JP2017162976A5 - - Google Patents

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アイレット４に設けられた穴にリード５，６が通されている。アイレット４とリード５，６との間に両者を電気的に分離するための封止用ガラス７が設けられている。半導体レーザ素子１の上面とリード５は金ワイヤ８により電気的に接続されている。サブマウント２の上面とリード６は金ワイヤ９により電気的に接続されている。
絶縁膜１９の２つの開口の真下に存在する活性層１４の領域は、それぞれ電流が注入されてレーザ光を発光する第１及び第２発光領域２４，２５となる。従って、半導体レーザ素子１の２カ所からレーザ光が出射されることになる。ｎ側電極２２及び金メッキ層２３は、半導体基板１１の第１発光領域２４側のみに形成されている。
図４は、本発明の実施の形態１に係る半導体レーザ装置の主要部を示す平面図である。図３に示した半導体レーザ素子１は上下を反対にされ、半導体レーザ素子１の表面の金メッキ層２１がサブマウント２に接合されている。従って、半導体レーザ素子１の活性層１４はサブマウント２に非常に近い位置に存在する。複数の金ワイヤ８が半導体レーザ素子１の裏面の金メッキ層２３にワイヤボンドされている。複数の金ワイヤ９がサブマウント２にワイヤボンドされている。金ワイヤ８，９の数はそれぞれ６本、ワイヤ径は２５μｍ、ワイヤ長は全て２．０ｍｍである。
続いて、本実施の形態に係る半導体レーザ素子１の製造方法について説明する。まず、半導体基板１１上に、ＭＯＣＶＤ法などの結晶成長法により、下クラッド層１２、下光ガイド層１３、活性層１４、上光ガイド層１５、上クラッド層１６、コンタクト層を順に形成する。次に、エッチングによりコンタクト層を選択的に除去して第１及び第２発光領域２４，２５上のみにコンタクト層１７，１８を残す。次に、全面に絶縁膜１９を形成し、第１及び第２発光領域２４，２５上の絶縁膜１９をエッチングによって除去する。次に、ｐ側電極２０及び金メッキ層２１を形成する。次に、半導体基板１１の裏面を研磨して所望の厚さにし、ｎ側電極２２と金メッキ層２３を形成する。半導体基板１１を共振器長が１．５ｍｍとなるようにへき開し、前端面に反射率１０％のコーティングを実施し、後端面に反射率９０％のコーティングを実施する。以上の構成により本実施の形態に係る半導体レーザ１が製造される。

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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6861062B2 (ja) * 2017-03-22 2021-04-21 日本ルメンタム株式会社 サブマウント、光送信モジュール、光モジュール、光伝送装置、並びに、それらの制御方法
WO2021079969A1 (ja) * 2019-10-24 2021-04-29 ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社 半導体レーザ装置

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2870082B2 (ja) * 1990-01-19 1999-03-10 ソニー株式会社 半導体レーザ
JP3222635B2 (ja) * 1993-06-29 2001-10-29 三菱電機株式会社 半導体レーザ装置およびその実装方法
TW449949B (en) 1998-09-10 2001-08-11 Rohm Co Ltd Light emitting semiconductor element and method for manufacturing the same
JP4365530B2 (ja) 1998-09-10 2009-11-18 ローム株式会社 半導体発光素子およびその製法
JP2000164971A (ja) * 1998-11-20 2000-06-16 Nec Corp アレイ型レーザダイオード及び製造方法
JP2002232061A (ja) * 2001-02-01 2002-08-16 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザ装置の製造方法および半導体レーザ装置
US7269195B2 (en) * 2002-03-04 2007-09-11 Quintessence Photonics Corporation Laser diode with an amplification section that has a varying index of refraction
JP2005026333A (ja) * 2003-06-30 2005-01-27 Sanyo Electric Co Ltd 半導体レーザ装置
JP4552396B2 (ja) * 2003-08-27 2010-09-29 富士ゼロックス株式会社 画像形成装置
JP2006128236A (ja) * 2004-10-27 2006-05-18 Mitsubishi Electric Corp 光半導体モジュール
GB2427752A (en) * 2005-06-28 2007-01-03 Bookham Technology Plc High power semiconductor laser diode
JP2007214300A (ja) * 2006-02-09 2007-08-23 Sony Corp 半導体レーザ
JP4970924B2 (ja) * 2006-03-28 2012-07-11 三菱電機株式会社 光素子用パッケージとこれを用いた光半導体装置
US7907652B2 (en) * 2007-04-25 2011-03-15 Sanyo Electric Co., Ltd. Semiconductor laser device
JP2011049338A (ja) 2009-08-27 2011-03-10 Sanyo Electric Co Ltd 発光装置および光装置
JP5368957B2 (ja) * 2009-12-04 2013-12-18 シャープ株式会社 半導体レーザチップの製造方法
CN102129144B (zh) * 2010-01-12 2012-05-23 清华大学 基于非线性偏振旋转的激光脉冲尖峰抑制方法及装置
JP5644160B2 (ja) * 2010-04-06 2014-12-24 三菱電機株式会社 半導体レーザ装置
US8320418B2 (en) * 2010-05-18 2012-11-27 Corning Incorporated Multiple wavelength optical systems
CN102064473B (zh) * 2010-12-10 2014-06-11 福州高意光学有限公司 一种宽带输出的可见光半导体激光器
JP2013084810A (ja) * 2011-10-11 2013-05-09 Harison Toshiba Lighting Corp 発光装置
TWM441261U (en) * 2012-05-18 2012-11-11 Truelight Corp Laser diode array die structure and has the laser diode array die structure of package device
JP2014165328A (ja) * 2013-02-25 2014-09-08 Sony Corp 半導体発光素子及び表示装置
EP2999062B1 (en) * 2013-05-13 2021-11-10 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor laser device
US9300112B2 (en) * 2013-12-18 2016-03-29 Lumentum Operations Llc Packaged laser diode and method of packaging a laser diode
JP6257361B2 (ja) * 2014-02-04 2018-01-10 三菱電機株式会社 半導体レーザアレイ
JP6512773B2 (ja) 2014-08-25 2019-05-15 Ｋｙｂ株式会社 アンテナ監視装置及び車両位置情報通知装置

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