JP2008016715A - フレームパッケージ型半導体レーザ装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明は、半導体レーザダイオードチップ14と、チップ搭載領域16a及びリード部16bを有する主フレーム16と、ワイヤーボンディング部17a、18a及びリード部17b、18bを有する複数の副フレーム17、18と、樹脂形成部15と、を備えるフレームパッケージ型半導体レーザ装置10において、前記樹脂形成部15の前記主フレーム16及び副フレーム17、18上に位置する部分は、主フレーム16及び副フレーム17、18のリード部側が閉鎖されかつ半導体レーザダイオードチップ14側が開放された略U字状の樹脂枠を備え、主フレーム16のリード部16b上に位置する樹脂枠15bの閉鎖端内側には一部切り欠き部分15dが形成されて幅が部分的に狭くされていることを特徴とする。
【選択図】図2
Description
(1)図5に示したとおり、フレーム82上に設けられている略U字状の樹脂枠85bは、開放端側(半導体レーザダイオードチップ84側)の間隔が閉鎖端側(リード部86b、87b、88b側)の間隔よりも狭くなっており、しかも閉鎖端側は実質的に同じ幅に設けられているが、この閉鎖端側の内側の主フレーム86のリード部86b上に位置する部分を部分的に切り欠いて幅が狭い部分を形成すれば、この部分において主フレーム86のワイヤーボンディング部の領域を確保でき、更に、
(2)図7に示したとおり、フレーム82を打ち抜き金型90による打ち抜きにより形成すると、打ち抜き方向に向かってバリ91が生じるが、従来例ではこのバリ91部分の影響を避けるためにバリ形成面を裏側として使用したため、樹脂によりモールドすると表面側の一部は幅Lに亘って樹脂85によって覆われてしまう(図8参照)ので、この裏面と表面との関係を逆にすることによって幅Lだけフレーム82のチップ搭載領域86aないしワイヤーボンディング部87a、88aの面積を大きくすることができるようになる。
12 フレーム
13 サブマウント
14 半導体レーザダイオードチップ
15 樹脂形成部
15b 樹脂枠
15d 一部切り欠き部分
16 主フレーム
16a チップ搭載領域
16b リード部
17、18 副フレーム
17a、18a ワイヤーボンディング部
17b、18b リード部
19〜21 ワイヤー
Claims (3)
- 半導体レーザダイオードチップと、前記半導体レーザダイオードチップを搭載するためのチップ搭載領域及びリード部を有する主フレームと、前記主フレームの切り欠き部に近接配置されたワイヤーボンディング部及びリード部を有する複数の副フレームと、樹脂形成部と、を備えるフレームパッケージ型半導体レーザ装置において、
前記樹脂形成部の前記主フレーム及び副フレーム上に位置する部分は、前記主フレーム及び副フレームのリード部側が閉鎖されかつ前記半導体レーザダイオードチップ側が開放された略U字状の樹脂枠を備え、
前記主フレームのリード部上に位置する前記樹脂枠の閉鎖端内側には一部切り欠き部分が形成されて幅が部分的に狭くされていることを特徴とするフレームパッケージ型半導体レーザ装置。 - 前記樹脂枠の開放端側の間隔は閉鎖端側の間隔よりも狭くなっており、前記樹脂枠の開放端側の外形は光軸に沿って平行となるようになされていることを特徴とする請求項1に記載のフレームパッケージ型半導体レーザ装置。
- 前記主フレーム及び副フレームはバリ面側がそれぞれのチップ搭載領域及びワイヤーボンディング部とされていることを特徴とする請求項1又は2に記載のフレームパッケージ型半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2006187927A JP2008016715A (ja) | 2006-07-07 | 2006-07-07 | フレームパッケージ型半導体レーザ装置 |
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JP2006187927A JP2008016715A (ja) | 2006-07-07 | 2006-07-07 | フレームパッケージ型半導体レーザ装置 |
Publications (1)
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JP2008016715A true JP2008016715A (ja) | 2008-01-24 |
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Family Applications (1)
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JP2006187927A Withdrawn JP2008016715A (ja) | 2006-07-07 | 2006-07-07 | フレームパッケージ型半導体レーザ装置 |
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JP (1) | JP2008016715A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8422522B2 (en) | 2008-06-17 | 2013-04-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
US8660162B2 (en) | 2010-07-30 | 2014-02-25 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser apparatus and optical apparatus |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS554985A (en) * | 1978-06-27 | 1980-01-14 | Nec Kyushu Ltd | Lead frame for semiconductor device |
JPS5980949A (ja) * | 1983-07-01 | 1984-05-10 | Hitachi Ltd | 樹脂封止半導体装置 |
JPH10154848A (ja) * | 1997-12-29 | 1998-06-09 | Sony Corp | 半導体レーザ装置 |
WO2005039001A1 (ja) * | 2003-10-15 | 2005-04-28 | Sanyo Electric Co., Ltd | 2ビーム半導体レーザ装置 |
WO2005039000A1 (ja) * | 2003-10-15 | 2005-04-28 | Sanyo Electric Co., Ltd | 半導体レーザ装置 |
-
2006
- 2006-07-07 JP JP2006187927A patent/JP2008016715A/ja not_active Withdrawn
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS554985A (en) * | 1978-06-27 | 1980-01-14 | Nec Kyushu Ltd | Lead frame for semiconductor device |
JPS5980949A (ja) * | 1983-07-01 | 1984-05-10 | Hitachi Ltd | 樹脂封止半導体装置 |
JPH10154848A (ja) * | 1997-12-29 | 1998-06-09 | Sony Corp | 半導体レーザ装置 |
WO2005039001A1 (ja) * | 2003-10-15 | 2005-04-28 | Sanyo Electric Co., Ltd | 2ビーム半導体レーザ装置 |
WO2005039000A1 (ja) * | 2003-10-15 | 2005-04-28 | Sanyo Electric Co., Ltd | 半導体レーザ装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8422522B2 (en) | 2008-06-17 | 2013-04-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
US8660162B2 (en) | 2010-07-30 | 2014-02-25 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser apparatus and optical apparatus |
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