JP2007311680A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】光ピックアップの小型化を図る半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】ステム11の一方の面には単一の放熱ブロック10が配設されている。放熱ブロック10における第1の面10aの上には、第1サブマウント6を介在させて第1レーザ素子2が装着され、第2の面10bの上には、第2サブマウント7を介在させて第2レーザ素子3が装着されている。第1レーザ素子2は、それぞれ波長の異なる光を出射する2つの発光点2a,2bを有する二波長レーザ素子であり、赤外領域の光と赤色の光をそれぞれ出射する。第2レーザ素子3は、青紫色の光を出射する。ステム11には、第1レーザ素子2および第2レーザ素子3に電流を供給するリード12が取り付け保持されている。
【選択図】図1
【解決手段】ステム11の一方の面には単一の放熱ブロック10が配設されている。放熱ブロック10における第1の面10aの上には、第1サブマウント6を介在させて第1レーザ素子2が装着され、第2の面10bの上には、第2サブマウント7を介在させて第2レーザ素子3が装着されている。第1レーザ素子2は、それぞれ波長の異なる光を出射する2つの発光点2a,2bを有する二波長レーザ素子であり、赤外領域の光と赤色の光をそれぞれ出射する。第2レーザ素子3は、青紫色の光を出射する。ステム11には、第1レーザ素子2および第2レーザ素子3に電流を供給するリード12が取り付け保持されている。
【選択図】図1
Description
本発明は半導体レーザ装置に関し、特に、光記録媒体に情報を書き込んだり、光記録媒体に記録された情報を読み取るための光ピックアップに使用される半導体レーザ装置に関するものである。
情報を記録したり、あるいは、記録された情報を読み取ったりする情報記録媒体として、光を利用した光記録媒体がある。そのような光記録媒体には、たとえば、CD−R/RW(Compact Disk - Recordable / ReWritable)、DVD−R/RW(Digital Versatile Disk - Recordable / ReWritable)などがある。最近では、これらの光記録媒体に加えてBD(Blu-ray Disk)も登場している。
このような光記録媒体に情報を記録したり、記録された情報を読み取るための光の波長は光記録媒体によって異なっている。CD−R/RWでは波長約784nm±5nmの光が使用され、DVD−R/RWでは波長約660nm±5nmの光が使用される。そして、BDでは波長約405nm±5nmの光が使用される。このため、情報の記録と読み出しを行う光ピックアップには、そのような所定の波長の光を光記録媒体に向けて照射する半導体レーザ装置が搭載されている。
ここで、光ピックアップに使用されている従来の半導体レーザ装置の一例について説明する。図3に示すように、ステム111の上面にはレーザ素子102が配設されている。そのレーザ素子102はサブマウント106を介して放熱ブロック110に装着されている。一方、ステム111にはリード112が保持され、金(Au)線113を介してレーザ素子102と所定のリード112とが電気的に接続されている。従来の半導体レーザ装置101は上記のように構成される。なお、光ピックアップに使用される半導体レーザダイオードを開示した文献として特許文献1がある。
特開平11−97804号公報
しかしながら、従来の半導体レーザ装置101では次のような問題点があった。上述した半導体レーザ装置101では1つのレーザ素子102しか搭載されていないために、出射される光の波長は一つの波長に限られてしまう。このため、光記録媒体としてはその波長に対応した光記録媒体しか使用することができず、他の種類の光記録媒体についても使用することができるようにしようとすると、その光記録媒体に対応した波長の光を出射する半導体レーザ装置を搭載した光ピックアップが必要になる。
したがって、CD、DVDおよびBDの3種類の光記録媒体に対応させるためには、光ピックアップに3つの半導体レーザ装置を搭載する必要があり、光ピックアップが大型化してしまうという問題があった。
一方、半導体レーザ装置として、1つのレーザ素子において異なる2つの波長の光を発する半導体レーザ装置が提案されている。しかしながら、このような二波長対応のレーザチップを使用したとしても、3種類の光記録媒体に対応するには2つの半導体レーザ装置が必要とされて、光ピックアップを大型化せざるを得ない。
このため、そのような光ピックアップを搭載した光ディスクドライブでは小型化に限界があった。また、光ピックアップに2個または3個の半導体レーザ装置を搭載する際に、個々の半導体レーザ装置の位置調整が煩雑になるという問題があった。
本発明は上記問題点を解決するためになされたものであり、その目的は、光ピックアップの小型化を図る半導体レーザ装置を提供することである。
本発明に係る半導体レーザ装置は所定の波長の光を出射する半導体レーザ装置であって、基材部と少なくとも2つのレーザ素子とを備えている。基材部は外部と接続するためのリードを保持する。少なくとも2つのレーザ素子は基材部に装着されている。その少なくとも2つのレーザ素子のうち、一つのレーザ素子は互いに異なる波長の光を出射する発光点を2つ有している。そのレーザ素子により、互いに異なる少なくとも3つの波長の光が出射される。
この構成によれば、基材部に装着された少なくとも2つのレーザ素子によって異なる3つの波長の光を出射させることができる。これにより、光記録媒体としてそれぞれ種類が異なるCD、DVDおよびBDに対して、1つの半導体レーザ装置によって情報の記録(書き込み)や読み出しを行うことができる。その結果、3種類の光記録媒体に対応する光ピックアップを大型化させる必要がなくなって、光ピックアップの小型化、ひいては、光ピックアップを搭載した光ディスクドライブの小型化を図ることができる。
その基材部は具体的に、レーザ素子から発せられる熱を放熱する放熱ブロックと、その放熱ブロックに直接装着され、レーザ素子と放熱ブロックとの間に介在するサブマウントとを含むことが好ましい。
これにより、レーザ素子がサブマウントを介して放熱ブロックに確実に装着されるとともに、レーザ素子から発せられる熱が放熱ブロックに伝導してこれを放熱することができる。
より具体的に半導体レーザ装置として小型化を図るには、その放熱ブロックは単一であり、少なくとも2つのレーザ素子は、それぞれサブマウントを介して単一の放熱ブロックに装着されていることが好ましく、さらに、その単一の放熱ブロックには、レーザ素子を装着する複数の装着面が形成され、少なくとも2つのレーザ素子は、複数の装着面においてそれぞれ異なる装着面に載置されていることが好ましく、そして、単一の放熱ブロックは、装着面として互いに対向する第1装着面と第2装着面とを含み、少なくとも2つのレーザ素子のうち、一つのレーザ素子は第1装着面に載置され、残りの少なくとも一つのレーザ素子は第2装着面に載置されていることが好ましい。
また、光記録媒体としてCD、DVDおよびBDに対して情報の書き込みや読み取りを行うためには、3つの波長の光として、赤外領域の光、赤色の光および青紫色の光であることが好ましい。
そして、そのような光記録媒体に応じて適切な波長の光を出射させるためには、リードを複数備え、少なくとも2つのレーザ素子のそれぞれは、独立して発光が制御されるように複数のリードのうち所定のリードにそれぞれ金線を介して接続されていることが好ましい。
実施の形態1
本発明の実施の形態1に係る半導体レーザ装置について説明する。図1に示すように、半導体レーザ装置1では、ステム11の一方の面には略直方体の単一の放熱ブロック10が配設されている。放熱ブロック10は、たとえば鉄、銅などから形成されている。その放熱ブロック10における第1の面10aの上には、第1サブマウント6を介在させて第1レーザ素子2が装着されている。一方、その第1の面10aと対向する第2の面10bの上には、第2サブマウント7を介在させて第2レーザ素子3が装着されている。第1サブマウント6および第2サブマウント7は放熱ブロック10に直接装着されている。
本発明の実施の形態1に係る半導体レーザ装置について説明する。図1に示すように、半導体レーザ装置1では、ステム11の一方の面には略直方体の単一の放熱ブロック10が配設されている。放熱ブロック10は、たとえば鉄、銅などから形成されている。その放熱ブロック10における第1の面10aの上には、第1サブマウント6を介在させて第1レーザ素子2が装着されている。一方、その第1の面10aと対向する第2の面10bの上には、第2サブマウント7を介在させて第2レーザ素子3が装着されている。第1サブマウント6および第2サブマウント7は放熱ブロック10に直接装着されている。
その第1サブマウント6および第2サブマウント7は、たとえば炭化カーボン(SiC)、窒化アルミニウム(AlN)、シリコン(Si)などから形成されている。また、第1サブマウント6および第2サブマウント7は、放熱性を向上させるとともに、第1レーザ素子2および第2レーザ素子3を確実に放熱ブロック10に接着させる機能を有している。さらに、後述する二波長レーザ素子が同時に発光するのを防止するために、サブマウントを2つの部分に分けることによって二波長レーザ素子における一波長のレーザ素子の部分と他の一波長のレーザ素子の部分とに電気的に分離する機能を有している。
第1レーザ素子2は、それぞれ波長の異なる光を出射する2つの発光点2a,2bを有する二波長レーザ素子(レーザチップ)であり、赤外領域(波長約784nm±5nm)の光と赤色(波長約660nm±5nm)の光をそれぞれ出射する。第2レーザ素子3は、第1レーザ素子2が出射する光の波長とは異なる波長の光を出射する1つの発光点を有するレーザ素子(レーザチップ)であり、青紫色(約405nm±5nm)の光を出射する。その赤外領域の光はCD−R/RWに対して、赤色の光はDVD−R/RWに対して、青紫色の光はBDに対してそれぞれ情報の書き込みと読み取りに使用される。
また、ステム11には、第1レーザ素子2および第2レーザ素子3に電流を供給するアノードとして3本のリード12と、カソードとして1本のリード12とがそれぞれ取付け保持されている。その3本のリード12と1本のリード12は、ステム11の外周部分において第1レーザ素子2等が配設されている側から第1レーザ素子2等が配設されている側とは反対の側に向かって突出するように取付けられている。なお、図1では、カソードとしての1本のリードはステムの陰に隠れているために、図示されていない。
アノードとしての3本のリード12はステム11とは電気的に絶縁され、カソードとしての1本のリード12はステム11と電気的に接続されている。アノードとしての3本のリード12は、第1レーザ素子2および第2レーザ素子3とは金(Au)線13により電気的に接続されている。これにより、第1レーザ素子2および第2レーザ素子3から3つの波長の光をそれぞれ独立に出射させることができる。
さらに、ステム11の一方の面の側には被覆部材14が装着されている。第1レーザ素子2、第2レーザ素子3および放熱ブロック10等は、その被覆部材14の中に収容されることになる。第1レーザ素子2および第2レーザ素子3から出射される光は、被覆部材14に設けられた窓部(図示せず)を通ってCD等の光記録媒体に照射される。
また、半導体レーザ装置1が取付けられる光ピックアップの小型化を図るために、ステム11の形状(平面)は円形ではなく小判型とし、その高さをできるだけ低くすることが望ましい。これは、ステム11の高さが光ピックアップの厚みを決めることになるからである。こうして、3つの異なる波長の光を出射する第1レーザ素子2および第2レーザ素子3が、一つのパッケージとしての半導体レーザ装置1に搭載されている。
上述した半導体レーザ装置1によれば、1つの放熱ブロック10に第1レーザ素子2と第2レーザ素子3が載置されて、異なる3つの波長の光を出射させることができる。これにより、光記録媒体としてそれぞれ種類が異なるCD、DVDおよびBDに対して、1つの半導体レーザ装置1によって情報の記録(書き込み)や読み取りを行うことができる。
その結果、3種類の光記録媒体に対応する光ピックアップを大型化させる必要がなくなって、光ピックアップの小型化、ひいては、光ピックアップを搭載した光ディスクドライブの小型化を図ることができる。また、第1レーザ素子2が二波長の発光点を有していることで、3つの波長に対応した3つのレーザ素子を放熱ブロックに個々に搭載する場合に比べて、第1レーザ素子2および第2レーザ素3の2つのレーザ素子を搭載させればよく、第1レーザ素子1および第2レーザ素子2を放熱ブロック10へ搭載する作業を容易にすることができる。
実施の形態2
次に、本発明の実施の形態2に係半導体レーザ装置について説明する。図2に示すように、ステム11の一方の面に配設された略直方体の単一の放熱ブロック10における第1の面10aの上には、第1サブマウント6を介在させて第1レーザ素子2が装着されている。一方、その第1の面10aと対向する第2の面10bの上には、第2サブマウント7を介在させて第2レーザ素子3が装着されている。
次に、本発明の実施の形態2に係半導体レーザ装置について説明する。図2に示すように、ステム11の一方の面に配設された略直方体の単一の放熱ブロック10における第1の面10aの上には、第1サブマウント6を介在させて第1レーザ素子2が装着されている。一方、その第1の面10aと対向する第2の面10bの上には、第2サブマウント7を介在させて第2レーザ素子3が装着されている。
その第1の面10aおよび第2の面10bと直交する方向に位置する第3の面10cの上には、第3サブマウント8を介在させて第3レーザ素子4が装着されている。一方、その第3の面10cと対向する第4の面10dの上には、第4サブマウント9を介在させて第4レーザ素子5が装着されている。第1レーザ素子2〜第4レーザ素子5は、ぞれぞれ二波長レーザ素子である。二波長レーザ素子は、上述した赤外領域の光、赤色の光および青紫色の光の3つの光のうち、いずれか2つの光を出射する。
また、ステム11には、第1レーザ素子2〜第4レーザ素子5に電流を供給するアノードとして8本のリード12と、カソードとして1本のリード12がそれぞれ取付け保持されている。その8本のリード12と1本のリード12は、ステム11の外周部分において第1レーザ素子2等が配設されている側から第1レーザ素子2等が配設されている側とは反対の側に向かって突出するように取付けられている。
アノードとしての8本のリード12はステムとは電気的に絶縁され、カソードとしての1本のリード12はステムと電気的に接続されている。アノードとしての8本のリード12は、第1レーザ素子2〜第4レーザ素子5とは金(Au)線13により電気的に接続されている。これにより、第1レーザ素子2〜第4レーザ素子5から3つの波長の光をそれぞれ独立に出射させることができる。
さらに、ステム11の一方の面の側には被覆部材14が装着されている。第1レーザ素子2〜第4レーザ素子5および放熱ブロック10等は、その被覆部材14の中に収容されることになる。第1レーザ素子2〜第4レーザ素子5から出射される光は、被覆部材14に設けられた窓部(図示せず)を通ってCD等の光記録媒体に照射される。こうして、3つの異なる波長の光を出射する第1レーザ素子2〜第4レーザ素子5が、一つのパッケージとしての半導体レーザ装置1に搭載されている。
上述した半導体レーザ装置1によれば、1つの放熱ブロック10に第1レーザ素子2〜第4レーザ素子5が載置されて、異なる3つの波長の光を出射させることができる。これにより、光記録媒体としてそれぞれ種類が異なるCD、DVDおよびBDに対して、1つの半導体レーザ装置1によって情報の記録(書き込み)や読み取りを行うことができる。
その結果、3種類の光記録媒体に対応する光ピックアップを大型化させる必要がなくなって、光ピックアップの小型化、ひいては、光ピックアップを搭載した光ディスクドライブの小型化を図ることができる。また、第1レーザ素子2〜第4レーザ素子5のそれぞれが二波長の発光点を有していることで、3つの波長にそれぞれ対応した3つのレーザ素子を放熱ブロックに個々に搭載する場合に比べて、レーザ素子を放熱ブロックへ搭載する作業を容易にすることができる。
なお、今回開示された実施の形態は例示であってこれに制限されるものではない。本発明は上記で説明した範囲ではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲でのすべての変更が含まれることが意図される。
1 半導体レーザ装置、2 第1レーザ素子、3 第2レーザ素子、4 第3レーザ素子、5 第4レーザ素子、2a,2b,3a,3b,4a,4b,5a,5b 発光点、6 第1サブマウント、7 第2サブマウント、8 第3サブマウント、9 第4サブマウント、10 放熱ブロック、11 ステム、12 リード、13 金線、14 被覆部材。
Claims (7)
- 所定の波長の光を出射する半導体レーザ装置であって、
外部と接続するためのリードを保持するステムを含む基材部と、
前記基材部に装着された少なくとも2つのレーザ素子と
を備え、
少なくとも2つの前記レーザ素子のうち、一つのレーザ素子は互いに異なる波長の光を出射する発光点を2つ有し、
前記レーザ素子により、互いに異なる少なくとも3つの波長の光が出射される、半導体レーザ装置。 - 前記基材部は、
前記ステムに搭載され、前記レーザ素子から発せられる熱を放熱する放熱ブロックと、
前記放熱ブロックに直接装着され、前記レーザ素子と前記放熱ブロックとの間に介在するサブマウントと
を含む、請求項1記載の半導体レーザ装置。 - 前記放熱ブロックは単一であり、
少なくとも2つの前記レーザ素子は、それぞれ前記サブマウントを介して前記単一の放熱ブロックに装着された、請求項2記載の半導体レーザ装置。 - 前記単一の放熱ブロックには、前記レーザ素子を装着する複数の装着面が形成され、
少なくとも2つの前記レーザ素子は、複数の前記装着面においてそれぞれ異なる装着面に載置された、請求項3記載の半導体レーザ装置。 - 前記単一の放熱ブロックは、前記装着面として互いに対向する第1装着面と第2装着面とを含み、
少なくとも2つの前記レーザ素子のうち、前記一つのレーザ素子は前記第1装着面に載置され、残りの少なくとも一つの前記レーザ素子は前記第2装着面に載置された、請求項4記載の半導体レーザ装置。 - 前記3つの波長の光は、赤外領域の光、赤色の光および青紫色の光である、請求項1〜5のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
- 前記リードを複数備え、
少なくとも2つの前記レーザ素子のそれぞれは、独立して発光が制御されるように複数の前記リードのうち所定のリードにそれぞれ金線を介して接続された、請求項1〜6のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006141205A JP2007311680A (ja) | 2006-05-22 | 2006-05-22 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2006141205A JP2007311680A (ja) | 2006-05-22 | 2006-05-22 | 半導体レーザ装置 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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-
2006
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