JP2017084990A - 発光装置およびプロジェクター - Google Patents

Abstract

【課題】利得の飽和を低減し、高出力化を図ることができる発光装置を提供する。【解決手段】本発明に係る発光装置は、基板と、第１クラッド層と、活性層と、第２クラッド層と、コンタクト層と、前記活性層に電流を注入する第１電極および第２電極と、を含み、前記第２電極は、前記コンタクト層上に配置され、前記コンタクト層と一定の幅で接触する電気的接触領域を有し、前記活性層は、前記活性層および前記第１クラッド層の積層方向からみて、前記電気的接触領域と重なる領域に光を導波させる光導波路を構成し、前記光導波路は、光を射出する第１光出射面および第２光出射面を有し、前記積層方向からみて、前記第１光出射面および前記第２光出射面との距離が等しい中心位置における前記第２電極の幅は、前記光導波路の延在方向の前記電気的接続領域の端部における前記第２電極の幅よりも小さい。【選択図】図１

Description

本発明は、発光装置およびプロジェクターに関する。

半導体レーザーやスーパールミネッセントダイオード（Ｓｕｐｅｒ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ Ｄｉｏｄｅ、以下「ＳＬＤ」ともいう）などの半導体発光装置は、例えば、プロジェクターの光源として用いられる。ＳＬＤは、通常の発光ダイオード同様にインコヒーレント性を示し、かつ広帯域なスペクトル形状を示しながら、光出力特性では半導体レーザー同様に単一の素子で数百ｍＷ程度までの出力を得ることが可能な半導体発光装置である。

例えば特許文献１には、ストライプ状の斜め導波路を有するＳＬＤが開示されている。

特開２０１２−４３９５０号公報

上記のようなＳＬＤの光導波路では、光を出射する光出射面に向かって光が指数関数的に増幅される。そのため、光出射面近傍では、光に変換されるキャリアの量が不足することにより利得の飽和が発生して、ＳＬＤの出力が低下する場合がある。

本発明のいくつかの態様に係る目的の１つは、利得の飽和を低減し、高出力化を図ることができる発光装置を提供することにある。また、本発明のいくつかの態様に係る目的の１つは、上記発光装置を含むプロジェクターを提供することにある。

本発明に係る発光装置は、
基板と、
前記基板上方に配置される第１クラッド層と、
前記第１クラッド層上方に配置される活性層と、
前記活性層上方に配置される第２クラッド層と、
前記第２クラッド層上方に配置され、前記第２クラッド層と電気的に接続されるコンタクト層と、
前記活性層に電流を注入する第１電極および第２電極と、
を含み、
前記第２電極は、前記コンタクト層上に配置され、前記コンタクト層と一定の幅で接触する電気的接触領域を有し、
前記活性層は、前記活性層および前記第１クラッド層の積層方向からみて、前記電気的接触領域と重なる領域に光を導波させる光導波路を構成し、
前記光導波路は、光を射出する第１光出射面および第２光出射面を有し、
前記積層方向からみて、前記第１光出射面および前記第２光出射面との距離が等しい中心位置における前記第２電極の幅は、前記光導波路の延在方向の前記電気的接続領域の端部における前記第２電極の幅よりも小さい。

このような発光装置では、電気的接続領域の端部側における光導波路への注入電流密度を、第２電極の中心位置における光導波路への注入電流密度よりも大きくすることができる。したがって、このような発光装置では、利得の飽和を低減し、高出力化を図ることができる。

なお、本発明に係る記載では、「上方」という文言を、例えば、「特定のもの（以下、「Ａ」という）の「上方」に他の特定のもの（以下、「Ｂ」という）を形成する」などと用いる場合に、Ａ上に直接Ｂを形成するような場合と、Ａ上に他のものを介してＢを形成するような場合とが含まれるものとして、「上方」という文言を用いている。

また、本発明に係る記載では、「電気的に接続」という文言を、例えば、「特定の部材（以下「Ｃ部材」という）に「電気的に接続」された他の特定の部材（以下「Ｄ部材」という）」などと用いている。本発明に係る記載では、この例のような場合に、Ｃ部材とＤ部材とが、直接接して電気的に接続されているような場合と、Ｃ部材とＤ部材とが、他の部材を介して電気的に接続されているような場合とが含まれるものとして、「電気的に接続」という文言を用いている。

本発明に係る発光装置において、
前記電気的接続領域の端部において、前記第２電極の幅は、前記電気的接続領域の幅よりも大きくてもよい。

このような発光装置では、利得の飽和を低減し、高出力化を図ることができる。

本発明に係る発光装置において、
前記第２電極は、前記中心位置から前記電気的接続領域の端部に向かうに従って、前記第２電極の幅が大きくなる部分を有していてもよい。

このような発光装置では、利得の飽和を低減し、高出力化を図ることができる。

本発明に係る発光装置において、
前記光導波路は、前記第１光出射面の法線および前記第２光出射面の法線に対して傾いた方向に延在していてもよい。

このような発光装置では、光導波路にて発生する光を、第１光出射面と第２光出射面との間で直接的に多重反射させることを抑制することができる。その結果、このような発光装置は、スペックルノイズを低減することができる。

本発明に係る発光装置において、
前記第２電極の前記中心位置を含んだ領域上に配置される絶縁層を含んでいてもよい。

このような発光装置では、基板、第１クラッド層、活性層、第２クラッド層、コンタクト層、第１電極、および第２電極を含む発光素子をジャンクションダウン実装する場合に、電気的接続領域の端部側における光導波路への注入電流密度を、中心位置における光導波路への注入電流密度よりも、より確実に大きくすることができる。

本発明に係る発光装置において、
前記第２電極は、
前記中心位置を含む第１領域と、
前記電気的接続領域の端部を含む第２領域および第３領域と、
を有し、
前記第２領域および前記第３領域は、前記第２電極に電流を供給する電流供給部を有していてもよい。

このような発光装置では、電気的接続領域の端部側における光導波路への注入電流密度を、中心位置における光導波路への注入電流密度よりも、より確実に大きくすることができる。

本発明に係る発光装置において、
前記光導波路は、屈折率導波路であってもよい。

このような発光装置では、屈折率の差によって、光導波路内に効率よく光を閉じ込めることができる。

本発明に係る発光装置において、
前記光導波路は、利得導波路であってもよい。

このような発光装置では、光導波路が屈折率導波路である場合に比べて、製造工程の簡易化を図ることができる。

本発明に係る発光装置において、
前記第１光出射面および前記第２光出射面には、反射防止膜が設けられていてもよい。

このような発光装置では、第１出射面および第２光出射面における光の反射を抑制することができ、効率よく第１光出射面および第２光出射面から光を射出することができる。

本発明に係るプロジェクターは、
本発明に係る発光装置と、
前記発光装置から射出された光を、画像情報に応じて変調する光変調装置と、
前記光変調装置によって形成された画像を投射する投射装置と、
を含む。

このようなプロジェクターでは、本発明に係る発光装置を含むため、高輝度化を図ることができる。

本実施形態に係る発光装置を模式的に示す平面図。 本実施形態に係る発光装置を模式的に示す断面図。 本実施形態に係る発光装置を模式的に示す断面図。 光導波路の延出方向における位置と、光導波路における光密度と、の関係を説明するための図。 光導波路の延出方向における位置と、光導波路への注入電流密度と、の関係を説明するための図。 光導波路の延出方向における位置と、光導波路への注入電流密度と、の関係を説明するための図。 光導波路の延出方向における位置と、光導波路への注入電流密度と、の関係を説明するための図。 光導波路の延出方向における位置と、光導波路における光密度と、の関係を説明するための図。 本実施形態に係る発光装置の製造工程を模式的に示す断面図。 本実施形態の第１変形例に係る発光装置を模式的に示す平面図。 本実施形態の第１変形例に係る発光装置を模式的に示す断面図。 本実施形態の第２変形例に係る発光装置を模式的に示す平面図。 本実施形態の第２変形例に係る発光装置を模式的に示す断面図。 本実施形態の第２変形例に係る発光装置を模式的に示す断面図。 本実施形態の第３変形例に係る発光装置を模式的に示す断面図。 本実施形態の第４変形例に係る発光装置を模式的に示す平面図。 本実施形態に係るプロジェクターを模式的に示す図。

以下、本発明の好適な実施形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また、以下で説明される構成の全てが本発明の必須構成要件であるとは限らない。

１． 発光装置
まず、本実施形態に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する。図１は、本実施形態に係る発光装置１００を模式的に示す平面図である。図２は、本実施形態に係る発光装置１００を模式的に示す図１のＩＩ−ＩＩ線断面図である。図３は、本実施形態に係る発光装置１００を模式的に示す図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線断面図である。

発光装置１００は、図１〜図３に示すように、実装基板２と、発光素子４と、を含む。発光素子４は、基板１０２と、第１クラッド層１０４と、活性層１０６と、第２クラッド層１０８と、コンタクト層１１０と、絶縁層１１２と、第１電極１２０と、第２電極１２２と、反射防止膜１３０と、を含む。

実装基板２には、発光素子４が実装されている。実装基板２の材質は、例えば、セラミックスや金属であり、発光素子４が実装されることができれば、特に限定されない。実装基板２は、発光素子４で熱が発生した場合、該熱を外部に放出する機能を有していてもよい。図示の例では、発光素子４は、第１電極１２０側を実装基板２に向けて実装されている。発光素子４は、接合部材６を介して実装基板２に実装されている。接合部材６は、導電性を有している。接合部材６は、実装基板２上に設けられたパッド（図示せず）と接続されることにより、電源（図示せず）と電気的に接続されている。これにより、第１電極１２０と電源とを電気的に接続することができる。接合部材６としては、例えば、銀ペーストや、ＡｕＳｎからなる半田を用いる。

基板１０２は、接合部材６および第１電極１２０を介して、実装基板２上方に配置される。基板１０２は、例えば、第１導電型（例えばｎ型）のＧａＡｓ基板である。

第１クラッド層１０４は、基板１０２上方に（図示の例では基板１０２上に）配置される。第１クラッド層１０４は、例えば、ｎ型のＩｎＧａＡｌＰ層である。なお、図示はしないが、基板１０２と第１クラッド層１０４との間に、バッファー層が配置されていてもよい。バッファー層は、例えば、ｎ型のＧａＡｓ層、ＡｌＧａＡｓ層、ＩｎＧａＰ層などである。バッファー層は、その上方に形成される層の結晶品質を向上させることができる。

活性層１０６は、第１クラッド層１０４上方に（図示の例では第１クラッド層１０４上に）配置される。活性層１０６は、例えば、ＩｎＧａＰウェル層とＩｎＧａＡｌＰバリア層とから構成される量子井戸構造を３つ重ねた多重量子井戸（ＭＱＷ）構造を有している。

活性層１０６は、図１に示すように、活性層１０６および第１クラッド層１０４の積層方向からみて（以下、「平面視において」ともいう）は、例えば、長方形の形状を有している。活性層１０６は、第１側面１０６ａと、第２側面１０６ｂと、第３側面１０６ｃと、第４側面１０６ｄと、を有している。側面１０６ａ，１０６ｂは、互いに反対方向を向く面（図示の例では平行な面）である。側面１０６ｃ，１０６ｄは、互いに反対方向を向く面（図示の例では平行な面）であり、側面１０６ａ，１０６ｂに接続された面である。側面１０６ａ，１０６ｂ，１０６ｃ，１０６ｄは、クラッド層１０４，１０８に面状に接していない面である。側面１０６ａ，１０６ｂは、劈開によって形成された劈開面であってもよい。

活性層１０６は、電流が注入されて光を発生させることが可能な層である。活性層１０６は、光を導波させる光導波路１６０を構成している。光導波路１６０を導波する光は、光導波路１６０において利得を受けることができる。

光導波路１６０は、第１側面１０６ａから第２側面１０６ｂまで延在している。光導波路１６０は、光を射出する第１光出射面１７０および第２光出射面１７２を有している。第１光出射面１７０は、光導波路１６０の第１側面１０６ａとの接続部である。第２光出射面１７２は、光導波路１６０の第２側面１０６ｂとの接続部である。

光導波路１６０は、第１光出射面１７０の法線Ｐ１および第２光出射面１７２の法線Ｐ２に対して傾いた方向に延在している。図示の例では、第１光出射面１７０の中心と第２光出射面１７２の中心とを通る仮想直線（中心線Ａ）は、法線Ｐ１，Ｐ２に対して傾いた方向に延在している。平面視において、中心線Ａと第１側面１０６ａとのなす角は、例えば、８５°程度である。光導波路１６０は、平面視において、光導波路１６０の延在方向に（中心線Ａの延在方向に）沿った帯状かつ直線状の長手形状を有している。図示の例では、平面視において、光導波路１６０の第１側面１０６ａと平行な方向の大きさは、第１側面１０６ａから第２側面１０６ｂまで一定である。光導波路１６０の平面形状（平面視における形状）は、例えば、平行四辺形である。

第２クラッド層１０８は、活性層１０６上方に（図示の例では活性層１０６上に）配置される。第２クラッド層１０８は、例えば、第２導電型（例えばｐ型）のＩｎＧａＡｌＰ層である。クラッド層１０４，１０８は、活性層１０６よりもバンドギャップが大きく、屈折率が小さい層である。クラッド層１０４，１０８は、活性層１０６を挟んで、注入キャリア（電子および正孔）並びに光の漏れを抑制する機能を有している。

発光装置１００では、ｐ型の第２クラッド層１０８、不純物がドーピングされていない活性層１０６、およびｎ型の第１クラッド層１０４により、ｐｉｎダイオードが構成される。発光装置１００では、電極１２０，１２２間に、ｐｉｎダイオードの順バイアス電圧を印加する（電流を注入する）と、光導波路１６０において電子と正孔との再結合が起こる。この再結合により発光が生じる。この生じた光を起点として、連鎖的に誘導放出が起こり、光導波路１６０で光の強度が増幅される。光導波路１６０は、光を導波させる活性層１０６と、光の漏れを抑制するクラッド層１０４，１０８と、によって構成されている。

発光装置１００の光導波路１６０は、後述する図１５のように柱状部１１１を形成することによって屈折率差を設けず、電流を注入することによって生じた光導波路１６０がそのまま導波領域となる、利得導波路である。発光装置１００は、利得導波型ＳＬＤである。発光装置１００では、例えば、利得の高い領域に沿って誘導放出により光が増幅されて、高利得領域が光導波路１６０となる。

コンタクト層１１０は、図２および図３に示すように、第２クラッド層１０８上方に配置され、第２クラッド層１０８と電気的に接続される。図示の例では、コンタクト層１１０は、第２クラッド層上に配置されて、第２クラッド層１０８に接続されている。コンタクト層１１０は、第２電極１２２とオーミックコンタクトしている。コンタクト層１１０は、例えば、ｐ型のＧａＡｓ層である。

絶縁層１１２は、コンタクト層１１０上方に（図示の例ではコンタクト層１１０上に）配置される。絶縁層１１２は、開口部１１２ａを有し、開口部１１２ａにおいて、第２電極１２２とコンタクト層１１０とは、接触する。絶縁層１１２は、例えば、ＳｉＮ層、ＳｉＯ_２層、ＳｉＯＮ層、Ａｌ_２Ｏ_３層、ポリイミド層である。

第１電極１２０は、基板１０２下に配置される。第１電極１２０は、第１電極１２０とオーミックコンタクトする層（図示の例では基板１０２）の下面に設けられている。第１電極１２０は、発光装置１００を駆動する（活性層１０６に電流を注入する）ための一方の電極である。第１電極１２０としては、例えば、基板１０２側からＣｒ層、ＡｕＧｅ層、Ｎｉ層、Ａｕ層の順序で積層したものを用いる。

第２電極１２２は、コンタクト層１１０上に配置される。図示の例では、第２電極１２２は、さらに絶縁層１１２上に配置される。第２電極１２２は、発光装置１００を駆動する（活性層１０６に電流を注入する）ための他方の電極である。第２電極１２２としては、例えば、コンタクト層１１０側からＣｒ層、ＡｕＺｎ層、Ａｕ層の順序で積層したものを用いる。第２電極１２２の厚さは、例えば、３００ｎｍ程度である。

第２電極１２２は、コンタクト層１１０と一定の幅Ｄで接触する電気的接続領域１２３を有する。ここで、「一定の幅Ｄ」とは、例えば、図１に示すように平面視において、電気的接続領域１２３の第３側面１０６ｃ側の第１外縁部（例えば第２電極１２２と絶縁層１１２との境界線）１２４と中心線Ａとが平行であり、かつ、電気的接続領域１２３の第４側面１０６ｄ側の第２外縁部１２５（例えば第２電極１２２と絶縁層１１２との境界線）と中心線Ａとが平行であることをいう。図示の例では、電気的接続領域１２３の平面形状は、平行四辺形である。幅Ｄは、例えば、中心線Ａの延在方向と直交する方向の大きさである。幅Ｄは、例えば、幅Ｗ１と同じ大きさである。

第２電極１２２は、開口部１１２ａにおいてコンタクト層１１０と接触して、電気的接続領域１２３を有することができる。電気的接続領域１２３は、第２電極１２２のコンタクト層１１０と接触面である。電気的接続領域１２３は、光導波路１６０の平面形状を規定することができ、例えば、電気的接続領域１２３の平面形状は、光導波路１６０の平面形状と同じである。活性層１０６は、平面視において、電気的接続領域１２３と重なる領域に光導波路１６０を構成する。

第２電極１２２は、第１領域１２２ａと、第２領域１２２ｂと、第３領域１２２ｃと、を有する。第２電極１２２の第１領域１２２ａは、平面視において、第１光出射面１７０および第２光出射面１７２との距離が等しい中心位置Ｃを含む。図１に示す例では、中心位置Ｃとは、光出射面１７０，１７２までの距離が等しく、中心線Ａ上の点である。第１領域１２２ａの平面形状は、例えば、平行四辺形である。中心位置Ｃは、平面視において、第１領域１２２ａの中心の位置であってもよい。中心位置Ｃは、第１領域１２２ａと第２領域１２２ｂとの境界、および第１領域１２２ａと第３領域１２２ｃとの境界との距離が等しい位置であってもよい。図示の例では、第１領域１２２ａは、平面視において、第２電極１２２の上面が絶縁層１１２の上面によって挟まれている領域である。

第２電極１２２の第２領域１２２ｂは、第１領域１２２ａの、光導波路１６０の延在方向の一方側に配置され、第１領域１２２ａに接続されている。第２領域１２２ｂは、光導波路１６０の延在方向の電気的接続領域１２３の第１端部１２６を含む。第１端部１２６は、例えば、第１光出射面１７０上方に位置している。

第２電極１２２の第３領域１２２ｃは、第１領域１２２ａの、光導波路１６０の延在方向の他方側に配置され、第１領域１２２ａに接続されている。第１領域１２２ａは、第２領域１２２ｂと第３領域１２２ｃとの間に配置されている。第３領域１２２ｃは、光導波路１６０の延在方向の電気的接続領域１２３の第２端部１２７を含む。第２端部１２７は、例えば、第２光出射面１７２上方に位置している。

平面視において、中心位置Ｃにおける第２電極１２２の幅Ｗ１は、電気的接続領域１２３の第１端部１２６における第２電極１２２の幅Ｗ２よりも小さく、かつ、電気的接続領域１２３の第２端部１２７における第２電極１２２の幅Ｗ３よりも小さい。

ここで、「中心位置Ｃにおける第２電極１２２の幅Ｗ１」とは、平面視において、第２電極１２２の中心位置Ｃにおける、中心線Ａの延在方向と直交する方向の大きさである。言い換えると、幅Ｗ１とは、中心位置Ｃにおける第１外縁部１２４と第２外縁部１２５との間の距離（最短距離）である。図示の例では、第１領域１２２ａは、中心線Ａの延在方向において、一定の幅Ｗ１を有している。

また、「電気的接続領域１２３の第１端部１２６における第２電極１２２の幅Ｗ２」とは、平面視において、電気的接続領域１２３の第１端部１２６における、中心線Ａの延在方向と直交する方向の大きさである。図示の例では、幅Ｗ２は、中心線Ａと直交する仮想直線Ｌ１のうち交点Ｑと交点Ｒとの間の距離である。なお、交点Ｑは、第１外縁部１２４と第１端部１２６（第１側面１０６ａ）との交点であり、交点Ｒは、仮想直線Ｌ１と第４側面１０６ｄとの交点である。

また、「電気的接続領域１２３の第２端部１２７における第２電極１２２の幅Ｗ３」とは、平面視において、電気的接続領域１２３の第２端部１２７における、中心線Ａの延在方向と直交する方向の大きさである。図示の例では、幅Ｗ３は、中心線Ａと直交する仮想直線Ｌ２のうち交点Ｓと交点Ｔとの間の距離である。なお、交点Ｓは、第２外縁部１２５と第２端部１２７（第２側面１０６ｂ）との交点であり、交点Ｔは、仮想直線Ｌ２と第３側面１０６ｃとの交点である。

電気的接続領域１２３の第１端部１２６において、第２電極１２２の幅Ｗ２は、電気的接続領域の幅Ｄ２よりも大きい。ここで、「電気的接続領域１２３の幅Ｄ２」は、平面視において、第１端部１２６における、中心線Ａの延在方向と直交する方向の大きさである。図示の例では、幅Ｄ２は、仮想直線Ｌ１のうち交点Ｑと交点Ｕとの間の距離である。なお、交点Ｕは、仮想直線Ｌ１と第２外縁部１２５との交点である。

電気的接続領域１２３の第２端部１２７において、第２電極１２２の幅Ｗ３は、電気的接続領域の幅Ｄ３よりも大きい。ここで、「電気的接続領域１２３の幅Ｄ３」は、平面視において、第２端部１２７における、中心線Ａの延在方向と直交する方向の大きさである。図示の例では、幅Ｄ３は、仮想直線Ｌ２のうち交点Ｓと交点Ｖとの間の距離である。なお、交点Ｖは、仮想直線Ｌ２と第１外縁部１２４との交点である。

第２電極１２２の第２領域１２２ｂは、第２電極１２２に電流を供給する第１電流供給部１２８を有する。第１電流供給部１２８は、例えば、第２電極１２２に電流を供給する導電部材８と接触する部分である。第２電極１２２の第３領域１２２ｃは、第２電極１２２に電流を供給する第２電流供給部１２９を有する。第２電流供給部１２９は、例えば、第２電極１２２に電流を供給する導電部材９と接触する部分である。導電部材８，９は、図示せぬ電源と電気的に接続されている。図示の例では、導電部材８，９は、ワイヤーであり、ワイヤーボンディングによって、第２電極１２２に電流を供給することができる。導電部材８，９の材質は、例えば、金、アルミニウム、銅である。電流供給部１２８，１２９は、例えば、平面視において、中心位置Ｃに関して、点対称に設けられている。これにより、第１光出射面１７０から射出される光の強度（光出力）と、第２光出射面１７２から射出される光の強度と、の差を小さくすることができる。なお、導電部材８，９は、第２電極１２２上に配置されたパッドと、該パッド上に配置されたワイヤーと、を含んで構成されていてもよい。

反射防止（ＡＲ：Ａｎｔｉ-Ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ）膜１３０は、光出射面１７０，１７２に設けられている。図示の例では、反射防止膜１３０は、側面１０６ａ，１０６ｂに設けられている。反射防止膜１３０は、光出射面１７０，１７２において、光導波路１６０に発生した光が反射することを抑制する。反射防止膜１３０は、例えば、ＳｉＯ_２層、Ｔａ_２Ｏ_５層、Ａｌ_２Ｏ_３層、ＴｉＮ層、ＴｉＯ_２層、ＳｉＯＮ層、ＳｉＮ層や、これらの多層膜である。

なお、上記では、ＡｌＧａＩｎＰ系の発光装置１００について説明したが、本発明に係る発光装置、光導波路が形成可能なあらゆる材料系を用いることができる。半導体材料であれば、例えば、ＡｌＧａＮ系、ＧａＮ系、ＩｎＧａＮ系、ＧａＡｓ系、ＡｌＧａＡｓ系、ＩｎＧａＡｓ系、ＩｎＧａＡｓＰ系、ＩｎＰ系、ＧａＰ系、ＡｌＧａＰ系、ＺｎＣｄＳｅ系などの半導体材料を用いることができる。

発光装置１００は、例えば、プロジェクター、ディスプレイ、照明装置、計測装置などの光源に適用されることができる。

発光装置１００は、例えば、以下の特徴を有する。

発光装置１００では、平面視において、第１光出射面１７０および第２光出射面１７２との距離が等しい中心位置Ｃにおける第２電極１２２の幅Ｗ１は、光導波路１６０の延在方向の電気的接続領域１２３の第１端部１２６における第２電極１２２の幅Ｗ２よりも小さく、かつ、光導波路１６０の延在方向の電気的接続領域１２３の第２端部１２７における第２電極１２２の幅Ｗ３よりも小さい。そのため、発光装置１００では、利得の飽和を低減し、高出力化を図ることができる。以下、その理由について説明する。

図４は、光導波路の延出方向における位置と、光導波路における光密度と、の関係を説明するための図ある。図４において横軸は、光導波路部の中心部（一方側の光出射面（第１光出射面）および他方側の光出射面（第２光出射面）との距離が等しい位置）と、一方の光出射面の位置と、の間を示している。このことは、後述する図５〜図８の横軸についても同じである。図４において「光密度」とは、光導波路の延出方向のある位置において、単位時間当たりに、光導波路の延出方向に対して垂直な断面を通過する光子の数のことである。なお、図４および後述する図８では、光導波路部の中心部から一方側の光出射面に向かう光のみを考慮している。

図５および図６は、光導波路の延出方向における位置と、光導波路への注入電流密度と、の関係を説明するための図である。図５は、光導波路の延出方向における注入電流密度が一定の場合を示している。図６は、光導波路の延出方向における注入電流密度を中心部側よりも出射面側を大きくした場合を示している。図６の破線は、図５における注入電流密度と同じ大きさを示している。

ＳＬＤでは、光を射出させる出射面（反射率が小さい側）に向かって光が指数関数的に増幅される。そのため、図５に示すように光導波路の延出方向における注入電流密度が一定の場合は、図４に示す破線のように、光密度の大きい出射面側では、利得の飽和が発生してしまう。すなわち、光導波路の延出方向において、注入電流密度（すなわちキャリア密度）が一定の場合、出射部側では、光に対して（光子に対して）キャリアが相対的に足りなくなる。つまり、光が増幅されようとしたとき、光に変換されるキャリアが足りなくなる。その結果、利得の飽和が発生し、その分、光出力が低下してしまう。そこで、図６に示すように、光導波路の延出方向における注入電流密度を中心部側よりも出射面側を大きくすることにより、図４の実線で示すように、利得の飽和を低減することができる。

ここで、光密度が小さい部分（中心部側）は、出射面側に比べてキャリアが多い状態であり、キャリアが十分に光に変換されておらず、キャリアが余っている。そのため、図７に示すように、このような中心部側における余剰キャリアを、キャリアが不足している出射面側に注入することで、高出力かつ高効率の駆動を行うことができる。すなわち、光導波路全体の注入電流量を一定に保ちつつ、利得の飽和を低減し、図８の実線で示すように、最終的な光出力を大きくすることができる。なお、この場合、図８に示すように、光導波路の延出方向においては、光導波路の延出方向における注入電流密度が一定の場合（図８の破線の場合）に比べて、光密度が小さくなる位置があるが、最終的な光出力を大きくすることができる。また、図７の破線は、図５における注入電流密度と同じ大きさを示している。

発光装置１００では、上述のように、中心位置Ｃにおける第２電極１２２の幅Ｗ１は、電気的接続領域１２３の端部１２６，１２７における第２電極１２２の幅Ｗ２，Ｗ３よりも小さい。そのため、発光装置１００では、光導波路１６０の延出方向において、中心位置Ｃにおける第２電極１２２の抵抗が端部１２６，１２７における抵抗よりも高い。これにより、発光装置１００では、中心位置Ｃにおける（平面視において中心位置Ｃと重なる）光導波路１６０への注入電流密度を、端部１２６，１２７側における（平面視において端部１２６，１２７と重なる）光導波路１６０への注入電流密度よりも小さくすることができる。すなわち、端部１２６，１２７側における電流密度を、中心位置Ｃにおける注入電流密度よりも大きくすることができる。言い換えると、発光装置１００では、端部１２６，１２７側における単位長さ当たり電流量を、中心位置Ｃにおける単位長さ当たりの電流量よりも大きくすることができる。このように、発光装置１００では、中心位置Ｃにおける光導波路１６０への注入電流密度と、端部１２６，１２７側における光導波路１６０への注入電流密度と、に差をつけることができるので、光導波路１６０全体に注入する電流量を増やすことなく、利得の飽和によって光出力が低下することを抑制することができる。すなわち、発光装置１００では、利得の飽和を低減し、高出力化を図ることができる。

なお、単位長さ当たりの電流量とは、光導波路１６０の延在方向のある位置において、その部分を積層方向（活性層１０６と第１クラッド層１０４の積層方向）に流れる電流量のことである。

発光装置１００では、光導波路１６０は、第１光出射面１７０の法線Ｐ１および第２光出射面１７２の法線Ｐ２に対して傾いた方向に延在している。そのため、発光装置１００では、光導波路１６０にて発生する光を、光出射面１７０，１７２間で直接的に多重反射させることを抑制することができる。これにより、発光装置１００では、直接的な共振器を構成させないことができるため、光導波路１６０にて発生する光のレーザー発振を抑制することができる。その結果、発光装置１００は、スペックルノイズを低減することができる。発光装置１００は、ＳＬＤである。

発光装置１００では、第２電極１２２は、中心位置Ｃを含む第１領域１２２ａと、電気的接続領域１２３の第１端部１２６を含む第２領域１２２ｂと、電気的接続領域１２３の第２端部１２７を含む第３領域１２２ｃと、を有し、第２領域１２２ｂは、第１電流供給部１２８を有し、第３領域１２２ｃは、第２電流供給部１２９を有する。そのため、発光装置１００では、第２領域１２２ｂおよび第３領域１２２ｃから、幅の小さい第１領域１２２ａに向けて電流が流れる。これにより、発光装置１００では、端部１２６，１２７側における光導波路１６０への注入電流密度を、中心位置Ｃにおける光導波路１６０への注入電流密度よりも、より確実に大きくすることができる。

発光装置１００では、光導波路１６０は、利得導波路である。そのため、発光装置１００では、後述する図１５のように柱状部１１１を形成する必要がなく、その分、製造工程の簡易化を図ることができる。

発光装置１００では、光出射面１７０，１７２には、反射防止膜１３０が設けられている。そのため、発光装置１００では、光出射面１７０，１７２における光の反射を抑制することができ、効率よく光出射面１７０，１７２から光を射出することができる。例えば、発光装置１００では、反射防止膜１３０によって光出射面１７０，１７２における光の反射を抑制することができるので、光導波路１６０の中心線Ａが光出射面１７０，１７２法線Ｐ１，Ｐ２と平行になるように光導波路１６０を設けたとしても、光出射面１７０，１７２間で直接的に多重反射させることを抑制することができる。

２． 発光装置の製造方法
次に、本実施形態に係る発光装置１００の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図９は、本実施形態に係る発光装置１００の製造工程を模式的に示す断面図である。

図９に示すように、基板１０２上に、第１クラッド層１０４、活性層１０６、第２クラッド層１０８、コンタクト層１１０を、この順でエピタキシャル成長させる。エピタキシャル成長させる方法としては、例えば、ＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＭＢＥ（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ）法が挙げられる。

次に、コンタクト層１１０上に、絶縁層１１２を形成する。絶縁層１１２は、例えば、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法や塗布法などにより形成される。次に、絶縁層１１２をパターニングして、開口部１１２ａを形成する。パターニングは、例えば、フォトリソグラフィーおよびエッチングによって行われる。

図３に示すように、コンタクト層１１０上に第２電極１２２を形成する。次に、基板１０２の下面に第１電極１２０を形成する。電極１２０，１２２は、例えば、真空蒸着法やスパッタ法などにより形成される。なお、電極１２０，１２２の形成順序は、特に限定されない。

図１に示すように、光出射面１７０，１７２に、反射防止膜１３０を形成する。反射防止膜１３０は、例えば、ＣＶＤ法やスパッタ法などにより形成される。なお、反射防止膜１３０は、電極１２０，１２２を形成する前に、形成されてもよい。

以上の工程により、発光素子４を形成することができる。

次に、第１電極１２０側を実装基板２に向けて、発光素子４を実装基板２に実装する。発光素子４は、接合部材６を介して実装基板２に実装される。

次に、第２電極１２２に導電部材８，９を接合する。例えば、導電部材８，９は、ワイヤーであり、導電部材８，９の先端を熱、超音波、圧力などを利用して、第２電極１２２に接合させる。

以上の工程により、発光装置１００を製造することができる。

３． 発光装置の変形例
３．１． 第１変形例
次に、本実施形態の第１変形例に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する。図１０は、本実施形態の第１変形例に係る発光装置２００を模式的に示す平面図である。図１１は、本実施形態の第１変形例に係る発光装置２００を模式的に示す図１０のＸＩ−ＸＩ線断面図である。

以下、本実施形態の第１変形例に係る発光装置２００において、本実施形態に係る発光装置１００の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。このことは、後述する本実施形態の第２，第３，第４変形例に係る発光装置についても同様である。

上述した発光装置１００では、図１に示すように、平面視において、第２電極１２２の第１領域１２２ａは、中心線Ａの延在方向において、一定の幅Ｗ１を有していた。

これに対し、発光装置２００では、図１０に示すように、平面視において、第１領域１２２ａは、中心位置Ｃから電気的接続領域１２３の端部１２６，１２７に向かうに従って、第２電極の幅（中心線Ａの延在方向と直交する方向の大きさ）Ｗが大きくなる部分である。図示の例では、第１領域１２２ａの平面形状は、２つの台形の上辺同士を接続させた形状を有している。該２つの台形は、中心線Ａと直交し中心位置Ｃを通る仮想直線（図示せず）に関して、対称であってもよい。図１１に示すように、第１領域１２２ａの上面の一部には、絶縁層１１２が配置されている。

発光装置２００では、発光装置１００と同様に、利得の飽和を低減し、高出力化を図ることができる。

３．２． 第２変形例
次に、本実施形態の第２変形例に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する。図１２は、本実施形態の第２変形例に係る発光装置３００を模式的に示す平面図である。図１３は、本実施形態の第２変形例に係る発光装置３００を模式的に示す図１２のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線断面図である。図１４は、本実施形態の第２変形例に係る発光装置３００を模式的に示す図１２のＸＩＶ−ＸＩＶ線断面図である。

上述した発光装置１００では、図１〜図３に示すように、発光素子４は、第１電極１２０側を実装基板２に向けて実装されていた（ジャンクションアップ実装）。

これに対し、発光装置３００では、図１２〜図１４に示すように、発光素子４は、第２電極１２２側を実装基板２に向けて実装されている（ジャンクションダウン実装）。なお、便宜上、図１２では、実装基板２および接合部材６の図示を省略しており、発光素子４を第２電極１２２側からみた図である。

発光装置３００では、第２電極１２２の中心位置Ｃを含んだ第１領域１２２ａ上に配置される絶縁層１１４を含む。なお、本実施形態において、「上方」や「上」は、重力の方向とは反対の方向側でなくてもよく、ある特定の方向（例えば第１電極１２０から第２電極１２２に向かう方向）側のことである。例えば、「部材αは部材β上に配置される」とは、「部材βは部材αの一方側（例えば第２電極１２２側）に配置される」ことをいう。

絶縁層１１４は、第１領域１２２ａを覆って設けられ、第２領域１２２ｂおよび第３領域１２２ｃには設けられていない。そのため、第１領域１２２ａは、接合部材６と離間しており、第２領域１２２ｂおよび第３領域１２２ｃは、接合部材６と接合されている。第２領域１２２ｂの平面形状は、第１電流供給部１２８の平面形状と同じでもよく、第３領域１２２ｃの平面形状は、第２電流供給部１２９の平面形状と同じでもよい。すなわち、第２領域１２２ｂおよび第３領域１２２ｃ全体において、電流が供給されてもよい。図１３に示す例では、絶縁層１１４は、第２電極１２２と接合部材６との間、および絶縁層１１２と接合部材６との間に設けられている。絶縁層１１４は、例えば、ＳｉＮ層、ＳｉＯ_２層、ＳｉＯＮ層、Ａｌ_２Ｏ_３層、ポリイミド層である。

発光装置３００では、発光装置１００と同様に、利得の飽和を低減し、高出力化を図ることができる。

さらに、発光装置３００では、第２電極１２２の第１領域１２２ａ上に配置される絶縁層１１４を含む。そのため、発光装置３００では、第１領域１２２ａは、図示せぬ電源と電気的に接続される接合部材６と絶縁（電気的に分離）されている。そのため、発光装置３００では、接合部材６に接合される第２領域１２２ｂおよび第３領域１２２ｃから、幅の小さい第１領域１２２ａに向けて電流が流れる。これにより、発光装置３００では、端部１２６，１２７側における光導波路１６０への注入電流密度を、中心位置Ｃにおける光導波路１６０への注入電流密度よりも、より確実に大きくすることができる。

なお、図示はしないが、発光装置３００では、第１電極１２０は、例えば、ワイヤーボンディングによって図示せぬ電源と電気的に接続されている。

また、図示はしないが、発光装置２００の発光素子４をジャンクションダウンし、第１領域１２２ａ上に絶縁層１１４を配置してもよい。

３．３． 第３変形例
次に、本実施形態の第３変形例に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する。図１５は、本実施形態の第３変形例に係る発光装置４００を模式的に示す断面図である。

上述した発光装置１００では、図２および図３に示すように、光導波路１６０は、利得導波路であった。

これに対し、発光装置４００では、図１５に示すように、光導波路１６０は、活性層の電流が注入される領域の両側に屈折率が低くなる構造を設けて光を面内方向（平面方向）に閉じ込める屈折率導波路である。発光装置４００は、屈折率導波型ＳＬＤである。

発光装置４００では、コンタクト層１１０と第２クラッド層１０８の一部とは、柱状部１１１を構成している。柱状部１１１の平面形状は、例えば、光導波路１６０の平面形状と同じである。例えば、柱状部１１１の平面形状によって、電極１２０，１２２間の電流経路が決定され、その結果、光導波路１６０の平面形状が決定される。柱状部１１１は、例えば、コンタクト層１１０および第２クラッド層１０８を、フォトリソグラフィーおよびエッチングによってパターニングすることにより形成される。

発光装置４００は、絶縁層１１６を含む。絶縁層１１６は、第２クラッド層１０８上であって、柱状部１１１の側方に設けられている。絶縁層１１６は、柱状部１１１の側面に接している。絶縁層１１６は、例えば、ＳｉＮ層、ＳｉＯ_２層、ＳｉＯＮ層、Ａｌ_２Ｏ_３層、ポリイミド層である。絶縁層１１６として上記の材料を用いた場合、電極１２０，１２２間の電流は、絶縁層１１６を避けて、絶縁層１１６に挟まれた柱状部１１１を流れる。

絶縁層１１６は、第２クラッド層１０８の屈折率よりも小さい屈折率を有している。絶縁層１１６を形成した部分の垂直断面の有効屈折率は、絶縁層１１６を形成しない部分、すなわち、柱状部１１１が形成された部分の垂直断面の有効屈折率よりも小さい。これにより、平面方向において、光導波路１６０内に効率よく光を閉じ込めることができる。絶縁層１１６は、例えば、ＣＶＤ法や塗布法などにより形成される。なお、絶縁層１１２と絶縁層１１６とを一体的に形成してもよい。

発光装置４００では、発光装置１００と同様に、利得の飽和を低減し、高出力化を図ることができる。

さらに、発光装置４００では、絶縁層１１６を形成した部分の垂直断面の有効屈折率と、絶縁層１１６を形成しない部分の垂直断面の有効屈折率と、の差によって、平面方向において、光導波路１６０内に効率よく光を閉じ込めることができる。

なお、図示はしないが、発光装置２００，３００の光導波路１６０を、屈折率導波路としてもよい。

３．４． 第４変形例
次に、本実施形態の第４変形例に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する。図１６は、本実施形態の第４変形例に係る発光装置５００を模式的に示す平面図である。

上述した発光装置１００では、図１に示すように、光導波路１６０は、１つ設けられていた。

これに対し、発光装置５００では、図１６に示すように、光導波路１６０は、複数設けられている。図示の例では、光導波路１６０は、３つ設けられているが、複数であればその数は特に限定されない。複数の光導波路１６０は、アレイ状に設けられている。具体的には、複数の光導波路１６０は、平面視において、活性層１０６の第３側面１０６ｃから第４側面１０６ｄに向かう方向に沿って配列されている。なお、図示の例では、導電部材８，９は、１つずつ設けられているが、光導波路１６０の数に対応して、３つずつ設けられていてもよい。

複数の光導波路１６０のそれぞれに対して、第２電極１２２の第１領域１２２ａが設けられている。第２電極１２２の第２領域１２２ｂは複数の光導波路１６０に対して１つ共通に設けられている。第２電極１２２の第３領域１２２ｃについても第２領域１２２ｂと同様に、複数の光導波路１６０に対して１つ共通に設けられている。第２電極１２２の各第１領域１２２ａは、それぞれ光導波路１６０の延在方向に沿って同一の長さとなっている。なお、第１領域１２２ａの光導波路１６０の延在方向に沿った長さは、同一でなくてもよい。

発光装置５００では、発光装置１００と同様に、利得の飽和を低減し、高出力化を図ることができる。

さらに、発光装置５００では、光導波路１６０は、複数設けられているため、より高出力化を図ることができる。

なお、図示はしないが、発光装置２００，３００，４００の光導波路１６０を複数設けてもよい。

４． プロジェクター
次に、本実施形態に係るプロジェクターについて、図面を参照しながら説明する。図１７は、本実施形態に係るプロジェクター９００を模式的に示す図である。

プロジェクター９００は、図１７に示すように、赤色光、緑色光、青色光を出射する赤色光源５００Ｒ、緑色光源５００Ｇ、青色光源５００Ｂを含む。赤色光源５００Ｒ、緑色光源５００Ｇ、青色光源５００Ｂは、本発明に係る発光装置である。以下では、本発明に係る発光装置として発光装置５００を用いた例について説明する。なお、便宜上、図１７では、プロジェクター９００を構成する筐体を省略し、さらに光源５００Ｒ，５００Ｇ，５００Ｂを簡略化している。

プロジェクター９００は、さらに、レンズアレイ９０２Ｒ，９０２Ｇ，９０２Ｂと、透過型の液晶ライトバルブ（光変調装置）９０４Ｒ，９０４Ｇ，９０４Ｂと、投射レンズ（投射装置）９０８と、を含む。

光源５００Ｒ，５００Ｇ，５００Ｂから射出された光は、各レンズアレイ９０２Ｒ，９０２Ｇ，９０２Ｂに入射する。レンズアレイ９０２Ｒ，９０２Ｇ，９０２Ｂは、光源５００Ｒ，５００Ｇ，５００Ｂ側に、第１光出射面１７０から出射される光が入射する入射面９０１を有している。入射面９０１は、例えば、平坦な面である。入射面９０１は、複数の第１光出射面１７０に対応して複数設けられ、等間隔で配置されている。入射面９０１の法線（図示せず）は、第１側面１０６ａに対して傾斜している。入射面９０１によって、第１光出射面１７０から射出される光の光軸を、液晶ライトバルブ９０４Ｒ，９０４Ｇ，９０４Ｂの照射面９０５に対して、直交させることができる。

レンズアレイ９０２Ｒ，９０２Ｇ，９０２Ｂは、液晶ライトバルブ９０４Ｒ，９０４Ｇ，９０４Ｂ側に、出射面９０３を有している。出射面９０３は、例えば、凸状の面である。出射面９０３は、複数の入射面９０１に対応して複数設けられ、等間隔で配置されている。入射面９０１において光軸が変換された光は、出射面９０３によって、集光される、または拡散角を小さくされることにより、重畳（一部重畳）されることができる。これにより、均一性よく液晶ライトバルブ９０４Ｒ，９０４Ｇ，９０４Ｂを照射することができる。

以上のように、レンズアレイ９０２Ｒ，９０２Ｇ，９０２Ｂは、第１光出射面１７０から出射される光の光軸を制御して、該光を集光させることができる。

各レンズアレイ９０２Ｒ，９０２Ｇ，９０２Ｂによって集光された光は、各液晶ライトバルブ９０４Ｒ，９０４Ｇ，９０４Ｂに入射する。各液晶ライトバルブ９０４Ｒ，９０４Ｇ，９０４Ｂは、入射した光をそれぞれ画像情報に応じて変調する。そして、投射レンズ９０８は、液晶ライトバルブ９０４Ｒ，９０４Ｇ，９０４Ｂによって形成された像（画像）を拡大してスクリーン（表示面）９１０に投射する。

また、プロジェクター９００は、液晶ライトバルブ９０４Ｒ，９０４Ｇ，９０４Ｂから出射された光を合成して投射レンズ９０８に導くクロスダイクロイックプリズム（色光合成手段）９０６を、含むことができる。

各液晶ライトバルブ９０４Ｒ，９０４Ｇ，９０４Ｂによって変調された３つの色光は、クロスダイクロイックプリズム９０６に入射する。このプリズムは、４つの直角プリズムを貼り合わせて形成され、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に配置されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成され、カラー画像を表す光が形成される。そして、合成された光は、投射光学系である投射レンズ９０８によりスクリーン９１０上に投射され、拡大された画像が表示される。

なお、図１７に示す例では、第２側面１０６ｂに設けられた第２光出射面１７２から出射される光については図示していないが、該光は、図示せぬ反射部およびレンズアレイに入射した後、液晶ライトバルブ９０４Ｒ，９０４Ｇ，９０４Ｂに入射してもよい。

プロジェクター９００では、利得の飽和を低減し、高出力化を図ることができる発光装置５００を含むことができる。そのため、プロジェクター９００では、高輝度化を図ることができる。

プロジェクター９００は、発光装置５００を液晶ライトバルブ９０４Ｒ，９０４Ｇ，９０４Ｂの直下に配置し、９０２Ｒ，９０２Ｇ，９０２Ｂを用いて集光と均一照明とを同時に行う方式（バックライト方式）である。そのため、プロジェクター９００では、光学系の損失低減と部品点数の削減とを図ることができる。

なお、上述の例では、光変調装置として透過型の液晶ライトバルブを用いたが、液晶以外のライトバルブを用いてもよいし、反射型のライトバルブを用いてもよい。このようなライトバルブとしては、例えば、反射型の液晶ライトバルブや、デジタルマイクロミラーデバイス（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｍｉｃｒｏｍｉｒｒｏｒ Ｄｅｖｉｃｅ）が挙げられる。また、投射光学系の構成は、使用されるライトバルブの種類によって適宜変更される。

また、光源５００Ｒ，５００Ｇ，５００Ｂを、光源５００Ｒ，５００Ｇ，５００Ｂからの光をスクリーン上で走査させることにより、表示面に所望の大きさの画像を表示させる画像形成装置である走査手段を有するような走査型の画像表示装置（プロジェクター）の光源装置にも適用することが可能である。

本発明は、本願に記載の特徴や効果を有する範囲で一部の構成を省略したり、各実施形態や変形例を組み合わせたりしてもよい。

本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。

２…実装基板、４…発光素子、６…接合部材、８，９…導電部材、１００…発光装置、１０２…基板、１０４…第１クラッド層、１０６…活性層、１０６ａ…第１側面、１０６ｂ…第２側面、１０６ｃ…第３側面、１０６ｄ…第４側面、１０８…第２クラッド層、１１０…コンタクト層、１１１…柱状部、１１２…絶縁層、１１２ａ…開口部、１１４，１１６…絶縁層、１２０…第１電極、１２２…第２電極、１２２ａ…第１領域、１２２ｂ…第２領域、１２２ｃ…第３領域、１２３…電気的接続領域、１２４…第１外縁部、１２５…第２外縁部、１２６…第１端部、１２７…第２端部、１２８…第１電流供給部、１２９…第２電流供給部、１３０…反射防止膜、１６０…光導波路、１７０…第１光出射面、１７２…第２光出射面、２００，３００，４００，５００…発光装置、９００…プロジェクター、９０１…入射面、９０２Ｒ，９０２Ｇ，９０２Ｂ…レンズアレイ、９０３…出射面、９０４Ｒ，９０４Ｇ，９０４Ｂ…液晶ライトバルブ、９０５…照射面、９０６…クロスダイクロイックプリズム、９０８…投射レンズ、９１０…スクリーン

Claims (10)

1. 基板と、
   前記基板上方に配置される第１クラッド層と、
   前記第１クラッド層上方に配置される活性層と、
   前記活性層上方に配置される第２クラッド層と、
   前記第２クラッド層上方に配置され、前記第２クラッド層と電気的に接続されるコンタクト層と、
   前記活性層に電流を注入する第１電極および第２電極と、
   を含み、
   前記第２電極は、前記コンタクト層上に配置され、前記コンタクト層と一定の幅で接触する電気的接触領域を有し、
   前記活性層は、前記活性層および前記第１クラッド層の積層方向からみて、前記電気的接触領域と重なる領域に光を導波させる光導波路を構成し、
   前記光導波路は、光を射出する第１光出射面および第２光出射面を有し、
   前記積層方向からみて、前記第１光出射面および前記第２光出射面との距離が等しい中心位置における前記第２電極の幅は、前記光導波路の延在方向の前記電気的接続領域の端部における前記第２電極の幅よりも小さい、ことを特徴とする発光装置。
2. 前記電気的接続領域の端部において、前記第２電極の幅は、前記電気的接続領域の幅よりも大きい、ことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
3. 前記第２電極は、前記中心位置から前記電気的接続領域の端部に向かうに従って、前記第２電極の幅が大きくなる部分を有する、ことを特徴とする請求項１または２に記載の発光装置。
4. 前記光導波路は、前記第１光出射面の法線および前記第２光出射面の法線に対して傾いた方向に延在している、ことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の発光装置。
5. 前記第２電極の前記中心位置を含んだ領域上に配置される絶縁層を含む、ことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の発光装置。
6. 前記第２電極は、
   前記中心位置を含む第１領域と、
   前記電気的接続領域の端部を含む第２領域および第３領域と、
   を有し、
   前記第２領域および前記第３領域は、前記第２電極に電流を供給する電流供給部を有する、ことを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載の発光装置。
7. 前記光導波路は、屈折率導波路である、ことを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載の発光装置。
8. 前記光導波路は、利得導波路である、ことを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載の発光装置。
9. 前記第１光出射面および前記第２光出射面には、反射防止膜が設けられている、ことを特徴とする請求項１ないし８のいずれか１項に記載の発光装置。
10. 請求項１ないし９のいずれか１項に記載の発光装置と、
    前記発光装置から射出された光を、画像情報に応じて変調する光変調装置と、
    前記光変調装置によって形成された画像を投射する投射装置と、
    を含む、ことを特徴とするプロジェクター。