JP2005116699A - 半導体レーザ - Google Patents

Abstract

【課題】 リードフレームと樹脂との密着性を向上させながら、ハウジングなどに装着する際の位置決めを正確に行うことができると共に、充分に放熱を行うことができる構造のモールド型の半導体レーザを提供する。
【解決手段】 板状のリードフレーム１から形成されたダイパッド１５および複数のリード１１〜１４がモールド樹脂からなる樹脂部２により一体に保持され、サブマウント３を介してレーザチップ４がマウントされている。リードフレーム１のダイパッド１５、および複数のリード１１〜１４の先端部はフォーミング加工が施されないで、樹脂部２がリードフレームの一部の表裏両面に設けられると共に、ダイパッド１５の裏面の大部分は樹脂部２で被覆されないで露出し、かつ、ダイパッド１５の側部に樹脂部２により表裏両面が覆われないで露出する位置決め用および／または放熱用のフィン１６が形成されている。
【選択図】 図１

Description

本発明は、ＣＤ、ＤＶＤ（デジタル多用途ディスク；digital versatile disk）、ＤＶＤ−ＲＯＭ、データ書き込み可能なＣＤ−Ｒ/ＲＷなどのピックアップ用光源に用いるのにとくに適した、小形、かつ、安価で簡便に製造できるモールド型の半導体レーザに関する。さらに詳しくは、ハイパワー用で、効率的に熱放散を必要としながら、リードフレームとモールド樹脂とにより形成される安価な構造の半導体レーザに関する。

リードフレームとモールド樹脂によりパッケージを構成するモールド型半導体レーザは、たとえば図８に示されるような構造になっている。図８において、リードフレーム６１として一体に形成された３本のリード６２、６３、６４の内、共通リード６２の先端のダイパッド６２ａにレーザ（ＬＤ）チップ６８がボンディングされたサブマウント６７が搭載されている。そのＬＤチップ６８およびモニタ用受光素子６５が図示しないワイヤにより、他のリード６３、６４とワイヤボンディングされている。そして、図８に示されるように、合成樹脂により、たとえばトランスファモールドされ、枠体６６がビームの出射側を除く周囲に形成されることにより、各リード６２、６３、６４と一体化され、リードフレーム６１から分離されても、各リード６２〜６４は固定されている。

この場合、リードフレームの下面を全面露出させると、ダイパッド６２ａからの放熱のために導体の上などに設ける場合に隣接するリード６２〜６４間でショートするのを防止したり、リード６２〜６４を枠体６６によりしっかりと固定させたりする必要から、リードフレーム６１の裏面側まで樹脂を回り込ませて、リード６２〜６４の周囲で被覆する構造に形成されている。しかし、ダイパッド６２ａは露出させた方が熱放散させやすいため、図８に示されるように、ダイパッド６２ａ部分をリードフレーム６１の面より下げて露出させるダウンセットのフォーミング加工が施されたり、ダイパッド６２ａのリード６２は変形させないで、両側のリード６３、６４の先端部を上方に折り曲げるアップセットのフォーミング加工が施されたりする（たとえば特許文献１参照）。
特許第２９５１００７号公報（図１２）

従来のモールド型半導体レーザは、前述のように、リードフレームのダイパッド裏面を露出させ、平坦面にすることにより、放熱板などに接触させて放熱する構造になっている。しかし、ダイパッドをフレーム面から押し下げたり、他のリードの先端部側を押し上げたりするダウンセットやアップセットなどのフォーミング加工を行うと、加工作業が大変であると共に、加工しても戻りがあったり、何かに当ると変形したりしやすく、フォーミング精度の管理が困難であり、フォーミング形状が少しでもずれると、モールドの際に樹脂バリが発生し、ダイパッド裏面を放熱板にしっかりと接触させることができず、充分に放熱させることができないという問題がある。

さらに、リード部は樹脂で被覆される場合も多いが、ダイパッド部は、前述の図８に示されるように、その周囲の一面のみに樹脂が設けられる構造であるため、接着力が弱くてダイパッドが樹脂部から浮きやすく、浮きが生じた場合にダイパッドが動くとワイヤボンディングの信頼性が低下するという問題もある。

さらに、ピックアップに組み込む際には、ハウジングなどに入れて正確な位置決めをすると共に、熱放散を行う構造になっているが、ダイパッド周囲に枠体として樹脂部が形成されているため、樹脂部で位置決めをしなければならず、樹脂部は、樹脂バリの発生などで正確な位置決めをすることができず、正確な位置出しをすることができないと共に、ダイパッドの露出部をハウジングにしっかりと接触させて放熱することができない。さらに、樹脂部をハウジングに接触させても樹脂は熱伝導が悪いため、充分に放熱もできない。とくに、最近のデータ書き込み可能なＣＤ−Ｒ/ＲＷなどの普及などに伴い、半導体レーザは高出力化し、従来の５ｍＷ程度から２００ｍＷ程度以上の高出力のものが要求されてきており、効率よく放熱しないと半導体レーザの寿命を弱めてしまうという問題がある。

一方、近年の電子機器の軽薄短小化に伴い、ピックアップもさらなる小型化が要求され、半導体レーザに関しても小型化の要望が大きく、外形を大きくして放熱を図るということはできない。

本発明はこのような状況に鑑みてなされたもので、リードフレームと樹脂との密着性を向上させながら、ハウジングなどに装着する際の位置決めを正確に行うことができると共に、充分に放熱を行うことができる構造のモールド型の半導体レーザを提供することを目的とする。

本発明の他の目的は、ピックアップなどに半導体レーザを斜めに設置する場合でも、ピックアップが大型化しないように、工夫された構造の半導体レーザを提供することにある。

本発明による半導体レーザは、板状のリードフレームから形成されたダイパッドおよび複数のリードと、該ダイパッドおよび複数のリードを一体に保持するモールド樹脂からなる樹脂部と、前記ダイパッドの表面側にマウントされるレーザチップとを有し、前記リードフレームのダイパッドおよび複数のリード先端部は前記リードフレーム面と垂直方向にはフォーミング加工が施されないで、前記樹脂部が前記複数のリードおよび前記ダイパッドを一体に保持するために前記リードフレームの一部の表裏両面に設けられると共に、前記ダイパッド裏面の一部は前記樹脂部で被覆されないで露出し、かつ、前記ダイパッドの側部に前記樹脂部により表裏両面が覆われないで露出する位置決め用および／または放熱用のフィンが形成されている。

前記ダイパッドの頂部裏面に凹部が形成され、該ダイパッドの表面に設けられる前記樹脂部が、前記ダイパッドの頂部を経て前記ダイパッド裏面の凹部内に食い込み、かつ、該凹部内に埋め込まれた樹脂と前記ダイパッド裏面の頂部側とがほぼ面一に形成されることが、樹脂とダイパッドとの食いつきがよくなり、しかもダイパッド裏面の頂部側、すなわちダイパッド裏面の頂部から大部分の面積は平坦面となり、ハウジングなどの外部の放熱板と良好に接触させて放熱を図ることができる。

さらに、前記樹脂部の表面側から側面にかけてのコーナ部に、Ｃ面またはＲ面の除去部が形成されていることにより、ピックアップ内に一定の角度を傾けて設置する場合でも、ピックアップをそれほど大きくすることなく、半導体レーザを搭載することができるため好ましい。なお、Ｃ面またはＲ面の除去とは断面形状で角部を直線状または円弧状に除去することを意味する。

具体的には、前記リードフレームの裏面において、前記樹脂部の面積が、該樹脂部により覆われないで露出するリードフレームの面積より小さくなるように、前記フィンおよび樹脂部が形成されることにより、ハウジングなどの外部の放熱板と接触させる金属部分（リードフレーム）の面積が多くなり、放熱効果を向上させることができる。

さらに具体的には、前記レーザチップの光の進行方向を中心軸として、前記フィンの最側端までの距離Ａと、前記中心軸と前記樹脂部の最側端までの距離Ｂとの差、および樹脂部下端からダイパッド上端までの距離Ｄと前記樹脂部下端から該樹脂部上端までの距離Ｃとの差の和（Ａ−Ｂ＋Ｄ−Ｃ）が２ｍｍを超え、かつ、前記フィンの一番大きい部分の幅が、５.６ｍｍよりも小さくなるように前記フィンおよび樹脂部が形成されることにより、外形寸法的には従来の半導体レーザと同じで、金属部分の露出面積を大きくすることができ、効率的に放熱をすることができる。

本発明によれば、第１に、リードフレームをフレーム面と垂直方向にフォーミング加工を施していないので、フォーミング加工の工数が必要でなくなると共に、ダイパッドなどの位置を安定した位置に保持することができ、樹脂でモールドする場合でも、金型とのずれがなくなり、樹脂バリなどの発生を防止することができ、一定の形状に形成することができる。第２に、樹脂部は、リードフレームの一部の裏面側にも被覆するように設けられているため、剥離などの虞もなく、密着性の信頼性が非常に高い。第３に、ダイパッドの側部側に表裏両面が樹脂部により被覆されないで露出するフィンが形成されているため、たとえばハウジングなどに半導体レーザをセッティングする場合に、フィンを位置合せの基準とすることができ、非常に精密な寸法でセッティングすることができると共に、フィンおよびダイパッド裏面をハウジング（放熱板）などと密着させることができるため、非常に放熱特性も向上する。

さらに、ダイパッド裏面の頂部裏面に凹部が形成され、その凹部内に樹脂部を廻り込ませたり、ダイパッドにアンカー用の貫通孔を設けて樹脂を埋め込み、ダイパッド裏面の頂部側をほぼ面一にすることにより、ダイパッドの大部分を露出させてハウジングなどの放熱板と接触させやすくしながら、頂部側には樹脂の出っ張り部がないため、前述のハウジングのフィンによる位置決めと連続してハウジングに接触させることができる。

その結果、本発明によれば、ハイパワー用の半導体レーザでも、リードフレームとモールド樹脂を用いたモールドタイプの非常に安価な構造でありながら、ハウジングへの位置合せおよび放熱をダイパッドの側部に設けられたフィンを利用して行っているため、非常に精度よく組み立てられ、かつ、非常に優れた放熱特性を有しながら、非常に安価に得ることができる。そのため、ＣＤ、ＤＶＤ、ＤＶＤ−ＲＯＭ、データ書き込み可能なＣＤ−Ｒ/ＲＷなどのピックアップを用いた電子機器の信頼性向上およびコストダウンに大きく寄与する。

つぎに、図面を参照しながら本発明の半導体レーザについて説明をする。本発明による半導体レーザは、その一実施形態の正面、背面、上面および側面の説明図が図１（ａ）〜（ｄ）にそれぞれ示されるように、板状のリードフレーム１（図３参照）から形成されたダイパッド１５および複数のリード１１〜１４がモールド樹脂からなる樹脂部２（図１では樹脂部２にハッチングを付してある）により一体に保持されている。ダイパッド１５上には、サブマウント３を介してレーザチップ４がマウントされている。

そして、リードフレーム１のダイパッド１５、および複数のリード１１〜１４の先端部はリードフレーム面と垂直方向にはフォーミング加工が施されないで、複数のリード１１〜１４およびダイパッド１５を一体に保持するため、図１（ｂ）および（ｄ）に示されるように、樹脂部２がリードフレームの一部の表裏両面に設けられると共に、ダイパッド１５の裏面の一部は樹脂部２で被覆されないで露出し、かつ、ダイパッド１５の側部に樹脂部２により表裏両面が覆われないで露出する位置決め用および／または放熱用のフィン１６が形成されている。図１に示される例は、２波長半導体レーザ用の、リードが４本の例で示されているが、通常の１波長用のリードが３本の場合でも同様である。

リードフレーム１は、たとえば４２アロイまたは銅もしくは銅合金などからなる０.４ｍｍ厚程度の板材を、図３に示されるように、打抜き成形などにより形成されるもので、サイドレール１７に第１〜第４のリード１１〜１４が固定されており、第１リード１１の先端部にダイパッド１５が形成され、さらにダイパッド１５の側部側に位置決め用および／または放熱用のフィン１６が形成されている。第２〜第４リード１２〜１４の先端部にはワイヤボンディン部がそれぞれ形成され、その組が多数個連結されている。このリードフレーム１に、図１に示されるように、樹脂部２が形成された後に、レーザチップ４などが組み立てられ、各リード１１〜１４がサイドレール１７から切り離されてそれぞれの半導体レーザに分離されるようになっている。なお、１８はインデックス孔、１９はフレーム搬送用送り孔である。

本発明では、このリードフレーム１のダイパッド１５の両側部側に、ダイパッド１５と連続してさらにフィン１６が形成されていることに特徴がある。このフィン１６は、樹脂部２により被覆されないで樹脂部２から露出するように形成されることにより、ハウジングなどに半導体レーザを装着する場合に、そのハウジングの位置決め溝にフィン１６の部分を挿入することにより正確な位置合せをして装着し得るように形成されている。そのため、少なくとも樹脂部２により被覆されない部分の幅Ｅ＝Ａ−Ｂ（図２参照）とＤ−Ｃの和が２ｍｍ以上であり、かつ、全体の幅２Ａ（図２参照）は従来のキャンタイプ構造の直径５.６ｍｍ以下になるように形成されている。すなわち、Ａ−Ｂ＋Ｄ−Ｃが２ｍｍ以上に形成されることにより、ハウジングの溝との接触面積が、半導体レーザの位置を正確に保持できる程度に確保され、しかも熱放散を充分に行うことができる。具体例としては、２Ａ＝５.２ｍｍ程度、ダイパッド１５の高さＦ＝１.４ｍｍ程度、フィン１６の長さＧ＝３.４ｍｍ程度、Ａ−Ｂ＝０.７５ｍｍ程度、Ｄ−Ｃ＝１.４５ｍｍ程度に形成される。

さらに、図３に示される例では、ダイパッド部１５にアンカー用の貫通孔１５ａが２ヵ所に形成されている。この貫通孔１５ａは、図４に樹脂部２を形成した後の部分断面説明図が示されるように、ダイパッド１５の裏面側で径が大きく、表面側で小さい断付きの孔になっており、樹脂が埋め込まれた後には、剥離し難い構造になっている。さらに、図３には示されていないが、ダイパッド頂部の裏面に２ヵ所（図１（ｂ）で樹脂部２がダイパッド１５の頂部から裏面側に廻り込んでいる部分）に、図４に示されるように凹部（コイニング状潰し）１５ｂが形成されており、表面側の樹脂部２が頂部を経てダイパッド１５裏面の凹部１５ｂ内に埋め込まれ、同様に剥離し難い構造になっている。このような構造にすることにより、ダイパッド１５の裏面をほぼ平坦面にしてハウジングなどに接触しやすくしながら、樹脂部２はしっかりとダイパッド１５に固定される。

樹脂部２は、第１〜第４のリード１１〜１４が、リードフレームから分離されてもバラバラにならないでしっかりと固定され、レーザチップ４などの各電極とリード１１〜１４との接続を確実に保持するためのもので、前述のリードフレーム１の状態でトランスファモールドなどによる樹脂成形で形成されている。通常、ダイパッド１５の裏面を露出させる場合には、前述のように、ダイパッド部分などをフォーミングしてからモールド成形をするが、本発明では、リードフレームのフォーミングをすることなく、平坦のままでモールド成形をしながらダイパッド１５の裏面の大部分を露出する構造にしている。

そのため、本発明では、樹脂部２が図１（ａ）および（ｂ）に示されるように、表面側ではダイパッド１５の側部、および複数のリード１１〜１４の根元部を覆うように設けられると共に、リードフレームの裏面側にもその頂部および底部側から廻り込ませて、ダイパッド１５の下端部までかかるように樹脂部２が形成されている。頂部側の樹脂部２の廻り込みは、前述の図４に示されるように、ダイパッド１５裏面に形成された凹部１５ｂ内にのみ廻り込ませているため、ダイパッド１５裏面とほぼ面一で、平坦面に形成されている。なお、樹脂部２の表面側で、レーザチップ４の後方にあたる部分にはテーパ部２２が形成され、レーザチップ４の後端面から出る光が反射してレーザチップ４側に戻らないようにされている。

一方、底部側の廻り込みは、リード１１〜１４部およびダイパッド１５の下端部まで被覆するように形成されており、ダイパッド１５の裏面と樹脂部２の裏側表面との間に段差が形成されている。すなわち、通常のこの種の装置でダイパッド裏面を露出させる場合には、ダイパッド裏面の全体が平坦面になるように、リードのフォーミングをするか、裏面側には全く樹脂部を形成しないのが一般的であるが、本発明では、リードフレームの平坦性をそのまま維持するため、リードフレームにフォーミング加工を施すことなく、裏面側にも樹脂部２を設けることにより、敢えて段差を形成し、少ない面積の樹脂部２によりリード１１〜１４およびダイパッド１５の部分をしっかりと固定できる構造に形成されることにより、全体の大きさを大きくすることなく、フィン１６を樹脂部２から露出させ、位置決めおよび／または放熱用に使用し得るように形成されていることに特徴がある。

ダイパッド１５の裏面が裏面側樹脂部２の表面と一致していないため、裏面側は完全な平坦面にはなっていないが、実際にはこの種の半導体レーザ、とくにハイパワー用の半導体レーザをピックアップ内に組み込む場合は、位置合せと共に放熱が重要になるため、図５に示されるように、アルミニウムまたは亜鉛などの熱伝導のよい金属からなるハウジング９内に半導体レーザ８を挿入して、ハウジングごと移動させながら半導体レーザの位置合せが行われる。そのため、ハウジング９の内部に段差を形成しておくことにより、本発明では半導体レーザ８の頂部側は平坦面になっているため、その頂部側からハウジング内に挿入すれば、樹脂部２の出っ張り部の影響を受けることなく、ハウジング９内にダイパッド裏面を密着させて装着することができる。図５では、このフィン１６とダイパッド１５の裏面がハウジング９に密着して装着され、樹脂部は成形による寸法のバラツキを考慮してハウジング９との間に隙間があることを誇張して示してある。

この樹脂部２から露出するフィン１６の部分は、できるだけ大きい方が、ハウジング９との噛み合せが大きくなり、位置の安定さおよび放熱の点から好ましい。しかし、全体の大きさを大きくすることはできないため、樹脂部２により被覆されないフィン１６の幅を大きくするためには、前述のように、樹脂部２の面積を小さくしなければならない。本発明者が鋭意検討を重ねた結果、前述のように、図２に示される寸法表示で、レーザチップの光の進行方向を中心軸として、フィン１６の最側端までの距離Ａと、中心軸と樹脂部２の最側端までの距離Ｂとの差、および樹脂部２の下端からダイパッド１５上端までの距離Ｄと樹脂部２の下端から樹脂部２の上端までの距離Ｃとの差の和（Ａ−Ｂ＋Ｄ−Ｃ）が２ｍｍを超えるリードフレームの露出部が好ましいことを見出した。なお、フィン１６の一番大きい部分の幅２Ａは、従来のキャン構造の直径である５.６ｍｍよりも小さくなるように形成される。

上記寸法をさらに別の表現で表すと、図２に示されるリードフレームの裏面において、樹脂部２の面積が、樹脂部２により覆われないで露出するリードフレームの面積より小さくなるように、フィン１６および樹脂部２が形成されることが好ましい。すなわち、本発明では、このフィン１６およびダイパッド１５部とハウジングとの接触面積をできるだけ多くすることにより、ハウジング９に対する半導体レーザ８の位置決めを正確に行うと共に、できるだけ放熱をしやすくしている。そのため、前述のように、リードフレームをフォーミング加工しないで、その平面性を正確に維持しながら、樹脂部を敢えて裏面側に廻り込ませて段差を形成し、樹脂部の面積を小さくしてフィン１６の露出面積を大きくしている。

図１に示される例では、樹脂部２の表面側から側面にかけての形状がＲ面加工された形状に形成されている。これは、半導体レーザをピックアップに装着する際にレーザビームをある角度傾けて出射する必要のある場合があり、その場合、図６に示されるように、ハウジング９内に傾けて装着する必要がある。しかし、樹脂部２のコーナ部が角張っていると、図６（ｂ）に破線で示されるように、ハウジング９が大きくなってしまうが、コーナ部２１にＲ面またはＣ面（図６ではＣ面の例が示されている）に形成されていると、ハウジングの寸法をＨだけ低くすることができ、ピックアップの薄型に寄与する。このＲ面またはＣ面は、前述の寸法例で、０.５ｍｍ程度に形成される。

レーザチップ４は、たとえばＡｌＧａＡｓ系またはＩｎＧａＡｌＰ系などの化合物半導体からなる通常のダブルヘテロ構造に形成され、その大きさはＣＤ用では２５０μｍ×２５０μｍ程度であるが、ＤＶＤ用では２５０μｍ×５００μｍ程度、ＣＤ−Ｒ／ＲＷ用では２５０μｍ×８００μｍ程度となる。これらは非常に小さく、その取扱を容易にし、さらに放熱性を確保するため、通常０.８ｍｍ×１ｍｍ程度の大きさのシリコン基板またはＡｌＮ（アルミナイトライド）などからなるサブマウント３上にボンディングされている。図１に示される例では、２波長用のレーザチップの例が示されており、２波長用の電極端子が引き出され、図１（ａ）に示されるように、一方の電極はサブマウント３に金線６などのワイヤボンディングにより接続されてその裏面から導電性接着剤などによりダイパッド１５を介して第１リード１１に接続され、他方の電極（裏面電極）はサブマウント３上の接続部を介して金線６などのワイヤボンディングにより第２、第４リード１２、１４と接続されている。

また、レーザチップ４の発光出力をモニタするための受光素子５が同様にサブマウント３に設けられ、その一方の電極はサブマウント３およびダイパッド１５などを介して第１リード１１に接続され、他方の電極は金線６などのワイヤボンディングにより第３リード１３と直接電気的に接続されている。なお、この受光素子５は、サブマウント３とは別のところに設けられてもよいし、受光素子５を必要としない場合には、受光素子５はなくてもよい。

本発明によれば、ダイパッドの側部に位置決め用および放熱用のフィンが樹脂部により被覆されないで、充分な幅（０.５ｍｍ以上）で設けられているため、ハウジングに装着する際にハウジングへの位置決めを高精度で確実に装着することができると共に、フィンおよびダイパッド裏面の大部分をハウジングに密着性よく接触させることができるため、非常に放熱特性が向上する。すなわち、リードフレームは、フレーム面に対して上下にフォーミング加工が施されていないため、フィンおよびダイパッドのそれぞれの裏面はリードフレームのままの平坦面が得られており、また、樹脂が被覆されていないフィンの厚さは、リードフレームで決まる厚さで樹脂バリなどの影響を受けないため、ハウジングとの嵌め合わせを確実に行うことができる。その結果、前述した図５に示されるように、フィンの裏面と同一面であるダイパッド裏面もハウジングに隙間なく接触し、広い面積で効率よく放熱を行うことができる。

さらに、リードフレームと樹脂部との関係は、ダイパッドの下端部側で表裏両面から樹脂部により被覆されているため、非常に密着性よく接合される。さらに、ダイパッド上端側にもダイパッド裏面に凹部（コイニング状の潰し）を形成して樹脂の廻り込み部を設けることにより、ダイパッド裏面の平坦性を損なうことなくさらに密着性を向上させることができる。さらに、ダイパッドにアンカー用の段差付き貫通孔を設けることにより、より密着性を向上させることができる。

さらに、樹脂部のコーナ部の面取りを行うことにより、半導体レーザをある角度θ傾けて搭載する場合でも、ハウジング（放熱板）の厚さを薄くすることができ、ひいてはピックアップの厚さを薄くすることができ、電子機器の薄型に寄与する。

その結果、本発明によれば、リードフレームとモールド樹脂を用いたモールド型パッケージを用いながら、たとえば２００ｍＷ程度以上のハイパワー用の半導体レーザでも、非常に位置決めが正確に行なわれ、かつ、放熱特性が優れた高性能なピックアップを安価に形成することができる。

図７は、この半導体レーザを用いて、薄型のピックアップを構成する例の概略を示す説明図である。すなわち、半導体レーザ５０を横向きに配置し、半導体レーザからの光を回折格子５１により、たとえば３ビーム法では３分割し、出射光と反射光とを分離するビームスプリッタ５２を介して、コリメータレンズ５３により平行ビームとし、プリズムミラー（反射鏡）５４により９０°（ｚ軸方向）ビームを曲げて対物レンズ５５によりＤＶＤやＣＤなどのディスク５６の表面に焦点を結ばせる。そして、ディスク５６からの反射光を、ビームスプリッタ５２を介して、凹レンズ５７などを経て光検出器５８により検出する構成になっている。なお、図７で半導体レーザ５０と光検出器５８とはほぼ同一面（ｘｙ面）内にある。なお、この半導体レーザ５０が実際には前述のような放熱および位置決めを兼ねたハウジング（放熱板）に挿入されてセッティングされる。

本発明による半導体レーザの一実施形態の構造を示す正面、背面、平面および側面の説明図である。 図１の半導体レーザの樹脂部と樹脂に覆われないで露出するリードフレームの寸法関係を説明する図である。 図１の半導体レーザに用いるリードフレームを示す説明図である。 図１の半導体レーザのダイパッド頂部の凹部およびアンカー用貫通孔部分の断面説明図である。 図１に示される半導体レーザをピックアップ内に装着するためにハウジングに入れた状態のハウジングとの接触状況を説明する図である。 本発明による半導体レーザの樹脂部のコーナ部にＣ面カットを入れた状態の説明図およびハウジングに角度θ傾けて装着した場合にハウジングを薄くし得ることを説明する図である。 ピックアップの構成例を示す説明図である。 従来の樹脂モールドにより形成された半導体レーザの説明図である。

符号の説明

１ リードフレーム
２ 樹脂部
３ サブマウント
４ レーザチップ
１１〜１４ リード
１５ ダイパッド
１６ フィン

Claims (5)

1. 板状のリードフレームから形成されたダイパッドおよび複数のリードと、該ダイパッドおよび複数のリードを一体に保持するモールド樹脂からなる樹脂部と、前記ダイパッドの表面側にマウントされるレーザチップとを有し、前記リードフレームのダイパッドおよび複数のリード先端部は前記リードフレーム面と異なる方向にはフォーミング加工が施されないで、前記樹脂部が前記複数のリードおよび前記ダイパッドを一体に保持するために前記リードフレームの一部の表裏両面に設けられると共に、前記ダイパッド裏面の一部は前記樹脂部で被覆されないで露出し、かつ、前記ダイパッドの側部に前記樹脂部により表裏両面が覆われないで露出する位置決め用および／または放熱用のフィンが形成されてなる半導体レーザ。
2. 前記ダイパッドの頂部裏面に凹部が形成され、該ダイパッドの表面に設けられる前記樹脂部が、前記ダイパッドの頂部を経て前記ダイパッド裏面の凹部内に食い込み、かつ、該凹部内に埋め込まれた樹脂と前記ダイパッド裏面の頂部側とがほぼ面一に形成されてなる請求項１記載の半導体レーザ。
3. 前記樹脂部の表面側から側面にかけてのコーナ部に、Ｃ面またはＲ面の除去部が形成されてなる請求項１または２記載の半導体レーザ。
4. 前記リードフレームの裏面において、前記樹脂部の面積が、該樹脂部により覆われないで露出するリードフレームの面積より小さくなるように、前記フィンおよび樹脂部が形成されてなる請求項１、２または３記載の半導体レーザ。
5. 前記レーザチップの光の進行方向を中心軸として、前記フィンの最側端までの距離Ａと、前記中心軸と前記樹脂部の最側端までの距離Ｂとの差、および樹脂部下端からダイパッド上端までの距離Ｄと前記樹脂部下端から該樹脂部上端までの距離Ｃとの差の和（Ａ−Ｂ＋Ｄ−Ｃ）が２ｍｍを超え、かつ、前記フィンの一番大きい部分の幅が、５.６ｍｍよりも小さくなるように前記フィンおよび樹脂部が形成されてなる請求項１ないし４のいずれか１項記載の半導体レーザ。

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