JP2000164934A - 面実装型ｌｅｄ装置およびその製造方法 - Google Patents
面実装型ｌｅｄ装置およびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 実装面に強固に固定できて実装後の導通不良
を解消できる面実装型ＬＥＤ装置およびその製造方法を
提供する。 【解決手段】 ＬＥＤチップ１３は、基板１２上に搭載
され、樹脂層１４は、基板１２上に形成されてＬＥＤチ
ップ１３を封止している。電極１５ａ，１５ｂは、基板
１２の端面１２ａ，１２ｂ、および樹脂層１４の端面１
４ａ，１４ｂを覆うように形成され、ＬＥＤチップ１３
に電気的に接続される。ＬＥＤ装置１０は、電極１５
ａ，１５ｂが配線基板の電極に半田付けされることによ
って、実装される。このとき、半田は電極１５ａ，１５
ｂ全体に接触できるので、接触面積が広く確保され、接
着強度を向上することができる。
を解消できる面実装型ＬＥＤ装置およびその製造方法を
提供する。 【解決手段】 ＬＥＤチップ１３は、基板１２上に搭載
され、樹脂層１４は、基板１２上に形成されてＬＥＤチ
ップ１３を封止している。電極１５ａ，１５ｂは、基板
１２の端面１２ａ，１２ｂ、および樹脂層１４の端面１
４ａ，１４ｂを覆うように形成され、ＬＥＤチップ１３
に電気的に接続される。ＬＥＤ装置１０は、電極１５
ａ，１５ｂが配線基板の電極に半田付けされることによ
って、実装される。このとき、半田は電極１５ａ，１５
ｂ全体に接触できるので、接触面積が広く確保され、接
着強度を向上することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、面実装型ＬＥＤ装
置およびその製造方法に関する。
置およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】実開平５−４５２９に記載されるよう
に、一般的な面実装型のＬＥＤ装置は、基板上にＬＥＤ
チップを搭載し、ＬＥＤチップを樹脂で封止して構成さ
れている。面実装型のＬＥＤ装置は、配線基板表面など
の平面状の実装面に対して実装、すなわち面実装され
る。
に、一般的な面実装型のＬＥＤ装置は、基板上にＬＥＤ
チップを搭載し、ＬＥＤチップを樹脂で封止して構成さ
れている。面実装型のＬＥＤ装置は、配線基板表面など
の平面状の実装面に対して実装、すなわち面実装され
る。
【０００３】実開平４−６５４６５および特開平８−２
６４８４２に記載されるＬＥＤ装置は、ＬＥＤチップを
搭載する基板の搭載面が実装面に対して垂直になるよう
に実装され、実装面に対して側方に発光する。これに対
して、ＬＥＤチップを搭載する基板の搭載面が実装面に
対して平行になるように実装されると、ＬＥＤ装置は実
装面に対して上方に発光する。上記の側方に発光させる
ための実装、および上方に発光させるための実装は、共
に面実装である。
６４８４２に記載されるＬＥＤ装置は、ＬＥＤチップを
搭載する基板の搭載面が実装面に対して垂直になるよう
に実装され、実装面に対して側方に発光する。これに対
して、ＬＥＤチップを搭載する基板の搭載面が実装面に
対して平行になるように実装されると、ＬＥＤ装置は実
装面に対して上方に発光する。上記の側方に発光させる
ための実装、および上方に発光させるための実装は、共
に面実装である。
【０００４】図６は、従来の面実装型のＬＥＤ装置１の
構成を示す斜視図である。ＬＥＤ装置１は、基板２、Ｌ
ＥＤチップ３、樹脂層４、電極５ａ，５ｂおよびボンデ
ィングパッド６ａ，６ｂを備える。ＬＥＤチップ３は、
基板２上に搭載され、樹脂層４は、基板２上に形成され
てＬＥＤチップ３を封止している。電極５ａ，５ｂは、
基板２の端面２ａ，２ｂを覆って形成され、ＬＥＤチッ
プ３に電気的に接続される。
構成を示す斜視図である。ＬＥＤ装置１は、基板２、Ｌ
ＥＤチップ３、樹脂層４、電極５ａ，５ｂおよびボンデ
ィングパッド６ａ，６ｂを備える。ＬＥＤチップ３は、
基板２上に搭載され、樹脂層４は、基板２上に形成され
てＬＥＤチップ３を封止している。電極５ａ，５ｂは、
基板２の端面２ａ，２ｂを覆って形成され、ＬＥＤチッ
プ３に電気的に接続される。
【０００５】図７は、従来のＬＥＤ装置１の製造方法を
段階的に示す断面図である。まず図７（ａ）に示すよう
に、ウエハ状の基板１００の表裏面に金属薄膜を形成し
た後、Ｘ方向に隣合う領域１０１間に貫通孔１０２を形
成する。基板１００には、複数の領域が互いに直交する
Ｘ方向およびＹ方向に配列している。
段階的に示す断面図である。まず図７（ａ）に示すよう
に、ウエハ状の基板１００の表裏面に金属薄膜を形成し
た後、Ｘ方向に隣合う領域１０１間に貫通孔１０２を形
成する。基板１００には、複数の領域が互いに直交する
Ｘ方向およびＹ方向に配列している。
【０００６】次に図７（ｂ）に示すように、貫通孔１０
２の内壁に金属薄膜を形成する。次に図７（ｃ）に示す
ように、金属薄膜の一部を除去することで、残留した金
属薄膜から成る電極１０３ａ，１０３ｂおよびボンディ
ングパッド１０４ａ，１０４ｂを形成する。次に図７
（ｄ）に示すように、基板１００上の領域１０１毎にＬ
ＥＤチップ３を搭載し、ＬＥＤチップ３と電極１０３
ａ，１０３ｂとを電気的に接続する。次に図７（ｅ）に
示すように、トランスファー成型によって、領域１０１
毎にＬＥＤチップ３を封止する樹脂層４を形成する。ト
ランスファー成型は、１００℃以上の温度で行われる。
２の内壁に金属薄膜を形成する。次に図７（ｃ）に示す
ように、金属薄膜の一部を除去することで、残留した金
属薄膜から成る電極１０３ａ，１０３ｂおよびボンディ
ングパッド１０４ａ，１０４ｂを形成する。次に図７
（ｄ）に示すように、基板１００上の領域１０１毎にＬ
ＥＤチップ３を搭載し、ＬＥＤチップ３と電極１０３
ａ，１０３ｂとを電気的に接続する。次に図７（ｅ）に
示すように、トランスファー成型によって、領域１０１
毎にＬＥＤチップ３を封止する樹脂層４を形成する。ト
ランスファー成型は、１００℃以上の温度で行われる。
【０００７】この後、基板１００を領域１０１毎に分割
することによって、複数のＬＥＤ装置１が形成される。
基板１００、電極１０３ａ，１０３ｂおよびボンディン
グパッド１０４ａ，１０４ｂは、基板２、電極５ａ，５
ｂおよびボンディングパッド６ａ，６ｂにそれぞれ分割
される。
することによって、複数のＬＥＤ装置１が形成される。
基板１００、電極１０３ａ，１０３ｂおよびボンディン
グパッド１０４ａ，１０４ｂは、基板２、電極５ａ，５
ｂおよびボンディングパッド６ａ，６ｂにそれぞれ分割
される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】図６のＬＥＤ装置１
は、基板２の端面２ａ，２ｂを覆う電極５ａ，５ｂと、
配線基板上に形成された電極とを半田などによって接着
することによって、配線基板に固定されて実装される。
この場合、半田と電極５ａ，５ｂとの接触面積が比較的
少なく、接着強度が不足して、導通不良が発生すること
がある。
は、基板２の端面２ａ，２ｂを覆う電極５ａ，５ｂと、
配線基板上に形成された電極とを半田などによって接着
することによって、配線基板に固定されて実装される。
この場合、半田と電極５ａ，５ｂとの接触面積が比較的
少なく、接着強度が不足して、導通不良が発生すること
がある。
【０００９】また、図７の製造方法では、基板２と樹脂
層４とは個別に形成され、基板２の端面２ａ，２ｂと樹
脂層４の端面４ａ，４ｂとの間に段差が形成されてしま
う。特に図７では、端面４ａが端面２ａよりも、０．５
ｍｍ程低く凹み、同様に端面４ｂが端面２ｂよりも、
０．５ｍｍ程低く凹んでいる。このように段差が形成さ
れるような製造方法では、ＬＥＤ装置１のＸ方向の長さ
は、ボンディングエリアを確保するために樹脂層４の寸
法を基準として設計しなければならない。したがって、
ＬＥＤ装置１のＸ方向の長さは、樹脂層４のＸ方向の長
さよりも１ｍｍ程長くなり、それだけＬＥＤ装置１が大
きくなってしまう。
層４とは個別に形成され、基板２の端面２ａ，２ｂと樹
脂層４の端面４ａ，４ｂとの間に段差が形成されてしま
う。特に図７では、端面４ａが端面２ａよりも、０．５
ｍｍ程低く凹み、同様に端面４ｂが端面２ｂよりも、
０．５ｍｍ程低く凹んでいる。このように段差が形成さ
れるような製造方法では、ＬＥＤ装置１のＸ方向の長さ
は、ボンディングエリアを確保するために樹脂層４の寸
法を基準として設計しなければならない。したがって、
ＬＥＤ装置１のＸ方向の長さは、樹脂層４のＸ方向の長
さよりも１ｍｍ程長くなり、それだけＬＥＤ装置１が大
きくなってしまう。
【００１０】また、図７（ｅ）ではトランスファー成型
を行うので、基板１００の熱変形が大きく、大きな基板
１００を使用して多数の装置を一度に製造することが難
しい。さらに、トランスファー成型では、熱硬化後に樹
脂層４を金型から取り外し易くするために、金型に離型
剤を塗布する必要がある。離型剤は、基板２に付着し
て、基板２上のボンディングパッド６ａ，６ｂと樹脂層
４との接着強度を低下させ、電極５ａ，５ｂに付着し
て、半田の着き回りを悪化させ実装強度を低下させるこ
とがある。
を行うので、基板１００の熱変形が大きく、大きな基板
１００を使用して多数の装置を一度に製造することが難
しい。さらに、トランスファー成型では、熱硬化後に樹
脂層４を金型から取り外し易くするために、金型に離型
剤を塗布する必要がある。離型剤は、基板２に付着し
て、基板２上のボンディングパッド６ａ，６ｂと樹脂層
４との接着強度を低下させ、電極５ａ，５ｂに付着し
て、半田の着き回りを悪化させ実装強度を低下させるこ
とがある。
【００１１】本発明の目的は、実装面に強固に固定で
き、実装後の導通不良を解消できる面実装型ＬＥＤ装置
およびその製造方法を提供することである。
き、実装後の導通不良を解消できる面実装型ＬＥＤ装置
およびその製造方法を提供することである。
【００１２】また本発明の他の目的は、小型の面実装型
ＬＥＤ装置およびその製造方法を提供することである。
ＬＥＤ装置およびその製造方法を提供することである。
【００１３】また本発明の他の目的は、基板の変形が少
なく、大きな基板を使用して多数の装置を一度に製造で
きる面実装型ＬＥＤ装置の製造方法を提供することであ
る。
なく、大きな基板を使用して多数の装置を一度に製造で
きる面実装型ＬＥＤ装置の製造方法を提供することであ
る。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明は、ＬＥＤチップ
と、そのＬＥＤチップを搭載した基板と、その基板上に
ＬＥＤチップを封止するように形成された樹脂層と、基
板の端面を覆うように形成されてＬＥＤチップに電気的
に接続された電極とを備え、前記電極は、樹脂層の端面
をも覆うことを特徴とする面実装型ＬＥＤ装置である。
と、そのＬＥＤチップを搭載した基板と、その基板上に
ＬＥＤチップを封止するように形成された樹脂層と、基
板の端面を覆うように形成されてＬＥＤチップに電気的
に接続された電極とを備え、前記電極は、樹脂層の端面
をも覆うことを特徴とする面実装型ＬＥＤ装置である。
【００１５】本発明に従えば、電極は基板の端面を覆う
だけでなく、樹脂層の端面をも覆うので、電極と半田な
どとの接触面積が拡大する。したがって、実装面に対し
てＬＥＤ装置を強固に固定することができて導通不良を
解消することができるので、実装の信頼性を向上するこ
とができる。
だけでなく、樹脂層の端面をも覆うので、電極と半田な
どとの接触面積が拡大する。したがって、実装面に対し
てＬＥＤ装置を強固に固定することができて導通不良を
解消することができるので、実装の信頼性を向上するこ
とができる。
【００１６】また本発明は、前記基板の端面と樹脂層の
端面とが同一面内にあることを特徴とする。
端面とが同一面内にあることを特徴とする。
【００１７】本発明に従えば、基板の端面と樹脂層の端
面とが同一面内にあるので、両者の間に段差が形成され
ることがない。よって、基板および樹脂層のうちのいず
れかの寸法を基準にＬＥＤ装置を設計することで、ＬＥ
Ｄ装置を小型化することが可能である。
面とが同一面内にあるので、両者の間に段差が形成され
ることがない。よって、基板および樹脂層のうちのいず
れかの寸法を基準にＬＥＤ装置を設計することで、ＬＥ
Ｄ装置を小型化することが可能である。
【００１８】また本発明は、２次元配列する複数の領域
が規定された基板に対して、一方の配列方向に隣合う領
域間において基板を貫通して他方の配列方向に延びる長
穴を形成する工程と、基板上の領域毎にＬＥＤチップを
搭載する工程と、基板上にＬＥＤチップを封止する樹脂
層を形成する工程と、基板の長穴上の樹脂層に貫通する
長穴を形成する工程と、基板および樹脂層に形成された
長穴の内壁に、ＬＥＤチップに電気的に接続される電極
を形成する工程と、領域毎に基板および樹脂層を分割す
る工程とを含むことを特徴とする面実装型ＬＥＤ装置の
製造方法である。
が規定された基板に対して、一方の配列方向に隣合う領
域間において基板を貫通して他方の配列方向に延びる長
穴を形成する工程と、基板上の領域毎にＬＥＤチップを
搭載する工程と、基板上にＬＥＤチップを封止する樹脂
層を形成する工程と、基板の長穴上の樹脂層に貫通する
長穴を形成する工程と、基板および樹脂層に形成された
長穴の内壁に、ＬＥＤチップに電気的に接続される電極
を形成する工程と、領域毎に基板および樹脂層を分割す
る工程とを含むことを特徴とする面実装型ＬＥＤ装置の
製造方法である。
【００１９】本発明に従えば、基板に形成された長穴の
内壁だけでなく樹脂層に形成された長穴の内壁をも覆う
電極を形成する。長穴の内壁は、基板および樹脂層を分
割することによって、基板および樹脂層の端面となる。
よって、基板の端面だけでなく樹脂層の端面をも覆う電
極を形成でき、上記のように、実装面に対してＬＥＤ装
置を強固に固定することができて導通不良を解消するこ
とができるので、実装の信頼性を向上することができ
る。
内壁だけでなく樹脂層に形成された長穴の内壁をも覆う
電極を形成する。長穴の内壁は、基板および樹脂層を分
割することによって、基板および樹脂層の端面となる。
よって、基板の端面だけでなく樹脂層の端面をも覆う電
極を形成でき、上記のように、実装面に対してＬＥＤ装
置を強固に固定することができて導通不良を解消するこ
とができるので、実装の信頼性を向上することができ
る。
【００２０】また本発明の前記樹脂層を形成する工程で
は、基板に液状の感光性樹脂を塗布し、前記樹脂層に長
穴を形成する工程では、樹脂層を選択的に露光して硬化
させた後、硬化していない樹脂層を除去して長穴を形成
することを特徴とする。
は、基板に液状の感光性樹脂を塗布し、前記樹脂層に長
穴を形成する工程では、樹脂層を選択的に露光して硬化
させた後、硬化していない樹脂層を除去して長穴を形成
することを特徴とする。
【００２１】本発明に従えば、従来のようなトランスフ
ァー成型を行わず、感光性樹脂を用いて樹脂層を形成す
るので、ウエハ状の基板の熱変形を防止でき、大きな基
板を使用して一度に多数のＬＥＤ装置を製造することが
できる。また、トランスファー成型のように離型剤を使
用する必要がないので、基板と樹脂層との接着強度の低
下を防止でき、電極への半田の着き回りの悪化を防止し
て実装強度の低下を防止することができる。
ァー成型を行わず、感光性樹脂を用いて樹脂層を形成す
るので、ウエハ状の基板の熱変形を防止でき、大きな基
板を使用して一度に多数のＬＥＤ装置を製造することが
できる。また、トランスファー成型のように離型剤を使
用する必要がないので、基板と樹脂層との接着強度の低
下を防止でき、電極への半田の着き回りの悪化を防止し
て実装強度の低下を防止することができる。
【００２２】また本発明は、基板に規定された２次元配
列する複数の領域毎にＬＥＤチップを搭載する工程と、
基板上にＬＥＤチップを封止する樹脂層を形成する工程
と、一方の配列方向に隣合う領域間において基板および
樹脂層を貫通して他方の配列方向に延びる長穴を形成す
る工程と、基板および樹脂層に形成された長穴の内壁
に、ＬＥＤチップに電気的に接続される電極を形成する
工程と、領域毎に基板および樹脂層を分割する工程とを
含むことを特徴とする面実装型ＬＥＤ装置の製造方法で
ある。
列する複数の領域毎にＬＥＤチップを搭載する工程と、
基板上にＬＥＤチップを封止する樹脂層を形成する工程
と、一方の配列方向に隣合う領域間において基板および
樹脂層を貫通して他方の配列方向に延びる長穴を形成す
る工程と、基板および樹脂層に形成された長穴の内壁
に、ＬＥＤチップに電気的に接続される電極を形成する
工程と、領域毎に基板および樹脂層を分割する工程とを
含むことを特徴とする面実装型ＬＥＤ装置の製造方法で
ある。
【００２３】本発明に従えば、基板に形成された長穴の
内壁だけでなく樹脂層に形成された長穴の内壁をも覆う
電極を形成する。長穴の内壁は、基板および樹脂層を分
割することによって、基板および樹脂層の端面となる。
よって、基板の端面だけでなく樹脂層の端面をも覆う電
極を形成でき、上記のように、実装面に対してＬＥＤ装
置を強固に固定することができて導通不良を解消するこ
とができるので、実装の信頼性を向上することができ
る。
内壁だけでなく樹脂層に形成された長穴の内壁をも覆う
電極を形成する。長穴の内壁は、基板および樹脂層を分
割することによって、基板および樹脂層の端面となる。
よって、基板の端面だけでなく樹脂層の端面をも覆う電
極を形成でき、上記のように、実装面に対してＬＥＤ装
置を強固に固定することができて導通不良を解消するこ
とができるので、実装の信頼性を向上することができ
る。
【００２４】また、基板上に樹脂層を形成した後、基板
および樹脂層の両方を貫通する長穴を形成するので、基
板の端面と樹脂層の端面とは、同一面内に形成される。
よって、基板および樹脂層の寸法を小さくする設計が可
能であり、ＬＥＤ装置を小型化することができる。
および樹脂層の両方を貫通する長穴を形成するので、基
板の端面と樹脂層の端面とは、同一面内に形成される。
よって、基板および樹脂層の寸法を小さくする設計が可
能であり、ＬＥＤ装置を小型化することができる。
【００２５】また本発明の前記長穴を形成する工程、お
よび領域毎に基板および樹脂層を分割する工程は、機械
的切削加工またはレーザ加工によって行われることを特
徴とする。
よび領域毎に基板および樹脂層を分割する工程は、機械
的切削加工またはレーザ加工によって行われることを特
徴とする。
【００２６】本発明に従えば、機械的切削加工またはレ
ーザ加工を行うので、長穴の形成および基板、樹脂層の
分割が容易であり、しかも基板の端面および樹脂層の端
面を同一面内に形成することが容易である。よって、簡
単で確実に小型のＬＥＤ装置を製造することができる。
ーザ加工を行うので、長穴の形成および基板、樹脂層の
分割が容易であり、しかも基板の端面および樹脂層の端
面を同一面内に形成することが容易である。よって、簡
単で確実に小型のＬＥＤ装置を製造することができる。
【００２７】また本発明の前記電極を形成する工程で
は、基板の裏面、樹脂層の表面および長穴の内壁にめっ
き付けした後、基板の裏面および樹脂層の表面のめっき
を除去して電極を形成することを特徴とする。
は、基板の裏面、樹脂層の表面および長穴の内壁にめっ
き付けした後、基板の裏面および樹脂層の表面のめっき
を除去して電極を形成することを特徴とする。
【００２８】本発明に従えば、基板の裏面、樹脂層の表
面および長穴の内壁にめっき付けした後、基板の裏面お
よび樹脂層の表面のめっきを除去することによって、電
極を簡単に形成できる。よって、簡単にＬＥＤ装置を製
造することが可能である。
面および長穴の内壁にめっき付けした後、基板の裏面お
よび樹脂層の表面のめっきを除去することによって、電
極を簡単に形成できる。よって、簡単にＬＥＤ装置を製
造することが可能である。
【００２９】また本発明の前記電極を形成する工程で
は、長穴の内壁にめっき付けして電極を形成することを
特徴とする。
は、長穴の内壁にめっき付けして電極を形成することを
特徴とする。
【００３０】本発明に従えば、基板の裏面および樹脂層
の表面をマスクで覆うことなどによって、基板の裏面お
よび樹脂層の表面にはめっき付けされず、長穴の内壁だ
けをめっき付けすることによって、電極を簡単に形成で
きる。よって、簡単にＬＥＤ装置を製造することが可能
である。
の表面をマスクで覆うことなどによって、基板の裏面お
よび樹脂層の表面にはめっき付けされず、長穴の内壁だ
けをめっき付けすることによって、電極を簡単に形成で
きる。よって、簡単にＬＥＤ装置を製造することが可能
である。
【００３１】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の第１実施形態で
ある面実装型のＬＥＤ装置１０の構成を示す斜視図であ
る。ＬＥＤ装置１０は、基板１２、ＬＥＤチップ１３、
樹脂層１４、電極１５ａ，１５ｂおよびボンディングパ
ッド１６ａ，１６ｂを備える。基板１２は矩形であり、
図１のＸ方向、Ｙ方向は基板１２の隣合う２辺に平行な
方向である。基板１２の表面には、Ｘ方向に互いに離れ
たボンディングパッド１６ａ，１６ｂが形成され、ＬＥ
Ｄチップ１３は、ボンディングパッド１６ａ上に搭載さ
れる。樹脂層１４は、基板１２上に形成されてＬＥＤチ
ップ１３を封止している。電極１５ａ，１５ｂは、基板
１２のＸ方向の端面１２ａ，１２ｂ、および樹脂層１４
のＸ方向の端面１４ａ，１４ｂを覆うように形成され、
それぞれボンディングパッド１６ａ，１６ｂを介して、
ＬＥＤチップ１３に電気的に接続される。電極１５ａ，
１５ｂのうち、いずれか一方はアノード電極であり、他
方はカソード電極である。
ある面実装型のＬＥＤ装置１０の構成を示す斜視図であ
る。ＬＥＤ装置１０は、基板１２、ＬＥＤチップ１３、
樹脂層１４、電極１５ａ，１５ｂおよびボンディングパ
ッド１６ａ，１６ｂを備える。基板１２は矩形であり、
図１のＸ方向、Ｙ方向は基板１２の隣合う２辺に平行な
方向である。基板１２の表面には、Ｘ方向に互いに離れ
たボンディングパッド１６ａ，１６ｂが形成され、ＬＥ
Ｄチップ１３は、ボンディングパッド１６ａ上に搭載さ
れる。樹脂層１４は、基板１２上に形成されてＬＥＤチ
ップ１３を封止している。電極１５ａ，１５ｂは、基板
１２のＸ方向の端面１２ａ，１２ｂ、および樹脂層１４
のＸ方向の端面１４ａ，１４ｂを覆うように形成され、
それぞれボンディングパッド１６ａ，１６ｂを介して、
ＬＥＤチップ１３に電気的に接続される。電極１５ａ，
１５ｂのうち、いずれか一方はアノード電極であり、他
方はカソード電極である。
【００３２】ＬＥＤ装置１０は、電極１５ａ，１５ｂが
配線基板の電極に半田付けされることによって、実装さ
れる。このとき、半田を電極１５ａ，１５ｂ全体に接触
することによって、接触面積が広く確保され、接着強度
を向上することができて導通不良が防止できる。
配線基板の電極に半田付けされることによって、実装さ
れる。このとき、半田を電極１５ａ，１５ｂ全体に接触
することによって、接触面積が広く確保され、接着強度
を向上することができて導通不良が防止できる。
【００３３】図２は、図１のＬＥＤ装置１０の製造方法
を段階的に示す断面図であり、図３は、その製造方法を
示す斜視図である。まず図２（ａ）に示すように、ウエ
ハ状の基板１９の表裏面にめっきを施して金属薄膜を形
成する。基板１９の表面には、２次元配列する複数の領
域２０が規定されている。Ｘ方向に隣合う領域２０間に
基板１９を貫通する長穴２１を形成することで、基板１
９を基板材２２とする。基板材２２の領域２０の表面に
残留した金属薄膜の一部を除去し、ボンディングパッド
２３ａ，２３ｂを形成する。Ｘ方向は、図２において、
基板材２２および紙面に平行な方向である。長穴２１
は、基板材２２に平行かつ紙面を貫くＹ方向に延びる貫
通孔であり、Ｘ方向に隣合う領域２０同士に挟まれ、Ｙ
方向に配列する領域２０の端部を規定している。
を段階的に示す断面図であり、図３は、その製造方法を
示す斜視図である。まず図２（ａ）に示すように、ウエ
ハ状の基板１９の表裏面にめっきを施して金属薄膜を形
成する。基板１９の表面には、２次元配列する複数の領
域２０が規定されている。Ｘ方向に隣合う領域２０間に
基板１９を貫通する長穴２１を形成することで、基板１
９を基板材２２とする。基板材２２の領域２０の表面に
残留した金属薄膜の一部を除去し、ボンディングパッド
２３ａ，２３ｂを形成する。Ｘ方向は、図２において、
基板材２２および紙面に平行な方向である。長穴２１
は、基板材２２に平行かつ紙面を貫くＹ方向に延びる貫
通孔であり、Ｘ方向に隣合う領域２０同士に挟まれ、Ｙ
方向に配列する領域２０の端部を規定している。
【００３４】次に図２（ｂ）に示すように、領域２０毎
にボンディングパッド２３ａ上にＬＥＤチップ１３を搭
載して、基板材２２を基板材２４とする。ＬＥＤチップ
１３の裏面とボンディングパッド２３ａとは、ダイボン
ドによって電気的に接続され、ＬＥＤチップ１３の表面
とボンディングパッド２３ｂとは、ワイヤボンドによっ
て電気的に接続される。
にボンディングパッド２３ａ上にＬＥＤチップ１３を搭
載して、基板材２２を基板材２４とする。ＬＥＤチップ
１３の裏面とボンディングパッド２３ａとは、ダイボン
ドによって電気的に接続され、ＬＥＤチップ１３の表面
とボンディングパッド２３ｂとは、ワイヤボンドによっ
て電気的に接続される。
【００３５】次に図２（ｃ）に示すように、基板材２４
の表面全体を覆う樹脂層２５を形成して、基板材２４を
基板材２６とする。樹脂層２５は、カーテンコータによ
って、液状の電気絶縁性の感光性樹脂を基板材２４の表
面に塗布した後、１００℃のプリベークを行うことによ
って、形成される。ＬＥＤチップ１３は、樹脂層２５に
よって封止される。次に図２（ｄ）および図３に示すよ
うに、長穴２１を覆う樹脂層２５に貫通する長穴２７を
形成して、基板材２６を基板材２８とする。長穴２７
は、樹脂層２５をフォトマスクで覆い、露光および現像
を行った後、１５０℃のポストベークを行うことによっ
て、形成される。
の表面全体を覆う樹脂層２５を形成して、基板材２４を
基板材２６とする。樹脂層２５は、カーテンコータによ
って、液状の電気絶縁性の感光性樹脂を基板材２４の表
面に塗布した後、１００℃のプリベークを行うことによ
って、形成される。ＬＥＤチップ１３は、樹脂層２５に
よって封止される。次に図２（ｄ）および図３に示すよ
うに、長穴２１を覆う樹脂層２５に貫通する長穴２７を
形成して、基板材２６を基板材２８とする。長穴２７
は、樹脂層２５をフォトマスクで覆い、露光および現像
を行った後、１５０℃のポストベークを行うことによっ
て、形成される。
【００３６】次に図２（ｅ）に示すように、基板材２８
の表面、すなわち樹脂層２５の表面を粗化処理した後、
樹脂層２５の表面および長穴２１，２７の内壁に無電解
めっきおよび電解めっきを施して、厚さ２０μｍの金属
薄膜を形成することで、基板材２８を基板材２９とす
る。長穴２１，２７の内壁の金属薄膜は、ボンディング
パッド２３ａ，２３ｂに接触して形成されて電気的に接
続される。
の表面、すなわち樹脂層２５の表面を粗化処理した後、
樹脂層２５の表面および長穴２１，２７の内壁に無電解
めっきおよび電解めっきを施して、厚さ２０μｍの金属
薄膜を形成することで、基板材２８を基板材２９とす
る。長穴２１，２７の内壁の金属薄膜は、ボンディング
パッド２３ａ，２３ｂに接触して形成されて電気的に接
続される。
【００３７】次に図２（ｆ）に示すように、エッチング
によって、樹脂層２５の表面の金属薄膜を概ね除去し、
基板１９の裏面の金属薄膜の一部を除去することで、互
いに電気的に絶縁されてボンディングパッド２３ａ，２
３ｂにそれぞれ接続される金属薄膜３０ａ，３０ｂを形
成し、基板材２９を基板材３１とする。基板材３１を領
域２０毎に分割することによって、複数のＬＥＤ装置１
０が完成する。これによって、基板１９は基板１２に、
樹脂層２５は樹脂層１４に、金属薄膜３０ａは電極１５
ａに、金属薄膜３０ｂは電極１５ｂに、ボンディングパ
ッド２３ａはボンディングパッド１６ａに、ボンディン
グパッド２３ｂはボンディングパッド１６ｂに、それぞ
れ分割される。
によって、樹脂層２５の表面の金属薄膜を概ね除去し、
基板１９の裏面の金属薄膜の一部を除去することで、互
いに電気的に絶縁されてボンディングパッド２３ａ，２
３ｂにそれぞれ接続される金属薄膜３０ａ，３０ｂを形
成し、基板材２９を基板材３１とする。基板材３１を領
域２０毎に分割することによって、複数のＬＥＤ装置１
０が完成する。これによって、基板１９は基板１２に、
樹脂層２５は樹脂層１４に、金属薄膜３０ａは電極１５
ａに、金属薄膜３０ｂは電極１５ｂに、ボンディングパ
ッド２３ａはボンディングパッド１６ａに、ボンディン
グパッド２３ｂはボンディングパッド１６ｂに、それぞ
れ分割される。
【００３８】分割は、Ｘ方向に基板材３１を切断するダ
イシングによって行われる。Ｘ方向のダイシングによっ
て、Ｙ方向に隣接する領域２０同士が分断される。な
お、Ｙ方向に延びる長穴２１，２７によって、Ｘ方向に
隣接する領域２０同士が既に分断されているので、Ｙ方
向のダイシングは必要ない。
イシングによって行われる。Ｘ方向のダイシングによっ
て、Ｙ方向に隣接する領域２０同士が分断される。な
お、Ｙ方向に延びる長穴２１，２７によって、Ｘ方向に
隣接する領域２０同士が既に分断されているので、Ｙ方
向のダイシングは必要ない。
【００３９】なお、上記図２（ｅ），図２（ｆ）では、
基板材２８の全面にめっき付けを行い、形成されためっ
き層の一部を除去して金属薄膜３０ａ，３０ｂを形成し
ているが、めっきの除去領域を予めマスクで覆ってお
き、めっき付けすることによって、金属薄膜３０ａ，３
０ｂを形成してもよい。このようにして、簡単に金属薄
膜３０ａ，３０ｂを形成することができる。
基板材２８の全面にめっき付けを行い、形成されためっ
き層の一部を除去して金属薄膜３０ａ，３０ｂを形成し
ているが、めっきの除去領域を予めマスクで覆ってお
き、めっき付けすることによって、金属薄膜３０ａ，３
０ｂを形成してもよい。このようにして、簡単に金属薄
膜３０ａ，３０ｂを形成することができる。
【００４０】また、基板１９および樹脂層２５の切断
は、ダイヤモンドブレード、ドリル、ルータなどを使っ
た機械的切削加工、またはレーザ加工によって、簡単に
実現することができる。
は、ダイヤモンドブレード、ドリル、ルータなどを使っ
た機械的切削加工、またはレーザ加工によって、簡単に
実現することができる。
【００４１】さらに、樹脂層２５は、ドライフィルムタ
イプの樹脂を基板材２４に被せることによって、形成さ
れてもよい。
イプの樹脂を基板材２４に被せることによって、形成さ
れてもよい。
【００４２】図４は、本発明の第２実施形態である面実
装型のＬＥＤ装置５０の構成を示す斜視図である。ＬＥ
Ｄ装置５０は、基板５２、ＬＥＤチップ５３、樹脂層５
４、電極５５ａ，５５ｂおよびボンディングパッド５６
ａ，５６ｂを備える。基板５２は矩形であり、図４のＸ
方向、Ｙ方向は基板５２の隣合う２辺に平行な方向であ
る。基板５２の表面には、Ｘ方向に互いに離れたボンデ
ィングパッド５６ａ，５６ｂが形成され、ＬＥＤチップ
５３は、ボンディングパッド５６ａ上に搭載される。樹
脂層５４は、基板５２上に形成されてＬＥＤチップ５３
を封止している。電極５５ａ，５５ｂは、基板５２のＸ
方向の端面５２ａ，５２ｂ、および樹脂層５４のＸ方向
の端面５４ａ，５４ｂを覆うように形成され、それぞれ
ボンディングパッド５６ａ，５６ｂを介して、ＬＥＤチ
ップ５３に電気的に接続される。電極５５ａ，５５ｂの
うち、いずれか一方はアノード電極であり、他方はカソ
ード電極である。
装型のＬＥＤ装置５０の構成を示す斜視図である。ＬＥ
Ｄ装置５０は、基板５２、ＬＥＤチップ５３、樹脂層５
４、電極５５ａ，５５ｂおよびボンディングパッド５６
ａ，５６ｂを備える。基板５２は矩形であり、図４のＸ
方向、Ｙ方向は基板５２の隣合う２辺に平行な方向であ
る。基板５２の表面には、Ｘ方向に互いに離れたボンデ
ィングパッド５６ａ，５６ｂが形成され、ＬＥＤチップ
５３は、ボンディングパッド５６ａ上に搭載される。樹
脂層５４は、基板５２上に形成されてＬＥＤチップ５３
を封止している。電極５５ａ，５５ｂは、基板５２のＸ
方向の端面５２ａ，５２ｂ、および樹脂層５４のＸ方向
の端面５４ａ，５４ｂを覆うように形成され、それぞれ
ボンディングパッド５６ａ，５６ｂを介して、ＬＥＤチ
ップ５３に電気的に接続される。電極５５ａ，５５ｂの
うち、いずれか一方はアノード電極であり、他方はカソ
ード電極である。
【００４３】ＬＥＤ装置５０は、電極５５ａ，５５ｂが
配線基板の電極に半田付けされることによって、実装さ
れる。このとき、半田を電極５５ａ，５５ｂ全体に接触
することによって、接触面積が広く確保され、接着強度
を向上することができて導通不良が防止できる。
配線基板の電極に半田付けされることによって、実装さ
れる。このとき、半田を電極５５ａ，５５ｂ全体に接触
することによって、接触面積が広く確保され、接着強度
を向上することができて導通不良が防止できる。
【００４４】樹脂層５４は、基板５２の表面全面に形成
され、樹脂層５４の端面５４ａは基板５２の端面５２ａ
と同一面内にある。したがって、端面５２ａと端面５４
ａとの間に、段差は形成されていない。
され、樹脂層５４の端面５４ａは基板５２の端面５２ａ
と同一面内にある。したがって、端面５２ａと端面５４
ａとの間に、段差は形成されていない。
【００４５】図５は、図４のＬＥＤ装置５０の製造方法
を段階的に示す断面図である。まず図５（ａ）に示すよ
うに、ウエハ状の基板５９の表裏面にめっきを施して金
属薄膜を形成する。基板５９の表面には、２次元配列す
る複数の領域６０が規定されている。領域６０は、Ｘ方
向には一定の間隔をおいて配列し、Ｙ方向には間隔をお
かずに配列する。Ｘ方向に隣接する領域６０間の金属薄
膜、および領域６０内の金属薄膜の一部を除去し、ボン
ディングパッド６３ａ，６３ｂを形成することによっ
て、基板５９を基板材６２とする。Ｘ方向は、図５にお
いて、基板材６２および紙面に平行な方向であり、Ｙ方
向は、基板材６２に平行かつ紙面を貫く方向である。
を段階的に示す断面図である。まず図５（ａ）に示すよ
うに、ウエハ状の基板５９の表裏面にめっきを施して金
属薄膜を形成する。基板５９の表面には、２次元配列す
る複数の領域６０が規定されている。領域６０は、Ｘ方
向には一定の間隔をおいて配列し、Ｙ方向には間隔をお
かずに配列する。Ｘ方向に隣接する領域６０間の金属薄
膜、および領域６０内の金属薄膜の一部を除去し、ボン
ディングパッド６３ａ，６３ｂを形成することによっ
て、基板５９を基板材６２とする。Ｘ方向は、図５にお
いて、基板材６２および紙面に平行な方向であり、Ｙ方
向は、基板材６２に平行かつ紙面を貫く方向である。
【００４６】次に図５（ｂ）に示すように、領域６０毎
にボンディングパッド６３ａ上にＬＥＤチップ５３を搭
載して、基板材６２を基板材６４とする。ＬＥＤチップ
５３の裏面とボンディングパッド６３ａとは、ダイボン
ドによって電気的に接続され、ＬＥＤチップ５３の表面
とボンディングパッド６３ｂとは、ワイヤボンドによっ
て電気的に接続される。
にボンディングパッド６３ａ上にＬＥＤチップ５３を搭
載して、基板材６２を基板材６４とする。ＬＥＤチップ
５３の裏面とボンディングパッド６３ａとは、ダイボン
ドによって電気的に接続され、ＬＥＤチップ５３の表面
とボンディングパッド６３ｂとは、ワイヤボンドによっ
て電気的に接続される。
【００４７】次に図５（ｃ）に示すように、基板材６４
の表面全体を覆う樹脂層６５を形成して、基板材６４を
基板材６６とする。液状の電気絶縁性樹脂をカーテンコ
ータによって基板材６４上に塗布した後、１７０℃の温
度でこれを熱硬化することによって、樹脂層６５が形成
される。全てのＬＥＤチップ５３は、樹脂層６５によっ
て封止される。
の表面全体を覆う樹脂層６５を形成して、基板材６４を
基板材６６とする。液状の電気絶縁性樹脂をカーテンコ
ータによって基板材６４上に塗布した後、１７０℃の温
度でこれを熱硬化することによって、樹脂層６５が形成
される。全てのＬＥＤチップ５３は、樹脂層６５によっ
て封止される。
【００４８】次に図５（ｄ）に示すように、Ｘ方向に隣
合う領域６０間に、基板５９および樹脂層６５を貫通し
てＹ方向に延びる長穴６１を形成して、基板材６６を基
板材６８とする。次に図５（ｅ）に示すように、基板材
６８の表面、すなわち樹脂層６５の表面を粗化処理した
後、樹脂層６５の表面および長穴６１に無電解めっきお
よび電解めっきを施して厚さ２０μｍの金属薄膜を形成
することで、基板材６８を基板材６９とする。長穴６１
の内壁の金属薄膜は、ボンディングパッド６３ａ，６３
ｂに接触して形成されて、電気的に接続される。
合う領域６０間に、基板５９および樹脂層６５を貫通し
てＹ方向に延びる長穴６１を形成して、基板材６６を基
板材６８とする。次に図５（ｅ）に示すように、基板材
６８の表面、すなわち樹脂層６５の表面を粗化処理した
後、樹脂層６５の表面および長穴６１に無電解めっきお
よび電解めっきを施して厚さ２０μｍの金属薄膜を形成
することで、基板材６８を基板材６９とする。長穴６１
の内壁の金属薄膜は、ボンディングパッド６３ａ，６３
ｂに接触して形成されて、電気的に接続される。
【００４９】次に図５（ｆ）に示すように、エッチング
によって、樹脂層６５の表面の金属薄膜を概ね除去し、
基板５９の裏面の金属薄膜の一部を除去することで、互
いに電気的に絶縁されたボンディングパッド６３ａ，６
３ｂにそれぞれ接続される金属薄膜７０ａ，７０ｂを形
成し、基板材６９を基板材７１とする。最後に、基板材
７１を領域６０毎に分割することによって、複数のＬＥ
Ｄ装置５０が完成する。これによって、基板５９は基板
５２に、樹脂層６５は樹脂層５４に、金属薄膜７０ａは
電極５５ａに、金属薄膜７０ｂは電極５５ｂに、ボンデ
ィングパッド６３ａはボンディングパッド５６ａに、ボ
ンディングパッド６３ｂはボンディングパッド５６ｂ
に、それぞれ分割される。
によって、樹脂層６５の表面の金属薄膜を概ね除去し、
基板５９の裏面の金属薄膜の一部を除去することで、互
いに電気的に絶縁されたボンディングパッド６３ａ，６
３ｂにそれぞれ接続される金属薄膜７０ａ，７０ｂを形
成し、基板材６９を基板材７１とする。最後に、基板材
７１を領域６０毎に分割することによって、複数のＬＥ
Ｄ装置５０が完成する。これによって、基板５９は基板
５２に、樹脂層６５は樹脂層５４に、金属薄膜７０ａは
電極５５ａに、金属薄膜７０ｂは電極５５ｂに、ボンデ
ィングパッド６３ａはボンディングパッド５６ａに、ボ
ンディングパッド６３ｂはボンディングパッド５６ｂ
に、それぞれ分割される。
【００５０】分割は、Ｘ方向に基板材７１を切断するダ
イシングによって行われる。Ｘ方向のダイシングによっ
て、Ｙ方向に隣接する領域６０同士が分断される。な
お、Ｙ方向に延びる長穴６１，６７によって、Ｘ方向に
隣接する領域６０同士が既に分断されているので、Ｙ方
向のダイシングは必要ない。
イシングによって行われる。Ｘ方向のダイシングによっ
て、Ｙ方向に隣接する領域６０同士が分断される。な
お、Ｙ方向に延びる長穴６１，６７によって、Ｘ方向に
隣接する領域６０同士が既に分断されているので、Ｙ方
向のダイシングは必要ない。
【００５１】図５の製造方法では、基板と樹脂層との両
方を貫通する長穴を形成するので、図４に示したよう
に、基板の端面と樹脂層の端面とが同一面内に形成され
る。
方を貫通する長穴を形成するので、図４に示したよう
に、基板の端面と樹脂層の端面とが同一面内に形成され
る。
【００５２】なお、第１実施形態と同様に、めっきの除
去領域を予めマスクで覆っておき、めっき付けすること
によって、金属薄膜７０ａ，７０ｂを形成してもよい。
また、基板５９および樹脂層６５の切断は、ダイヤモン
ドブレード、ドリル、ルータなどを使った機械的切削加
工、またはレーザ加工によって、簡単に実現することが
できる。さらに、樹脂層６５は、ドライフィルムタイプ
の樹脂を基板材６４に被せることによって、形成されて
もよい。
去領域を予めマスクで覆っておき、めっき付けすること
によって、金属薄膜７０ａ，７０ｂを形成してもよい。
また、基板５９および樹脂層６５の切断は、ダイヤモン
ドブレード、ドリル、ルータなどを使った機械的切削加
工、またはレーザ加工によって、簡単に実現することが
できる。さらに、樹脂層６５は、ドライフィルムタイプ
の樹脂を基板材６４に被せることによって、形成されて
もよい。
【００５３】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、電極が樹
脂層の端面をも覆うので、電極と半田などとの接触面積
を拡大することができ、導通不良を解消して、実装の信
頼性を向上することができる。
脂層の端面をも覆うので、電極と半田などとの接触面積
を拡大することができ、導通不良を解消して、実装の信
頼性を向上することができる。
【００５４】また本発明によれば、基板の端面と樹脂層
の端面とが同一面内にあるので、ＬＥＤ装置を小型化す
ることが可能である。
の端面とが同一面内にあるので、ＬＥＤ装置を小型化す
ることが可能である。
【００５５】また本発明によれば、基板に形成された長
穴の内壁だけでなく樹脂層に形成された長穴の内壁をも
覆う電極を形成することによって、基板の端面だけでな
く樹脂層の端面をも覆う電極を形成できる。
穴の内壁だけでなく樹脂層に形成された長穴の内壁をも
覆う電極を形成することによって、基板の端面だけでな
く樹脂層の端面をも覆う電極を形成できる。
【００５６】また本発明によれば、トランスファー成型
を行わずに、感光性樹脂を用いて樹脂層を形成すること
で、ウエハ状の基板の熱変形を防止でき、大きなウエハ
を使用して一度に多数のＬＥＤ装置を製造することがで
きる。
を行わずに、感光性樹脂を用いて樹脂層を形成すること
で、ウエハ状の基板の熱変形を防止でき、大きなウエハ
を使用して一度に多数のＬＥＤ装置を製造することがで
きる。
【００５７】また本発明によれば、基板の端面だけでな
く樹脂層の端面をも覆う電極を形成でき、基板の端面と
樹脂層の端面とを同一面内に形成することで、ＬＥＤ装
置を小型化することができる。
く樹脂層の端面をも覆う電極を形成でき、基板の端面と
樹脂層の端面とを同一面内に形成することで、ＬＥＤ装
置を小型化することができる。
【００５８】また本発明によれば、機械的切削加工また
はレーザ加工を行うことで、簡単で確実に小型のＬＥＤ
装置を製造できる。
はレーザ加工を行うことで、簡単で確実に小型のＬＥＤ
装置を製造できる。
【００５９】また本発明によれば、基板の裏面、樹脂層
の表面および長穴の内壁にめっき付けした後、基板の裏
面および樹脂層の表面のめっきを除去することによっ
て、簡単にＬＥＤ装置を製造することができる。
の表面および長穴の内壁にめっき付けした後、基板の裏
面および樹脂層の表面のめっきを除去することによっ
て、簡単にＬＥＤ装置を製造することができる。
【００６０】また本発明によれば、基板の裏面および樹
脂層の表面をマスクで覆うことなどによって、長穴の内
壁だけをめっき付けすることによって、簡単にＬＥＤ装
置を製造することができる。
脂層の表面をマスクで覆うことなどによって、長穴の内
壁だけをめっき付けすることによって、簡単にＬＥＤ装
置を製造することができる。
【図１】本発明の第１実施形態であるＬＥＤ装置１０の
構成を示す斜視図である。
構成を示す斜視図である。
【図２】図１のＬＥＤ装置１０の製造方法を段階的に示
す断面図である。
す断面図である。
【図３】図１のＬＥＤ装置１０の製造方法を示す斜視図
である。
である。
【図４】本発明の第２実施形態であるＬＥＤ装置５０の
構成を示す斜視図である。
構成を示す斜視図である。
【図５】図４のＬＥＤ装置５０の製造方法を段階的に示
す断面図である。
す断面図である。
【図６】従来のＬＥＤ装置１の構成を示す斜視図であ
る。
る。
【図７】従来のＬＥＤ装置１の製造方法を段階的に示す
断面図である。
断面図である。
１０，５０ ＬＥＤ装置 １２，５２ 基板 １２ａ，１２ｂ，１４ａ，１４ｂ，５２ａ，５２ｂ，５
４ａ，５４ｂ 端面 １３，５３ ＬＥＤチップ １４，５４ 樹脂層 １５ａ，１５ｂ，５５ａ，５５ｂ 電極
４ａ，５４ｂ 端面 １３，５３ ＬＥＤチップ １４，５４ 樹脂層 １５ａ，１５ｂ，５５ａ，５５ｂ 電極
Claims (8)
- 【請求項１】 ＬＥＤチップと、そのＬＥＤチップを搭
載した基板と、その基板上にＬＥＤチップを封止するよ
うに形成された樹脂層と、基板の端面を覆うように形成
されてＬＥＤチップに電気的に接続された電極とを備
え、 前記電極は、樹脂層の端面をも覆うことを特徴とする面
実装型ＬＥＤ装置。 - 【請求項２】 前記基板の端面と樹脂層の端面とが同一
面内にあることを特徴とする請求項１記載の面実装型Ｌ
ＥＤ装置。 - 【請求項３】 ２次元配列する複数の領域が規定された
基板に対して、一方の配列方向に隣合う領域間において
基板を貫通して他方の配列方向に延びる長穴を形成する
工程と、 基板上の領域毎にＬＥＤチップを搭載する工程と、 基板上にＬＥＤチップを封止する樹脂層を形成する工程
と、 基板の長穴上の樹脂層に貫通する長穴を形成する工程
と、 基板および樹脂層に形成された長穴の内壁に、ＬＥＤチ
ップに電気的に接続される電極を形成する工程と、 領域毎に基板および樹脂層を分割する工程とを含むこと
を特徴とする面実装型ＬＥＤ装置の製造方法。 - 【請求項４】 前記樹脂層を形成する工程では、基板に
液状の感光性樹脂を塗布し、 前記樹脂層に長穴を形成する工程では、樹脂層を選択的
に露光して硬化させた後、硬化していない樹脂層を除去
して長穴を形成することを特徴とする請求項３記載の面
実装型ＬＥＤ装置の製造方法。 - 【請求項５】 基板に規定された２次元配列する複数の
領域毎にＬＥＤチップを搭載する工程と、 基板上にＬＥＤチップを封止する樹脂層を形成する工程
と、 一方の配列方向に隣合う領域間において基板および樹脂
層を貫通して他方の配列方向に延びる長穴を形成する工
程と、 基板および樹脂層に形成された長穴の内壁に、ＬＥＤチ
ップに電気的に接続される電極を形成する工程と、 領域毎に基板および樹脂層を分割する工程とを含むこと
を特徴とする面実装型ＬＥＤ装置の製造方法。 - 【請求項６】 前記長穴を形成する工程、および領域毎
に基板および樹脂層を分割する工程は、機械的切削加工
またはレーザ加工によって行われることを特徴とする請
求項５記載の面実装型ＬＥＤ装置の製造方法。 - 【請求項７】 前記電極を形成する工程では、基板の裏
面、樹脂層の表面および長穴の内壁にめっき付けした
後、基板の裏面および樹脂層の表面のめっきを除去して
電極を形成することを特徴とする請求項３または５記載
の面実装型ＬＥＤ装置の製造方法。 - 【請求項８】 前記電極を形成する工程では、長穴の内
壁にめっき付けして電極を形成することを特徴とする請
求項３または５記載の面実装型ＬＥＤ装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10340339A JP2000164934A (ja) | 1998-11-30 | 1998-11-30 | 面実装型ｌｅｄ装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10340339A JP2000164934A (ja) | 1998-11-30 | 1998-11-30 | 面実装型ｌｅｄ装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000164934A true JP2000164934A (ja) | 2000-06-16 |
Family
ID=18336001
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10340339A Pending JP2000164934A (ja) | 1998-11-30 | 1998-11-30 | 面実装型ｌｅｄ装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000164934A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007005801A (ja) * | 2005-06-20 | 2007-01-11 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 金属反射層を形成したｌｅｄパッケージ及びその製造方法 |
| CN102280567A (zh) * | 2005-08-04 | 2011-12-14 | 克里公司 | 利用分配的密封剂的半导体发光器件的封装及其封装方法 |
| JP2013157419A (ja) * | 2012-01-30 | 2013-08-15 | Oki Data Corp | 発光デバイス及びその製造方法 |
| JP2021150414A (ja) * | 2020-03-18 | 2021-09-27 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
-
1998
- 1998-11-30 JP JP10340339A patent/JP2000164934A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007005801A (ja) * | 2005-06-20 | 2007-01-11 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 金属反射層を形成したｌｅｄパッケージ及びその製造方法 |
| US7687292B2 (en) | 2005-06-20 | 2010-03-30 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Light emitting diode package with metal reflective layer and method of manufacturing the same |
| CN102280567A (zh) * | 2005-08-04 | 2011-12-14 | 克里公司 | 利用分配的密封剂的半导体发光器件的封装及其封装方法 |
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| JP7386417B2 (ja) | 2020-03-18 | 2023-11-27 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
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