JP2009188273A - ジャンクションダウン型の光半導体素子及び光半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】ボンディング強度の低下を抑制しつつ、不要な静電容量を抑制できる光半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体レーザ装置1は、サブマウント2と、サブマウント2にボンディングされる半導体レーザ素子3とを有する。レーザ素子3は、基板21と、基板21上に形成され、ストライプ部38を有する半導体積層部22と、ストライプ部38が露出するように積層部22に形成された絶縁膜23と、絶縁膜23から露出したストライプ部38と接続されたp側電極部25及び電極部25と絶縁された状態で絶縁膜23上に形成されたボンディング部26、27とを有するボンディングパッド28とを含む。サブマウント2は、保持基板11と、電極部25が接続された電極部12及び電極部12と絶縁され且つボンディング部26、27とボンディングされるボンディング部13、14を有し、基板11に形成されたボンディングパッド15とを含む。
【選択図】図1
【解決手段】半導体レーザ装置1は、サブマウント2と、サブマウント2にボンディングされる半導体レーザ素子3とを有する。レーザ素子3は、基板21と、基板21上に形成され、ストライプ部38を有する半導体積層部22と、ストライプ部38が露出するように積層部22に形成された絶縁膜23と、絶縁膜23から露出したストライプ部38と接続されたp側電極部25及び電極部25と絶縁された状態で絶縁膜23上に形成されたボンディング部26、27とを有するボンディングパッド28とを含む。サブマウント2は、保持基板11と、電極部25が接続された電極部12及び電極部12と絶縁され且つボンディング部26、27とボンディングされるボンディング部13、14を有し、基板11に形成されたボンディングパッド15とを含む。
【選択図】図1
Description
本発明は、ストライプ部が形成された半導体積層部を備えたジャンクションダウン型の光半導体素子及び光半導体装置に関する。
従来、ストライプ部が形成された半導体積層部を有する半導体レーザ素子等の光半導体素子や、その光半導体素子を備えた光半導体装置が知られている(特許文献1参照)。このような光半導体素子の一つとして、ストライプ部側をサブマウントに接続するジャンクションダウン型がある。
図14及び図15に示すジャンクションダウン型の光半導体素子100は、基板101と、半導体積層部102と、絶縁膜103と、ワイヤーボンディングされるn側電極104と、サブマウントとダイボンディングされるボンディングパッド105とを備えている。半導体積層部102は、基板101上に形成され、電流を狭窄させるためのストライプ部106を有する。絶縁膜103は、半導体積層部102の上面に形成されるとともに、ストライプ部106が露出するように開口部103aが形成されている。n側電極104は、基板101の裏面を覆うように形成されている。ボンディングパッド105は、ストライプ部106と電気的に接続されたp側電極としても機能する。ボンディングパッド105は、絶縁膜103の一面の全域を覆うように形成されている。
上述した光半導体素子100では、n側電極104とボンディングパッド105との間に電圧が印加されると、ストライプ部106及びその近傍の積層方向にのみ電流が流れる。これにより、半導体積層部102が、反転分布状態となり誘導放出が生じて光が出射される。
特開2001−358404
しかしながら、上述したジャンクションダウン型の光半導体素子100では、ボンディングパッド105が絶縁膜103の一面全てを覆うように形成されている。このため、ストライプ部106以外の領域において、半導体積層部102とボンディングパッド105とがコンデンサ構造となり、不要な静電容量が生じるといった課題がある。ここで、ボンディングパッド105を細くすることによって、静電容量を小さくすることが考えられる。しかしながら、ボンディングパッド105を細くすると、サブマウントとのボンディング強度が弱くなるといった課題が生じる。
本発明は、上述した課題を解決するために創案されたものであり、ボンディング強度の低下を抑制しつつ、不要な静電容量を抑制できるジャンクションダウン型の光半導体素子及び光半導体装置を提供することを目的としている。
上記目的を達成するために、請求項1に記載の発明は、基板と、前記基板上に形成され、ストライプ部が形成された半導体積層部と、前記ストライプ部が露出するように前記半導体積層部上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜から露出した前記ストライプ部と電気的に接続された電極部、及び、前記電極部と電気的に絶縁された状態で前記絶縁膜上に形成されたボンディング部とを有するボンディングパッドとを備えていることを特徴とするジャンクションダウン型の光半導体素子である。
また、請求項2に記載の発明は、前記ボンディング部は、前記電極部を挟み一対設けられていることを特徴とする請求項1に記載のジャンクションダウン型の光半導体素子である。
また、請求項3に記載の発明は、前記電極部と前記ボンディング部は、同じ材料からなることを特徴とする請求項1または請求項2のいずれか1項に記載のジャンクションダウン型の光半導体素子である。
また、請求項4に記載の発明は、前記絶縁膜は、前記電極部と前記ボンディング部との間で露出していることを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載のジャンクションダウン型の光半導体素子である。
また、請求項5に記載の発明は、光半導体素子と、前記光半導体素子がボンディングされるサブマウントとを備え、前記光半導体素子は、基板と、前記基板上に形成され、ストライプ部が形成された半導体積層部と、前記ストライプ部が露出するように前記半導体積層部上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜から露出した前記ストライプ部と電気的に接続された第1電極部、及び、前記電極部と電気的に絶縁された状態で前記絶縁膜上に形成された第1ボンディング部とを有する第1ボンディングパッドとを備え、前記サブマウントは、保持基板と、前記光半導体素子の第1電極が電気的に接続された第2電極部、及び、前記第2電極部と電気的に絶縁され且つ前記光半導体素子の第1ボンディング部とボンディングされる第2ボンディング部を有し、前記保持基板に形成された第2ボンディングパッドとを備えていることを特徴とする光半導体装置である。
また、請求項6に記載の発明は、前記第1ボンディングパッドの表面は、Auを含み、前記第2ボンディングパッドの表面は、Auを含み、前記第1ボンディングパッドと前記第2ボンディングパッドは、Snを含む半田材によってボンディングされていることを特徴とする請求項5に記載の光半導体装置である。
本発明によれば、ジャンクションダウン型の光半導体素子のボンディングパッドにおいて、電極部とボンディング部とを電気的に絶縁している。これにより、ボンディング部と半導体積層部との間に生じる不要な静電容量を抑制できる。また、光半導体素子の電極部のみならずボンディング部をもサブマウントとボンディングすることにより、ボンディング強度の低下を抑制できる。
以下、図面を参照して本発明を半導体レーザ素子及び半導体レーザ装置に適用した第1実施形態について説明する。尚、第1実施形態による半導体レーザ装置は、光ディスク装置、レーザプリンタ、光通信機器等に適用可能である。
図1は、第1実施形態による半導体レーザ装置の全体斜視図である。図2は、サブマウントの斜視図である。図3は、サブマウントの平面図である。図4は、半導体レーザ素子の斜視図である。図5は、半導体レーザ素子の平面図である。図6は、図5のVI−VI線に沿った断面図である。
図1に示すように、第1実施形態による半導体レーザ装置1は、サブマウント2と、半導体レーザ素子3とを備えている。
図1に示すように、サブマウント2は、半導体レーザ素子3を保持するためのものである。図2及び図3に示すように、サブマウント2は、保持基板11と、電極部12及び一対のボンディング部13、14を有するボンディングパッド15とを備えている。
尚、電極部12が、請求項5に記載の第2電極部に相当する。ボンディング部13、14が、請求項5に記載の第2ボンディング部に相当する。ボンディングパッド15が、請求項5に記載の第2ボンディングパッドに相当する。
保持基板11は、熱伝導率が高い絶縁性のAlNからなる。尚、保持基板11をSiやSiC等により構成してもよい。平面視において、保持基板11は、約400μmのX方向の幅と、約500μmのY方向の長さとを有する。
ボンディングパッド15は、後述する半導体レーザ素子3のボンディングパッド28とボンディングするためのものである。以下、ボンディングパッド15を構成する電極部12及びボンディング部13、14について説明する。
電極部12は、半導体レーザ素子3と外部とを電気的に接続するためのものである。電極部12は、保持基板11の一方の面(以下、主面)11aに積層されたAu、Pt(またはMo、W等のバリアメタル)、Auからなる。電極部12は、後述する半導体レーザ素子3のp側電極部25が電気的に接続される接続部12aと、外部に接続される外部端子部12bとを備えている。接続部12aは、約5μmのX方向の幅を有する。
ボンディング部13、14は、半導体レーザ素子3のボンディング強度の低下を抑制するためのものである。ボンディング部13、14は、保持基板11の主面11aに形成されている。ボンディング部13、14は、電極部12と同じ材料からなり、同じ積層構造を有する。ボンディング部13、14は、電極部12と所定の間隔を開け、電気的に絶縁されている。ボンディング部13とボンディング部14は、電極部12の接続部12aを挟み線対称に形成されている。各ボンディング部13、14は、約75μmのX方向の幅と、約400μmのY方向の長さとを有する。ボンディング部13、14は、後述する半導体レーザ素子3のボンディング部26、27とボンディングされる。
図1に示すように、半導体レーザ素子3は、ジャンクションダウン型である。図4及図5に示すように、半導体レーザ素子3は、基板21と、半導体積層部22と、絶縁膜23と、n側電極24と、p側電極部25及び一対のボンディング部26、27を有するボンディングパッド28とを備えている。
尚、p側電極部25が、請求項1に記載の電極部及び請求項5に記載の第1電極部に相当する。ボンディング部26、27が、請求項1に記載のボンディング部及び請求項5に記載の第1ボンディング部に相当する。ボンディングパッド28が、請求項1に記載のボンディングパッド及び請求項5に記載の第1ボンディングパッドに相当する。
基板21は、導電性を有するn型GaNからなる。平面視において、基板21は、約200μmのX方向側の長さと、約400μmのY方向側の長さとを有する。
図6に示すように、半導体積層部22は、基板21の−Z方向側の面(以下、主面)21aに積層されている。半導体積層部22には、n型クラッド層31と、n型ガイド層32と、活性層33と、p型電子ブロック層34と、p型ガイド層35と、p型クラッド層36と、p型コンタクト層37とが基板21側から順に積層されている。
n型クラッド層31は、活性層33で発光された光を閉じ込めるためのものである。n型クラッド層31は、n型の不純物としてSiがドープされたn型AlGaN層からなる。
n型ガイド層32は、活性層33で発光された光をガイドするためのものである。n型ガイド層32は、n型の不純物としてSiがドープされたn型GaN層からなる。
活性層33は、誘導放出により光を発光するためのものである。活性層33は、ノンドープのInGaN層(井戸層)とGaN層(バリア層)とが交互に複数積層されたMQW(多重量子井戸:multiple quantum wells)構造を有する。
p型電子ブロック層34は、n側電極24から注入された電子がp型半導体側に達することを抑制するためのものである。p型電子ブロック層34は、p型の不純物としてMgがドープされたp型AlGaN層からなる。
p型ガイド層35は、活性層33で発光された光をガイドするためのものである。p型ガイド層35は、p型の不純物としてMgがドープされたp型GaN層からなる。p型ガイド層35のX方向の中央部は、凸状の凸部35aが形成されている。
p型クラッド層36は、活性層33で発光された光を閉じ込めるためのものである。p型クラッド層36は、p型ガイド層35の凸部35a上に形成されている。p型クラッド層36は、p型の不純物としてMgがドープされたp型AlGaN層からなる。
p型コンタクト層37は、p側電極部25と半導体積層部22との間の電気的な抵抗を低減するためのものである。p型コンタクト層37は、p型の不純物としてMgがドープされたp型GaN層からなる。
半導体積層部22の−Z方向側には、リッジ状のストライプ部38が形成されている。ストライプ部38は、電流を狭窄させるためのものである。ストライプ部38は、X方向の中央部に形成されている。ストライプ部38は、5μm以下のX方向の幅と、数μmのZ方向の高さを有する。ストライプ部38は、Y方向の全長にわたって延びるように形成されている。ストライプ部38は、p型ガイド層35の凸部35aと、p型クラッド層36と、p型コンタクト層37とによって構成されている。
半導体積層部22のY方向の両端面には、一対の反射膜(図示略)を有するファブリペロー共振器が設けられている。
絶縁膜23は、ストライプ部38以外の領域でボンディングパッド28と半導体積層部22とが電気的に接続されることを防ぐためのものである。絶縁膜23は、ZrO2からなる。尚、絶縁膜23は、Al2O3やSiO2等の絶縁材料により構成してもよい。絶縁膜23は、半導体積層部22の−Z方向側の面の略全域を覆うように形成されている。絶縁膜23のX方向の中央部には、ストライプ部38の上面を露出させるための開口部23aが形成されている。開口部23aは、Y方向の全長にわたって形成されている。絶縁膜23は、p側電極部25とボンディング部26、27との間で露出している。
n側電極24は、基板21を介して半導体積層部22へと電子を注入するためのものである。図1に示すように、n側電極24には、Auからなるワイヤー41が接続されている。n側電極24は、基板21とオーミック接続されたAlからなる。n側電極24は、基板21の+Z方向側の面(以下、裏面)21bを覆うように形成されている。
ボンディングパッド28は、サブマウント2のボンディングパッド15とAu/Snを含む半田材によってダイボンディングされている。以下、ボンディングパッド28のp側電極部25及びボンディング部26、27について説明する。
p側電極部25は、ストライプ部38から半導体積層部22に正孔を注入するためのものである。p側電極部25は、Au、Pt(またはMo、W等のバリアメタル)、Auの積層構造からなる。p側電極部25は、ストライプ部38及びその近傍に形成されている。p側電極部25は、約5μmのX方向の幅と、約400μmのY方向の長さとを有する。即ち、p側電極部25は、Y方向の全長にわたって形成されている。p側電極部25は、絶縁膜23から露出したストライプ部38の上面とオーミック接続されている。p側電極部25は、サブマウント2の電極部12の接続部12aとボンディングされて、電気的に接続されている。
ボンディング部26、27は、サブマウント2と半導体レーザ素子3とのボンディング強度の低下を抑制するためのものである。ボンディング部26、27は、サブマウント2のボンディング部13、14とボンディングされる。ボンディング部26、27は、p側電極部25と同様に、Au、Pt(またはMo、W等のバリアメタル)、Auの積層構造を有する。ボンディング部26、27は、絶縁膜23上に形成されている。ボンディング部26とボンディング部27は、p側電極部25を挟み対称な位置に対称な形状で形成されている。ボンディング部26、27は、約75μmのX方向の幅と、約400μmのY方向の長さとを有する。即ち、ボンディング部26、27は、サブマウント2のボンディング部13、14と同じ形状に形成されている。
p側電極部25とボンディング部26(27)との間には、約22.5μmの間隔が形成されている。これにより、p側電極部25とボンディング部26(27)とは、電気的に絶縁されている。p側電極部25とボンディング部26(27)との間からは、絶縁膜23が露出されている。ここで、p側電極部25とボンディング部26(27)との間の間隔は、特に限定されるものではないが、p側電極部25とボンディング部26(27)とが半田材により接続されることを抑制するためには、20μm以上が好ましい。
次に、上述した半導体レーザ装置1の動作について説明する。
まず、ワイヤー41とサブマウント2の電極部12とを介してn側電極24とp側電極部25とに電圧が印加される。これにより、n側電極24から半導体積層部22に電子が注入され、p側電極部25から半導体積層部22に正孔が注入される。半導体積層部22に注入された電子と正孔は、活性層33で再結合して光を発光する。発光した光は、反転分布状態の活性層33を導波する。そして、Y方向に導波する光は、端面間を往復して誘導放出を生じさせた後、一方の端面からレーザ光として出射される。
次に、上述した半導体レーザ装置1の製造方法について説明する。図7〜図12は、第1実施形態の半導体レーザ素子の製造工程を説明する図である。図13は、サブマウントと半導体レーザ素子のダイボンディングを説明する図である。
まず、図7に示すように、基板21をMOCVD(有機金属化学気相蒸着)装置(図示略)のチャンバーに導入して、基板21の主面21aに半導体積層部22を順次積層する。具体的には、シランガス、TMG(トリメチルガリウム)、TMA(トリメチルアルミニウム)、アンモニアガスのいずれかを所望の流量でMOCVD装置のチャンバーに供給して、n型半導体層31、32を成長させる。次に、TMI(トリメチルインジウム)、TMG、アンモニアガスのいずれかを所望の流量でチャンバーに供給して活性層33を成長させる。その後、Cp2Mg(ビスシクロペンタジエニルマグネシウム)ガス、TMA、TMG、アンモニアガスのいずれかを所望の流量でチャンバーに供給してp型半導体層34〜37を形成する。
次に、図8に示すように、ゾルゲル法によりSiO2からなる第1マスク層45を形成する。その後、スパッタリング法により、SiN層からなる第2マスク層46を形成する。ここで、ゾルゲル法により形成された第1マスク層45は、スパッタリング法により形成された第2マスク層46よりもエッチングレートが高い。その後、フォトリソグラフィー法によりパターニングされたレジスト膜47を形成する。
次に、図9に示すように、レジスト膜47から露出している領域の第2マスク層46及び第1マスク層45をエッチングする。その後、レジスト膜47を除去する。
次に、図10に示すように、マスク層45、46から露出している領域のp型コンタクト層37、p型クラッド層36、p型ガイド層35の途中部までをドライエッチングする。これにより、ストライプ部38が形成される。
次に、図11に示すように、1−水素2−フッ化アンモニウム溶液であるバッファドフッ酸により、第1マスク層45の側面を選択的にエッチングして、p型コンタクト層37の上面の一部を露出させる。その後、スパッタリング法により、ZrO2層からなる絶縁膜23を形成する。その後、再度、バッファドフッ酸にストライプ部38を浸すことにより、第2マスク層46及び第1マスク層45を、第2マスク層46上の絶縁膜23bとともに除去する。
次に、図12に示すように、フォトリソグラフィー法によりレジスト膜48を形成する。そして、スパッタリング法によりAu、Pt、Auの積層構造を有するp側電極部25及びボンディング部26、27を有するボンディングパッド28を形成する。その後、レジスト膜48をその上の金属層49とともに除去する。
次に、基板21の裏面21bを研磨した後、基板21の裏面21bの全面にAlからなるn側電極24を形成する。その後、素子単位に分割する。これにより、図4及び図5に示す半導体レーザ素子3が完成する。
次に、フォトリソグラフィー法及びリフトオフ法等により、サブマウント2を別工程によって作製する。その後、図13に示すように、サブマウント2と半導体レーザ素子3とをダイボンディングする。具体的には、サブマウント2のボンディングパッド15の表面にAu/Snを含む半田材を載置する。この状態で、ヒータによって半田材が溶けるまでサブマウント2を加熱する。次に、半導体レーザ素子3のp側電極部25及びボンディング部26、27に、サブマウント3の接続部12a及びボンディング部13、14が一致するように載置して、ボンディングする。ここで、半田材がAu/Snを含むので、半導体レーザ素子3のp側電極部25及びボンディング部26、27は、融点が上がり容易にボンディングされる。尚、p側電極部25とボンディング部26、27との間では、露出している絶縁膜23によってAu/Snを含む半田材がはじかれる。
この結果、図1に示す半導体レーザ装置1が完成する。
上述したように、第1実施形態による半導体レーザ装置1の半導体レーザ素子3では、ボンディング部26、27を、p側電極部25から一定の間隔を開けることにより絶縁している。これにより、ボンディング部26、27と半導体積層部22との間に不要な静電容量が生じることを抑制できる。具体的には、従来のように絶縁膜上の全面にボンディングパッドを形成した場合、ボンディングパッドの面積が200μm×400μm=8×104μm2となり、この全面積が静電容量に寄与する。一方、第1実施形態によるボンディングパッド28では、5μm×400μm=0.2×104μm2の面積を有するp側電極部25のみが静電容量に寄与する。即ち、理論的には、第1実施形態では、従来の形態に比べて静電容量を1/40に抑えることができる。更に、これにより、高周波重畳を掛け易く、高速パルス駆動における応答性の向上に繋がる。また、半導体レーザ素子3は、p側電極部25のみならずボンディング部26、27もサブマウント2のボンディングパッド15とダイボンディングされている。これにより、ボンディング強度の低下を抑制できる。これらの結果、ボンディング強度の低下を抑制しつつ、不要な静電容量を小さくできる。
また、半導体レーザ素子3では、p側電極部25を挟み、ボンディング部26とボンディング部27とを線対称に形成しているので、ボンディングのバランスを向上させることができる。同様に、サブマウント2では、接続部12aを挟み、ボンディング部13とボンディング部14とを線対称に形成しているので、ボンディングのバランスを向上させることができる。
また、半導体レーザ素子3では、p側電極部25とボンディング部26、27とを同じ材料により構成しているので、同じ製造工程で形成することができる。これにより、製造工程の複雑化を抑制できる。
また、ボンディングパッド15とボンディングパッド28とをボンディングするための半田材がAu/Snを含むので、半導体レーザ素子3のボンディングパッド28の表面のAuの融点を上げることができる。これにより、小さい押圧力によって、ボンディングパッド15とボンディングパッド28とをボンディングできる。更に、絶縁膜23は、Au/Snを含む半田材をはじくので、p側電極25とボンディング部26、27とが電気的に接続されることを抑制できる。
以上、実施形態を用いて本発明を詳細に説明したが、本発明は本明細書中に説明した実施形態に限定されるものではない。本発明の範囲は、特許請求の範囲の記載及び特許請求の範囲の記載と均等の範囲により決定されるものである。以下、上記実施形態を一部変更した変更形態について説明する。
例えば、上述した実施形態の形状、材料、数値等は、一例であって、適宜変更可能である。
また、上述した実施形態では、半導体レーザ素子及び半導体レーザ装置に本発明を適用した例について説明したが、本発明を他の光半導体装置に適用してもよい。例えば、端面に反射膜の代わりに一対の反射防止膜が形成された半導体光増幅器(SOA)等に本発明を適用してもよい。
また、上述した実施形態では、GaN系半導体を例として挙げたが、その他のGaAs系半導体、Si系半導体、InGaP系半導体等を適用してもよい。
また、上述した実施形態では、リッジ状のストライプ構造を有する光半導体素子について説明したが、埋め込み型のストライプ構造の光半導体素子に本発明を適用してもよい。
1 半導体レーザ装置
2 サブマウント
3 半導体レーザ素子
11 保持基板
11a 主面
12 電極部
12a 接続部
12b 外部端子部
13、14 ボンディング部
15 ボンディングパッド
21 基板
22 半導体積層部
23 絶縁膜
23a 開口部
25 p側電極部
26、27 ボンディング部
28 ボンディングパッド
31 n型クラッド層
32 n型ガイド層
33 活性層
34 p型電子ブロック層
35 p型ガイド層
35a 凸部
36 p型クラッド層
37 p型コンタクト層
38 ストライプ部
2 サブマウント
3 半導体レーザ素子
11 保持基板
11a 主面
12 電極部
12a 接続部
12b 外部端子部
13、14 ボンディング部
15 ボンディングパッド
21 基板
22 半導体積層部
23 絶縁膜
23a 開口部
25 p側電極部
26、27 ボンディング部
28 ボンディングパッド
31 n型クラッド層
32 n型ガイド層
33 活性層
34 p型電子ブロック層
35 p型ガイド層
35a 凸部
36 p型クラッド層
37 p型コンタクト層
38 ストライプ部
Claims (6)
- 基板と、
前記基板上に形成され、ストライプ部が形成された半導体積層部と、
前記ストライプ部が露出するように前記半導体積層部上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜から露出した前記ストライプ部と電気的に接続された電極部、及び、前記電極部と電気的に絶縁された状態で前記絶縁膜上に形成されたボンディング部とを有するボンディングパッドとを備えていることを特徴とするジャンクションダウン型の光半導体素子。 - 前記ボンディング部は、前記電極部を挟み一対設けられていることを特徴とする請求項1に記載のジャンクションダウン型の光半導体素子。
- 前記電極部と前記ボンディング部は、同じ材料からなることを特徴とする請求項1または請求項2のいずれか1項に記載のジャンクションダウン型の光半導体素子。
- 前記絶縁膜は、前記電極部と前記ボンディング部との間で露出していることを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載のジャンクションダウン型の光半導体素子。
- 光半導体素子と、前記光半導体素子がボンディングされるサブマウントとを備え、
前記光半導体素子は、
基板と、
前記基板上に形成され、ストライプ部が形成された半導体積層部と、
前記ストライプ部が露出するように前記半導体積層部上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜から露出した前記ストライプ部と電気的に接続された第1電極部、及び、前記電極部と電気的に絶縁された状態で前記絶縁膜上に形成された第1ボンディング部とを有する第1ボンディングパッドとを備え、
前記サブマウントは、
保持基板と、
前記光半導体素子の第1電極が電気的に接続された第2電極部、及び、前記第2電極部と電気的に絶縁され且つ前記光半導体素子の第1ボンディング部とボンディングされる第2ボンディング部を有し、前記保持基板に形成された第2ボンディングパッドとを備えていることを特徴とする光半導体装置。 - 前記第1ボンディングパッドの表面は、Auを含み、
前記第2ボンディングパッドの表面は、Auを含み、
前記第1ボンディングパッドと前記第2ボンディングパッドは、Snを含む半田材によってボンディングされていることを特徴とする請求項5に記載の光半導体装置。
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