侧的陶瓷片的末端为陶瓷片末端；

多个半导体激光二极管芯组之间通过芯组连接金丝采用串联的连接方式，正电极通过电流流入端金丝与第一半导体激光二极管芯组第一芯片正极连接；第M半导体激光器二极管芯组第N芯片负极通过电流流出端金丝与负电极连接；位于陶瓷片始端的半导体激光二极管芯组为第一芯组，与第一芯组相邻的芯组为第二芯组，以此类推，位于陶瓷片末端的半导体激光二极管芯组为第M芯组；

正电极，驱动电流流入该多芯组高功率塑封脉冲半导体激光二极管的电极，正电极穿过半导体激光二极管管座上的小孔固定在在半导体激光二极管管座上，所述小孔内填充绝缘硅胶使正电极和半导体激光二极管管座之间相互绝缘； 

通过树脂封装层封装半导体激光二极管管座、半导体激光二极管芯组、电流流入端金丝、芯组连接金丝、电流流出端金丝、正电极、负电极和陶瓷片，形成正电极一端、负电极一端在树脂外边的圆柱体结构；其中正电极另一端、负电极另一端、半导体激光二极管管座、半导体激光二极管芯组、电流流入端金丝、芯组连接金丝、电流流出端金丝和陶瓷片封装在树脂内，半导体激光二极管管座底端面与树脂封装层形成的圆柱体底端面平行。

2.根据权利要求1所述的一种多芯组高功率塑封脉冲半导体激光二极管，其特征在于所述半导体激光二极管管座是沿圆柱体轴线所在任意平面将圆柱体横切，形成横切面，其中横切长度X小于圆柱体轴线长度4Y/5，所述陶瓷片底面与横切面粘连，陶瓷片表面放置等间距分布有M个银电极，未被横切的圆柱体底面部分设置小孔；陶瓷片底面通过绝缘硅胶粘接固定于半导体激光二极管管座的横切面上。

3.根据权利要求1所述的一种多芯组高功率塑封脉冲半导体激光二极管，其特征在于所述多个半导体激光二极管芯组之间通过芯组连接金丝采用串联的连接方式；芯组连接金丝与前一个半导体激光二极管芯组连接的半导体激光二极管芯片为第一芯片；一个半导体激光二极管芯组通过芯组连接金丝与后一个半导体激光二极管芯组连接且与陶瓷片上的银电极直接接触的半导体激光二极管芯片为第N芯片；电流由第一半导体激光二极管芯组的第一芯片正极流入该芯组，并由该半导体激光二极管芯组的第N芯片的负极流出后，再通过与该半导体激光二极管芯组第N芯片的负极直接接触的银电极上所固定的芯组连接金丝流入到下一个半导体激光二极管芯组的第一芯片的正极，以此类推；半导体激光二极管芯组连接金丝、银电极和半导体激光二极管芯片接触时，均采用导电银浆粘接固定；正电极通过电流流入端金丝与第一半导体激光二极管芯组中第一芯片的正极相连，电流流入端金丝、正电极和第一芯片的正极接触时，均采用导电银浆粘接固定；负电极通过电流流出端金丝与第M半导体激光二极管芯组中第N芯片的负极相连，电流流出端金丝、负电极和第M半导体激光二极管芯组中第N芯片的负极接触时，均采用导电银浆粘接固定。

4.根据权利要求1所述的一种多芯组高功率塑封脉冲半导体激光二极管，其特征在于所述半导体激光二极管芯组包括多个半导体激光二极管芯片，各个半导体激光二极管芯片之间通过导电银浆粘接固定，各个半导体激光二极管芯片依次叠放于银电极表面，银电极底面与陶瓷片表面粘接； 所述电流从正电极、电流流入端金丝流入到第一半导体激光二极管芯组中第一芯片的正极，经过第一芯片负极流出后，再流入下一个半导体激光二极管芯片的正极，并由负极流出，以此类推；直到电流从第M个半导体激光二极管芯组中第N芯片的负极、电流流出端金丝、负电极流出。

5. 根据权利要求1至4之一所述的一种多芯组高功率塑封脉冲半导体激光二极管，其特征在于所述银电极是通过丝网印刷工艺制作到陶瓷片表面。

6.根据权利要求1至4之一所述的一种多芯组高功率塑封脉冲半导体激光二极管，其特征在于所述多芯组高功率塑封脉冲半导体激光二极管包含的半导体激光二极管芯组的数量为M，芯组的间距D；每个半导体激光二极管芯组中包含的半导体激光二极管芯片的数量为N，芯片的间距为H， 1≤M≤10,1≤N≤20,M和N都为整数；0≤D≤10 mm,0≤H≤5 mm；若单个半导体激光二极管芯片的功率为p，则多芯组激光二极管的功率就为M*N*p。