JP6551678B2 - 発光装置およびプロジェクター - Google Patents
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Description
基板と、
前記基板上方に配置される第1クラッド層と、
前記第1クラッド層上方に配置される活性層と、
前記活性層上方に配置される第2クラッド層と、
前記第2クラッド層上方に配置され、前記第2クラッド層と電気的に接続されるコンタクト層と、
前記活性層に電流を注入する第1電極および第2電極と、
を含み、
前記第2電極は、前記コンタクト層上に配置され、前記コンタクト層と一定の幅で接触する電気的接触領域を有し、
前記活性層は、前記活性層および前記第1クラッド層の積層方向からみて、前記電気的接触領域と重なる領域に光を導波させる光導波路を構成し、
前記光導波路は、光を射出する第1光出射面および第2光出射面を有し、
前記積層方向からみて、前記第1光出射面および前記第2光出射面との距離が等しい中心位置における前記第2電極の幅は、前記光導波路の延在方向の前記電気的接続領域の端部における前記第2電極の幅よりも小さい。
前記電気的接続領域の端部において、前記第2電極の幅は、前記電気的接続領域の幅よりも大きくてもよい。
前記第2電極は、前記中心位置から前記電気的接続領域の端部に向かうに従って、前記第2電極の幅が大きくなる部分を有していてもよい。
前記光導波路は、前記第1光出射面の法線および前記第2光出射面の法線に対して傾いた方向に延在していてもよい。
前記第2電極の前記中心位置を含んだ領域上に配置される絶縁層を含んでいてもよい。
前記第2電極は、
前記中心位置を含む第1領域と、
前記電気的接続領域の端部を含む第2領域および第3領域と、
を有し、
前記第2領域および前記第3領域は、前記第2電極に電流を供給する電流供給部を有していてもよい。
前記光導波路は、屈折率導波路であってもよい。
前記光導波路は、利得導波路であってもよい。
前記第1光出射面および前記第2光出射面には、反射防止膜が設けられていてもよい。
本発明に係る発光装置と、
前記発光装置から射出された光を、画像情報に応じて変調する光変調装置と、
前記光変調装置によって形成された画像を投射する投射装置と、
を含む。
まず、本実施形態に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する。図1は、本実施形態に係る発光装置100を模式的に示す平面図である。図2は、本実施形態に係る発光装置100を模式的に示す図1のII−II線断面図である。図3は、本実施形態に係る発光装置100を模式的に示す図1のIII−III線断面図である。
次に、本実施形態に係る発光装置100の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図9は、本実施形態に係る発光装置100の製造工程を模式的に示す断面図である。
3.1. 第1変形例
次に、本実施形態の第1変形例に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する。図10は、本実施形態の第1変形例に係る発光装置200を模式的に示す平面図である。図11は、本実施形態の第1変形例に係る発光装置200を模式的に示す図10のXI−XI線断面図である。
次に、本実施形態の第2変形例に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する。図12は、本実施形態の第2変形例に係る発光装置300を模式的に示す平面図である。図13は、本実施形態の第2変形例に係る発光装置300を模式的に示す図12のXIII−XIII線断面図である。図14は、本実施形態の第2変形例に係る発光装置300を模式的に示す図12のXIV−XIV線断面図である。
次に、本実施形態の第3変形例に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する。図15は、本実施形態の第3変形例に係る発光装置400を模式的に示す断面図である。
次に、本実施形態の第4変形例に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する。図16は、本実施形態の第4変形例に係る発光装置500を模式的に示す平面図である。
次に、本実施形態に係るプロジェクターについて、図面を参照しながら説明する。図17は、本実施形態に係るプロジェクター900を模式的に示す図である。
Claims (8)
- 基板と、
前記基板上方に配置される第1クラッド層と、
前記第1クラッド層上方に配置される活性層と、
前記活性層上方に配置される第2クラッド層と、
前記第2クラッド層上方に配置され、前記第2クラッド層と電気的に接続されるコンタクト層と、
前記コンタクト層上方に配置された絶縁層と、
前記活性層に電流を注入する第1電極および第2電極と、
を含み、
前記第2電極は、前記コンタクト層上および前記絶縁層上に配置され、
前記第2電極は、
前記コンタクト層と接触する電気的接続領域と、
前記絶縁層と接触する接続領域と、
を有し、
前記電気的接続領域は、一定の幅であり、
前記活性層は、前記活性層および前記第1クラッド層の積層方向からみて、前記電気的接続領域と重なる領域に光を導波させる光導波路を構成し、
前記光導波路は、光を射出する第1光出射面および第2光出射面を有し、
前記積層方向からみて、前記第1光出射面および前記第2光出射面との距離が等しい中心位置における前記第2電極の幅は、前記光導波路の延在方向の前記電気的接続領域の端部における前記第2電極の幅よりも小さく、
前記第2電極は、
前記中心位置を含む第1領域と、
前記電気的接続領域の端部を含む第2領域および第3領域と、
を有し、
前記第2領域および前記第3領域は、前記第2電極に電流を供給する電流供給部を有し、
前記第2電極の幅は、前記積層方向からみて、前記電気的接続領域の幅と、前記接続領
域の延在方向と直交する方向の大きさと、の合計であり、
前記光導波路は、前記第1光出射面と前記第2光出射面との間の全体において、利得導波路である、ことを特徴とする発光装置。 - 基板と、
前記基板上方に配置される第1クラッド層と、
前記第1クラッド層上方に配置される活性層と、
前記活性層上方に配置される第2クラッド層と、
前記第2クラッド層上方に配置され、前記第2クラッド層と電気的に接続されるコンタクト層と、
前記第2クラッド層上方に配置された絶縁層と、
前記活性層に電流を注入する第1電極および第2電極と、
を含み、
前記第2電極は、前記コンタクト層上および前記絶縁層上に配置され、
前記第2電極は、
前記コンタクト層と接触する電気的接続領域と、
前記絶縁層と接触する接続領域と、
を有し、
前記電気的接続領域は、一定の幅であり、
前記活性層は、前記活性層および前記第1クラッド層の積層方向からみて、前記電気的接続領域と重なる領域に光を導波させる光導波路を構成し、
前記光導波路は、光を射出する第1光出射面および第2光出射面を有し、
前記積層方向からみて、前記第1光出射面および前記第2光出射面との距離が等しい中心位置における前記第2電極の幅は、前記光導波路の延在方向の前記電気的接続領域の端部における前記第2電極の幅よりも小さく、
前記第2電極は、
前記中心位置を含む第1領域と、
前記電気的接続領域の端部を含む第2領域および第3領域と、
を有し、
前記第2領域および前記第3領域は、前記第2電極に電流を供給する電流供給部を有し、
前記第2電極は、
前記中心位置を含む第1領域と、
前記電気的接続領域の端部を含む第2領域および第3領域と、
を有し、
前記第2領域および前記第3領域は、前記第2電極に電流を供給する電流供給部を有し、
前記第2電極の幅は、前記積層方向からみて、前記電気的接続領域の幅と、前記接続領域の延在方向と直交する方向の大きさと、の合計であり、
前記光導波路は、前記第1光出射面と前記第2光出射面との間の全体において、屈折率導波路である、ことを特徴とする発光装置。 - 前記電気的接続領域の端部において、前記第2電極の幅は、前記電気的接続領域の幅よりも大きい、ことを特徴とする請求項1または2に記載の発光装置。
- 前記第2電極は、前記中心位置から前記電気的接続領域の端部に向かうに従って、前記第2電極の幅が大きくなる部分を有する、ことを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記光導波路は、前記第1光出射面の法線および前記第2光出射面の法線に対して傾い
た方向に延在している、ことを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1項に記載の発光装置。 - 前記第2電極の前記中心位置を含んだ領域上に配置される絶縁層を含む、ことを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記第1光出射面および前記第2光出射面には、反射防止膜が設けられている、ことを特徴とする請求項1ないし6のいずれか1項に記載の発光装置。
- 請求項1ないし7のいずれか1項に記載の発光装置と、
前記発光装置から射出された光を、画像情報に応じて変調する光変調装置と、
前記光変調装置によって形成された画像を投射する投射装置と、
を含む、ことを特徴とするプロジェクター。
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