JP5471238B2 - 発光素子、発光装置、およびプロジェクター - Google Patents

Description

本発明は、発光素子、発光装置、およびプロジェクターに関する。

スーパールミネッセントダイオード（ＳＬＤ：Super Luminescent Diode、以下「ＳＬ
Ｄ」ともいう）は、発光ダイオードと同様に低コヒーレント性を示し、広帯域な発光スペクトルを示しながら、半導体レーザーと同程度の出力を得ることが可能な光半導体素子である。ＳＬＤは、一般的に、半導体レーザーから共振器構造を取り除いて、レーザー発振を抑制した構造を有している。レーザー発振を抑制するためには、素子端面における光反射率を抑制する必要がある。比較的簡易に素子端面の反射率を低減する方法としては、例えば、利得領域を素子端面の垂線に対して傾ける構造が知られている（特許文献１参照）。

プロジェクターやディスプレイなどの表示装置の光源用の発光素子として、ＳＬＤを用いる場合、ＳＬＤの光出力が高いことが望ましい。光出力を高めるための１つの方法としては、例えば、誘導放出による増幅利得を増大させる方法がある。

しかしながら、誘導放出による増幅利得を増大させるために、半導体レーザーの共振器長に相当する素子奥行き長を長くすることは、素子が大型化してしまうという問題がある。

特開２００７−２７３６９０号公報

本発明のいくつかの態様に係る目的の１つは、小型化を図ることができる発光素子を提供することにある。また、本発明のいくつかの態様に係る目的の１つは、上記発光素子を有する発光装置、およびプロジェクターを提供することにある。

本発明に係る発光素子は、
第１クラッド層と第２クラッド層とに挟まれる活性層を有する積層構造体を含み、
前記活性層のうちの少なくとも一部は、前記活性層の電流経路となる複数の利得領域を構成し、
前記積層構造体において、前記活性層の露出する面のうちの第１面および第２面は、互いに対向する位置関係であり、
前記複数の利得領域のうちの第１利得領域および第２利得領域は、前記活性層を平面的にみて、直線状に、前記第１面から前記第２面まで、前記第１面の垂線に対して反時計回り方向に傾いており、
前記複数の利得領域のうちの第３利得領域は、前記活性層を平面的にみて、直線状に、前記第１面から前記第２面まで、前記第１面の垂線に対して時計回り方向に傾いており、
前記第１利得領域の前記第１面側の端面と、前記第３利得領域の前記第１面側の端面とは、前記第１面に設けられた重なり面において重なっており、
前記第２利得領域の前記第２面側の端面と、前記第３利得領域の前記第２面側の端面とは、前記第２面に設けられた重なり面において重なっており、
前記第１面側の重なり面、および前記第２面側の重なり面において、前記複数の利得領域で生じる光は、反射され、
前記第１利得領域の前記第２面側の端面、および前記第２利得領域の前記第１面側の端面において、前記複数の利得領域に生じる光は、出射される。

このような発光素子によれば、小型化を図ることができる。

本発明に係る発光素子は、
第１クラッド層と第２クラッド層とに挟まれる活性層を有する積層構造体を含み、
前記活性層のうちの少なくとも一部は、前記活性層の電流経路となる複数の利得領域を構成し、
前記積層構造体において、前記活性層の露出する面のうちの第１面および第２面は、互いに対向する位置関係であり、
前記複数の利得領域は、直線状に、前記第１面から前記第２面まで設けられ、
前記複数の利得領域のうちの第１利得領域および第２利得領域は、前記活性層を平面的にみて、前記第１面の垂線に対して反時計回り方向に傾いており、
前記第１利得領域と前記第２利得領域との間には、前記複数の利得領域のうちの第３利得領域と第４利得領域とが交互に配置され、
前記第３利得領域は、前記活性層を平面的にみて、時計回り方向に傾いており、
前記第４利得領域は、前記活性層を平面的にみて、前記反時計回り方向に傾いており、
隣り合う前記第３利得領域および前記第４利得領域において、前記第３利得領域の端面と、前記第４利得領域の端面とは、前記第１面または前記第２面に設けられた重なり面において重なっており、
前記第１利得領域の前記第１面側の端面と、前記第１利得領域と隣り合う前記第３利得領域の前記第１面側の端面とは、前記第１面に設けられた重なり面において重なっており、
前記第２利得領域の前記第２面側の端面と、前記第２利得領域と隣り合う前記第３利得領域の前記第２面側の端面とは、前記第２面に設けられた重なり面において重なっており、
前記第１面側の重なり面、および前記第２面側の重なり面において、前記複数の利得領域で生じる光は、反射され、
前記第１利得領域の前記第２面側の端面、および前記第２利得領域の前記第１面側の端面において、前記複数の利得領域に生じる光は、出射される。

このような発光素子によれば、小型化を図ることができる。

本発明に係る発光素子において、
前記第１面側の重なり面、および前記第２面側の重なり面は、反射部によって覆われ、
前記第１面側から前記活性層を平面的にみて、前記第１面側の重なり面を覆う前記反射部と、前記第２面側の重なり面を覆う前記反射部とは、重なっていないことができる。

このような発光素子によれば、前記第１面側の重なり面を覆う前記反射部と、前記第２面側の重なり面を覆う前記反射部と、の間で、前記複数の利得領域に生じる光が直接的に多重反射することを防止することができる。そのため、前記複数の利得領域に生じる光のレーザー発振を抑制または防止することができる。

本発明に係る発光素子において、
前記第１面側の重なり面、および前記第２面側の重なり面を避けて、前記第１面および前記第２面は、反射防止部によって覆われていることができる。

このような発光素子によれば、平面視において、前記反射部は、前記反射防止部と対向しているので、確実に前記複数の利得領域に生じる光が直接的に多重反射を防止することができる。

本発明に係る発光素子において、
少なくとも、前記第１利得領域、前記第２利得領域および前記第３利得領域は、利得領域群を構成し、
前記利得領域群は、複数配列されていることができる。

このような発光素子によれば、前記利得領域群が複数配列されているので、発光素子全体の高出力化を図ることができる。

本発明に係る発光装置は、
本発明に係る発光素子と、
前記発光素子の前記第１利得領域の前記第２面側の端面から出射される光を、反射させる第１ミラーと、
前記発光素子の前記第２利得領域の前記第１面側の端面から出射される光を、反射させる第２ミラーと、
を含み、
前記第１ミラーで反射された光の進む方向と、前記第２ミラーで反射された光の進む方向とは、同じ方向である。

このような発光装置によれば、本発明に係る発光素子を含んでいるので、小型化を図ることができる。

本発明に係る発光装置によれば、
さらに、前記発光素子を収容するパッケージを含み、
前記第１ミラーおよび前記第２ミラーは、前記パッケージの内側面によって形成されていることができる。

このような発光装置によれば、前記第１ミラーおよび前記第２ミラーを、前記パッケージの内側面として一体的に形成することができるため、その分、低コストで形成されることができる。

本発明に係るプロジェクターは、
本発明に係る発光装置と、
前記発光装置から出射された光を画像情報に応じて変調する光変調装置と、
前記光変調装置によって形成された画像を投射する投射装置と、
を含む。

このようなプロジェクターによれば、本発明に係る発光装置を含んでいるので、小型化を図ることができる。

本実施形態に係る発光素子を模式的に示す斜視図。 本実施形態に係る発光素子を模式的に示す平面図。 本実施形態に係る発光素子を模式的に示す断面図。 本実施形態に係る発光素子の活性層を第１面側から平面的にみた図。 本実施形態に係る発光素子の活性層を第１面側から平面的にみた図。 本実施形態に係る発光素子の製造工程を模式的に示す断面図。 本実施形態に係る発光素子の製造工程を模式的に示す断面図。 本実施形態に係る発光素子の製造工程を模式的に示す断面図。 本実施形態の第１変形例に係る発光素子を模式的に示す平面図。 本実施形態の第２変形例に係る発光素子を模式的に示す平面図。 本実施形態の第３変形例に係る発光素子を模式的に示す断面図。 本実施形態に係る発光装置を模式的に示す平面図。 本実施形態に係る発光装置を模式的に示す断面図。 本実施形態の変形例に係る発光装置を模式的に示す斜視図。 本実施形態に係るプロジェクターを模式的に示す図。

１． 発光素子
まず、本実施形態に係る発光素子１００について、図面を参照しながら説明する。図１は、発光素子１００を模式的に示す斜視図である。図２は、発光素子１００を模式的に示す平面図である。図３は、発光素子１００を模式的に示す図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線断面図である。なお、図１および図２では、便宜上、第２電極１１４の図示を省略している。さらに、図１では、便宜上、反射部１３０および反射防止部１３２の図示を省略している。また、ここでは、発光素子１００がＩｎＧａＡｌＰ系（赤色）のＳＬＤである場合について説明する。ＳＬＤは、半導体レーザーと異なり、端面反射による共振器の形成を抑えることにより、レーザー発振を防止することができる。そのため、スペックルノイズを低減することができる。

発光素子１００は、図１〜図３に示すように、積層構造体１２０と、第１電極１１２と、第２電極１１４と、絶縁部１１６と、反射部１３０と、反射防止部１３２と、を含むことができる。積層構造体１２０は、基板１０２と、第１クラッド層１０４と、活性層１０６と、第２クラッド層１０８と、コンタクト層１１０と、を含むことができる。

基板１０２としては、例えば、第１導電型（例えばｎ型）のＧａＡｓ基板などを用いることができる。

第１クラッド層１０４は、基板１０２上に形成されている。第１クラッド層１０４としては、例えば、ｎ型のＡｌＧａＩｎＰ層などを用いることができる。なお、図示はしないが、第１基板１０２と第１クラッド層１０４との間に、バッファー層が形成されていてもよい。バッファー層としては、例えば、ｎ型のＧａＡｓ層、ＩｎＧａＰ層などを用いることができる。バッファー層は、その上方に形成される層の結晶性を向上させることができる。

活性層１０６は、第１クラッド層１０４上に形成されている。活性層１０６は、例えば、ＩｎＧａＰウェル層とＩｎＧａＡｌＰバリア層とから構成される量子井戸構造を３つ重ねた多重量子井戸（ＭＱＷ）構造を有する。活性層１０６の形状は、例えば直方体（立方体である場合を含む）などである。活性層１０６は、図１および図２に示すように、第１面１０５および第２面１０７を有する。第１面１０５および第２面１０７は、活性層１０６の面のうち第１クラッド層１０４または第２クラッド層１０８に接していない面であり、層構造体１２０において、露出している面である。第１面１０５および第２面１０７は、活性層１０６の側面ともいえる。第１面１０５および第２面１０７は、互いに対向しており、図示の例では平行である。

活性層１０６の一部は、複数の利得領域を構成している。図示の例では、活性層１０６は、３つの利得領域（第１利得領域１６０、第２利得領域１６２および第３利得領域１６４）を有している。利得領域１６０，１６２，１６４には、光を生じさせることができ、この光は、利得領域１６０，１６２，１６４内で利得を受けることができる。利得領域１６０，１６２，１６４は、活性層１０６の電流経路となることができる。

利得領域１６０，１６２，１６４の各々は、図２に示すように活性層１０６を平面的にみて、第１面１０５から第２面１０７まで、第１面１０５の垂線Ｐに対して傾いた方向に向かって設けられている。これにより、利得領域１６０，１６２，１６４に生じる光のレーザー発振を抑制または防止することができる。図示の例では、第１利得領域１６０および第２利得領域１６２は、垂線Ｐに対して一方の側に傾いており、角度θの傾きを有する第１方向Ａに向かって設けられている。すなわち、第１利得領域１６０と第２利得領域１６２とは、平行に設けられている。また、第３利得領域１６４は、垂線Ｐに対して他方の側（上記一方の側の反対側）に傾いており、角度θの傾きを有する第２方向Ｂに向かって設けられている。言い換えると、第１利得領域１６０および第２利得領域１６２は、第１面１０５から第２面１０７まで、垂線Ｐに対して反時計回り方向に傾いて設けられている。また、第３利得領域１６４は、垂線Ｐに対して時計回り方向に傾いて設けられている。

第１利得領域１６０は、第１面１０５に設けられた第１端面１７０と、第２面１０７に設けられた第２端面１７１と、を有している。第２利得領域１６２は、第１面１０５に設けられた第３端面１７２と、第２面１０７に設けられた第４端面１７３と、を有している。第３利得領域１６４は、第１面１０５に設けられた第５端面１７４と、第２面１０７に設けられた第６端面１７５と、を有している。図示の例では、第１端面１７０と第５端面１７４とは、第１重なり面１８０において完全に重なっている。また、第４端面１７３と第６端面１７５とは、第２重なり面１８２において完全に重なっている。

第１利得領域１６０の平面形状と、第３利得領域１６４の平面形状とは、例えば、第１面１０５の垂線Ｐに対して線対称である。図２に示すように、第１利得領域１６０の平面形状と、第３利得領域１６４の平面形状とは、第１重なり面１８０の垂直二等分線Ｐに対して線対称であってもよい。また、第２利得領域１６２の平面形状と、第３利得領域１６４の平面形状とは、例えば、第１面１０５の垂線Ｐに対して線対称である。第２利得領域１６２の平面形状と、第３利得領域１６４の平面形状とは、第２重なり面１８２の垂直二等分線Ｐに対して線対称であってもよい。利得領域１６０，１６２，１６４の各々の平面形状は、例えば平行四辺形などである。

重なり面１８０，１８２（端面１７０，１７３，１７４，１７５）は、例えば図２に示すように、反射部１３０によって、覆われている。これにより、利得領域１６０，１６２，１６４に生じる光の波長帯において、重なり面１８０，１８２の反射率を高くすることができる。したがって、重なり面１８０，１８２において、利得領域１６０，１６２，１６４に生じる光は、反射されることができる。重なり面１８０，１８２の反射率は、例えば、１００％、あるいはそれに近いことが望ましい。反射部１３０は、例えば、誘電体多層膜ミラーや、ＤＢＲ（Distributed Bragg Reflector）などである。具体的には、反射部１３０としては、重なり面１８０，１８２側からＳｉＯ_２層、Ｔａ_２Ｏ_５層の順序で積層した誘電体多層膜ミラーなどを用いることができる。

端面１７１，１７２は、例えば図２に示すように、反射部防止部１３２によって、覆われている。これにより、利得領域１６０，１６２，１６４に生じる光の波長帯において、端面１７１，１７２の反射率を、低くすることができる。したがって、端面１７１，１７２において、利得領域１６０，１６２，１６４に生じる光は、出射されることができる。図示の例では、反射防止部１３２は、重なり面１８０，１８２を避けて、第１面１０５および第２面１０７を覆っている。端面１７１，１７２の反射率は、例えば、０％、あるいはそれに近いことが望ましい。反射防止部１３２は、例えば、誘電体多層膜などからなる。具体的には、反射防止部１３２としては、例えば、端面１７１，１７２側からＳｉＯ_２層、ＳｉＯＮ層の順序で積層した多層膜などを用いることができる。

ここで、図４は、活性層１０６を、第１面１０５側から平面的にみた図である。図４に示すように、第１面１０５側の端面１７０，１７２，１７４と、第２面１０７側の端面１７１，１７３，１７５とは、重なっていない。これにより、利得領域１６０，１６２，１６４に生じる光を端面の間で、直接的に多重反射させないことができる。その結果、直接的な共振器を構成させないことができるため、利得領域１６０，１６２，１６４に生じる光のレーザー発振を抑制または防止することができる。なお、この場合には、図４に示すように、例えば、端面１７０，１７４と、端面１７１と、のずれ幅ｘは、正の値であればよい。

また、図５は、反射部１３０および反射防止部１３２が形成された活性層１０６を、第１面１０５側から平面的にみた図である。図５に示すように、第１面１０５側の第１重なり面１８０を覆う反射部１３０（反射部１３０ａ）と、第２面１０７側の第２重なり面１８２を覆う反射部１３０（反射部１３０ｂ）とは、重なっていない。例えば、利得領域１６０，１６２，１６４における光の閉じ込め効率などによっては、利得領域１６０，１６２，１６４以外の活性層１０６内を光が進行することもあり、このような場合に、反射部１３０ａと反射部１３０ｂとが重なっていると、両反射部１３０ａ，１３０ｂ間で光が多重反射する場合がある。発光素子１００では、反射部１３０ａと反射部１３０ｂとは重なっておらず、図２に示すように平面視において、反射部１３０は、反射防止部１３２と対向しているので、確実に光の多重反射を防止することができる。したがって、利得領域１６０，１６２，１６４に生じる光のレーザー発振を抑制または防止することができる。なお、この場合には、図５に示すように、例えば、反射部１３０ａと反射部１３０ｂとのずれ幅ｘは、正の値であればよい。

第２クラッド層１０８は、図１および図３に示すように、活性層１０６上に形成されている。すなわち、活性層１０６は、第１クラッド層１０４と第２クラッド層１０８とに挟まれているといえる。第２クラッド層１０８としては、例えば、第２導電型（例えばｐ型）のＡｌＧａＩｎＰ層などを用いることができる。

例えば、ｐ型の第２クラッド層１０８、不純物がドーピングされていない活性層１０６、およびｎ型の第１クラッド層１０４により、ｐｉｎダイオードが構成される。第１クラッド層１０４および第２クラッド層１０８の各々は、活性層１０６よりも禁制帯幅が大きく、屈折率が小さい層である。活性層１０６は、光を増幅する機能を有する。第１クラッド層１０４および第２クラッド層１０８は、活性層１０６を挟んで、注入キャリア（電子および正孔）並びに光を閉じ込める機能を有する。

発光素子１００は、第１電極１１２と第２電極１１４との間に、ｐｉｎダイオードの順バイアス電圧を印加すると、活性層１０６の利得領域１６０，１６２，１６４において電子と正孔との再結合が起こる。この再結合により発光が生じる。この生じた光を起点として、連鎖的に誘導放出が起こり、利得領域１６０，１６２，１６４内で光の強度が増幅される。例えば、図２に示すように、第１利得領域１６０に生じる光の一部１０は、第１利得領域１６０内で増幅された後、第１重なり面１８０において反射して、第３利得領域１６４に至る。そして、第３利得領域１６４内で増幅された後、第２重なり面１８２において反射して、さらに第２利得領域１６２内で増幅され、第３端面１７２から出射光２０として出射される。同様に、第２利得領域１６２に生じる光の一部は、第２利得領域１６２内で増幅された後、第２重なり面１８２において反射して、第３利得領域１６４に至る。そして、第３利得領域１６４内で増幅された後、第１重なり面１８０において反射して、さらに第１利得領域１６０内で増幅され、第２端面１７１から出射光２２として出射される。なお、第１利得領域１６０に生じる光には、直接、第２端面１７１から出射光２２として出射されるものもある。同様に、第２利得領域１６２に生じる光には、直接、第３端面１７２から出射光２０として出射されるものもある。これらの光も同様に各利得領域１６０，１６２内において増幅される。利得領域１６０，１６２，１６４は、光の伝播領域（導波領域）ともいえる。

コンタクト層１１０は、図１および図３に示すように、第２クラッド層１０８上に形成されている。コンタクト層１１０としては、第２電極１１４とオーミックコンタクトする層を用いることができる。コンタクト層１１０としては、例えば、ｐ型のＧａＡｓ層などを用いることができる。コンタクト層１１０によって、第２電極１１４の接触抵抗を低減することができる。

コンタクト層１１０と、第２クラッド層１０８の一部とは、柱状部１１１を構成することができる。柱状部１１１の平面形状は、例えば図２に示すように、利得領域１６０，１６２，１６４と同じである。すなわち、例えば、柱状部１１１の平面形状によって、電極１１２，１１４間の電流経路が決定され、その結果、利得領域１６０，１６２，１６４の平面形状が決定される。なお、図示はしないが、柱状部１１１は、例えば、コンタクト層１１０、第２クラッド層１０８、および活性層１０６から構成されていてもよいし、さらに、第１クラッド層１０４をも含んで構成されていてもよい。また、柱状部１１１の側面を傾斜させることもできる。

絶縁部１１６は、図１および図３に示すように、第２クラッド層１０８上であって、柱状部１１１の側方に設けられていることができる。絶縁部１１６は、柱状部１１１の側面に接していることができる。絶縁部１１６の上面は、例えば、コンタクト層１１０の上面と連続している。絶縁部１１６としては、例えば、ＳｉＮ層、ＳｉＯ_２層、ポリイミド層などを用いることができる。絶縁部１１６としてこれらの材料を用いた場合、電極１１２，１１４間の電流は、絶縁部１１６を避けて、該絶縁部１１６に挟まれた柱状部１１１を流れることができる。絶縁部１１６は、活性層１０６の屈折率よりも小さい屈折率を有することができる。この場合、絶縁部１１６を形成した部分の垂直断面の有効屈折率は、絶縁部１１６を形成しない部分、すなわち、柱状部１１６が形成された部分の垂直断面の有効屈折率よりも小さくなる。これにより、平面方向において、利得領域１６０，１６２，１６４内に効率良く光を閉じ込めることができる。

第１電極１１２は、基板１０２の下の全面に形成されている。第１電極１１２は、該第１電極１１２とオーミックコンタクトする層（図示の例では基板１０２）と接していることができる。第１電極１１２は、基板１０２を介して、第１クラッド層１０４と電気的に接続されている。第１電極１１２は、発光素子１００を駆動するための一方の電極である。第１電極１１２としては、例えば、基板１０２側からＣｒ層、ＡｕＧｅ層、Ｎｉ層、Ａｕ層の順序で積層したものなどを用いることができる。なお、第１クラッド層１０４と基板１０２との間に、第２コンタクト層（図示せず）を設け、ドライエッチングなどにより該第２コンタクト層を露出させ、第１電極１１２を第２コンタクト層上に設けることもできる。これにより、片面電極構造を得ることができる。この形態は、基板１０２が絶縁性である場合に特に有効である。

第２電極１１４は、コンタクト層１１０（柱状部１１１）上および絶縁部１１６上に形成されている。第２電極１１４とコンタクト層１１０との接触面は、図２に示すように、利得領域１６０，１６２，１６４と同様の平面形状を有している。図示はしないが、第２電極１１４は、絶縁部１１６上には形成されず、コンタクト層１１０上にのみに形成されていてもよい。第２電極１１４は、コンタクト層１１０を介して、第２クラッド層１０８と電気的に接続されている。第２電極１１４は、発光素子１００を駆動するための他方の電極である。第２電極１１４としては、例えば、コンタクト層１１０側からＣｒ層、ＡｕＺｎ層、Ａｕ層の順序で積層したものなどを用いることができる。

本実施形態に係る発光素子１００の一例として、ＩｎＧａＡｌＰ系の場合について説明したが、発光素子１００は、発光利得領域が形成可能なあらゆる材料系を用いることができる。半導体材料であれば、例えば、ＡｌＧａＮ系、ＩｎＧａＮ系、ＧａＡｓ系、ＡｌＧａＡｓ系、ＩｎＧａＡｓ系、ＩｎＧａＡｓＰ系、ＺｎＣｄＳｅ系などの半導体材料を用いることができる。

本実施形態に係る発光素子１００は、例えば、プロジェクター、ディスプレイ、照明装置、計測装置などの光源に適用されることができる。

本実施形態に係る発光素子１００は、例えば、以下の特徴を有する。

発光素子１００によれば、第１利得領域１６０に生じる光の一部１０は、第１重なり面１８０および第２重なり面１８２において反射して、第２利得領域１６２および第３利得領域１６４内においても、利得を受けながら進行することができる。第２利得領域１６２に生じる光の一部に関しても同様である。したがって、発光素子１００によれば、重なり面１８０，１８２において積極的に反射させないような場合に比べ、光強度の増幅距離が長くなる。これにより、発光素子１００は、高い光出力を得ることができる。また、発光素子１００によれば、重なり面１８０，１８２において積極的に反射させないような場合に比べ、同程度の光出力を保ちつつ、活性層１０６の第１面１０５と第２面１０７との間の距離Ｄ（図２参照）を小さくすることができる。すなわち、光出力は、光が利得領域内を進行する距離に依存するので、重なり面１８０，１８２において積極的に反射させないような場合では、発光素子１００と同じ光出力を得ようとすると、距離Ｄが大きくなってしまう。以上のように、発光素子１００では、小型化を図ることができ、設計の自由度を向上させることができる。また、低コスト化、省資源化、省エネルギー化を図ることができる。

発光素子１００によれば、上述したように、利得領域１６０，１６２，１６４は、第１面１０５から第２面１０７に向かって、垂線Ｐに対して傾いて設けられている。また、利得領域１６０，１６２，１６４では、第１面１０５から活性層１０６を平面的にみて、第１面１０５側の端面１７０，１７２，１７４と、第２面１０７側の端面１７１，１７３，１７５とは、重なっていない。さらに、第１面１０５から活性層１０６を平面的にみて、第１面１０５側の第１重なり面１８０を覆う反射部１３０ａと、第２面１０７側の第２重なり面１８２を覆う反射部１３０ｂとは、重なっていない。そのため、利得領域１６０，１６２，１６４に生じる光のレーザー発振を抑制または防止することができる。したがって、スペックルノイズを低減させることができる。さらに、発光素子１００では、利得領域１６０，１６２，１６４に生じる光は、利得領域１６０，１６２，１６４内において利得を受けながら進行して、外部に出射されることができる。したがって、従来の一般的なＬＥＤ（Light Emitting Diode）よりも高い出力を得ることができる。以上のように、本実施形態によれば、スペックルノイズを低減でき、かつ高出力である発光素子（ＳＬＤ）を提供することができる。

２． 発光素子の製造方法
次に、本実施形態に係る発光素子１００の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図６〜図８は、発光素子１００の製造工程を模式的に示す断面図である。

図６に示すように、基板１０２上に、第１クラッド層１０４、活性層１０６、第２クラッド層１０８、およびコンタクト層１１０を、この順でエピタキシャル成長させる。エピタキシャル成長させる方法としては、例えば、ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）法、ＭＢＥ（Molecular Beam Epitaxy）法などを用いることができる。

図７に示すように、コンタクト層１１０および第２クラッド層１０８をパターニングする。パターニングは、例えば、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術などを用いて行われる。本工程により、柱状部１１１を形成することができる。

図８に示すように、柱状部１１１の側面を覆うように絶縁部１１６を形成する。具体的には、まず、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法、塗布法などにより、第２クラッド層１０８の上方（コンタクト層１１０上を含む）に絶縁層（図示せず）を成膜する。次に、例えば、エッチング技術などを用いて、コンタクト層１１０の上面を露出させる。以上の工程により、絶縁部１１６を形成することができる。

図３に示すように、コンタクト層１１０（柱状部１１１）上に第２電極１１４を形成する。次に、基板１０２の下面下に第１電極１１２を形成する。第１電極１１２および第２電極１１４は、例えば、真空蒸着法により形成される。

図２に示すように、第１面１０５および第２面１０７を覆うように、反射部１３０および反射防止部１３２を形成する。反射部１３０および反射防止部１３２は、例えば、ＣＶＤ法、スパッタ法、イオンアシスト蒸着(Ion Assisted Deposition)法などにより形成される。なお、第１電極１１２、第２電極１１４、反射部１３０および反射防止部１３２の形成順序は、特に限定されない。

以上の工程により、発光素子１００を製造することができる。

発光素子１００の製造方法によれば、小型化を図ることができ、かつ高出力である発光素子を得ることができる。

３． 発光素子の変形例
次に、本実施形態の変形例に係る発光素子２００，３００，４００について、図面を参照しながら説明する。以下、本実施形態の変形例に係る発光素子２００，３００，４００において、本実施形態に係る発光素子１００の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。

（１）第１変形例に係る発光素子
まず、本実施形態の第１変形例に係る発光素子２００について、図面を参照しながら説明する。図９は、発光素子２００を模式的に示す平面図であり、図２に対応している。なお、図９では、便宜上、第２電極１１４の図示を省略している。

発光素子２００では、図９に示すように、活性層１０６は、第１利得領域１６０、第２利得領域１６２、第３利得領域１６４および第４利得領域２６０を有している。第１利得領域１６０と第２利得領域１６２との間に、第３利得領域１６４と第４利得領域２６０とは、交互に配置されている。第３利得領域１６４および第４利得領域２６０の数は、特に限定されないが、図示の例では、第３利得領域１６４は２つ設けられ、第４利得領域２６０は１つ設けられている。第１利得領域１６０には、第３利得領域１６４および第４利得領域２６０のうち、第３利得領域１６４が隣接している。同様に、第２利得領域１６２には、第３利得領域１６４および第４利得領域２６０のうち、第３利得領域１６４が隣接している。すなわち、図示の例では、第１利得領域１６０側から、第１利得領域１６０、第３利得領域１６４、第４利得領域２６０、第３利得領域１６４、第２利得領域１６２の順で、配列されている。これらの利得領域は、第１面１０５から第２面１０７に向かう方向と直交する方向に、配列されている。

第４利得領域２６０は、第１面１０５から第２面１０７まで、第１面１０５の垂線Ｐに対して傾いた方向に向かって設けられている。具体的には、第４利得領域２６０は、垂線Ｐに対して角度θの傾きを有する第１方向Ａに向かって設けられている。すなわち、第４利得領域２６０は、第１利得領域１６０および第２利得領域１６２と、平行に設けられている。言い換えると、第４利得領域２６０は、第１面１０５から第２面１０７まで、垂線Ｐに対して反時計回り方向に傾いて設けられている。

第４利得領域２６０は、第１面１０５に設けられた第７端面２７０と、第２面１０７に設けられた第８端面２７２と、を有している。図示の例では、第４利得領域２６０の第７端面２７０と、第２利得領域１６４と隣り合う第３利得領域１６４の第５端面１７４とは、第３重なり面２８４において完全に重なっている。また、第４利得領域２６０の第８端面２７２と、第１利得領域１６０と隣り合う第３利得領域１６４の第６端面１７５とは、第４重なり面２８６において完全に重なっている。重なり面１８４，１８６は、例えば、反射部１３０によって、覆われている。

第４利得領域２６０の平面形状と、第３利得領域１６４の平面形状とは、例えば、第１面１０５の垂線Ｐに対して線対称である。図９に示すように、第４利得領域２６０の平面形状と、第３利得領域１６４の平面形状とは、第３重なり面２８４または第４重なり面２８６の垂直二等分線Ｐに対して線対称であってもよい。第４利得領域２６０の平面形状は、例えば平行四辺形などである。

発光素子２００によれば、第１利得領域１６０に生じる光の一部１０は、第１重なり面１８０、第４重なり面２８６、第３重なり面２８４、第２重なり面１８２の順で反射され、第３端面１７２から出射されることができる。すなわち、第１利得領域１６０に生じる光の一部１０は、第１利得領域１６０、第３利得領域１６４、第４利得領域２６０、第３利得領域１６４、第２利得領域１６４の順で、各利得領域において、利得を受けながら進行することができる。したがって、発光素子２００では、例えば発光素子１００に比べて、第１面１０５と第２面１０７との間の距離Ｄを同じに保ちつつ、出射面である端面１７１，１７２における光出力を大きくすることができる。

（２）第２変形例に係る発光素子
次に、本実施形態の第２変形例に係る発光素子３００について、図面を参照しながら説明する。図１０は、発光素子３００を模式的に示す平面図であり、図２に対応している。なお、図１０では、便宜上、第２電極１１４の図示を省略している。

発光素子３００では、図１０に示すように、第１利得領域１６０、第２利得領域１６２および第３利得領域１６４は、利得領域の群（利得領域群）３６０を構成し、利得領域群３６０は、複数配列されている。利得領域群３６０は、第１面１０５から第２面１０７に向かう方向と直交する方向に、配列されている。図示の例では、利得領域群３６０は、３つ配列されているが、その数は特に限定されない。なお、図示はしないが、利得領域群３６０は、第１利得領域１６０、第２利得領域１６２および第３利得領域１６４の他に、利得領域を有していてもよい。

発光素子３００によれば、利得領域群３６０が複数配列されているので、例えば発光素子１００に比べて、発光素子全体の高出力化を図ることができる。

また、発光素子３００によれば、第１面１０５側の複数の出射面から出射される光２０は、同一の方向に進行することができる。同様に、第２面１０７側の複数の出射面から出射される光２２は、同一の方向に進行することができる。これにより、発光素子３００では、例えば、複数の出射面から出射される光が発散する方向に進むような場合に比べて、図示しない光学系（出射光２０，２２が入射する光学系）を小型化することができる。

（３）第３変形例に係る発光素子
次に、本実施形態の第３変形例に係る発光素子４００について、図面を参照しながら説明する。図１１は、発光素子４００を模式的に示す断面図であり、図３に対応している。

発光素子１００の例では、絶縁部１１６と、絶縁部１１６とが形成されていない領域、すなわち柱状部１１１を形成している領域に屈折率差を設けて、光を閉じ込める屈折率導波型について説明した。これに対し、発光素子４００は、柱状部１１１を形成することによって屈折率差を設けず、利得領域１６０，１６２，１６４がそのまま導波領域となる、利得導波型であることができる。

すなわち、発光素子４００では、図１１に示すように、コンタクト層１１０および第２クラッド層１０８は、柱状部を構成せず、その側方に絶縁部１１６は形成されない。絶縁部１１６は、利得領域１６０，１６２，１６４の上方以外のコンタクト層１１０上に形成されている。つまり、絶縁部１１６は利得領域１６０の上方に開口を有し、該開口ではコンタクト層１１０の上面が露出している。第２電極１１４は、その露出しているコンタクト層１１０上および絶縁部１１６上に形成されている。第２電極１１４とコンタクト層１１０との接触面は、利得領域１６０，１６２，１６４と同じ平面形状を有している。図示の例では、第２電極１１４とコンタクト層１１０との接触面の平面形状によって、電極１１２，１１４間の電流経路が決定され、その結果、利得領域１６０，１６２，１６４の平面形状が決定されることができる。なお図示はしないが、第２電極１１４は、接縁部１１６上には形成されず、利得領域１６０，１６２，１６４の上方のコンタクト層１１０上にのみ形成されていてもよい。

発光素子４００によれば、発光素子１００と同様に、小型化および高出力化を図ることができる。

４． 発光装置
次に、本実施形態に係る発光装置５００について、図面を参照しながら説明する。図１２は、発光装置５００を模式的に示す平面図である。図１３は、発光装置５００を模式的に示す図１２のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線断面図である。なお、図１２では、便宜上、第２電極１１４の図示を省略している。また、図１３では、便宜上、発光素子３００を簡略化して示している。

発光装置５００は、本発明に係る発光素子を含む。以下の例では、本発明に係る発光素子として、発光素子３００を含む発光装置５００について説明する。

発光装置５００は、図１２および図１３に示すように、発光素子３００と、第１ミラー５１２および第２ミラー５１４を有する光軸変換素子５１０と、サブマウント５２０と、を含むことができる。

発光素子３００は、例えば、サブマウント５２０上に実装されている。図示の例では、発光素子３００は、２つ実装されているが、その数は特に限定されない。発光素子３００は、図示はしないが、例えば、ワイヤーボンディングにより、サブマウント５２０上の電極と電気的に接続されていてもよい。

光軸変換素子５１０は、例えば、サブマウント５２０上に形成される。光軸変換素子５１０は、第１ミラー５１２および第２ミラー５１４を有している。光軸変換素子５１０は、例えば、複数の第１ミラー５１２および第２ミラー５１４を有することができるが、その数は特に限定されない。ミラー５１２，５１４は、図１３に示すように、活性層１０６の上面に対して、例えば４５度傾斜している。図１２および図１３に示すように、光軸変換素子５１０の一方側の側面の一部が第１ミラー５１２であり、他方側の側面の一部が第２ミラー５１４であってもよい。光軸変換素子５１０の材質としては、例えば、アルミニウム、銀、金などを列挙することができる。例えば、光軸変換素子５１０のミラー５１２，５１４の部分のみを、上記列挙した材料としてもよい。

第１ミラー５１２は、例えば、第１面１０５に対向するように配置されている。具体的には、第１ミラー５１２は、図１２に示すように平面的にみて、第１面１０５側から出射される光２０の進行方向と、直交するように配置されている。第１ミラー５１２は、第１面１０５側から出射される光２０を反射させることができる。具体的には、図１３に示すように、第２面１０７から第１面１０５に向かう方向（例えば水平方向）に進んできた光２０を、活性層１０６の厚み方向（例えば垂直方向）に反射させることができる。例えば、第１面１０５側から出射された光２０の各々が、第１ミラー５１２まで到達するまでに進行する距離は、等しい。

第２ミラー５１４は、例えば、第２面１０７に対向するように配置されている。具体的には、第２ミラー５１４は、図１２に示すように平面的にみて、第２面１０７から出射される光２２の進行方向と、直交するように配置されている。第２ミラー５１４は、第２面１０７側から出射される光２２を反射させることができる。具体的には、図１３に示すように、第１面１０５から第２面１０７に向かう方向（例えば水平方向）に進んできた光２２を、活性層１０６の厚み方向（例えば垂直方向）に反射させることができる。例えば、第２面１０７側から出射された光２２の各々が、第２ミラー５１４まで到達するまでに進行する距離は、等しい。第１ミラー５１２および第２ミラー５１４によって、光２０，２２を同一の方向に反射させることができる。

サブマウント５２０は、発光素子３００および光軸変換素子５１０を支持している。サブマウント５２０の材質としては、例えば、アルミニウム、銅、モリブテン、タングステン、シリコン、ベリリウム、炭素や、これらの化合物（例えば、窒化アルミニウム、酸化ベリリウム）、合金などを列挙することができる。サブマウント５２０は、例えば、金型成型などにより形成される。

発光装置５００によれば、発光素子３００を有することができる。発光素子３００は、上述のとおり、重なり面１８０，１８２において積極的に反射させないような場合に比べ、同程度の光出力を保ちつつ、活性層１０６の第１面１０５と第２面１０７との間の距離Ｄ（図２参照）を小さくすることができる。これにより、第１面１０５側の出射面（第３端面１７２）と、第２面１０７側の出射面（第２端面１７１）と、の間の距離を小さくすることができる。そのため、例えば、光の密度を高くすることができる。したがって、発光装置５００では、例えば、プロジェクターやディスプレイの光源に用いた場合、光強度むらを低減することができる。

５． 発光装置の変形例
次に、本実施形態の変形例に係る発光装置６００について、図面を参照しながら説明する。図１４は、発光装置６００を模式的に示す斜視図である。以下、本実施形態の変形例に係る発光装置６００において、本実施形態に係る発光装置５００の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。なお、図１４では、便宜上、発光素子３００を簡略化して示している。

発光装置６００では、図１４に示すように、発光素子３００は、パッケージに収容されている。パッケージは、パッケージベース６１０およびリッド（図示せず）からなり、リッドは、パッケージベース６１０の開口部を封止している。発光素子３００は、パッケージベース６１０の開口部内に収容されているともいえる。図示の例では、発光素子３００は、サブマウント５２０を介して、パッケージベース６１０の内側底面６１２に実装されている。パッケージベース６１０の材質としては、例えば、アルミニウム、銅、モリブテン、タングステン、シリコン、ベリリウム、炭素や、これらの化合物、合金などを列挙することができる。これらの材質は、熱伝導率が高く、放熱効果を高めることができる。

発光装置６００では、第１ミラー５１２および第２ミラー５１４は、パッケージの内側面（より具体的には、パッケージベース６１０の内側面）によって形成されている。すなわち、ミラー５１２，５１４は、パッケージベース６１０の内側面として、パッケージベース６１０と一体的に形成されている。例えば、パッケージベース６１０の内側面に、アルミニウムなどを蒸着して、ミラー５１２，５１４としてもよい。なお、図示はしないが、第１ミラー５１２は、平面的にみて、第１面１０５側から出射される光２０の進行方向と、直交するように配置されていてもよい。また、第２ミラー５１４は、平面的にみて、第２面１０７側から出射される光２２の進行方向と、直交するように配置されていてもよい。

なお、パッケージには、図１４に示すように、発光素子３００の第２電極１１４に電流を供給するためのモジュール電極６２０が形成されていてもよい。モジュール電極６２０は、ワイヤーボンディング６３０を介して、第２電極１１４と電気的に接続されていてもよい。

発光装置６００によれば、第１ミラー５１２および第２ミラー５１４を、パッケージベース６１０の内側面として一体的に形成することができるため、その分、低コストで形成されることができる。

６． プロジェクター
次に、本実施形態に係るプロジェクター７００について、図面を参照しながら説明する。図１５は、プロジェクター７００を模式的に示す図である。なお、図１５では、便宜上、プロジェクター７００を構成する筐体は省略している。プロジェクター７００は、本発明に係る発光装置を有する。以下では、本発明に係る発光装置として、発光装置５００を用いた例について説明する。

プロジェクター７００において、赤色光、緑色光、青色光を出射する赤色光源（発光装置）５００Ｒ，緑色光源（発光装置）５００Ｇ、青色光源（発光装置）５００Ｂは、上述した発光装置５００である。

プロジェクター７００は、光源５００Ｒ，５００Ｇ，５００Ｂから出射された光をそれぞれ画像情報に応じて変調する透過型の液晶ライトバルブ（光変調装置）７０４Ｒ，７０４Ｇ，７０４Ｂと、液晶ライトバルブ７０４Ｒ，７０４Ｇ，７０４Ｂによって形成された像を拡大してスクリーン（表示面）７１０に投射する投射レンズ（投射装置）７０８と、を備えている。また、プロジェクター７００は、液晶ライトバルブ７０４Ｒ，７０４Ｇ，７０４Ｂから出射された光を合成して投写レンズ７０８に導くクロスダイクロイックプリズム（色光合成手段）７０６を備えていることができる。

さらに、プロジェクター７００は、光源５００Ｒ，５００Ｇ，５００Ｂから出射された光の照度分布を均一化させるため、各光源５００Ｒ，５００Ｇ，５００Ｂよりも光路下流側に、均一化光学系７０２Ｒ，７０２Ｇ，７０２Ｂを設けており、これらによって照度分布が均一化された光によって、液晶ライトバルブ７０４Ｒ，７０４Ｇ，７０４Ｂを照明している。均一化光学系７０２Ｒ，７０２Ｇ、７０２Ｂは、例えば、ホログラム７０２ａおよびフィールドレンズ７０２ｂによって構成される。

各液晶ライトバルブ７０４Ｒ，７０４Ｇ，７０４Ｂによって変調された３つの色光は、クロスダイクロイックプリズム７０６に入射する。このプリズムは４つの直角プリズムを貼り合わせて形成され、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に配置されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成され、カラー画像を表す光が形成される。そして、合成された光は投写光学系である投射レンズ７０６によりスクリーン７１０上に投写され、拡大された画像が表示される。

プロジェクター７００によれば、赤色光源５００Ｒ、緑色光源５００Ｇおよび青色光源５００Ｂの各々から出射される光の密度が高いため、スクリーン７１０上の光強度むらを低減することができる。

なお、上述の例では、光変調装置として透過型の液晶ライトバルブを用いたが、液晶以外のライトバルブを用いてもよいし、反射型のライトバルブを用いてもよい。このようなライトバルブとしては、例えば、反射型の液晶ライトバルブや、デジタルマイクロミラーデバイス（Digital Micromirror Device）が挙げられる。また、投射光学系の構成は、使用されるライトバルブの種類によって適宜変更される。

また、発光装置５００を、発光装置５００からの光をスクリーン上で走査させることにより、表示面に所望の大きさの画像を表示させる画像形成装置である走査手段を有するような走査型の画像表示装置（プロジェクター）の発光装置にも適用することが可能である。

なお、上述した実施形態および変形例は一例であって、これらに限定されるわけではない。例えば、各実施形態および各変形例を適宜組み合わせることも可能である。

上記のように、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の新規事項および効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは当業者には容易に理解できよう。従って、このような変形例はすべて本発明の範囲に含まれるものとする。

１０ 光、２０ 光、２２ 光、１００ 発光素子、１０２ 基板、
１０４ 第１クラッド層、１０５ 第１面、１０６ 活性層、１０７ 第２面、
１０８ 第２クラッド層、１１０ コンタクト層、１１１ 柱状部、１１２ 第１電極、
１１４ 第２電極、１１６ 絶縁部、１３０ 反射部、１３２ 反射防止部、
１６０ 第１利得領域、１６２ 第２利得領域、１６４ 第３利得領域、
１７０ 第１端面、１７１ 第２端面、１７２ 第３端面、１７３ 第４端面、
１７４ 第５端面、１７５ 第６端面、１８０ 第１重なり面、１８２ 第２重なり面、
２００ 発光素子、２６０ 第４利得領域、２７０ 第７端面、２７２ 第８端面、
２８４ 第３重なり面、２８６ 第４重なり面、３００ 発光素子、
３６０ 利得領域群、４００ 発光素子、５００ 発光装置、５１０ 光軸変換素子、
５１２ 第１ミラー、５１４ 第２ミラー、５２０ サブマウント、６００ 発光装置、
６１０ パッケージベース、６１２ 内側底面、６２０ モジュール電極、
６３０ ワイヤーボンディング、７００ プロジェクター、７０２ 均一化光学系、
７０２ａ ホログラム、７０２ｂ フィールドレンズ、７０４ 液晶ライトバルブ、
７０６ クロスダイクロイックプリズム、７０８ 投写レンズ、７１０ スクリーン

Claims (8)

1. 第１クラッド層と第２クラッド層とに挟まれる活性層を有する積層構造体を含み、
   前記活性層のうちの少なくとも一部は、前記活性層の電流経路となる複数の利得領域を構成し、
   前記積層構造体において、前記活性層の露出する面のうちの第１面および第２面は、互いに対向する位置関係であり、
   前記複数の利得領域のうちの第１利得領域および第２利得領域は、前記活性層を平面的にみて、直線状に、前記第１面から前記第２面まで、前記第１面の垂線に対して反時計回り方向に傾いており、
   前記複数の利得領域のうちの第３利得領域は、前記活性層を平面的にみて、直線状に、前記第１面から前記第２面まで、前記第１面の垂線に対して時計回り方向に傾いており、
   前記第１利得領域の前記第１面側の端面と、前記第３利得領域の前記第１面側の端面とは、前記第１面に設けられた重なり面において重なっており、
   前記第２利得領域の前記第２面側の端面と、前記第３利得領域の前記第２面側の端面とは、前記第２面に設けられた重なり面において重なっており、
   前記第１面側の重なり面、および前記第２面側の重なり面において、前記複数の利得領域で生じる光は、反射され、
   前記第１利得領域の前記第２面側の端面、および前記第２利得領域の前記第１面側の端面において、前記複数の利得領域に生じる光は、出射される、発光素子。
2. 第１クラッド層と第２クラッド層とに挟まれる活性層を有する積層構造体を含み、
   前記活性層のうちの少なくとも一部は、前記活性層の電流経路となる複数の利得領域を構成し、
   前記積層構造体において、前記活性層の露出する面のうちの第１面および第２面は、互いに対向する位置関係であり、
   前記複数の利得領域は、直線状に、前記第１面から前記第２面まで設けられ、
   前記複数の利得領域のうちの第１利得領域および第２利得領域は、前記活性層を平面的にみて、前記第１面の垂線に対して反時計回り方向に傾いており、
   前記第１利得領域と前記第２利得領域との間には、前記複数の利得領域のうちの第３利得領域と第４利得領域とが交互に配置され、
   前記第３利得領域は、前記活性層を平面的にみて、時計回り方向に傾いており、
   前記第４利得領域は、前記活性層を平面的にみて、前記反時計回り方向に傾いており、
   隣り合う前記第３利得領域および前記第４利得領域において、前記第３利得領域の端面と、前記第４利得領域の端面とは、前記第１面または前記第２面に設けられた重なり面において重なっており、
   前記第１利得領域の前記第１面側の端面と、前記第１利得領域と隣り合う前記第３利得領域の前記第１面側の端面とは、前記第１面に設けられた重なり面において重なっており、
   前記第２利得領域の前記第２面側の端面と、前記第２利得領域と隣り合う前記第３利得領域の前記第２面側の端面とは、前記第２面に設けられた重なり面において重なっており、
   前記第１面側の重なり面、および前記第２面側の重なり面において、前記複数の利得領域で生じる光は、反射され、
   前記第１利得領域の前記第２面側の端面、および前記第２利得領域の前記第１面側の端面において、前記複数の利得領域に生じる光は、出射される、発光素子。
3. 請求項１または２において、
   前記第１面側の重なり面、および前記第２面側の重なり面は、反射部によって覆われ、
   前記第１面側から前記活性層を平面的にみて、前記第１面側の重なり面を覆う前記反射部と、前記第２面側の重なり面を覆う前記反射部とは、重なっていない、発光素子。
4. 請求項１ないし３のいずれか１項において、
   前記第１面側の重なり面、および前記第２面側の重なり面を避けて、前記第１面および前記第２面は、反射防止部によって覆われている、発光素子。
5. 請求項１ないし４のいずれか１項において、
   少なくとも、前記第１利得領域、前記第２利得領域および前記第３利得領域は、利得領域群を構成し、
   前記利得領域群は、複数配列されている、発光素子。
6. 請求項１ないし５のいずれか１項に記載の発光素子と、
   前記発光素子の前記第１利得領域の前記第２面側の端面から出射される光を、反射させる第１ミラーと、
   前記発光素子の前記第２利得領域の前記第１面側の端面から出射される光を、反射させる第２ミラーと、
   を含み、
   前記第１ミラーで反射された光の進む方向と、前記第２ミラーで反射された光の進む方向とは、同じ方向である、発光装置。
7. 請求項６において、
   さらに、前記発光素子を収容するパッケージを含み、
   前記第１ミラーおよび前記第２ミラーは、前記パッケージの内側面によって形成されている、発光装置。
8. 請求項６または７に記載の発光装置と、
   前記発光装置から出射された光を画像情報に応じて変調する光変調装置と、
   前記光変調装置によって形成された画像を投射する投射装置と、
   を含む、プロジェクター。

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