JP6572803B2 - 半導体レーザ装置 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の実施の形態1に係る半導体レーザ装置を示す側面図である。図2は、本発明の実施の形態1に係る半導体レーザ装置を示す正面図である。半導体レーザ素子1は、通信用、ディスクシステム又はプロジェクタの光源用としてよく用いられるφ9.0mmステムパッケージに搭載されている。
図9は、本発明の実施の形態2に係る半導体レーザ装置の主要部を示す平面図である。複数の金ワイヤ8は、第1ストライプ領域26に第2ストライプ領域27よりも多くワイヤボンドされている。このように、必ずしも全ての金ワイヤ8を1つの発光領域上のみにワイヤボンドする必要はなく、ワイヤ本数に偏りがあれば第1発光領域24と第2発光領域25の温度差が生じるため、スペックルノイズを軽減することができる。
図10は、本発明の実施の形態3に係る半導体レーザ装置の主要部を示す平面図である。複数の金ワイヤ8は第1ストライプ領域26のみにワイヤボンドされている。これにより、実施の形態2よりも第1発光領域24と第2発光領域25の温度差が大きくなるため、更にスペックルノイズを軽減することができる。ただし、実施の形態1のようにn側電極22及び金メッキ層23を第1ストライプ領域26のみに形成した方が、温度差が大きくなる。
Claims (4)
- 電流が注入されてレーザ光を発光する複数の発光領域と、互いに対向する第1及び第2主面とを有する半導体レーザ素子と、
前記半導体レーザ素子の前記第1主面にワイヤボンドされた複数の第1ワイヤとを備え、
前記半導体レーザ素子の前記第1主面は、前記複数の発光領域の1つに対応する第1ストライプ領域と他の発光領域に対応する第2ストライプ領域を有し、
前記複数の第1ワイヤは、前記第1ストライプ領域に前記第2ストライプ領域よりも多くワイヤボンドされ、
前記複数の第1ワイヤは、前記第1ストライプ領域のみにワイヤボンドされていることを特徴とする半導体レーザ装置。 - 前記半導体レーザ素子は、前記複数の第1ワイヤがワイヤボンドされる電極を更に有し、
前記電極は前記第1ストライプ領域に形成され、前記第2ストライプ領域には形成されていないことを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ装置。 - 電流が注入されてレーザ光を発光する複数の発光領域と、互いに対向する第1及び第2主面とを有する半導体レーザ素子と、
前記半導体レーザ素子の前記第1主面にワイヤボンドされた複数の第1ワイヤと、
前記半導体レーザ素子の前記第2主面が接合されたサブマウントと、
前記サブマウントにワイヤボンドされた第2ワイヤとを備え、
前記半導体レーザ素子の前記第1主面は、前記複数の発光領域の1つに対応する第1ストライプ領域と他の発光領域に対応する第2ストライプ領域を有し、
前記複数の第1ワイヤは、前記第1ストライプ領域に前記第2ストライプ領域よりも多くワイヤボンドされ、
前記半導体レーザ素子の前記第1ストライプ領域は前記第2ストライプ領域よりも前記サブマウントのワイヤボンドされた領域に近いことを特徴とする半導体レーザ装置。 - 前記複数の発光領域の数が2つであることを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載の半導体レーザ装置。
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