JP4367009B2 - ヒートシンク付き気密端子およびその製造方法 - Google Patents
ヒートシンク付き気密端子およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4367009B2 JP4367009B2 JP2003155066A JP2003155066A JP4367009B2 JP 4367009 B2 JP4367009 B2 JP 4367009B2 JP 2003155066 A JP2003155066 A JP 2003155066A JP 2003155066 A JP2003155066 A JP 2003155066A JP 4367009 B2 JP4367009 B2 JP 4367009B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat sink
- base
- semiconductor element
- element mounting
- mounting surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はヒートシンク付き気密端子およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来のヒートシンク付き気密端子としては、ヒートシンク上部を半導体素子搭載面側に段付き形状を形成した状態で張り出し固定している。またその製造方法としては、ヒートシンクの半導体素子搭載面と半導体素子搭載面と相対する裏面とを押圧することで偏平成形しているものがあった（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
図３は、前記特許文献１に記載された従来のヒートシンク付き気密端子を示すものである。
【０００４】
図３において、鉄−ニッケル合金からなるベース１０１に貫通孔（図示せず。）およびコイニング１０２が形成されている。貫通孔（図示せず。）には鉄−ニッケル−コバルト合金（以下、コバールと称す）からなるリード１０３が挿通され封着ガラス（図示せず。）で気密絶縁に封着されている。また、半導体素子搭載面１０４を備えたヒートシンク１０５がベース１０１の主面１０６に、ろう材（図示せず。）を介して接着し気密端子１０７を構成している。
【０００５】
図４は、前記特許文献１に記載された従来のヒートシンク付き気密端子の製造方法を示す工程フローに沿った断面図である。図４において、図３と同じ構成の説明は省略する。１０８はダイ、１０９はポンチでありヒートシンク１０５に偏平成形を行う。
【０００６】
所定厚さの鉄・ニッケル合金の金属板を押し出しプレス後に打ち抜いたベース１０１と、適宜の長さに切断したリード１０３と、タブレット状に成形した封着ガラス（図示せず。）とを、グラファイト製の封着治具（図示せず。）を用いて所定の位置関係に組み立てた後、中性ないし弱還元性の雰囲気中で約９８０〜１０００℃に加熱して、封着ガラス（図示せず。）を溶融させて、リード１０３を気密絶縁に封着する（図４（ａ））。
【０００７】
ベース１０１の主面１０６に銅で形成したヒートシンク１０５をろう材（図示せず。）を介して中性ないし弱還元性の雰囲気中で約８００℃に加熱し接着する（図４（ｂ））。
【０００８】
ヒートシンク１０５は半導体素子（図示せず。）搭載位置Ｂ’よりも予めｌ’だけ後退した位置に接着されている。
【０００９】
ベース１０１を位置規制治具（図示せず。）に固定した後、ヒートシンク１０５に対して、ダイ１０８とポンチ１０９により偏平成形加工を行う（図４（ｃ）、図４（ｄ））。ダイ１０８が水平移動して所定位置に停止した後にポンチ１０９が水平移動してヒートシンク１０５を挟み込み押圧して、ヒートシンク１０５の半導体素子搭載面１０４を形成している。
【００１０】
【特許文献１ 】
特開平０２−１７４１７９号公報
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記従来の構成では、ベース１０１の主面１０６と接着しているヒートシンク１０５の半導体素子搭載面１０４の下端に段付きが形成される。また、大きなＲ形状が形成される場合もあり、半導体素子搭載面１０４を十分に確保することができない。これは、素子寸法が大きくなる高出力タイプの半導体素子を搭載する場合、ヒートシンク１０５の全高を高くする必要が生じるなど非常に不都合がある。また、例えば半導体素子（図示せず。）としてレーザーダイオードを用いる場合、半導体素子（図示せず。）の寸法が大きくなると、発光点がヒートシンク１０５の上方に移動せざるを得なくなり光学特性を設計し直す必要があるという課題を有していた。
【００１２】
本発明は、前記従来の課題を解決するもので、ヒートシンク１０５を大型化することなく半導体素子搭載面１０４の面積を十分確保し、高出力タイプの半導体素子を搭載することができるヒートシンク付き気密端子とその製造方法を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
前記従来の課題を解決するために、本発明のヒートシンク付き気密端子は、貫通孔とコイニング部とを有するベースと、ベースと一体になったヒートシンクと、貫通孔に挿通したリードと、ベースとリードとを封着ガラスを介して気密絶縁的に封着されたヒートシンク付き気密端子において、ベース主面に略直交状態でヒートシンクの半導体素子搭載面が形成され、半導体素子搭載面として形成された平坦面のベース側の下端部がベース主面上方０．１ｍｍ以下または前記ベース主面下方に形成され、ヒートシンクの半導体素子搭載面がコイニング内部に配置されたことを特徴とする。
【００１４】
その製造方法は、貫通孔とコイニング部とを有するベースと前記貫通孔に挿通されたリードとを封着ガラスを介して気密絶縁的に封着する工程と、前記ベース主面にヒートシンクを一体に設ける工程と、ポンチおよびダイによる扁平形成で前記ヒートシンクに前記ベース主面に略直交状態で半導体素子搭載面を設ける工程とを備えたヒートシンク付き気密端子の製造方法であって、前記半導体素子搭載面を成形する工程は、前記ヒートシンク端面を、予め前記コイニング寄りに設け、且つその一部を前記コイニング内部に配置し、前記ヒートシンク端面を押圧して、前記ベース主面上方０．１ｍｍ以下または前記ベース主面下方に形成することを特徴とする。
【００１５】
本構成によって、ヒートシンクを大型化することなく半導体素子搭載面の面積を十分確保し、高出力タイプの半導体素子を搭載することができるヒートシンク付き気密端子とその製造方法を提供することができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００１７】
（実施の形態）
図１（ａ）は、本発明の実施の形態におけるヒートシンク付き気密端子の断面図であり、図１（ｂ）および図１（ｃ）は図１（ａ）のＡ部拡大図である。
【００１８】
図１において、例えば鉄−ニッケル合金からなるベース１に貫通孔（図示せず。）およびコイニング２が形成されている。貫通孔（図示せず。）には例えば鉄−ニッケル−コバルト合金（以下、コバールと称す）からなるリード３が挿通され封着ガラス（図示せず。）で気密絶縁に封着されている。半導体素子搭載面４を備えたヒートシンク５がベース１の主面６に、ろう材（図示せず。）を介して接着し気密端子７を構成している。
【００１９】
このとき、実施例１はベース１の主面６から半導体素子搭載面４下端部までの距離ｗが０．１ｍｍ以下に略直交状態で、且つヒートシンク５の半導体素子搭載面４がコイニング２部内に配置されている。（図１（ｂ））。
【００２０】
実施例２は半導体素子搭載面４下端部がベース１の主面６下方に略直交状態で、且つヒートシンク５の半導体素子搭載面４がコイニング２部内に配置されている。（図１（ｃ））。これによれば、ヒートシンク５を大型化することなく半導体素子搭載面４の面積を十分確保することができる。また、従来レーザーダイオード（図示せず。）を搭載するときに必要としていたヒートシンク５を大型化することや発光点が変わり光学特性を設計し直すということが無くなる。
【００２１】
図２は、本発明の実施の形態におけるヒートシンク付き気密端子の製造工程フローに沿った断面図である。図２において、図１と同じ構成の説明は省略する。ヒートシンク５はダイ８およびポンチ９で偏平成形され半導体素子搭載面４を形成している。
【００２２】
気密端子７は、例えば、ベース１およびリード３に鉄−ニッケル−コバルト合金（以下、コバールと称する）を用い、ベース１とリード３とを封着する封着ガラス（図示せず。）に硬質ガラスを用いた整合タイプ、ベース１に低炭素鋼を用い、リード３に鉄−ニッケル合金を用い、ベースとリードとを封着する封着ガラス（図示せず。）に軟質ガラスを用いた圧縮タイプなど従来からある構成と同様であるので詳細な説明は省略する。
【００２３】
詳細な構成を下記に説明する。
【００２４】
所定厚さの鉄・ニッケル合金の金属板を押し出しプレスにより貫通孔（図示せず。）およびコイニング２とを形成したベース１と、適宜の長さに切断したリード３と、タブレット状に成形した封着ガラス（図示せず。）とを、グラファイト製の封着治具（図示せず。）を用いて所定の位置関係に組み立てた後、中性ないし弱還元性の雰囲気中で約９８０〜１０００℃に加熱して、封着ガラス（図示せず。）を溶融させて、リード３を気密絶縁に封着する（図２（ａ））。
【００２５】
ベース１の主面６に銅で形成したヒートシンク５をろう材（図示せず。）を介して中性ないし弱還元性の雰囲気中で約３００℃から８００℃に加熱し接着する（図２（ｂ））。
【００２６】
このとき、ヒートシンク５は半導体素子（図示せず。）搭載位置Ｂよりも予めｌだけ前進し、且つコイニング２部内に配置し接着している。
【００２７】
ベース１を位置規制治具（図示せず。）に固定した後、ヒートシンク５に対して、ダイ８が水平移動して所定の位置に停止した後にポンチ９が垂直移動した後、水平移動してヒートシンク５を挟み込み押圧して、ヒートシンク５の半導体素子搭載面４を所定位置に偏平成形加工を行う（図２（ｃ）、図２（ｄ））。
【００２８】
ポンチ９はヒートシンク５と接触し、且つ所定の面積を有したポンチ面１０とポンチ面１０を支持する支持部１１からなり、支持部１１がベース１と接触を防止するため、逃がし部１２が形成されている（図２（ｅ））。さらに、ヒートシンク５を挟み込むときにはその一部が主面６よりもコイニング２部内にポンチ面１０を位置している。これによれば、半導体素子搭載面４の下端に生じるＲは半導体素子（図示せず。）搭載に影響がでない０．１ｍｍ程度に抑えることができ、さらに半導体素子搭載面４の下端に形成されていた段付きの発生も無くすことが可能となり、半導体素子搭載面４の面積を十分に確保するものである。
【００２９】
なお、本実施の形態では、半導体素子搭載面４を形成するときに、ダイ８が水平移動した後にポンチ９を垂直移動させた後ポンチ９を水平移動したが、ダイ８とポンチ９を同時に移動させてもよく、さらに、半導体素子搭載面４を形成するときに、ポンチ９を垂直移動した後、水平移動し押圧したが、ベース１を垂直移動した後、ポンチ９を水平移動し押圧してもよい。
【００３０】
以上、本発明によるヒートシンク付き気密端子とその製造方法について説明したが、本発明の思想に逸脱しない限り適宜変更可能である。
【００３１】
【発明の効果】
以上のように、本発明のヒートシンク付き気密端子およびその製造方法によれば、ヒートシンク５を大型化することなく半導体素子搭載面４の面積を十分確保することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）本発明の実施の形態におけるヒートシンク付き気密端子の断面図
（ｂ）本発明の実施の形態における実施例１の図１（ａ）のＡ部拡大断面図
（ｃ）本発明の実施の形態における実施例２の図１（ａ）のＡ部拡大断面図
【図２】（ａ）（ｂ）（ｃ）本発明の実施の形態におけるヒートシンク付き気密端子の製造工程フローに沿った断面図
（ｄ）偏平成形加工工程の拡大断面図
（ｅ）ポンチ斜視図
【図３】従来のヒートシンク付き気密端子を示した断面図
【図４】（ａ）（ｂ）（ｃ）従来のヒートシンク付き気密端子の製造工程フローに沿った断面図
（ｄ）偏平成形加工工程の拡大断面図
【符号の説明】
１ ベース
２ コイニング
３ リード
４ 半導体素子搭載面
５ ヒートシンク
６ 主面
７ 気密端子
８ ダイ
９ ポンチ
１０ ポンチ面
１１ 支持部
１２ 逃がし部
１０１ ベース
１０２ コイニング
１０３ リード
１０４ 半導体素子搭載面
１０５ ヒートシンク
１０６ 主面
１０７ 気密端子
１０８ ダイ
１０９ ポンチ
【発明の属する技術分野】
本発明はヒートシンク付き気密端子およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来のヒートシンク付き気密端子としては、ヒートシンク上部を半導体素子搭載面側に段付き形状を形成した状態で張り出し固定している。またその製造方法としては、ヒートシンクの半導体素子搭載面と半導体素子搭載面と相対する裏面とを押圧することで偏平成形しているものがあった（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
図３は、前記特許文献１に記載された従来のヒートシンク付き気密端子を示すものである。
【０００４】
図３において、鉄−ニッケル合金からなるベース１０１に貫通孔（図示せず。）およびコイニング１０２が形成されている。貫通孔（図示せず。）には鉄−ニッケル−コバルト合金（以下、コバールと称す）からなるリード１０３が挿通され封着ガラス（図示せず。）で気密絶縁に封着されている。また、半導体素子搭載面１０４を備えたヒートシンク１０５がベース１０１の主面１０６に、ろう材（図示せず。）を介して接着し気密端子１０７を構成している。
【０００５】
図４は、前記特許文献１に記載された従来のヒートシンク付き気密端子の製造方法を示す工程フローに沿った断面図である。図４において、図３と同じ構成の説明は省略する。１０８はダイ、１０９はポンチでありヒートシンク１０５に偏平成形を行う。
【０００６】
所定厚さの鉄・ニッケル合金の金属板を押し出しプレス後に打ち抜いたベース１０１と、適宜の長さに切断したリード１０３と、タブレット状に成形した封着ガラス（図示せず。）とを、グラファイト製の封着治具（図示せず。）を用いて所定の位置関係に組み立てた後、中性ないし弱還元性の雰囲気中で約９８０〜１０００℃に加熱して、封着ガラス（図示せず。）を溶融させて、リード１０３を気密絶縁に封着する（図４（ａ））。
【０００７】
ベース１０１の主面１０６に銅で形成したヒートシンク１０５をろう材（図示せず。）を介して中性ないし弱還元性の雰囲気中で約８００℃に加熱し接着する（図４（ｂ））。
【０００８】
ヒートシンク１０５は半導体素子（図示せず。）搭載位置Ｂ’よりも予めｌ’だけ後退した位置に接着されている。
【０００９】
ベース１０１を位置規制治具（図示せず。）に固定した後、ヒートシンク１０５に対して、ダイ１０８とポンチ１０９により偏平成形加工を行う（図４（ｃ）、図４（ｄ））。ダイ１０８が水平移動して所定位置に停止した後にポンチ１０９が水平移動してヒートシンク１０５を挟み込み押圧して、ヒートシンク１０５の半導体素子搭載面１０４を形成している。
【００１０】
【特許文献１ 】
特開平０２−１７４１７９号公報
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記従来の構成では、ベース１０１の主面１０６と接着しているヒートシンク１０５の半導体素子搭載面１０４の下端に段付きが形成される。また、大きなＲ形状が形成される場合もあり、半導体素子搭載面１０４を十分に確保することができない。これは、素子寸法が大きくなる高出力タイプの半導体素子を搭載する場合、ヒートシンク１０５の全高を高くする必要が生じるなど非常に不都合がある。また、例えば半導体素子（図示せず。）としてレーザーダイオードを用いる場合、半導体素子（図示せず。）の寸法が大きくなると、発光点がヒートシンク１０５の上方に移動せざるを得なくなり光学特性を設計し直す必要があるという課題を有していた。
【００１２】
本発明は、前記従来の課題を解決するもので、ヒートシンク１０５を大型化することなく半導体素子搭載面１０４の面積を十分確保し、高出力タイプの半導体素子を搭載することができるヒートシンク付き気密端子とその製造方法を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
前記従来の課題を解決するために、本発明のヒートシンク付き気密端子は、貫通孔とコイニング部とを有するベースと、ベースと一体になったヒートシンクと、貫通孔に挿通したリードと、ベースとリードとを封着ガラスを介して気密絶縁的に封着されたヒートシンク付き気密端子において、ベース主面に略直交状態でヒートシンクの半導体素子搭載面が形成され、半導体素子搭載面として形成された平坦面のベース側の下端部がベース主面上方０．１ｍｍ以下または前記ベース主面下方に形成され、ヒートシンクの半導体素子搭載面がコイニング内部に配置されたことを特徴とする。
【００１４】
その製造方法は、貫通孔とコイニング部とを有するベースと前記貫通孔に挿通されたリードとを封着ガラスを介して気密絶縁的に封着する工程と、前記ベース主面にヒートシンクを一体に設ける工程と、ポンチおよびダイによる扁平形成で前記ヒートシンクに前記ベース主面に略直交状態で半導体素子搭載面を設ける工程とを備えたヒートシンク付き気密端子の製造方法であって、前記半導体素子搭載面を成形する工程は、前記ヒートシンク端面を、予め前記コイニング寄りに設け、且つその一部を前記コイニング内部に配置し、前記ヒートシンク端面を押圧して、前記ベース主面上方０．１ｍｍ以下または前記ベース主面下方に形成することを特徴とする。
【００１５】
本構成によって、ヒートシンクを大型化することなく半導体素子搭載面の面積を十分確保し、高出力タイプの半導体素子を搭載することができるヒートシンク付き気密端子とその製造方法を提供することができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００１７】
（実施の形態）
図１（ａ）は、本発明の実施の形態におけるヒートシンク付き気密端子の断面図であり、図１（ｂ）および図１（ｃ）は図１（ａ）のＡ部拡大図である。
【００１８】
図１において、例えば鉄−ニッケル合金からなるベース１に貫通孔（図示せず。）およびコイニング２が形成されている。貫通孔（図示せず。）には例えば鉄−ニッケル−コバルト合金（以下、コバールと称す）からなるリード３が挿通され封着ガラス（図示せず。）で気密絶縁に封着されている。半導体素子搭載面４を備えたヒートシンク５がベース１の主面６に、ろう材（図示せず。）を介して接着し気密端子７を構成している。
【００１９】
このとき、実施例１はベース１の主面６から半導体素子搭載面４下端部までの距離ｗが０．１ｍｍ以下に略直交状態で、且つヒートシンク５の半導体素子搭載面４がコイニング２部内に配置されている。（図１（ｂ））。
【００２０】
実施例２は半導体素子搭載面４下端部がベース１の主面６下方に略直交状態で、且つヒートシンク５の半導体素子搭載面４がコイニング２部内に配置されている。（図１（ｃ））。これによれば、ヒートシンク５を大型化することなく半導体素子搭載面４の面積を十分確保することができる。また、従来レーザーダイオード（図示せず。）を搭載するときに必要としていたヒートシンク５を大型化することや発光点が変わり光学特性を設計し直すということが無くなる。
【００２１】
図２は、本発明の実施の形態におけるヒートシンク付き気密端子の製造工程フローに沿った断面図である。図２において、図１と同じ構成の説明は省略する。ヒートシンク５はダイ８およびポンチ９で偏平成形され半導体素子搭載面４を形成している。
【００２２】
気密端子７は、例えば、ベース１およびリード３に鉄−ニッケル−コバルト合金（以下、コバールと称する）を用い、ベース１とリード３とを封着する封着ガラス（図示せず。）に硬質ガラスを用いた整合タイプ、ベース１に低炭素鋼を用い、リード３に鉄−ニッケル合金を用い、ベースとリードとを封着する封着ガラス（図示せず。）に軟質ガラスを用いた圧縮タイプなど従来からある構成と同様であるので詳細な説明は省略する。
【００２３】
詳細な構成を下記に説明する。
【００２４】
所定厚さの鉄・ニッケル合金の金属板を押し出しプレスにより貫通孔（図示せず。）およびコイニング２とを形成したベース１と、適宜の長さに切断したリード３と、タブレット状に成形した封着ガラス（図示せず。）とを、グラファイト製の封着治具（図示せず。）を用いて所定の位置関係に組み立てた後、中性ないし弱還元性の雰囲気中で約９８０〜１０００℃に加熱して、封着ガラス（図示せず。）を溶融させて、リード３を気密絶縁に封着する（図２（ａ））。
【００２５】
ベース１の主面６に銅で形成したヒートシンク５をろう材（図示せず。）を介して中性ないし弱還元性の雰囲気中で約３００℃から８００℃に加熱し接着する（図２（ｂ））。
【００２６】
このとき、ヒートシンク５は半導体素子（図示せず。）搭載位置Ｂよりも予めｌだけ前進し、且つコイニング２部内に配置し接着している。
【００２７】
ベース１を位置規制治具（図示せず。）に固定した後、ヒートシンク５に対して、ダイ８が水平移動して所定の位置に停止した後にポンチ９が垂直移動した後、水平移動してヒートシンク５を挟み込み押圧して、ヒートシンク５の半導体素子搭載面４を所定位置に偏平成形加工を行う（図２（ｃ）、図２（ｄ））。
【００２８】
ポンチ９はヒートシンク５と接触し、且つ所定の面積を有したポンチ面１０とポンチ面１０を支持する支持部１１からなり、支持部１１がベース１と接触を防止するため、逃がし部１２が形成されている（図２（ｅ））。さらに、ヒートシンク５を挟み込むときにはその一部が主面６よりもコイニング２部内にポンチ面１０を位置している。これによれば、半導体素子搭載面４の下端に生じるＲは半導体素子（図示せず。）搭載に影響がでない０．１ｍｍ程度に抑えることができ、さらに半導体素子搭載面４の下端に形成されていた段付きの発生も無くすことが可能となり、半導体素子搭載面４の面積を十分に確保するものである。
【００２９】
なお、本実施の形態では、半導体素子搭載面４を形成するときに、ダイ８が水平移動した後にポンチ９を垂直移動させた後ポンチ９を水平移動したが、ダイ８とポンチ９を同時に移動させてもよく、さらに、半導体素子搭載面４を形成するときに、ポンチ９を垂直移動した後、水平移動し押圧したが、ベース１を垂直移動した後、ポンチ９を水平移動し押圧してもよい。
【００３０】
以上、本発明によるヒートシンク付き気密端子とその製造方法について説明したが、本発明の思想に逸脱しない限り適宜変更可能である。
【００３１】
【発明の効果】
以上のように、本発明のヒートシンク付き気密端子およびその製造方法によれば、ヒートシンク５を大型化することなく半導体素子搭載面４の面積を十分確保することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）本発明の実施の形態におけるヒートシンク付き気密端子の断面図
（ｂ）本発明の実施の形態における実施例１の図１（ａ）のＡ部拡大断面図
（ｃ）本発明の実施の形態における実施例２の図１（ａ）のＡ部拡大断面図
【図２】（ａ）（ｂ）（ｃ）本発明の実施の形態におけるヒートシンク付き気密端子の製造工程フローに沿った断面図
（ｄ）偏平成形加工工程の拡大断面図
（ｅ）ポンチ斜視図
【図３】従来のヒートシンク付き気密端子を示した断面図
【図４】（ａ）（ｂ）（ｃ）従来のヒートシンク付き気密端子の製造工程フローに沿った断面図
（ｄ）偏平成形加工工程の拡大断面図
【符号の説明】
１ ベース
２ コイニング
３ リード
４ 半導体素子搭載面
５ ヒートシンク
６ 主面
７ 気密端子
８ ダイ
９ ポンチ
１０ ポンチ面
１１ 支持部
１２ 逃がし部
１０１ ベース
１０２ コイニング
１０３ リード
１０４ 半導体素子搭載面
１０５ ヒートシンク
１０６ 主面
１０７ 気密端子
１０８ ダイ
１０９ ポンチ
Claims (3)
- 貫通孔とコイニング部とを有するベースと、前記ベースと一体になったヒートシンクと、前記貫通孔に挿通したリードと、前記ベースと前記リードとを封着ガラスを介して気密絶縁的に封着されたヒートシンク付き気密端子において、前記ベース主面に略直交状態で前記ヒートシンクの半導体素子搭載面が形成され、前記半導体素子搭載面として形成された平坦面の前記ベース側の下端部が前記ベース主面上方０．１ｍｍ以下または前記ベース主面下方に形成され、前記ヒートシンクの半導体素子搭載面が前記コイニング内部に配置されたことを特徴とするヒートシンク付き気密端子。
- 貫通孔とコイニング部とを有するベースと前記貫通孔に挿通されたリードとを封着ガラスを介して気密絶縁的に封着する工程と、前記ベース主面にヒートシンクを一体に設ける工程と、ポンチおよびダイによる扁平形成で前記ヒートシンクに前記ベース主面に略直交状態で半導体素子搭載面を設ける工程とを備えたヒートシンク付き気密端子の製造方法であって、前記半導体素子搭載面を成形する工程は、前記ヒートシンク端面を、予め前記コイニング寄りに設け、且つその一部を前記コイニング内部に配置し、前記ヒートシンク端面を押圧して、前記半導体素子搭載面として形成された平坦面の前記ベース側の下端部が、前記ベース主面上方０．１ｍｍ以下または前記ベース主面下方に形成することを特徴とするヒートシンク付き気密端子の製造方法。
- 前記ポンチが前記ベース主面に対して垂直方向移動し垂直位置合わせした後、または前記ベースを前記ポンチ方向へ垂直方向移動し垂直位置合わせした後、前記ポンチが前記ベース主面に対して水平方向移動することにより、前記ヒートシンクに半導体素子搭載面を形成することを特徴とする請求項２に記載のヒートシンク付き気密端子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003155066A JP4367009B2 (ja) | 2003-05-30 | 2003-05-30 | ヒートシンク付き気密端子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003155066A JP4367009B2 (ja) | 2003-05-30 | 2003-05-30 | ヒートシンク付き気密端子およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004356545A JP2004356545A (ja) | 2004-12-16 |
| JP4367009B2 true JP4367009B2 (ja) | 2009-11-18 |
Family
ID=34049549
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003155066A Expired - Fee Related JP4367009B2 (ja) | 2003-05-30 | 2003-05-30 | ヒートシンク付き気密端子およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4367009B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4926458B2 (ja) * | 2005-11-17 | 2012-05-09 | 新光電気工業株式会社 | 光半導体素子用ステムの製造方法 |
| JP2007142129A (ja) * | 2005-11-18 | 2007-06-07 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 光半導体素子用ステム及びその製造方法 |
| JP2011146744A (ja) * | 2011-04-14 | 2011-07-28 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 光半導体素子用ステム |
-
2003
- 2003-05-30 JP JP2003155066A patent/JP4367009B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2004356545A (ja) | 2004-12-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5437915A (en) | Semiconductor leadframe and its production method and plastic encapsulated semiconductor device | |
| US5886397A (en) | Crushable bead on lead finger side surface to improve moldability | |
| JP3596388B2 (ja) | 半導体装置 | |
| US8198108B2 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing the same | |
| US10910326B2 (en) | Semiconductor package | |
| US6707073B1 (en) | Semiconductor laser device with press-formed base and heat sink | |
| CN108847571B (zh) | 半导体激光装置 | |
| JP2007184501A (ja) | 外部に露出する放熱体を上部に有する樹脂封止型半導体装置及びその製法 | |
| JP4917296B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP4367009B2 (ja) | ヒートシンク付き気密端子およびその製造方法 | |
| US20070147005A1 (en) | Heat sink board and manufacturing method thereof | |
| JP3616698B2 (ja) | ヒートシンク付きステムの製造方法 | |
| JP4556732B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2001077262A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2004266188A (ja) | 半導体装置用パッケージとその製造方法およびそれを用いた半導体装置 | |
| JPH05166979A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP7481245B2 (ja) | 半導体パッケージ用ステム及びその製造方法、半導体パッケージ | |
| JP2007053261A (ja) | 電子部品用パッケージとその製造方法 | |
| JP2845203B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP3513295B2 (ja) | 気密端子用ステム | |
| GB2322966A (en) | Lead frame with crushable bead on lead terminals | |
| JPH1140715A (ja) | 半導体素子用冷却装置およびその製造方法 | |
| JP2006319256A (ja) | 光半導体装置用気密端子 | |
| JPH0727177U (ja) | ヒートシンク | |
| JP2796178B2 (ja) | 電子部品用ガラス端子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051118 |
|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20051213 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070529 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081125 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090126 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090224 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090414 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090609 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090710 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090804 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090817 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120904 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130904 Year of fee payment: 4 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |