JP2007201223A - 多波長半導体レーザ装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 第1基板14上に形成され、第1の波長の光を放射する第1半導体レーザ素子12と、第2基板17上に形成され、第1の波長と異なる第2の波長の光を放射する第2半導体レーザ素子13とを具備し、第1半導体レーザ素子15がフェースアップで支持基台11上に載置され、第2半導体素子13がフェースダウンで支持基台11上に載置され、レーザビームの出射方向が同一方向になるように第1半導体レーザ素子12と第2半導体レーザ素子13とが配置されている。
【選択図】 図1
Description
例えば、一台の光ディスク駆動装置でDVD媒体への記録・再生とCD媒体の再生の機能を実現するために、光ピックアップヘッド(Optical Pick Up Head;PUH)にはDVD記録再生用光源並びにCD再生用光源として、それぞれ発振波長が650nm帯の高出力赤色半導体レーザ素子と780nm帯の低出力赤外半導体レーザ素子を同一基板上にモノリシックに形成した2波長半導体レーザ装置が用いられている。
赤色半導体レーザ部18の第2発光領域20から赤色レーザビームが放射され、赤外半導体レーザ部19の第3発光領域21から赤外レーザビームが放射される。
記録媒体のトラックの周方向に対してレーザビームの長軸方向を垂直にして書き込み用高出力レーザビームを記録媒体に照射すると、既に書き込まれた隣接トラックにもレーザビームの一部がはみ出して照射され、外乱となる反射が生じる。
そのため、外乱となる反射光との干渉を避けるために、トラックの周方向に対してレーザビームを斜めに照射する必要がある。
また、第2半導体レーザ装置13の赤色半導体レーザ部18側および赤外半導体レーザ部19側がハンダ23、24によりフェースダウンでマウントされている。
図4に示すように、書き込み時(記録時)には、多波長半導体レーザ装置30で発光されたレーザビーム(青色、赤色から選択されたいずれかの波長のもの)をハーフミラー51に導き反射させ、この反射されたレーザビームをコリメートレンズ52に入射させて平行光線化する。
対物レンズ54では、記録に適する照射スポットをディスク面55上に形成すべく入射レーザビームを絞る。これにより、ディスク面55上に書き込みがなされる。
そしてその反射光を、対物レンズ54、立ち上げレンズ53、コリメートレンズ52、ハーフミラー51、ホログラム素子56と順に導いて集光し光検出器57に入射する。これにより、ディスク面55上に記録された情報を読み出す。
n−GaAs基板137は段差を有し、段差の下部137aに赤色半導体レーザ部18が形成され、段差の上部137bに赤外半導体レーザ部139が形成されている。
11、131、151 絶縁性サブマウント(支持基台)
12 第1半導体レーザ素子
13、133 第2半導体レーザ素子
14 絶縁性GaN基板(第1基板)
15 青色半導体レーザ部
16 第1発光領域
17、137 n−GaAs基板(第2基板)
18 赤色半導体レーザ部
19、139 赤外半導体レーザ部
20 第2発光領域
21、141 第3発光領域
22、23、24、144、152、153 はんだ層
30 多波長半導体レーザ装置(パッケージ品)
31 リードピン
32 ステム
33 モニタフォトダイオード
34 マウントベース
35 キャップ
36 ウィンドウガラス
37 青色レーザビーム
38 赤色レーザビーム
39 赤外レーザビーム
51 ハーフミラー
52 コリメータレンズ
53 立ち上げミラー
54、63 対物レンズ
55 ディスク面
56 ホログラム素子
57 光検出器
60、60a、61 トラック
62、64、65、66 ビーム
Claims (5)
- 支持基台上にフェースアップで載置され、第1の波長の光を放射する第1半導体レーザ素子と、
前記支持基台上にフェースダウンで載置され、前記第1の波長の光と同一方向に前記第1の波長と異なる第2の波長の光を放射する第2半導体レーザ素子と、
を具備することを特徴とする多波長半導体レーザ装置。 - 支持基台上にフェースダウンで載置され、第1の波長の光を放射する第1半導体レーザ素子と、
前記第1半導体レーザ素子上にフェースダウンで載置され、前記第1の波長の光と同一方向に前記第1の波長と異なる第2の波長の光を放射する第2半導体レーザ素子と、
を具備することを特徴とする多波長半導体レーザ装置。 - 前記第1半導体レーザ素子が形成された基板の厚さが、前記第1半導体レーザ素子の前記第1の波長の光を放射する第1発光領域と前記第2半導体レーザ素子の前記第2の波長の光を放射する第2発光領域とを結ぶ直線と前記支持基台を含む平面とのなす角度が20度乃至50度になるように設定されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の多波長半導体レーザ装置。
- 前記第1半導体レーザ素子がGaN基板上に形成されたInGaN系の半導体レーザ素子であり、前記第2半導体レーザ素子がGaAs基板上に形成されたInGaAlP系の半導体レーザ素子であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の多波長半導体レーザ装置。
- 前記第2半導体レーザ素子が、前記第1および第2の波長のいずれとも異なる第3の波長の光を放射する第3発光領域を更に有することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の多波長半導体レーザ装置。
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