JP2002359335A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 製造コストが低く、かつ、半導体素子等にク
ラックが発生するのを良好に防止することのできる半導
体装置及びその製造方法の提供。 【解決手段】 ＬＤチップ１１が搭載される搭載部３ｂ
は下端縁を除いた外周面のほぼ全体が樹脂１３から露出
し、しかも、溝３ｃを形成されたことによってその外周
面の表面積が一層良好に確保される。従って、極めて良
好な放熱性が得られる。また、搭載部３ｂの内部にはイ
ンバー材がクラッドされているため、搭載部３ｂ全体と
しての熱膨張率は小さくＬＤチップ１１のそれに近い。
更に、このような半導体レーザ装置１は、リードフレー
ム３，５，７を樹脂１３で被覆して固定することによっ
て得られるので、その製造コストも大幅に低減すること
ができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子をリー
ドフレームに搭載すると共に、そのリードフレームを樹
脂等の絶縁部材で固定してなる半導体装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】この種の半導体装置としては、当初、図
９に示すような金属パッケージを用いたものが使用され
ていた。図９（Ａ）は、金属パッケージを用いた半導体
装置としての半導体レーザ装置１０１の構成を表す斜視
図であり、図９（Ｂ）は、その半導体レーザ装置１０１
の構成を表す縦断面図である。

【０００３】図９に示すように、この半導体レーザ装置
１０１では、円盤状のアイレット１０３の表面から搭載
部１０３ａを突出させ、この搭載部１０３ａに半導体素
子としてのＬＤ（レーザダイオード）チップ１０５を搭
載している。このため、ＬＤチップ１０５で発生した熱
は、搭載部１０３ａを介してアイレット１０３へ導かれ
る。

【０００４】アイレット１０３の裏面からは、その裏面
に対して垂直な方向に延びる棒状のリード部１０９が突
出している。このリード部１０９はアイレット１０３の
穴１０３ｂに挿入してからガラス封止材１１１を充填し
て固定され、更に、図示しないワイヤを介してＬＤチッ
プ１０５と電気的に接続されている。また、アイレット
１０３の表面には、カバーガラス１１３を融着したキャ
ップ１１５がプロジェクション溶接で接合され、これに
よってＬＤチップ１０５が封止される。

【０００５】このような半導体レーザ装置１０１では、
ＬＤチップ１０５が金属製のキャップ１１５及びアイレ
ット１０３により覆われており、ＬＤチップ１０５が発
生する熱は良好に放熱される。ところが、このような半
導体レーザ装置１０１では、リード部１０９を１本ずつ
穴１０３ｂに挿入してガラス封止材１１１を充填する必
要があるため、製造コストが高くなっていた。

【０００６】そこで、近年、図１０に斜視図で示すよう
な樹脂パッケージを用いた半導体装置が考えられてい
る。図１０に示す半導体装置としての半導体レーザ装置
２０１は、３本のリードフレーム２０３，２０５，２０
７を並列に備えている。中央に配設されるリードフレー
ム２０３の一端（以下、下端という）は棒状のリード部
２０３ａとなっており、上端は半導体素子としてのＬＤ
チップ２１１が搭載される平板状の搭載部２０３ｂとな
っている。リードフレーム２０５，２０７の下端は棒状
のリード部２０５ａ，２０７ａとなっており、上端は図
示しないワイヤが接続される平板状の接続部２０５ｂ，
２０７ｂとなっている。

【０００７】搭載部２０３ｂ及び接続部２０５ｂ，２０
７ｂは同一平面上に配設され、それらの裏面（ＬＤチッ
プ２１１の搭載面と反対側）及びリード部２０５ａ，２
０７ａの付け根近傍の全周に渡って、絶縁部材としての
樹脂２１３が被覆されている。このような半導体レーザ
装置２０１は、樹脂２１３をモールドすることによって
ＬＤチップ２１１が固定できるので、製造コストを大幅
に低減することができる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ところが、半導体レー
ザ装置２０１のように搭載部２０３ｂの裏面全体を樹脂
２１３で被覆した場合、ＬＤチップ２１１が発生する熱
は放熱され難くなる。一方、リードフレーム２０３等は
例えば銅のように熱膨張率が大きい素材で構成され、Ｌ
Ｄチップ２１１の熱膨張率はリードフレーム２０３等に
比べて極めて小さい。このため、ＬＤチップ２１１が発
生する熱が充分に放熱されず、リードフレーム２０３の
熱膨張が繰り返されると、それによってＬＤチップ２１
１等にクラックが発生する可能性がある。

【０００９】すなわち、ＬＤチップ２１１が破損に至る
ような高温にならなくても、リードフレーム２０３の熱
膨張が何度も繰り返されると、リードフレーム２０３か
ら繰り返し伝達される応力によってＬＤチップ２１１に
クラックが発生したり、ＬＤチップ２１１をリードフレ
ーム２０３に接続している半田等にクラックが発生して
装置の信頼性が低下したりするのである。

【００１０】そこで、本発明は、製造コストが低く、か
つ、半導体素子等にクラックが発生するのを良好に防止
することのできる半導体装置及びその製造方法を提供す
ることを目的としてなされた。

【００１１】

【課題を解決するための手段及び発明の効果】上記目的
を達するためになされた請求項１記載の発明は、半導体
素子と、該半導体素子が搭載されるリードフレームと、
該リードフレームを被覆して固定する絶縁部材と、を備
えた半導体装置であって、上記リードフレームの上記半
導体素子が搭載される搭載部は、そのリードフレームの
リード部よりも厚肉に形成され、かつ、上記搭載部の裏
面には溝が形成され、上記絶縁部材は、上記搭載部の上
記リード部側端縁を被覆することにより、上記リード部
側端縁以外の上記搭載部を露出させたことを特徴とす
る。

【００１２】このように構成された本発明では、リード
フレームの半導体素子が搭載される搭載部は、そのリー
ドフレームのリード部よりも厚肉に形成されている。そ
して、絶縁部材は、上記搭載部のリード部側端縁を被覆
することによって、リードフレームを固定する。搭載部
を厚肉に形成したことにより、絶縁部材は搭載部のリー
ド部側端縁を被覆するだけでも、搭載部の強度が充分に
補償される。このため、リード部側端縁以外の搭載部を
露出させることができ、半導体素子が発生する熱は搭載
部外周面のほぼ全体から放熱される。しかも、搭載部の
裏面には溝が形成されているため、上記外周面の表面積
を一層良好に確保し、放熱性を一層良好に向上させるこ
とができる。

【００１３】従って、本発明の半導体装置では、半導体
素子が発生する熱を極めて良好に放熱してリードフレー
ムの熱膨張を抑制し、延いては、半導体素子等にクラッ
クが発生するのを良好に防止することができる。また、
本発明の半導体素子は前述のようにリードフレームを絶
縁部材で被覆して固定することによって得られるので、
その製造コストも良好に低減することができる。

【００１４】請求項２記載の発明は、請求項１記載の半
導体装置を製造する製造方法であって、金属板を一定方
向に移動させながら、その移動方向に沿った一連の突条
を上記金属板に形成すると共に、その突条の表面に上記
移動方向に沿った一連の溝を形成し、上記突条の部分が
上記搭載部となるように上記金属板を打ち抜いて上記リ
ードフレームを製造することを特徴とする。

【００１５】本発明では、先ず、金属板を一定方向に移
動させながら、その移動方向に沿った一連の突条を上記
金属板に形成すると共に、その突条の表面に上記移動方
向に沿った一連の溝を形成する。このような突条及び溝
の形成は、本願出願人による特開昭４８−４６０５号公
報記載のようなＶ型ポンチを利用した方法によって容易
に実行でき、また、それ以外の方法によってもよい。

【００１６】このようにして突条を形成された部分は、
他の部分よりも厚肉になっており、更に、その表面に溝
が形成されている。そこで、続いて、上記突条の部分が
上記搭載部となるようにその金属板を打ち抜けば、請求
項１記載の半導体装置におけるリードフレームを容易に
製造することができる。なお、このようにリードフレー
ムを製造した後の半導体素子の搭載や絶縁部材の被覆
は、周知の方法によって行えばよい。従って、本発明で
は、請求項１記載の半導体装置におけるリードフレーム
を容易に製造することができ、延いては、その半導体装
置の製造コストを一層良好に低減することができる。

【００１７】請求項３記載の発明は、半導体素子と、該
半導体素子が搭載されるリードフレームと、該リードフ
レームを被覆して固定する絶縁部材と、を備えた半導体
装置であって、上記リードフレームの上記半導体素子が
搭載される搭載部は、そのリードフレームのリード部よ
りも厚肉に形成され、かつ、上記搭載部の内部には上記
リードフレームの他の部分より熱膨張率の小さい金属が
クラッドされ、上記絶縁部材は、上記搭載部の上記リー
ド部側端縁を被覆することにより、上記リード部側端縁
以外の上記搭載部を露出させたことを特徴とする。

【００１８】このように構成された本発明では、リード
フレームの半導体素子が搭載される搭載部は、そのリー
ドフレームのリード部よりも厚肉に形成されている。そ
して、絶縁部材は、上記搭載部のリード部側端縁を被覆
することによって、リードフレームを固定する。搭載部
を厚肉に形成したことにより、絶縁部材は搭載部のリー
ド部側端縁を被覆するだけでも、搭載部の強度が充分に
補償される。このため、リード部側端縁以外の搭載部を
露出させることができ、半導体素子が発生する熱は搭載
部外周面のほぼ全体から放熱される。しかも、搭載部の
内部にはリードフレームの他の部分より熱膨張率の小さ
い金属がクラッドされているため、搭載部の全体として
の熱膨張率が小さくなり、半導体素子の熱膨張率に近く
なる。

【００１９】また、上記熱膨張率の小さい金属は搭載部
の内部にクラッドされているため、その金属がリードフ
レームの他の部分を構成する金属よりも熱伝導性が劣る
場合でも、少なくともリードフレームの表面方向には良
好な熱伝導性を確保することができる。このため、搭載
部の放熱特性も比較的良好に維持することができる。

【００２０】従って、本発明の半導体装置では、半導体
素子が発生する熱を良好に放熱すると共に搭載部の熱膨
張率を小さくすることによって、その搭載部の熱膨張を
抑制し、延いては、半導体素子等にクラックが発生する
のを良好に防止することができる。また、本発明の半導
体素子は前述のようにリードフレームを絶縁部材で被覆
して固定することによって得られるので、その製造コス
トも良好に低減することができる。

【００２１】請求項４記載の発明は、請求項３記載の構
成に加え、上記熱膨張率の小さい金属がインバー材（３
６Ｎｉ合金）であり、上記リードフレームの他の部分が
銅または銅合金で構成されたことを特徴とする。インバ
ー材、すなわち、Ｆｅ６４％，Ｎｉ３６％からなる合金
は、極めて熱膨張率が小さく、半導体素子の熱膨張率
（例えばＳｉの熱膨張率）に近いことで知られている。
本発明では、上記熱膨張率の小さい金属としてインバー
材を使用しているので、搭載部の熱膨張率を一層小さく
することができる。

【００２２】また、銅は、熱膨張率が大きくＳｉの熱膨
張率とはかけ離れているが、極めて熱伝導性のよい金属
として知られている。本発明では、リードフレームの他
の部分を銅で構成しているので、リードフレームの放熱
性を一層向上させることができる。しかも、インバー材
は前述のように搭載部の内部にクラッドされている。こ
のため、少なくともリードフレームの表面方向には銅の
良好な熱伝導性を確保することができ、インバー材を外
側にクラッドした場合に比べて搭載部の放熱特性を良好
に維持することができる。

【００２３】従って、本発明では、請求項３記載の発明
の効果に加えて、半導体が発生する熱を一層良好に放熱
すると共に搭載部の熱膨張率を一層小さくして、半導体
素子等にクラックが発生するのを一層良好に防止するこ
とができるといった効果が生じる。

【００２４】請求項５記載の発明は、請求項３または４
記載の構成に加え、上記搭載部の裏面に溝が形成された
ことを特徴とする。本発明では、搭載部の裏面に溝が形
成されているので、搭載部外周面の表面積を一層良好に
確保し、放熱性を一層良好に向上させることができる。
従って、本発明では、請求項３または４記載の発明の効
果に加えて、半導体素子が発生する熱を一層良好に放熱
してリードフレームの熱膨張を抑制し、延いては、半導
体素子等にクラックが発生するのを一層良好に防止する
ことができるといった効果が生じる。

【００２５】

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態を図面
と共に説明する。図１は、本発明が適用された半導体装
置としての半導体レーザ装置１の構成を表す図で、
（Ａ）は側面図、（Ｂ）は背面図、（Ｃ）は平面図、
（Ｄ）は正面図である。また、図２は、その半導体レー
ザ装置１の外観を表す斜視図である。

【００２６】図１，図２に示すように、半導体レーザ装
置１は、３本のリードフレーム３，５，７を並列に備え
ている。中央に配設されるリードフレーム３の一端（以
下、下端という）は棒状のリード部３ａとなっており、
上端は半導体素子としてのＬＤチップ１１が搭載される
搭載部３ｂとなっている。リードフレーム５，７の下端
は棒状のリード部５ａ，７ａとなっており、上端は図示
しないワイヤが接続される平板状の接続部５ｂ，７ｂと
なっている。

【００２７】搭載部３ｂは、リードフレーム５，７やリ
ード部３ａよりも厚肉に形成され、その表面（ＬＤチッ
プ１１の搭載面）及び接続部５ｂ，７ｂの表面は同一平
面上に配設されている。また、搭載部３ｂの下端縁及び
及びリード部５ａ，７ａの付け根近傍の全周に渡って、
絶縁部材としての樹脂１３（例えばＰＰＳ等）が被覆さ
れ、リードフレーム３，５，７を互いに固定している。
このため、搭載部３ｂの上記下端縁以外の部分は露出
し、接続部５ｂ，７ｂの一部が露出している。更に、搭
載部３ｂの裏面には直線状の２列の溝３ｃが形成されて
いる。

【００２８】このように構成された半導体レーザ装置１
では、搭載部３ｂを厚肉に形成したことにより、樹脂１
３は搭載部３ｂの下端を被覆するだけでも、搭載部３ｂ
の強度が充分に補償される。また、搭載部３ｂは下端縁
を除いた外周面のほぼ全体が露出し、しかも、溝３ｃを
形成されたことによってその外周面の表面積が一層良好
に確保される。従って、半導体レーザ装置１では、ＬＤ
チップ１１が発生する熱を搭載部３ｂの外周面を介して
極めて良好に放熱することができ、延いては、リードフ
レーム３の熱膨張を抑制してＬＤチップ１１等にクラッ
クが発生するのを良好に防止することができる。また、
このような半導体レーザ装置１は、リードフレーム３，
５，７を樹脂１３で被覆して固定することによって得ら
れるので、その製造コストも大幅に低減することができ
る。

【００２９】更に、次に示すように、搭載部３ｂの表裏
面は銅によって構成され、搭載部３ｂの内部（表裏面に
挟まれた中間層）はインバー材によって構成されてい
る。このため、搭載部３ｂの表裏面に沿った方向では銅
の極めて優れた熱伝導性が得られると共に、搭載部３ｂ
全体としての熱膨張率はインバー材のクラッドによって
極めて小さくなり、ＬＤチップ１１のそれに近い。従っ
て、ＬＤチップ１１が発生する熱を良好に放熱すると共
に搭載部３ｂの熱膨張率を小さくして、ＬＤチップ１１
等にクラックが発生するのを一層良好に防止することが
できる。

【００３０】続いて、リードフレーム３を構成する金属
の組成を、リードフレーム３，５，７の製造方法と共に
説明する。図３（Ａ）に示すように、リードフレーム
３，５，７の製造に当たっては、先ず、インバー材から
なる１枚の帯板５１と銅（銅合金でもよい）からなる２
枚の帯板５３とを用意し、図３（Ｂ）に示すように、帯
板５１を中間に挟んで３枚の帯板５３，５１，５３をク
ラッドする。

【００３１】続いて、金属板としてのこのクラッド材５
５に後述する圧延加工を施すことによって、図３（Ｃ）
及び図４に示すような圧延材５７を成形する。図３
（Ｃ）及び図４に示すように、この圧延材５７は、リー
ド部３ａ，５ａ，７ａ及び接続部５ｂ，７ｂに対応する
薄肉部５７ａと、搭載部３ｂに対応する一連の突条５７
ｂと、溝３ｃに対応する一連の溝５７ｃとを有してい
る。なお、圧延材５７も後述のように帯状に構成される
が、図４では一部を切り出して示した。

【００３２】この圧延材５７に、プレス加工を施して打
ち抜くことにより、図５に示すようなプレス材５９が得
られる。なお、図５（Ａ）はプレス材５９の側面図を、
図５（Ｂ）はプレス材５９の下面図を、それぞれ表して
いる。このように、プレス材５９では、突条５７ｂであ
った部分に搭載部３ｂが、薄肉部５７ａであった部分に
リード部３ａ，５ａ，７ａ及び接続部５ｂ，７ｂが、そ
れぞれ半導体レーザ装置１の完成品と同様の位置関係を
保って形成され、溝５７ｃは搭載部３ｂの溝３ｃとなっ
ている。更に、プレス材５９では、リードフレーム３，
５，７の組が、搭載部３ｂを対向させた状態で２組ず
つ、何列かに渡って形成されている。

【００３３】リードフレーム３，５，７をこのプレス材
５９に固定したままで前述のように樹脂１３をモールド
し、樹脂１３が硬化してからリード部３ａ，５ａ，７ａ
の下端を切り離し、更にＬＤチップ１１を半田等を介し
て搭載することによって、半導体レーザ装置１が得られ
る。このように、ＬＤチップ１１が搭載される搭載部３
ｂは銅，インバー材，銅の３層構造となるため、熱伝導
性のよい銅を介してＬＤチップ１１が発生する熱を良好
に放熱すると共に、インバー材によって搭載部３ｂの全
体としての熱膨張率を小さくすることができる。

【００３４】この結果、前述のように、ＬＤチップ１１
等にクラックが発生するのを極めて良好に防止すること
ができる。なお、本実施の形態では、銅，インバー材，
銅の各層の厚さをほぼ１：１：１としているが、この比
率は必要に応じて種々に変更することができる。

【００３５】また、本実施の形態では、前述の圧延加工
を施すに当たって、特開昭４８−４６０５号記載の方法
を応用している。ここで、その圧延加工について詳述す
る。図６は、圧延加工装置の構成を概略的に表す斜視図
である。図６に示すように、銅，インバー材，銅の３層
にクラッドされた帯状のクラッド材５５は、成形用金型
７１と往復転圧ロール７３との間に挟まれて圧延され、
前述の圧延材５７に成形されてドラム７５に巻き取られ
る。

【００３６】成形用金型７１の下面（往復転圧ロール７
３との対向面）には、図７に示すように、薄肉部５７ａ
を形成するための大きいＶ型ポンチ７１ａと、溝５７ｃ
を形成するための小さいＶ型ポンチ７１ｂ，７１ｃとが
形成されている。なお、図７（Ａ）は成形用金型７１の
構成を表す下面図で、図７（Ｂ）はその背面図である。
また、図７（Ａ）に示すように、各Ｖ型ポンチ７１ａ〜
７１ｃは、内側の辺がクラッド材５５の流れと平行で外
側の辺が傾斜することによってクラッド材５５を幅方向
に展延するように構成され、クラッド材５５の中心に対
して左右対称に構成されている。

【００３７】往復転圧ロール７３は、図６の矢印Ａに示
すように往復運動をしながらクラッド材５５の搬送に伴
って回転する。このように構成された圧延加工装置で
は、クラッド材５５を成形用金型７１と往復転圧ロール
７３との間に通すだけで、その搬送方向に沿って前述の
突条５７ｂ及び溝５７ｃを形成することが極めて容易に
行える。このため、本実施の形態では、半導体レーザ装
置１の製造コストを一層良好に低減することができる。

【００３８】以上、本発明の実施の形態を具体的に説明
したが、本発明は上記実施の形態に何等限定されるもの
ではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の形態
で実施することができる。例えば、リードフレーム３は
銅のみで構成してもよく、搭載部３ｂにのみインバー材
をクラッドしてもよい。後者の場合、上記実施の形態と
ほぼ同様の作用・効果が生じる。

【００３９】図８は、搭載部３ｂにのみインバー材をク
ラッドする場合の製造方法を表す説明図である。この場
合、銅からなる帯板５３には、搭載部３ｂに対応する部
分に互いに対向し合うように切欠部５３ａを形成してお
き（Ａ）、この切欠部５３ａの間に搭載部３ｂとほぼ同
じ幅のインバー材の帯板５１を挟んでクラッドする
（Ｂ）。このクラッド材５５に対して前述のような圧延
加工を施せば、図８（Ｃ）に示すように、突条５７ｂの
内部にのみインバー材がクラッドされた圧延材５７が得
られる。更に、この圧延材に対して前述のプレス加工，
モールド成形等を施せば、搭載部３ｂのみにインバー材
がクラッドされた半導体レーザ装置１を得ることができ
る。

【００４０】更に、本発明はＬＤチップ以外の半導体素
子を搭載した半導体装置にも適用でき、リードフレーム
を構成する素材も上記以外に種々に変更することができ
る。また、前述のように搭載部３ｂに熱膨張率の小さい
金属をクラッドした場合、溝３ｃは必ずしも設けなくて
もよい。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明が適用された半導体レーザ装置の構成
を表す図で、（Ａ）は側面図、（Ｂ）は背面図、（Ｃ）
は平面図、（Ｄ）は正面図である。

【図２】 その半導体レーザ装置の外観を表す斜視図で
ある。

【図３】 その半導体レーザ装置の製造方法を表す説明
図である。

【図４】 その製造方法の半製品としての圧延材の構成
を表す斜視図である。

【図５】 その製造方法の半製品としてのプレス材の構
成を表す図で、（Ａ）は側面図、（Ｂ）は下面図であ
る。

【図６】 その製造方法で使用される圧延加工装置の構
成を表す斜視図である。

【図７】 その圧延加工装置の成形用金型の構成を表す
図で、（Ａ）は下面図、（Ｂ）は背面図である。

【図８】 上記半導体レーザ装置の製造方法の変形例を
表す説明図である。

【図９】 従来の金属パッケージを用いた半導体装置の
構成を表す図で、（Ａ）は斜視図、（Ｂ）は縦断面図で
ある。

【図１０】 従来の樹脂パッケージを用いた半導体装置
の構成を表す斜視図である。

【符号の説明】

１…半導体レーザ装置 ３，５，７…リード
フレーム ３ａ，５ａ，７ａ…リード部 ３ｂ…搭載部
３ｃ…溝 ５ｂ，７ｂ…接続部 １１…ＬＤチップ
１３…樹脂 ５１，５３…帯板 ５３ａ…切欠部
５５…クラッド材 ５７…圧延材 ５７ａ…薄肉部 ５７ｂ…突条
５７ｃ…溝 ５９…プレス材 ７１…成形用金型 ７１ａ，７１
ｂ，７１ｃ…Ｖ型ポンチ ７３…往復転圧ロール

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体素子と、 該半導体素子が搭載されるリードフレームと、 該リードフレームを被覆して固定する絶縁部材と、 を備えた半導体装置であって、 上記リードフレームの上記半導体素子が搭載される搭載
   部は、そのリードフレームのリード部よりも厚肉に形成
   され、かつ、上記搭載部の裏面には溝が形成され、 上記絶縁部材は、上記搭載部の上記リード部側端縁を被
   覆することにより、上記リード部側端縁以外の上記搭載
   部を露出させたことを特徴とする半導体装置。
2. 【請求項２】 請求項１記載の半導体装置を製造する製
   造方法であって、 金属板を一定方向に移動させながら、その移動方向に沿
   った一連の突条を上記金属板に形成すると共に、その突
   条の表面に上記移動方向に沿った一連の溝を形成し、 上記突条の部分が上記搭載部となるように上記金属板を
   打ち抜いて上記リードフレームを製造することを特徴と
   する半導体装置の製造方法。
3. 【請求項３】 半導体素子と、 該半導体素子が搭載されるリードフレームと、 該リードフレームを被覆して固定する絶縁部材と、 を備えた半導体装置であって、 上記リードフレームの上記半導体素子が搭載される搭載
   部は、そのリードフレームのリード部よりも厚肉に形成
   され、かつ、上記搭載部の内部には上記リードフレーム
   の他の部分より熱膨張率の小さい金属がクラッドされ、 上記絶縁部材は、上記搭載部の上記リード部側端縁を被
   覆することにより、上記リード部側端縁以外の上記搭載
   部を露出させたことを特徴とする半導体装置。
4. 【請求項４】 上記熱膨張率の小さい金属がインバー材
   （３６Ｎｉ合金）であり、上記リードフレームの他の部
   分が銅または銅合金で構成されたことを特徴とする請求
   項３記載の半導体装置。
5. 【請求項５】 上記搭載部の裏面に溝が形成されたこと
   を特徴とする請求項３または４記載の半導体装置。