CN205122582U - Led正装芯片的高功率密度封装模组 - Google Patents
Led正装芯片的高功率密度封装模组 Download PDFInfo
- Publication number
- CN205122582U CN205122582U CN201520825587.XU CN201520825587U CN205122582U CN 205122582 U CN205122582 U CN 205122582U CN 201520825587 U CN201520825587 U CN 201520825587U CN 205122582 U CN205122582 U CN 205122582U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- positive
- led
- chip
- encapsulation module
- conductive plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本实用新型属于半导体照明器件技术领域，具体为LED正装芯片的高功率密度封装模组。本封装模组的封装基板表面为正、负极导电板交替排布的横截面，LED正装芯片的两侧P极和N极分别连接到相邻的两个正、负极导电板上，而所有正、负极导电板则分别与对应的驱动电源的正、负接口相连；相邻导电板之间有导热绝缘层；所述导电板为具有高导热系数的金属板材或者为导电的非金属板材，厚度在1mm以上；所述LED正装芯片底部通过焊料或导热胶或共晶焊粘结在相邻的正、负导电板之间，每组正负导电板上可以并联若干个LED正装芯片；相同极性的导电板可以并联或串联形成模组的电输出端。
Description
技术领域
本实用新型属于半导体照明器件技术领域，具体涉及LED正装芯片的高功率密度封装模组。
背景技术
随着半导体技术的快速发展，LED封装技术得到了长足的进步，大功率LED封装器件也逐渐推广应用于各种普通照明和特殊照明应用领域。目前LED封装器件的功率可达到千瓦级，但功率密度相对较低。这还不能满足众多工业应用领域对高功率密度光输出的需求。
CN201410291560.7提出了一种LED倒装芯片的大功率集成封装结构，LED倒装芯片焊接在正负极导电板间隔排布的封装基板上，倒装芯片的P型和N型电极横跨正、负导电板，并分别与对应导电板电气连接，实现了大功率的封装模组。但是该封装结构中，倒装芯片的两个电极必须准确对准相应导电板，而芯片本身的尺寸非常小，因此该发明的封装精度要求很高，操作比较困难。
发明内容
本实用新型的目的是提供一种可靠性好的LED正装芯片的高功率密度封装模组，以实现十千瓦级的大功率LED器件封装。
本实用新型提供的LED正装芯片的高功率密度封装模组，其封装基板表面为正、负极导电板交替排布的横截面，LED正装芯片的两侧P极和N极分别连接到相邻的两个正、负极导电板上，而所有正、负极导电板则分别与对应的驱动电源的正、负接口相连。
本实用新型中，所述封装模组包含至少1组正、负极导电板，相邻导电板之间有用于电气绝缘的导热绝缘层；所述导电板为具有高导热系数的金属板材或者为导电的非金属板材，厚度在1mm以上。
本实用新型中，所述LED正装芯片底部通过焊料或导热胶或共晶焊粘结在相邻的正、负导电板之间，每组正、负导电板上可以并联有若干个LED正装芯片；相同极性的导电板可以并联或串联形成模组的电输出端。
附图说明
图1为本实用新型的LED正装芯片的高功率密度封装模组的正视图。
图2为本实用新型的LED正装芯片的高功率密度封装模组的俯视图。
图3为本实用新型的负极单焊盘垂直芯片的封装模组的正视图。
图4为本实用新型的负极单焊盘垂直芯片的封装模组的俯视图。
图5为本实用新型的负极双焊盘垂直芯片的封装模组的正视图。
图6为本实用新型的负极双焊盘垂直芯片的封装模组的俯视图。
图中标号：1—正极导电板；2—绝缘胶；3—负极导电板；4—LED芯片；5—芯片N型电极；6—芯片P型电极；7—金线；8—导热胶；9—导电胶。
具体实施方式
以下结合附图和实施例，对本实用新型做进一步说明。所描述的实施例仅为本实用新型的部分实施例。基于本实用新型中的实施例而未作出创造性成果的其他所有实施例，都属于本实用新型的保护范围。
实施例1：本实用新型的LED正装芯片的高功率密度封装模组，其结构如图1和图2所示。封装基板由两组正极导电板1和负极导电板3交替排列构成。导电板厚度为2mm，长度为20mm。相邻导电板之间采用绝缘胶2进行电气绝缘。封装模组中包含十个功率为10W的紫外LED正装芯片4，分为两排。芯片底部用导热胶8粘结在封装基板上，芯片的N型电极5和P型电极6分别通过金线7与负极导电板3和正极导电板1进行电连接。两组导电板中，相同极性的导电板并联，并连接到对应的电源接线端。
实施例2：本实用新型的负极单焊盘垂直芯片的高功率密度封装模组，其结构如图3和图4所示。封装基板由一个正极导电板1和两个负极导电板3交替排列构成。正极导电板厚度为5mm，负极导电板厚度为1mm，长度均为20mm。相邻导电板之间采用绝缘胶2进行电气绝缘。封装模组中包含十个功率为10W的紫外LED正装芯片4，分为两排。芯片底部的P型电极6用导电焊料9焊接在正极导电板1上，芯片的N型电极5通过金线7与相邻负极导电板3连接。两个负极导电板并联。
实施例3：本实用新型的负极双焊盘垂直芯片的高功率密度封装模组，其结构如图5和图6所示。封装基板由两个正极导电板1和三个负极导电板3交替排列构成。正极导电板厚度为3mm，负极导电板厚度为1mm，长度均为20mm。相邻导电板之间采用绝缘胶2进行电气绝缘。封装模组中包含十个功率为10W的紫外LED正装芯片4，分为两行排列。芯片底部的P型电极6用导电焊料9焊接在正极导电板1上，芯片顶部两侧的N型电极5通过金线7与相邻负极导电板3连接。相同极性的导电板并联，并连接到对应的电源接线端。
Claims (3)
1.一种LED正装芯片的高功率密度封装模组，其特征在于：封装基板表面为正、负极导电板交替排布的横截面，LED正装芯片的两侧P极和N极分别连接到相邻的两个正、负极导电板上，而所有正、负极导电板则分别与对应的驱动电源的正、负接口相连。
2.根据权利要求1所述的LED正装芯片的高功率密度封装模组，其特征在于：包含至少1组正、负极导电板，相邻导电板之间有用于电气绝缘的导热绝缘层；所述导电板为具有高导热系数的金属板材或者为导电的非金属板材，厚度在1mm以上。
3.根据权利要求2所述的LED正装芯片的高功率密度封装模组，其特征在于：所述LED正装芯片底部通过焊料或导热胶或共晶焊粘结在相邻的正、负导电板之间，每组正、负导电板上并联有若干个LED正装芯片；相同极性的导电板并联或串联形成模组的电输出端。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201520825587.XU CN205122582U (zh) | 2015-10-25 | 2015-10-25 | Led正装芯片的高功率密度封装模组 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201520825587.XU CN205122582U (zh) | 2015-10-25 | 2015-10-25 | Led正装芯片的高功率密度封装模组 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN205122582U true CN205122582U (zh) | 2016-03-30 |
Family
ID=55578163
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201520825587.XU Active CN205122582U (zh) | 2015-10-25 | 2015-10-25 | Led正装芯片的高功率密度封装模组 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN205122582U (zh) |
-
2015
- 2015-10-25 CN CN201520825587.XU patent/CN205122582U/zh active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102376845A (zh) | 发光二极管的封装结构 | |
| CN102208498A (zh) | 一种led高导热绝缘基座封装的方法及器件 | |
| US9748462B2 (en) | Floating heat sink support with conductive sheets and LED package assembly for LED flip chip package | |
| CN105024003A (zh) | 电子封装结构及其陶瓷基板 | |
| CN103794580B (zh) | 一种绝缘互联散热板及功率模块 | |
| CN210200726U (zh) | 大面积led光源封装结构 | |
| TW201608678A (zh) | 晶片封裝模組與封裝基板 | |
| CN205122582U (zh) | Led正装芯片的高功率密度封装模组 | |
| CN204243034U (zh) | 一种led封装模块 | |
| JP2012174911A (ja) | 熱電変換モジュール | |
| CN108281406B (zh) | 一种功率器件封装结构及其制造方法 | |
| CN203659850U (zh) | 一种压接式绝缘型电力半导体模块 | |
| CN203351644U (zh) | 覆晶式led支架和表面贴装led | |
| CN102842549A (zh) | 四方扁平无引脚的功率mosfet封装体 | |
| CN202120903U (zh) | 一种半桥功率模块 | |
| CN205429001U (zh) | 一种led cob光源封装结构 | |
| CN202013885U (zh) | 电极上下设置的led集成封装器件 | |
| CN201732809U (zh) | Led照明光源的封装结构 | |
| CN202058730U (zh) | 一种led高导热绝缘基座封装的器件 | |
| CN102723420B (zh) | 一种支架与led灯 | |
| CN204029869U (zh) | 一种中小功率led散导热封装基板 | |
| CN105355614B (zh) | 一种预封装单芯片及其制备工艺 | |
| CN205264751U (zh) | 一种低热阻led光源 | |
| CN104867891A (zh) | 一种igbt器件用双层导电膜电连接结构 | |
| CN203398153U (zh) | Led封装结构 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |