JP5864260B2 - 半導体用パッケージ - Google Patents

半導体用パッケージ Download PDF

Info

Publication number
JP5864260B2
JP5864260B2 JP2011541918A JP2011541918A JP5864260B2 JP 5864260 B2 JP5864260 B2 JP 5864260B2 JP 2011541918 A JP2011541918 A JP 2011541918A JP 2011541918 A JP2011541918 A JP 2011541918A JP 5864260 B2 JP5864260 B2 JP 5864260B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
element holding
semiconductor
package
holding member
resin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2011541918A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2011062148A1 (ja
Inventor
達彦 坂井
達彦 坂井
清美 中村
清美 中村
泰夫 松見
泰夫 松見
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Chemical Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Chemical Co Ltd filed Critical Sumitomo Chemical Co Ltd
Priority to JP2011541918A priority Critical patent/JP5864260B2/ja
Publication of JPWO2011062148A1 publication Critical patent/JPWO2011062148A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5864260B2 publication Critical patent/JP5864260B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58Optical field-shaping elements
    • H01L33/60Reflective elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers
    • H01L33/486Containers adapted for surface mounting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64Heat extraction or cooling elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Description

本発明は、LED等の発光素子、照度センサー、CMOSやCCD等のイメージセンサー素子等の半導体素子を搭載して封止樹脂や接着剤等で封止する半導体用パッケージに関する。特に、放熱対策用に半導体素子を搭載保持させる金属製の素子保持部材の周囲を樹脂で囲んだパッケージであり、半導体素子を搭載保持させた空間を封止する際に、固化する前の液状の封止樹脂や接着剤等がパッケージの裏面側に浸出することを妨げることが可能な半導体素子用のパッケージ、或いは、これらの半導体素子用のパッケージをプリント基板や放熱性の良い実装基板に半田付けで実装する際に半田付けの際のフラックスや、洗浄の際の溶剤が半導体素子用のパッケージ内部に侵入するのを妨げることが可能な半導体用パッケージに関するものである。また、別の本発明は、半導体素子を搭載するヒートシンク機能を備えた放熱形リードフレームが樹脂と一体にした際に樹脂との密着性を向上させる放熱形リードフレームに関するものである。
半導体素子の一種である発光ダイオード(Light Emitting Diode:「LED」と称する)装置は、例えば、白熱電球に比べて、消費電力が少なく、発熱の少ないことから、所謂「省エネ」家電の一つとして注目を集めている照明装置であり、通常の照明器具の他に液晶ディスプレイのバックライトとして用いられている。発熱は白熱電球に比べて遙かに少ないが、高出力(高輝度)タイプのLED素子では大電流が流れるため、無視できないレベルの発熱・温度上昇が生じる場合がある。
このため、本出願人は、放熱性を向上させ、尚且つ、厚さが薄いLED装置用パッケージを既に提案している(特許文献1参照)。このLED装置用パッケージは、LED素子の保持領域を含むLED保持面と、このLED保持面の周囲を囲む枠部材とを備え、LED保持面と枠部材とで構成される素子保持空間を光透過性樹脂で封止するLED装置のパッケージであり、LED保持面には、LED素子を保持するカップ状部材と、リード部と、これらカップ状部材とリード部とを仕切る絶縁区画部とが表出されているものである。
特に、このLED装置用パッケージは、放熱性を向上させるために、カップ状部材の底板部の裏面が絶縁区画部の裏面と面一にLED装置のパッケージの裏面側に表出させることにより、冷却用の外部の放熱部材・ヒートシンクやプリント基板の導電体部をLED装置の裏面に密着させることにより、良好な放熱効果を得ることができる。
また、他の半導体素子としては、CMOSやCCD等のイメージセンサーについても、駆動中では少ないなりに熱が発生し、熱に起因するノイズが増加する場合があった。このため、イメージセンサーを搭載するパッケージについても放熱機構が重要となる場合があった。
特開2009−224411号公報
ところで、このLEDやイメージセンサー用のパッケージを用いてLED装置やイメージセンサー装置を作製する工程においては、半導体素子を保持する素子保持部材上に半導体素子を実装する工程、実装した半導体素子とリード部とのワイヤボンディング工程においてパッケージ構造体が加熱されるため、半導体素子を保持する金属製の放熱用の素子保持部材と絶縁区画部との境界面に隙間が生じて、後続の素子保持空間及び半導体周囲を光透過性樹脂又は不透過性樹脂で封止する工程の際に、固化前の液状の封止樹脂がパッケージの裏面側に浸出して裏面側で固化するとバリとなる問題が生じる場合があった。
特に、放熱性を向上させるために、素子保持部材の底板部の裏面を放熱面として絶縁区画部の裏面と面一に半導体素子装置のパッケージの裏面側に表出させたものにおいては、パッケージ裏面側へ浸出した液状の封止樹脂が固化すると裏面側の放熱面周囲にバリが形成され、半導体素子装置自体の放熱効果を著しく阻害するおそれがあった。
一方、リードフレームにおいては、樹脂と結合させる場合には、金属製のリードフレームと樹脂との密着性を向上させることが重要である。例えば、リードフレームに半導体素子を搭載して樹脂で封止する場合には、リードフレームと樹脂との密着性が悪いと経時的に水蒸気や酸素や他のガスが封止樹脂内部の半導体素子にまでに達し、半導体素子に悪影響を及ぼす場合があった。
本発明は、LED等の半導体素子を保持する領域を封止する封止樹脂がパッケージの裏面側に浸出することを防ぐことを目的とする。また、別の発明は半導体素子を搭載して樹脂と一体にした際に樹脂との密着性を向上させることのできる放熱形リードフレームを得ることを目的とする。
請求項1に記載された発明に係る半導体用パッケージは、半導体素子の保持領域を含む半導体素子保持面と、該半導体素子保持面の周囲を囲む枠部材とを備え、前記半導体素子保持面と前記枠部材とで構成される素子保持空間を光透過性樹脂又は不透過性樹脂で封止した半導体装置を構成するためのパッケージであって、
前記半導体素子保持面に、半導体素子とワイヤボンディングにより電気的に接続されるリード部と、半導体素子を表面側に保持し前記半導体素子からの熱を裏面側で放熱する素子保持部材と、前記リード部と素子保持部材とを絶縁樹脂で仕切る絶縁区画部とが表出された半導体用パッケージにおいて、
前記素子保持部材と絶縁区画部との境界面のうち、半導体素子を保持する表面からパッケージ裏面に至るまでの沿面経路が複数回の曲折経路を含むことを特徴とするものである。
請求項2に記載された発明に係る半導体用パッケージは、請求項1に記載の沿面経路が3回以上の曲折経路を含むことを特徴とするものである。
請求項3に記載された発明に係る半導体用パッケージは、請求項1又は2に記載の曲折経路の一つが、表面の前記絶縁区画部から素子保持部材との境界面を覆うように素子保持部材の周縁部内側に伸延されたオーバーラップ部により形成されていることを特徴とするものである。
請求項4に記載された発明に係る半導体用パッケージは、請求項1〜3の何れか1項に記載の曲折経路が、前記素子保持部材の縁部の曲折部により形成されていることを特徴とするものである。
請求項5に記載された発明に係る半導体用パッケージは、請求項1〜3の何れか1項に記載の素子保持部材の縁部のノッチ部により形成されていることを特徴とするものである。
請求項6に記載された発明に係る半導体用パッケージは、請求項1〜3の何れか1項に記載の素子保持部材の縁部の段差部により形成されていることを特徴とするものである。
請求項7に記載された発明に係る半導体用パッケージは、請求項6に記載の段差部が、前記素子保持部材のプレスによるコイニング加工により形成されたものであることを特徴とするものである。
請求項8に記載された発明に係る半導体用パッケージは、請求項1〜7の何れか1項に記載の半導体素子が発光ダイオード、照度センサー、CMOSイメージセンサー、CCDイメージセンサーから選ばれたものであることを特徴とするものである。
請求項9に記載された発明に係るリードフレームは、半導体素子を表面側に保持し前記半導体素子からの熱を裏面側で放熱する素子保持部材と、
該素子保持部材の外方に1つ以上配された、前記半導体素子とワイヤボンディングにより電気的に接続されるリード部と、
前記素子保持部材とリード部材の外方に配されたフープ枠材と、
前記素子保持部材又はリード部とフープ枠材とを連結する連結片とを備えたリードフレームにおいて、
前記素子保持部材の連結片以外の周縁部に曲折部、ノッチ部、段差部の何れか1つ以上が形成されていることを特徴とするものである。
本発明は、半導体素子を保持する領域を封止する封止樹脂が少なくとも固化前に液体状態でパッケージの裏面側に浸出してバリとなることを防ぐという効果がある。また、別の発明は、半導体素子を搭載するヒートシンク機能を備えた放熱形リードフレームが樹脂と一体にした際に樹脂との密着性を向上させることができるという効果がある。
カップ状の素子保持部材による本発明の半導体用パッケージの沿面経路中の曲折経路の具体例を示す断面図であり、a図はオーバーラップ部によるもの、b図はノッチ部によるもの、c図及びd図は曲折部によるもの、e図及びf図は段差部によるものである。 リード部よりも厚さが厚い異形材による素子保持部材による本発明の半導体用パッケージの沿面経路中の曲折経路の具体例を示す断面図であり、a図はオーバーラップ部によるもの、b図はノッチ部によるもの、c図及びd図は曲折部によるもの、e図及びf図は段差部によるものである。 本発明の半導体用パッケージの一実施例の構成を示す説明図であり、a図は平面図、b図は側面図、c図はA−A断面図、d図は正面図、e図はB−B断面図、f図は背面図、g図は斜視図である。 本発明の半導体用パッケージの別の実施例の構成を示す説明図であり、a図は平面図、b図は側面図、c図はA−A断面図、d図は正面図、e図はB−B断面図、f図は背面図、g図は斜視図である。 本発明の半導体用パッケージの更に別の実施例の構成を示す説明図であり、a図は平面図、b図は側面図、c図はB−B断面図及びその一部拡大図、d図は正面図、e図はA−A断面図及びその一部拡大図、f図は底面図である。 図5の金属部材の構成を示すリードフレームの説明図であり、a図はリードフレームが並設されたフープ材の平面図、b図はA内に示すフープ材から切り離したリードフレームの平面図、c図はB−B断面図及びその一部拡大図、d図はC−C断面図及びその一部拡大図である。 図3に示す半導体用パッケージでの浸透試験の結果を模式的に示す説明図である。 図3に示す半導体用パッケージでの浸透試験の結果を模式的に示す説明図である。
本発明においては、半導体素子の保持領域を含む半導体素子保持面に、半導体素子とワイヤボンディングにより電気的に接続されるリード部と、半導体素子を表面側に保持し前記半導体素子からの熱を裏面側で放熱する素子保持部材と、前記リード部と素子保持部材とを絶縁樹脂で仕切る絶縁区画部とが表出された半導体用パッケージにおいて、前記素子保持部材と絶縁区画部との境界面のうち、半導体素子を保持する表面からパッケージ裏面に至るまでの沿面経路が複数回の曲折経路を含むことを特徴とするものであるため、封止樹脂が少なくとも固化前に液体状態でパッケージの裏面側に浸出してバリとなることを防ぐ。
本発明の半導体用パッケージとしては、半導体素子の保持領域を含む半導体素子保持面と、該半導体素子保持面の周囲を囲む枠部材とを備え、前記半導体素子保持面と前記枠部材とで構成される素子保持空間を光透過性樹脂又は不透過性樹脂で封止した半導体装置を構成するためのパッケージであり、光透過性樹脂又は不透過性樹脂で封止される素子保持空間の底面を構成する半導体素子保持面には、半導体素子とワイヤボンディングにより電気的に接続されるリード部と、半導体素子を表面側に保持し前記半導体素子からの熱を裏面側で放熱する素子保持部材と、これらリード部と素子保持部材とを絶縁樹脂で仕切る絶縁区画部とが表出される。
このため、半導体素子の搭載に際して、半導体素子の素子保持部材への実装と半導体素子とリード部とのワイヤボンディングとの少なくとも2回の加熱・冷却工程によって、素子保持部材及びリード部と絶縁区画部とに温度サイクルを経たことによる隙間が形成されるおそれがあり、この隙間に固化する前の液状の封止樹脂が入り込むことになり、製品の外観に多大な影響を与えるだけでなく、種々の悪影響を与えることになる。また、このような作用は、リフローによる半田付けや洗浄作業においても同様である。
例えば、放熱性を向上させるために、半導体素子を保持する素子保持部材の底板部の裏面が絶縁区画部の裏面と面一に表出された半導体用パッケージでは、固化する前の液状の封止樹脂がパッケージの裏面側に浸出した後で固化して素子保持部材の底面部の裏面の一部又は全部を覆うことにより、外部の放熱部材・ヒートシンクやプリント基板の導電体部を半導体パッケージの裏面に密着させたり半田付けさせることができなくなり、放熱効果を著しく阻害するおそれがあった。また、リード部では液状の封止樹脂が半導体用パッケージの外方にまで浸出して固化し、配線時に固化した封止樹脂が邪魔となり、充分な結線強度が得られない、又は断線となるおそれもあった。また、プリント基板等に実装した際に、実装角度が変化し、発光や受光角度が変化する虞もあった。
本発明の素子保持部材としては、平板状の金属板(フープ材)の一部を絞り加工等してカップ状に加工したカップ状部材や、異形材の一部の厚みを厚くした部分をヒートシンクとして利用した厚板部材が挙げられる。しかしながら異形材は、板厚の一部を削って作製される場合が多いため、縁部の加工が行い難い欠点があるため、平板状の金属板(フープ材)の一部を絞り加工等してカップ状に加工したカップ状部材が応用性が高くコストも低く、量産性に優れる。
本発明では、素子保持部材と絶縁区画部との境界面が、半導体素子を保持する表面からパッケージ裏面に至るまでの沿面経路が複数回の曲折経路を含むことにより、表面から裏面に至る沿面経路が長くなり曲折点も増加し、液状の封止樹脂の表面から裏面への浸出が良好に阻害される。本発明での複数回の曲折経路としては、例えば、曲折経路の一つが、表面の絶縁区画部から素子保持部材との境界面を覆うように素子保持部材の周縁部内側に伸延されたオーバーラップ部により形成されているものが挙げられる。また、例えば、階段状に折り曲げた部分経路、半導体素子を保持する表面からパッケージ裏面に至るまでの沿面経路を遮るように素子保持部材の周縁部に形成された溝状の部分経路、或いはU字状の部分経路を含むものであるのもよい。
具体的には、オーバーラップ部の素子保持部材の周縁部からの厚みや素子保持部材の周縁部内側に延伸された長さについては、LED装置の大きさに応じて定められればよい。尚、厚い方がオーバーラップ部の形成が容易であり、長い方が封止樹脂の浸出を良好に阻害することは言うまでもない。
このオーバーラップ部を、絶縁区画部から素子保持部材との境界面を覆うように形成することにより、素子保持部材の周縁部を回り込むU字状の部分経路が形成されることになる。このため、パッケージを製造する金型にオーバーラップ部となる凹部を施すだけで大量に生産可能となり、封止樹脂がパッケージの裏面側に浸出することを防ぐことができる。
他の部分経路としては、パッケージにおける曲折経路を、素子保持部材の周囲の曲折部により形成したものが挙げられる。この素子保持部材の周囲の曲折部によって、曲折部を回り込むU字状の部分経路が形成されることになる。このため、液状の封止樹脂がパッケージの裏面側に浸出することを防ぐことができる。更に、この曲折部によって素子保持部材の強度が増加する利点も挙げられる。強度が増加することは、素子保持部材と樹脂との機械的な安定性も改善され、それらの間に隙間が生じ難くなり、封止樹脂の浸出、フラックスや溶剤の侵入防止が更に改善される。また、当然のことながら、素子保持部材の強度が増加することは、パッケージそのものの強度も増加する効果もある。
また、他の好ましい態様としては、パッケージにおける曲折経路を、素子保持部材の縁部のノッチ部により形成したものが挙げられる。具体的なノッチ部としては、半導体素子を保持する表面からパッケージ裏面に至るまでの沿面経路を遮るように素子保持部材の周縁部に形成されればよい。この素子保持部材の縁部のノッチ部によって、液状の封止樹脂は浸出する方向への移動が容易に行えなくなるため、液状の封止樹脂がパッケージの裏面側に浸出することを防ぐことができる。更に、このノッチ部によって素子保持部材と絶縁樹脂との機械的な安定性も改善され、それらの間に隙間が生じ難くなり、封止樹脂の浸出、フラックスや溶剤の侵入防止が更に改善される。また、当然のことながら、素子保持部材と絶縁樹脂との強度が増加することは、パッケージそのものの強度も増加する効果もある。
尚、ノッチ部の幅及び深さとしては、使用する素子保持部材や絶縁樹脂の物性によって変化する。しかしながら、少なくともノッチ溝内に絶縁樹脂が入り込むことにより、表面からパッケージ裏面に至るまでの沿面経路の長さを伸長させ、尚且つ、ノッチ溝内に入り込んだ絶縁樹脂によって素子保持部材の周縁部に平行な移動を確実に阻害する幅及び溝深さとする。ノッチ部の形成はプレス加工、レーザ加工等で刻設させても良く、プレス加工によるものが最も容易に形成することができ、量産に向く。また、断面形状もV字状、U字状、凹状等が選択されるが、プレス加工によるものであればV字やU字状が加工が容易である。
更に、他の好ましい態様としては、パッケージにおける曲折経路を、素子保持部材の縁部の段差部により形成したものが挙げられる。この素子保持部材の周囲の段差部によって、液状の封止樹脂は浸出する方向を略直角に曲げなければならなくなるため、液状の封止樹脂がパッケージの裏面側に浸出することを防ぐことができる。また、この段差部によって素子保持部材の強度が増加する利点も挙げられる。強度が増加することは、素子保持部材と樹脂との機械的な安定性も改善され、それらの間に隙間が生じ難くなり、封止樹脂の浸出、フラックスや溶剤の侵入防止が更に改善される。また、当然のことながら、素子保持部材の強度が増加することは、パッケージそのものの強度も増加する効果もある。
この曲折部及び段差部の曲折経路の数等については、曲折経路の数に応じて封止樹脂の浸出を良好に阻害することは言うまでもない。好ましくは、沿面経路に3回以上の曲折経路が含まれるものが、表面から裏面に至る沿面経路が長くなり曲折点も増加するだけでなく、強度的にも良好となり、絶縁樹脂との密着性も向上する。例えば、表面から裏面に至る経路中に、U字状の曲折部や略直角に折れた段差部を含むものが強度的にも良好であり、絶縁樹脂が素子保持部材の両側から挟み込む構造となるため、樹脂との密着性が向上し、構造的にも安定する。
素子保持部材の縁部に形成される段差部は、種々の加工技術により加工可能であるが、好ましくはプレスによるコイニング加工により形成される。このコイニング加工では、フープ材を用いて、連続して素子保持部材及びリード部のフォーミング成型の際に該工程の前後にコイニング加工することが可能となり、連続して成型することが可能となる。
尚、本発明の半導体用パッケージにおいては、前述の絶縁区画部からカップ状部材との境界面を覆うようにカップ状部材の周縁部内側に伸延されたオーバーラップ部と、カップ状部材の周囲に形成された曲折部との両者を同時に行うことを阻害するものではない。また、本発明の半導体用パッケージにおいては、リード部においても、表面から裏面に至る経路を曲折させる工夫を行うことを阻害するものではない。
より具体的な例として、図1はカップ状の素子保持部材による本発明の半導体用パッケージの沿面経路中の曲折経路の具体例を示す断面図であり、図2はリード部よりも厚さが厚い異形材による素子保持部材による本発明の半導体用パッケージの沿面経路中の曲折経路の具体例を示す断面図である。各々の図において、a図はオーバーラップ部によるもの、b図はノッチ部によるもの、c図及びd図は曲折部によるもの、e図及びf図は段差部によるものである。
図1及び図2のa図に示す通り、両者の素子保持部材はカップ状部材1Aと厚板部材1Bとの相違はあるが、パッケージaA,aBにおける半導体素子を保持する表面からパッケージ裏面に至るまでの沿面経路のうち、曲折経路の一つが、表面の絶縁区画部から素子保持部材との境界面を覆うように素子保持部材の周縁部内側に伸延されたオーバーラップ部2A,2Bにより形成されている。従って、図1及び図2のa図での曲折経路は各図に示す通り、3回の曲折経路を含んでいる。
図1及び図2のb図に示す通り、両者の素子保持部材はカップ状部材1Aと厚板部材1Bとの相違はあるが、パッケージbA,bBにおける半導体素子を保持する表面からパッケージ裏面に至るまでの沿面経路のうち、曲折経路の一つが、表面の絶縁区画部から素子保持部材との境界面を覆うように素子保持部材の周縁部内側に伸延されたオーバーラップ部2A,2Bにより形成され、素子保持部材の縁部には表裏2箇所にV字溝状のノッチ部3A,3Bが形成されている。表裏2箇所のノッチ部3A,3Bは対向する位置ではなく、互いにずれた位置に刻設されている。ノッチ部3A,3BはV字状の断面形状であるため、図1及び図2のb図での曲折経路は各図に示す通り、9回の曲折経路を含んでいる。
図1及び図2のc図及びd図に示す通り、パッケージcA、dA、cB、dBにおける素子保持部材は各々カップ状部材1Aと厚板部材1Bとの相違はあるが、両者の素子保持部材の縁部には曲折部4A,4Bが形成されている。また、c図とd図とではa図と同様のオーバラップ部2A,2Bが形成されているか否かの差違である。これにより、半導体素子を保持する表面からパッケージ裏面に至るまでの沿面経路が、図1と図2のc図では5回、d図では4回の曲折経路を含んでいる。
図1及び図2のe図及びf図に示す通り、パッケージeA、fA、eB、fBにおける素子保持部材は各々カップ状部材1Aと厚板部材1Bとの相違はあるが、両者の素子保持部材の縁部には段差部5A,5Bが形成されている。また、e図とf図とではa図と同様のオーバラップ部2A,2Bが形成されているか否かの差違である。これにより、半導体素子を保持する表面からパッケージ裏面に至るまでの沿面経路が、図1と図2のe図では7回、f図では6回の曲折経路を含んでいる。
実施例1(オーバーラップ部形成パッケージ)
図3は本発明の半導体用パッケージの一実施例の構成を示す説明図であり、a図は平面図、b図は側面図、c図はA−A断面図、d図は正面図、e図はB−B断面図、f図は背面図、g図は斜視図である。
本実施例のパッケージ20は、LED素子を保持する素子保持領域21と、素子保持領域21の周囲を囲む枠部材22とで構成される素子保持空間23を光透過性樹脂で封止するLED装置に用いるものである。具体的には、素子保持領域21は、LED素子(図示せず)と電気的に接続されるリード部24と、LED素子を表面に熱伝導的に接触させるカップ状部材26とが、絶縁樹脂による絶縁区画部25を介して表出されている。
リード部24とカップ状部材26とは、各図に示す通り、板厚が0.2mmの金属板から連続して打ち抜き形成されている。長方形のカップ状部材26は1枚、リード部24はカップ状部材26を挟んで3枚ずつ対向して配置された合計6枚である。
本実施例のパッケージ20は、1つ以上のLED素子(図示せず)を保持する素子保持領域21と、素子保持領域21の周囲を囲む枠部材22とで構成される素子保持空間23を光透過性樹脂で封止するLED装置に用いるものである。カップ状部材26は、LED素子に熱伝導的に接触する底板部27と、底板部27の周囲を囲む立ち上がり縁部28とが絞り加工によって形成されている。
立ち上がり縁部28は底板部27の全周縁に環状に形成され、この立ち上がり縁部28の外縁部には、水平縁部29が形成されている。また、素子保持領域21の裏面は、カップ状部材26の底板部27の裏面が絶縁樹脂による絶縁区画部25の裏面と面一に表出されている。
本実施例のパッケージ20では、c図の拡大図に示す通り、絶縁区画部25からカップ状部材26との境界面を覆うようにカップ状部材26の周縁部内側に伸延された絶縁樹脂によるオーバーラップ部30が水平縁部29上に形成されている。このオーバーラップ部30により、金属製のカップ状部材26と絶縁樹脂製の絶縁区画部25との境界面についてU字状の部分経路が形成されることとなり、素子保持空間23を光透過性樹脂で封止する場合においても、表面から裏面に至る光透過性樹脂の浸出が良好に阻害される。
尚、このパッケージ20は1つのカップ状部材26に3つのLED素子を搭載し、各LED素子の電極とリード部24とをワイヤで電気的に接続し、素子保持空間23を光透過性樹脂で封止した後又はその前に金属板から切り離されて、LED装置となる。
実施例2(曲折部形成パッケージ)
図4は本発明の半導体用パッケージの別の実施例の構成を示す説明図であり、a図は平面図、b図は側面図、c図はA−A断面図、d図は正面図、e図はB−B断面図、f図は背面図、g図は斜視図である。
別の実施例のパッケージ40は、実施例1と同様に、LED素子を保持する素子保持領域41と、素子保持領域41の周囲を囲む枠部材42とで構成される素子保持空間43を光透過性樹脂で封止するLED装置に用いるものである。具体的には、素子保持領域41は、LED素子(図示せず)と電気的に接続されるリード部44と、LED素子を表面に熱伝導的に接触させるカップ状部材46とが、絶縁樹脂による絶縁区画部45を介して表出されている。
リード部44とカップ状部材46とは、各図に示す通り、板厚が0.2mmの金属板から連続して打ち抜き形成されている。長方形のカップ状部材46は1枚、リード部44はカップ状部材46を挟んで3枚ずつ対向して配置された合計6枚である。
本実施例のパッケージ40は、1つ以上のLED素子(図示せず)を保持する素子保持領域41と、素子保持領域41の周囲を囲む枠部材42とで構成される素子保持空間43を光透過性樹脂で封止するLED装置に用いるものである。カップ状部材46は、LED素子に熱伝導的に接触する底板部47と、底板部47の周囲を囲む立ち上がり縁部48とが絞り加工によって形成されている。
立ち上がり縁部48は底板部47の全周縁に環状に形成され、この立ち上がり縁部48の外縁部には、水平縁部49が形成されている。また、素子保持領域41の裏面は、カップ状部材46の底板部47の裏面が絶縁樹脂による絶縁区画部45の裏面と面一に表出されている。
本実施例のパッケージ40では、c図の拡大図に示す通り、絶縁区画部45からカップ状部材46との境界面を覆うようにカップ状部材46の周縁部内側に伸延された絶縁樹脂によるオーバーラップ部50が形成され、更に、カップ状部材46の水平縁部49の更に外縁が下方に曲折された曲折部51が形成されている。このオーバーラップ部50及び曲折部51により、金属製のカップ状部材46と絶縁樹脂製の絶縁区画部45との境界面について、各々U字状の部分経路が形成されることとなり、素子保持空間43を光透過性樹脂で封止する場合においても、表面から裏面に至る光透過性樹脂の浸出が良好に阻害される。
尚、本実施例ではオーバーラップ部50と曲折部51とを形成したものを開示したが、曲折部51のみを形成したものであっても、素子保持空間43を光透過性樹脂で封止する場合においても、表面から裏面に至る光透過性樹脂の浸出が良好に阻害される。
また、素子保持領域41の裏面は、カップ状部材46の底板部47の裏面が絶縁樹脂による絶縁区画部45の裏面と面一に表出されている。尚、このパッケージ40は1つのカップ状部材46に3つのLED素子を搭載し、各LED素子の電極とリード部44とをワイヤで電気的に接続し、素子保持空間43を光透過性樹脂で封止した後又はその前に金属板から切り離されて、LED装置となる。
実施例3(プレス形成パッケージ)
図5は本発明の半導体用パッケージの更に別の実施例の構成を示す説明図であり、a図は平面図、b図は側面図、c図はB−B断面図及びその一部拡大図、d図は正面図、e図はA−A断面図及びその一部拡大図、f図は底面図である。図6は図5の金属部材の構成を示すリードフレームの説明図であり、a図はリードフレームが並設されたフープ材の平面図、b図はA内に示すフープ材から切り離したリードフレームの平面図、c図はB−B断面図及びその一部拡大図、d図はC−C断面図及びその一部拡大図である。
図5に示す通り、別の実施例のパッケージ60は、実施例1及び実施例2と同様に、LED素子を保持する素子保持領域61と、素子保持領域61の周囲を囲む枠部材62とで構成される素子保持空間63を光透過性樹脂で封止するLED装置に用いるものである。具体的には、素子保持領域61は、LED素子(図示せず)と電気的に接続されるリード部64と、LED素子を表面に熱伝導的に接触させるカップ状部材66とが、絶縁樹脂による絶縁区画部65を介して表出されている。
リード部64とカップ状部材66とは、各図に示す通り、板厚が0.2mmの金属板から連続して打ち抜き形成されている。長方形のカップ状部材66は1枚、リード部64はカップ状部材66を挟んで対向して配置された合計6枚である。
本実施例のパッケージ60は、1つ以上のLED素子(図示せず)を保持する素子保持領域61と、素子保持領域61の周囲を囲む枠部材62とで構成される素子保持空間63を光透過性樹脂で封止するLED装置に用いるものである。カップ状部材66は、LED素子に熱伝導的に接触する底板部67と、底板部67の周囲を囲む立ち上がり縁部68とが絞り加工によって形成されている。
立ち上がり縁部68は底板部67の全周縁に環状に形成され、この立ち上がり縁部68の外縁部には、水平縁部69が形成されている。また、素子保持領域61の裏面は、カップ状部材66の底板部67の裏面が絶縁樹脂による絶縁区画部65の裏面と面一に表出されている。
本実施例のパッケージ60では、c図及びe図の拡大図に具体的に示す通り、絶縁区画部65からカップ状部材66の周縁部が厚さ方向にずれたように段差部71が形成されている。この段差部71は、種々の加工技術により加工可能であるが、凹凸のついた上下1対の型でカップ状部材66の周縁部をプレスするコイニング加工により形成されている。この段差部71はフープ枠材76(図6)に連結する2つの連結片77以外のカップ状部材66の周囲に形成されている。この段差部71により金属製のカップ状部材66と絶縁樹脂製の絶縁区画部65との境界面について、7回の曲折経路が形成されることとなる。素子保持空間63を光透過性樹脂で封止する場合においても、表面から裏面に至る光透過性樹脂の浸出が良好に阻害される。また、カップ状部材66の段差部71の内側や連結片77の表裏や、リード部の表裏にノッチ部73がプレス形成されており、これによってもカップ状部材66と絶縁樹脂との機械的な安定性も更に改善される。
図6に示す通り、段差部71はフープ材74からリード部64及びカップ状部材66の切り出し加工、絞り加工、曲げ加工等のプレス加工を行って連続してリードフレーム75の連続体をフープ材74に作製することが可能となる。これらのプレス加工の工程の一部にコイニング加工でフープ枠材76に連結する連結片77以外のカップ状部材66の周囲に段差部71を順次加工することが可能となり、大量生産に向く。また、この段差部71及びノッチ部73により、半導体素子を搭載するヒートシンク機能を備えたカップ状部材66が樹脂と一体にした際に樹脂との密着性が向上する利点がある。
また、素子保持領域61の裏面は、カップ状部材66の底板部67の裏面が絶縁樹脂による絶縁区画部65の裏面と面一に表出されている。尚、このパッケージ60は1つのカップ状部材66に1つ以上のLED素子を搭載し、各LED素子の電極と6つのリード部64とをワイヤで電気的に接続し、素子保持空間63を光透過性樹脂で封止した後又はその前に金属板から切り離されて、LED装置となる。
実施例4(浸透試験)
図7及び図8は図3に示す半導体用パッケージでの浸透試験の結果を模式的に示す説明図である。即ち、実施例1の半導体用パッケージについて浸透試験を行い、裏面側の状況を観察した。図7及び図8はオーバーラップ部30を形成していない曲折経路が2回の半導体用パッケージ(A)と、オーバーラップ部30を形成した曲折経路が3回の半導体用パッケージ(B)とでのパッケージ裏面側の経時変化を示したものである。
具体的には、図7のa図は開始直後、b図は10秒後、c図は1分後、図8のd図は10分後、e図は20分後、f図は60分後の状態を示したものである。尚、パッケージ(A)とパッケージ(B)とは、オーバーラップ部30を形成したか否かの相違だけである。
図7及び図8に示す通り、素子保持空間23内に浸透液(レッドチェック液)を滴下した後の時間経過による裏面側の状態について、パッケージ(A)では浸透液を注入した後、10秒後には裏面の左側のカップ状部材26と絶縁樹脂による絶縁区画部25との境界部から浸透液81が浸出したことが確認され、時間を経る毎に浸出が大きくなってきた。
一方、パッケージ(B)では、浸透液を注入した後、60分後には絶縁区画部25自体がカップ状部材26の境界領域82がうっすら赤色に色づいたが、このような状況においても、裏面側のカップ状部材26と絶縁樹脂による絶縁区画部25との境界部から浸透液が浸出したことは確認されなかった。
尚、本実施例の浸透試験は曲折経路が2回及び3回のものを比較したが、他の曲折経路が3回を超えるものにおいては、本実施例以上に封止樹脂がパッケージの裏面側に浸出することを防止する効果がある。
素子保持空間から液状の封止樹脂が固化する前に裏面側へ浸出することを防止することができるため、製品の外観に影響を与えるだけでなく、特に放熱効果を奏するパッケージにおいて液状の封止樹脂のパッケージ裏面側への浸出を防いで放熱効果を確保することができる。
aA、bA、cA、dA、eA、fA…パッケージ、
aB、bB、cB、dB、eB、fB…パッケージ、
1A …カップ状部材(素子保持部材)、
1B…厚板部材(素子保持部材)、
2A、2B…オーバーラップ部、
3A、3B…ノッチ部、
4A、4B…曲折部、
5A、5B…段差部、
20、40、60…パッケージ、
21、41、61…素子保持領域、
22、42、62…枠部材、
23、43、63…素子保持空間、
24、44、64…リード部、
25、45、65…絶縁区画部、
26、46、66…カップ状部材(素子保持部材)、
27、47、67…底板部、
28、48、68…立ち上がり縁部、
29、49、69…水平縁部、
30、50 …オーバーラップ部、
51 …曲折部、
71…段差部、
73…ノッチ部、
74…フープ材、
75…リードフレーム、
76…フープ枠材、
77…連結片、
81 …浸透液、
82 …境界領域、

Claims (6)

  1. 半導体素子の保持領域を含む半導体素子保持面と、該半導体素子保持面の周囲を囲む枠部材とを備え、
    前記半導体素子保持面と前記枠部材とで構成される素子保持空間を光透過性樹脂又は不透過性樹脂で封止した半導体装置を構成するためのパッケージであって、
    前記半導体素子保持面に、
    半導体素子とワイヤボンディングにより電気的に接続される金属板製のリード部と、
    半導体素子を表面側に保持し前記半導体素子からの熱を裏面側で放熱する前記リード部と同じ金属板製の素子保持部材と、
    前記リード部と素子保持部材とを絶縁樹脂で仕切る絶縁区画部とが表出された半導体用パッケージにおいて、
    前記素子保持部材の底板部の裏面を放熱面として半導体素子装置のパッケージの裏面側に表出させ、
    前記素子保持部材と絶縁区画部との境界面のうち、半導体素子を保持する表面からパッケージ裏面に至るまでの沿面経路が3回以上の曲折経路を含ことを特徴とする半導体用パッケージ。
  2. 前記曲折経路が、表面の前記絶縁区画部から素子保持部材との境界面を覆うように素子保持部材の周縁部内側に伸延されたオーバーラップ部により形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体用パッケージ。
  3. 前記曲折経路が、前記素子保持部材の縁部の曲折部により形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体用パッケージ。
  4. 前記曲折経路が、前記素子保持部材の縁部のノッチ部により形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体用パッケージ。
  5. 前記曲折経路が、前記素子保持部材の縁部の段差部により形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体用パッケージ。
  6. 前記半導体素子が発光ダイオード、照度センサー、CMOSイメージセンサー、CCDイメージセンサーから選ばれたものであることを特徴とする請求項1〜の何れか1項に記載の半導体用パッケージ。
JP2011541918A 2009-11-19 2010-11-16 半導体用パッケージ Expired - Fee Related JP5864260B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011541918A JP5864260B2 (ja) 2009-11-19 2010-11-16 半導体用パッケージ

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009263887 2009-11-19
JP2009263887 2009-11-19
PCT/JP2010/070332 WO2011062148A1 (ja) 2009-11-19 2010-11-16 半導体用パッケージ及び放熱形リードフレーム
JP2011541918A JP5864260B2 (ja) 2009-11-19 2010-11-16 半導体用パッケージ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2011062148A1 JPWO2011062148A1 (ja) 2013-04-04
JP5864260B2 true JP5864260B2 (ja) 2016-02-17

Family

ID=44059626

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011541918A Expired - Fee Related JP5864260B2 (ja) 2009-11-19 2010-11-16 半導体用パッケージ

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8704346B2 (ja)
JP (1) JP5864260B2 (ja)
KR (1) KR101760535B1 (ja)
CN (1) CN102714267B (ja)
TW (1) TWI523163B (ja)
WO (1) WO2011062148A1 (ja)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6078948B2 (ja) * 2012-01-20 2017-02-15 日亜化学工業株式会社 発光装置用パッケージ成形体及びそれを用いた発光装置
JP5988782B2 (ja) * 2012-09-04 2016-09-07 パナソニック デバイスSunx竜野株式会社 Ledパッケージ及びled発光素子
JP2015038917A (ja) * 2013-03-28 2015-02-26 大日本印刷株式会社 リードフレーム、樹脂付きリードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体
CN105514255B (zh) * 2015-12-31 2018-04-17 东莞市翔光光电科技有限公司 沉板式散热led支架
US20200404803A1 (en) * 2017-12-14 2020-12-24 Autonetworks Technologies, Ltd. Circuit assembly and electrical junction box
WO2023017649A1 (ja) 2021-08-11 2023-02-16 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 半導体装置のパッケージ及び放熱型のリードフレーム
JP2023082632A (ja) * 2021-12-02 2023-06-14 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001185763A (ja) * 1999-12-27 2001-07-06 Toshiba Electronic Engineering Corp 光半導体パッケージ
JP2002252373A (ja) * 2001-02-26 2002-09-06 Nichia Chem Ind Ltd 表面実装型発光素子およびそれを用いた発光装置
JP2004521506A (ja) * 2001-04-10 2004-07-15 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 放射線を発する構成素子に用いられる導体フレームおよびハウジング、放射線を発する構成素子ならびに該構成素子を製造するための方法
JP2004274027A (ja) * 2003-02-18 2004-09-30 Sharp Corp 半導体発光装置、その製造方法および電子撮像装置
JP2005353914A (ja) * 2004-06-11 2005-12-22 Toshiba Corp 半導体発光装置及びその製造方法並びに半導体発光ユニット
JP2006093470A (ja) * 2004-09-24 2006-04-06 Toshiba Corp リードフレーム、発光装置、発光装置の製造方法
JP2006287073A (ja) * 2005-04-04 2006-10-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP2008041950A (ja) * 2006-08-07 2008-02-21 Hitachi Cable Ltd 発光ダイオードパッケージ用プリモールド部品及びその製造方法、並びに発光ダイオードパッケージ
JP2008078500A (ja) * 2006-09-22 2008-04-03 Toshiba Corp 光半導体装置及び光半導体装置の製造方法
JP2008512867A (ja) * 2004-09-10 2008-04-24 ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド 多重モールド樹脂を有する発光ダイオードパッケージ
JP2008182242A (ja) * 2007-01-24 2008-08-07 Cree Inc 固体発光デバイス用のリード・フレーム・ベースのパッケージと固体発光デバイス用のリード・フレーム・ベースのパッケージを形成する方法
JP2009071269A (ja) * 2007-09-17 2009-04-02 Yiguang Electronic Ind Co Ltd 発光ダイオード装置
JP2009176962A (ja) * 2008-01-24 2009-08-06 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4830768B2 (ja) * 2006-05-10 2011-12-07 日亜化学工業株式会社 半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法
JP5057707B2 (ja) * 2006-06-16 2012-10-24 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2008060344A (ja) * 2006-08-31 2008-03-13 Toshiba Corp 半導体発光装置
KR100815227B1 (ko) * 2006-10-20 2008-03-19 삼성전기주식회사 표면실장형 발광 다이오드 소자
JP4525804B2 (ja) * 2007-11-16 2010-08-18 オムロン株式会社 光半導体パッケージおよびこれを備えた光電センサ

Patent Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001185763A (ja) * 1999-12-27 2001-07-06 Toshiba Electronic Engineering Corp 光半導体パッケージ
JP2002252373A (ja) * 2001-02-26 2002-09-06 Nichia Chem Ind Ltd 表面実装型発光素子およびそれを用いた発光装置
JP2004521506A (ja) * 2001-04-10 2004-07-15 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 放射線を発する構成素子に用いられる導体フレームおよびハウジング、放射線を発する構成素子ならびに該構成素子を製造するための方法
JP2004274027A (ja) * 2003-02-18 2004-09-30 Sharp Corp 半導体発光装置、その製造方法および電子撮像装置
JP2005353914A (ja) * 2004-06-11 2005-12-22 Toshiba Corp 半導体発光装置及びその製造方法並びに半導体発光ユニット
JP2008512867A (ja) * 2004-09-10 2008-04-24 ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド 多重モールド樹脂を有する発光ダイオードパッケージ
JP2006093470A (ja) * 2004-09-24 2006-04-06 Toshiba Corp リードフレーム、発光装置、発光装置の製造方法
JP2006287073A (ja) * 2005-04-04 2006-10-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP2008041950A (ja) * 2006-08-07 2008-02-21 Hitachi Cable Ltd 発光ダイオードパッケージ用プリモールド部品及びその製造方法、並びに発光ダイオードパッケージ
JP2008078500A (ja) * 2006-09-22 2008-04-03 Toshiba Corp 光半導体装置及び光半導体装置の製造方法
JP2008182242A (ja) * 2007-01-24 2008-08-07 Cree Inc 固体発光デバイス用のリード・フレーム・ベースのパッケージと固体発光デバイス用のリード・フレーム・ベースのパッケージを形成する方法
JP2009071269A (ja) * 2007-09-17 2009-04-02 Yiguang Electronic Ind Co Ltd 発光ダイオード装置
JP2009176962A (ja) * 2008-01-24 2009-08-06 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置

Also Published As

Publication number Publication date
US8704346B2 (en) 2014-04-22
TWI523163B (zh) 2016-02-21
WO2011062148A1 (ja) 2011-05-26
US20120280375A1 (en) 2012-11-08
KR101760535B1 (ko) 2017-07-21
CN102714267A (zh) 2012-10-03
KR20120123251A (ko) 2012-11-08
CN102714267B (zh) 2015-05-20
JPWO2011062148A1 (ja) 2013-04-04
TW201145470A (en) 2011-12-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5864260B2 (ja) 半導体用パッケージ
JP3910144B2 (ja) 半導体発光装置およびその製造方法
JP2005294736A (ja) 半導体発光装置の製造方法
JP2010003743A (ja) 発光装置
JP5207671B2 (ja) 半導体発光装置用パッケージおよび半導体発光装置
JP2006508537A (ja) オプトエレクトロニクス素子
JP2007180227A (ja) 光半導体装置およびその製造方法
JP2007329516A (ja) 半導体発光装置
JP4910220B1 (ja) Ledモジュール装置及びその製造方法
JP2018525826A (ja) レーザ部品およびその製造方法
JP5847644B2 (ja) 光源一体型光センサの製造方法
JP2004311857A (ja) 半導体発光装置およびその製造方法
JP5862572B2 (ja) 発光装置と、回路基板の製造方法
JP2006156462A (ja) 表面実装型発光ダイオード
JP2006261242A (ja) リードフレームおよびそれを用いた光半導体装置
JP2006066725A (ja) 放熱構造を備える半導体装置及びその組立方法
JP2017098212A (ja) 灯具及びその製造方法
JP2007311640A (ja) 反射型発光ダイオード
WO2009139453A1 (ja) Ledパッケージ、リードフレーム及びその製造法
JP2006165138A (ja) 表面実装型led
JP2007067452A (ja) 半導体発光装置
JP2007208061A (ja) 半導体発光素子,その製造方法,半導体発光素子アセンブリ
JPWO2010095482A1 (ja) 電子部品用基板、発光装置および電子部品用基板の製造方法
JP7481245B2 (ja) 半導体パッケージ用ステム及びその製造方法、半導体パッケージ
JP4408931B2 (ja) 半導体発光装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20130919

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140618

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140811

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150128

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150318

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150812

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20151009

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20151026

TRDD Decision of grant or rejection written
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20151026

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20151202

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20151224

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5864260

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees