JP2004311857A - 半導体発光装置およびその製造方法 - Google Patents

半導体発光装置およびその製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】放熱性能が良好で、フレームに施しためっきの剥がれや割れが防止でき、フレームの切断や樹脂の割れが生じ難く、安価かつ高効率に製造できる半導体発光装置とその製造方法を提供すること。
【解決手段】リードフレーム１を折り曲げて、発光素子搭載部１ａと、端子部ｂと、屈曲部１ｃと、底面部ｄとを形成した後、リードフレーム１に樹脂３を固定する。リードフレームの発光素子搭載部１ａにＬＥＤチップ２を搭載すると共に、ＬＥＤチップ２と端子部１ｂとを金線で接続する。リードフレームの屈曲部１ｃを樹脂３の内部に配置するので、発光素子搭載部１ａから、実装基板に接続される底面部ｄの発光素子搭載部１ａに近い位置Ｘまでの距離が従来よりも短縮できて、ＬＥＤチップ２の発光時の熱を高効率に実装基板に伝達できる。
【選択図】 図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体発光装置およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体発光装置としては、図５に示すように、ＬＥＤチップ１０２を搭載したリードフレーム１０１の一部に樹脂１０３を固定したＬＥＤ装置がある（例えば特許文献１参照）。このＬＥＤ装置は、図６のフロー図で示すようにして製造する。すなわち、所定パターンを有するリードフレーム１０１を形成し（Ｓ１０１）、このリードフレーム１０１に、Ａｇ（銀）等によるフレームめっきを施す（Ｓ１０２）。続いて、インサート成型により、形状がフラットである上記リードフレーム１０１に、樹脂１０３を一体に形成して固定する（Ｓ１０３）。この樹脂１０３は、概略直方体をなすと共に表面に凹部を備え、この凹部内に上記リードフレームの発光素子搭載部１０１ａが露出するように形成する。また、この樹脂１０３の側面から上記リードフレーム１０１の端部が突出するように形成する。そして、上記樹脂１０３の凹部内に露出したリードフレームの発光素子搭載部１０１ａに、ＬＥＤチップ１０２をＡｇペースト１０５によってダイボンド（ＤＢ）する。これによって、上記ＬＥＤチップ１０２の一方の電極を、リードフレームの発光素子搭載部１０１ａに電気的かつ機械的に接続する。また、ＬＥＤチップ１０２の他方の電極を、リードフレームの端子部１０１ｂに、金線１０６によってワイヤボンド（ＷＢ）する（Ｓ１０４）。そして、上記樹脂１０３の凹部内に、溶融したエポキシ樹脂を注型する。これによって、上記発光素子搭載部１０１ａに搭載されたＬＥＤチップ１０２をエポキシ樹脂１０８で封止する（Ｓ１０５）。続いて、上記リードフレーム１０１について、上記樹脂１０３の側面から突出している部分に、Ｓｎ等によるリードめっきを施す（Ｓ１０６）。このリードめっきを施すのは、ステップＳ１０２において施されたＡｇめっきに錆等が生じて、この錆等でリードフレーム１０１への半田付けが阻害されるという不都合を回避するためである。以下、このようにめっきの上に更にめっきを行なうことを「２色めっき」と呼ぶ。そして、上記リードフレーム１０１の上記樹脂１０３の側面から突出している部分について、不用部分をカットして適切な長さにし（Ｓ１０７）、この後、上記樹脂１０３の側面および底面に沿うように折り曲げる（Ｓ１０８）。これによって、実装基板に接続するための接続端子部１０１ｄが形成されて、ＬＥＤ装置が完成する。このＬＥＤ装置の完成品を検査した（Ｓ１０９）後、出荷する。
【０００３】
【特許文献１】
実開平０２−１０１５５９号公報（第３図）
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の半導体発光装置は、以下のような問題がある。
【０００５】
▲１▼上記リードフレーム１０１の上記樹脂１０３の側面から突出した部分を、上記樹脂１０３の側面および底面に沿うように折り曲げるので、このリードフレームは、上記発光素子搭載部１０１ａと、上記実装基板に接続される接続端子部１０１ｄのうちの上記発光素子搭載部１０１ａに最も近い位置Ａとの間の距離が比較的長くなる。したがって、上記ＬＥＤチップの発光時の熱が、上記リードフレーム１０１によって発光素子搭載部１０１ａから実装基板に伝達する効率が比較的低い。つまり、この半導体発光装置は放熱性能が比較的悪い。
【０００６】
▲２▼上記リードフレーム１０１の上記樹脂１０３の側面から突出した部分を、上記樹脂１０３の側面および底面に沿うように折り曲げるので、このリードフレームが大型になる。したがって、材料からのリードフレームの取り数が比較的少なくて、半導体発光装置の製造コストが比較的大きく、また、半導体発光装置の製造効率が比較的低い。
【０００７】
▲３▼上記リードフレーム１０１の上記樹脂１０３から突出した部分を、リードめっきをした後、折り曲げるので、折り曲げストレスによって、上記リードめっきの剥がれや割れが生じる。また、上記樹脂１０３の割れが生じる。
【０００８】
▲４▼上記リードフレーム１０１の折り曲げは金型を用いて行うが、リードフレーム１０１と樹脂１０３とのインサート成型の仕上り精度によって、上記金型によるリードフレーム１０１の折り曲げ位置が、正規の折り曲げ位置からずれる場合がある。その結果、リードフレーム１０１の切断や、樹脂１０３の割れが生じる虞がある。
【０００９】
そこで、本発明の目的は、半導体発光素子を良好な効率で放熱でき、製造コストが削減できると共に製造効率が向上でき、フレームに施しためっきの剥がれや割れが防止でき、また、フレームの切断や樹脂の割れが生じ難い半導体発光装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の半導体発光装置は、フレームと、このフレームに搭載された半導体発光素子と、上記フレームに固定されていると共に上記半導体発光素子を囲む面を有する樹脂とを備える半導体発光装置において、
上記フレームは、上記半導体発光素子を搭載すると共に上記半導体発光素子の一方の電極が接続される発光素子搭載部と、上記半導体発光素子の他方の電極が接続される端子部と、上記発光素子搭載部および端子部に連なると共に、上記半導体発光素子から遠い側に屈曲する屈曲部とを有し、この屈曲部が上記樹脂の内部に配置されていることを特徴としている。
【００１１】
上記構成によれば、上記フレームの上記発光素子搭載部および端子部に連なる屈曲部は、上記発光素子搭載部に搭載された半導体発光素子から遠い側に屈曲すると共に、上記樹脂の内部に配置されているので、このフレームは、上記発光素子搭載部および端子部から、上記屈曲部に連なる部分であって例えば実装基板に接続される部分のうちの上記発光素子搭載部に最も近い位置までの距離が、従来の半導体発光装置のフレームにおけるよりも短い。したがって、上記半導体発光素子の発光時の熱が、上記フレームを介して半導体発光装置の外側に、従来よりも良好な効率で伝達されて放熱される。その結果、この半導体発光装置は、従来よりも良好な放熱性能が得られる。
【００１２】
また、上記フレームの上記発光素子搭載部および端子部に連なる屈曲部は、上記発光素子搭載部に搭載された半導体発光素子から遠い側に屈曲すると共に、上記樹脂の内部に配置されているので、このフレームは、従来の半導体発光装置のフレームよりも小型になる。したがって、材料からのフレームの取り数が比較的多くなって、半導体発光装置の製造コストが削減できて、半導体発光装置の製造効率が向上できる。
【００１３】
１実施形態の半導体発光装置は、上記樹脂は、白色の熱可塑性樹脂である。
【００１４】
上記実施形態によれば、上記樹脂は白色であるので、この樹脂の上記半導体発光素子を囲む面によって、上記半導体発光素子からの光が良好な効率で反射される。また、上記樹脂は、熱可塑性樹脂であるので、例えばインサート成型によって比較的容易に、上記フレームの屈曲部を内部に配置するように形成される。したがって、高輝度発光の半導体発光装置が比較的容易に製造できる。
【００１５】
１実施形態の半導体発光装置は、上記樹脂の上記半導体発光素子を囲む面は、逆円錐台の側面の形状をなしている。
【００１６】
上記実施形態によれば、上記樹脂の上記半導体発光素子を囲む面は、逆円錐台の側面の形状をなすので、この半導体発光素子を囲む面によって、上記半導体発光素子からの光が、比較的小さい断面積をなして半導体発光装置の外側に出射される。したがって、高輝度発光の半導体発光装置が得られる。
【００１７】
１実施形態の半導体発光装置は、上記樹脂の上記半導体発光素子を囲む面は、逆四角錐台の側面の形状をなしている。
【００１８】
上記実施形態によれば、上記樹脂の上記半導体発光素子を囲む面は、逆四角錐台の側面の形状をなすので、この半導体発光素子を囲む面によって、上記半導体発光素子からの光が、比較的大きい断面積をなして半導体発光装置の外側に出射される。したがって、発光面積が比較的大きい半導体発光装置が得られる。
【００１９】
１実施形態の半導体発光装置は、上記フレームは、上記屈曲部に連なると共に、上記樹脂の底面に沿って形成された底面部を有する。
【００２０】
上記実施形態によれば、上記フレームは、上記屈曲部に連なると共に、上記樹脂の底面に沿って形成された底面部を有するので、この底面部を介して、例えば実装基板に接続される。
【００２１】
１実施形態の半導体発光装置は、上記フレームは、上記底面部に連なると共に、上記樹脂の側面に沿って形成された側面部を有する。
【００２２】
上記実施形態によれば、上記フレームは、上記底面部に連なると共に、上記樹脂の側面に沿って形成された側面部を有するので、この側面部を介して、例えば実装基板に接続される。
【００２３】
１実施形態の半導体発光装置は、上記フレームに、複数の上記発光素子を搭載している。
【００２４】
上記実施形態によれば、上記フレームに複数の上記発光素子が搭載され、発光時に比較的大量の熱が生じる場合においても、この大量の熱が上記フレームを介して良好な効率で半導体発光装置の外側に放熱される。したがって、温度上昇が比較的小さい半導体発光装置が得られる。
【００２５】
１実施形態の半導体発光装置は、上記フレームの底面部および側面部のいずれか一方または両方に、Ａｇめっき上にＳｎＢｉめっきを施すか、またはパラジウムめっきを施している。
【００２６】
上記実施形態によれば、上記フレームの底面部および側面部のいずれか一方または両方には、Ａｇめっき上にＳｎＢｉめっきを施すか、またはパラジウムめっきを施しているので、錆等が効果的に防止されて、例えば実装基板に接続するための接続端子部として安定して機能できる。
【００２７】
本発明の半導体発光装置の製造方法は、フレームに、半導体発光素子を搭載すると共に上記半導体発光素子の一方の電極が接続される発光素子搭載部と、上記半導体発光素子の他方の電極が接続される端子部と、上記発光素子搭載部および端子部に連なると共に上記半導体発光素子を搭載する側から遠い側に屈曲する屈曲部とを形成する工程と、
上記フレームに樹脂を固定して、上記フレームの屈曲部を上記樹脂の内部に配置する工程と
を備えることを特徴としている。
【００２８】
上記構成によれば、上記フレームに、発光素子搭載部、端子部および屈曲部を形成し、この後、上記フレームに樹脂を固定する。したがって、上記フレームに樹脂を固定した後に、上記フレームを折り曲げることが無い。その結果、従来におけるようなフレームに樹脂を固定した後にフレームを折り曲げることによって、フレームが切断したり、フレームと樹脂との間に隙間が生じたり、樹脂が割れたりする不都合が、効果的に防止される。
【００２９】
１実施形態の半導体発光装置の製造方法によれば、フレームに、半導体発光素子を搭載すると共に上記半導体発光素子の一方の電極が接続される発光素子搭載部と、上記半導体発光素子の他方の電極が接続される端子部と、上記発光素子搭載部および端子部に連なると共に上記半導体発光素子を搭載する側から遠い側に屈曲する屈曲部とを形成する工程の後であって、上記フレームに樹脂を固定して、上記フレームの屈曲部を上記樹脂の内部に配置する工程の前に、上記フレームの屈曲部に連なる部分にめっきを施す工程を備える。
【００３０】
上記実施形態によれば、上記フレームに、発光素子搭載部、端子部および屈曲部を形成した後であって、上記フレームの屈曲部が上記樹脂の内部に配置されるように上記フレームに樹脂を固定する前に、上記フレームの屈曲部に連なる部分にめっきを施すので、このめっきを施した後にフレームを折り曲げることが無い。その結果、上記フレームの屈曲部に連なる部分に施しためっきの割れや剥がれが、効果的に防止される。
【００３１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図示の実施の形態により詳細に説明する。
【００３２】
図１は、本発明の第１実施形態の半導体発光装置を示す概略断面図である。この半導体発光装置は、表面実装型ＬＥＤ装置である。
【００３３】
この表面実装型ＬＥＤ装置は、フレームとしてのリードフレーム１と、このリードフレーム１に搭載された半導体発光素子としてのＬＥＤチップ２と、上記リードフレーム１に固定された樹脂３とを備える。この樹脂３は、概略直方体をなし、上記ＬＥＤ２を囲む面３ａを有する凹部が表面に設けられている。
【００３４】
上記リードフレーム１は、熱伝導性が比較的高いＣｕ（銅）で形成している。このリードフレーム１は発光素子搭載部１ａを有し、この発光素子搭載部１ａに上記ＬＥＤチップ２がＡｇペースト５によってダイボンドされている。これによって、上記ＬＥＤチップ２の一方の電極が、リードフレーム１の発光素子搭載部１ａに電気的かつ機械的に接続されている。また、上記ＬＥＤチップ２の他方の電極が、金線６によってリードフレーム１の端子部１ｂにワイヤボンドされている。上記リードフレーム１は、上記発光素子搭載部１ａおよび端子部１ｂに連なると共に、上記ＬＥＤチップ２が搭載された側と反対側に屈曲した屈曲部１ｃを有し、この屈曲部１ｃは、上記発光素子搭載部１ａに対して略直角をなしている。この屈曲部１ｃは、上記樹脂３の内部に配置されている。さらに、上記リードフレーム１は、上記屈曲部１ｃに連なる底面部１ｄを有し、この底面部１ｄは上記屈曲部１ｃに対して略直角をなすと共に、上記樹脂３の底面に沿って形成されている。この底面部１ｄは、ＳｎやＳｎ３．０Ｂｉ（Ｓｎ（すず）が９７．０％、Ｂｉ（ビスマス）が３．０％の比率で構成される共晶はんだ）等によるリードめっきが施されており、実装基板に接続するための接続端子部として機能するように形成されている。
【００３５】
上記樹脂３は、白色の液晶ポリマー樹脂からなる。上記樹脂３の上記ＬＥＤ２を囲む面３ａは逆円錐台の側面の形状をなし、このＬＥＤ２を囲む面３ａを有する凹部内に、透明のエポキシ樹脂８を配置して、ＬＥＤチップ２を封止している。上記樹脂３は、白色であるので、上記ＬＥＤチップ２からの光を上記面３ａで高効率に反射して、高輝度発光のＬＥＤ装置が形成できる。
【００３６】
図２は、上記ＬＥＤ装置の製造方法を示したフロー図である。
【００３７】
まず、エッチングで所定パターンを形成して、リードフレーム１を形成する（Ｓ１）。続いて、リードフレーム１を折り曲げて、発光素子搭載部１ａ、端子部１ｂ、屈曲部１ｃおよび底面部１ｄを形成する（Ｓ２）。このリードフレーム１の折り曲げは、金型を用いて行なう。そして、この折り曲げたリードフレーム１に、ＬＥＤチップおよび金線をボンディング可能にするため、Ａｇ等によるフレームめっきを施す（Ｓ３）。この後、インサート成型によって、上記リードフレーム１に樹脂３を固定する（Ｓ４）。このとき、樹脂３の表面側に、側面３ａが逆円錐台の側面をなす凹部を形成し、この凹部の底面に、上記リードフレーム１の発光素子搭載部１ａおよび端子部１ｂを露出させる。また、上記リードフレーム１の上記屈曲部１ｃが樹脂３の内部に配置されるように、また、上記リードフレーム１の底面部１ｄが樹脂３の底面に沿うように形成する。そして、上記樹脂３の凹部内に露出したリードフレームの発光素子搭載部１ａに、ＬＥＤチップ２をＡｇペースト５によってダイボンド（ＤＢ）して、上記ＬＥＤチップ２の一方の電極を、リードフレームの発光素子搭載部１ａに電気的かつ機械的に接続する。また、ＬＥＤチップ２の他方の電極を、リードフレームの端子部１ｂに、金線６によってワイヤボンド（ＷＢ）する（Ｓ５）。続いて、上記樹脂３の凹部内に、溶融したエポキシ樹脂をポッティング方式によって注型し、エポキシ樹脂８でＬＥＤチップ２を封止する（Ｓ６）。続いて、上記樹脂３の底面に沿って露出しているリードフレーム１の底面部１ｄに、ＳｎやＳｎ３．０Ｂｉ等によるリードめっきを施す（Ｓ７）。このリードめっきは、ステップＳ３で施したＡｇによるフレームめっきの防錆のためである。そして、リードフレーム１の不用部分をカットして、ＬＥＤ装置が完成する（Ｓ９）。このＬＥＤ装置の完成品を検査した（Ｓ１０）後、出荷する。
【００３８】
なお、上記ＬＥＤチップ２を封止する樹脂はエポキシ樹脂に限定されるものではなく、光に対して透明で、できれば光による劣化の小さいものであればよい。また、効果収縮が小さい等の性質を有してＬＥＤチップ２に応力がかかり難く、金線６等のワイヤの断線や発光効率の低下が発生しない樹脂が好ましい。
【００３９】
このＬＥＤ装置の製造方法において、上記リードフレーム１を折り曲げて発光素子搭載部１ａ、端子部１ｂ、屈曲部１ｃおよび底面部１ｄを形成した（Ｓ２）後、樹脂３を固定している（Ｓ４）。つまり、リードフレーム１に樹脂３を固定した後の工程では、リードフレーム１を折り曲げない。したがって、従来におけるようなフレームに樹脂を固定した後にフレームを折り曲げることがないので、リードフレームが切断したり、フレームと樹脂との間に隙間が生じたり、樹脂が割れたりする不都合が、確実に防止できる。また、上記リードフレーム１を折り曲げた（Ｓ２）後に、Ａｇ等によるフレームめっきを施し（Ｓ３）、また、ＳｎやＳｎ３．０Ｂｉ等によるリードめっきを施す（Ｓ７）。したがって、従来におけるように、フレームめっきおよびリードめっきを施した後にリードフレームを折り曲げることがない。その結果、リードフレーム１に施しためっきに割れや剥がれが生じることが、確実に防止できる。特に、Ａｇに対する防錆性能は良いがもろい材料であるＳｎＢｉやパラジウムを、リードめっきに用いることができる。
【００４０】
上記リードフレーム１において上記屈曲部１ｃを設ける位置は、できるだけＬＥＤチップ２に近い位置が望ましいが、屈曲部が樹脂の凹部の下方に位置すると、樹脂の凹部内の表面に凹凸が生じて、ＬＥＤチップ２からの光の反射効率が低下する虞がある。したがって、上記屈曲部１ｃは樹脂３の凹部の下方以外の部分に位置するのが好ましい。また、リードフレームの端子部１ｂは、金線６をワイヤボンドする大きさが確保されていればよい。
【００４１】
また、上記ＬＥＤ装置は、上記リードフレーム１が、発光素子搭載部１ａおよび端子部１ｂと、この発光素子搭載部１ａおよび端子部１ｂに連なると共に、上記ＬＥＤチップ２の搭載側と反対側に屈曲する屈曲部ｃと、この屈曲部ｃに連なると共に樹脂３の底面に沿って形成された底面部１ｄとを有し、上記屈曲部ｃが樹脂３の内部に配置されている。したがって、上記リードフレーム１において、上記発光素子搭載部１ａから、上記底面部１ｄの上記発光素子搭載部１ａに最も近い位置Ｘとの間の距離が、従来よりも短くできる。その結果、上記ＬＥＤ素子２の発光時の熱が、上記リードフレーム１を介して、上記発光素子搭載部１ａから上記底面部１ｄまで迅速に伝達されて、この底面部１ｄが接続される実装基板に高効率に伝わる。したがって、このＬＥＤ装置は、良好な放熱性能が得られる。このＬＥＤ装置は、良好な放熱性能を有するので、例えば、発光色が赤色・緑色・青色のような異なる複数個のＬＥＤチップを搭載して、例えばフルカラー表示が可能な表示装置用のＬＥＤ装置を構成するのに好適である。上記複数個のＬＥＤチップは同一のリードフレームの発光素子搭載部に搭載してもよいが、夫々を別のリードフレームの発光素子搭載部に搭載してもよいことは言うまでもない。複数個のＬＥＤを同一のリードフレームの発光素子搭載部に搭載する場合、夫々を独立に駆動するには、夫々を異なる端子部に独立して接続すればよい。また、同じ発光色の複数のＬＥＤチップを搭載して、高輝度のＬＥＤ装置としてもよい。いずれの場合も、複数のＬＥＤチップを１つのパッケージの中に搭載するために発熱量が大きくなるが、この大量の熱を、上記リードフレーム１を介してＬＥＤ装置の外側に効率良く放熱できる。したがって、本発明の半導体発光装置を用いることによって、高信頼のフルカラー表示ＬＥＤ装置または高輝度ＬＥＤ装置が構成できる。
【００４２】
また、上記ＬＥＤ装置は、上記リードフレーム１が、発光素子搭載部１ａおよび端子部１ｂと、この発光素子搭載部１ａおよび端子部１ｂに連なると共に、上記ＬＥＤチップ２の搭載側と反対側に屈曲する屈曲部ｃと、この屈曲部ｃに連なると共に樹脂３の底面に沿って形成された底面部１ｄとを有し、上記屈曲部ｃを樹脂３の内部に配置している。したがって、上記リードフレーム１は、従来よりも短くできる。その結果、材料からのリードフレームの取り数が従来よりも多くなって、ＬＥＤ装置の製造コストが従来よりも削減できて、ＬＥＤ装置の製造効率が向上できる。
【００４３】
また、上記ＬＥＤ装置は、上記樹脂３の凹部が有する面３ａが逆円錐台の側面の形状をなすので、この面３ａによって上記ＬＥＤチップ２からの光を反射して、比較的小さい面積を有する高輝度の円形断面の光が出射できる。なお、上記樹脂の凹部の面は、逆四角錐台の側面をなしてもよい。これによって、ＬＥＤ装置が出射する光の断面積を比較的大きくできる。
【００４４】
本実施形態において、リードフレーム１は、良好な放熱性能を奏するためにＣｕで形成したが、放熱性能が比較的低くてもよい場合、Ｆｅで形成してもよい。Ｆｅでリードフレーム１を形成する場合、Ｃｕで形成した場合におけるようなエッチングによらずに、金型打ち抜きを用いたスタンピングによって所定形状を得ることができる。したがって、生産効率が向上できて製造コストが削減できる。
【００４５】
また、上記樹脂３として液晶ポリマー樹脂を用いた場合について説明したが、これに限らず、インサート成型が可能で、熱可塑性で、ＬＥＤチップからの光の反射率が比較的高い白色の樹脂であれば他の樹脂でもよい。実用的には、半田リフローに耐える樹脂である必要があり、液晶ポリマー以外であれば、例えば、ポリアミド系樹脂で形成してもよい。
【００４６】
また、上記エポキシ樹脂８は、透明であったが、乳白色であってもよい。また、上記エポキシ樹脂は、ポッティング方式によって形成したが、トランスファー成型、インジェクション成型等で形成してもよい。この場合、エポキシ樹脂を、例えばレンズ形状等の所定の形状に形成できる。
【００４７】
図３は、本発明の第２実施形態の半導体発光装置を示す概略断面図である。本実施形態において、図１に示した第１実施形態と同一の部分には同一の参照番号を付して、詳細な説明を省略する。
【００４８】
本実施形態のＬＥＤ装置は、リードフレーム１１が、発光素子搭載部１１ａ、端子部１１ｂ、屈曲部１１ｃおよび底面部１１ｄに加えて、この底面部１１ｄに連なる側面部１１ｅを有する点のみが、第１実施形態のＬＥＤ装置と異なる。上記側面部１１ｅは、上記底面部１１ｄに対して略直角をなすと共に、樹脂３の側面に沿って形成されている。この側面部１１ｅには、底面部１１ｄと同様にＳｎ，Ｓｎ３．０Ｂｉが施されて、実装基板に接続する端子として機能する。本実施形態のＬＥＤ装置は、リードフレーム１１が側面部１１ｅを有するので、実装基板等への実装時に、上記実装基板の被接続部と側面部１１ｅとの間のはんだ付けが、目視によって容易かつ確実に確認できる。また、リードフレームの底面部１１ｄに加えて、側面部１１ｅにはんだ付けを行なうことによって、ＬＥＤ装置の実装基板等への接続強度がさらに増大できる。また、本実施形態のＬＥＤ装置は、側面部１１ｅのみを介して実装基板等に接続することもできる。
【００４９】
本実施形態のＬＥＤ装置は、図２に示した第１実施形態のＬＥＤ装置の製造方法と同様の製造方法で製造できる。すなわち、図２のフロー図のステップＳ２において、リードフレーム１１を折り曲げて、発光素子搭載部１１ａ、端子部１１ｂ、屈曲部１１ｃ、底面部１１ｄおよび側面部ｅを形成する。その後、ステップＳ４において、樹脂３の側面に上記側面部１１ｅが沿うように樹脂３をインサート成型し、ステップＳ７において、底面部１１ｄと共に側面部１１ｅにリードめっきを施せばよい。
【００５０】
図４は、本発明の第３実施形態の半導体発光装置の製造方法を示したフロー図である。このＬＥＤ装置の製造方法は、第１実施形態のＬＥＤ装置と、第２実施形態のＬＥＤ装置のいずれにも適用可能である。
【００５１】
本実施形態のＬＥＤ装置の製造方法は、図２に示した第１実施形態のＬＥＤ装置の製造方法と、以下の点が異なる。すなわち、第１実施形態のＬＥＤ装置の製造方法において、リードフレーム１に樹脂３をインサート成型した（Ｓ４）後にリードフレームにリードめっきを施した（Ｓ７）のに対して、第３実施形態のＬＥＤ装置の製造方法では、リードフレーム１，１１に樹脂３をインサート成型する（Ｓ１４）前に、リードフレームにリードめっきを施す（Ｓ１３）。つまり、１つの工程で、リードフレームの発光素子搭載部１１ａおよび端子部１１ｂにはフレームめっきを施し、また、リードフレームの底面部１ｄ，１１ｄおよび側面部１１ｅにはリードめっきを施す。すなわち、Ａｇ等によるフレームめっきと、Ｓｎ，ＳｎＢｉ等によるリードめっきとの２色めっきを１つの工程で行なう。本発明の半導体発光装置の製造方法は、めっきを行なう工程Ｓ３，Ｓ７よりも前に、折り曲げる工程Ｓ２を備えるので、１つの工程で２色めっきが実行可能になっている。すなわち、めっきを行なう工程において、フレームめっきを施すべき発光素子搭載部１１ａおよび端子部１１ｂと、リードめっきを施すべき底面部１ｄ，１１ｄおよび側面部１１ｅとが同一面に位置しないので、フレームめっきとリードめっきとを１つの工程で実行できる。したがって、本実施形態のＬＥＤ装置の製造方法によれば、工程数を少なくできて、手間とコストを削減できる。また、上記ステップＳ１４において、２色めっきを行なわずに、リードフレーム１，１１にパラジウムめっきのみを施してフレームめっきとリードめっきとを兼用してもよい。
【００５２】
【発明の効果】
以上より明らかなように、本発明の半導体発光装置によれば、フレームと、このフレームに搭載された半導体発光素子と、上記フレームに固定されていると共に上記半導体発光素子を囲む面を有する樹脂とを備える半導体発光装置において、上記フレームは、上記半導体発光素子を搭載すると共に上記半導体発光素子の一方の電極が接続される発光素子搭載部と、上記半導体発光素子の他方の電極が接続される端子部と、上記発光素子搭載部および端子部に連なると共に、上記半導体発光素子から遠い側に屈曲する屈曲部とを有し、この屈曲部が上記樹脂の内部に配置されているので、上記フレームは、上記発光素子搭載部および端子部から、上記屈曲部に連なる部分であって例えば実装基板に接続される部分のうちの上記発光素子搭載部に最も近い位置までの距離が、従来の半導体発光装置のフレームにおけるよりも短いから、上記半導体発光素子の発光時の熱が、上記フレームを介して半導体発光装置の外側に、従来よりも良好な効率で伝達されて放熱でき、この結果、従来よりも良好な放熱性能を有する半導体発光装置が構成できる。
【００５３】
また、本発明の半導体発光装置の製造方法によれば、フレームに、半導体発光素子を搭載すると共に上記半導体発光素子の一方の電極が接続される発光素子搭載部と、上記半導体発光素子の他方の電極が接続される端子部と、上記発光素子搭載部および端子部に連なると共に上記半導体発光素子を搭載する側から遠い側に屈曲する屈曲部とを形成する工程と、上記フレームに樹脂を固定して、上記フレームの屈曲部を上記樹脂の内部に配置する工程とを備えるので、上記フレームに樹脂を固定した後に、上記フレームを折り曲げることが無いから、フレームの切断や、フレームと樹脂との間の隙間や、樹脂の割れが効果的に防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態の半導体発光装置を示す断面図である。
【図２】図１の半導体発光装置の製造方法をしめすフロー図である。
【図３】第２実施形態の半導体発光装置を示す断面図である。
【図４】第３実施形態の半導体発光装置の製造方法を示すフロー図である。
【図５】従来の半導体発光装置を示す断面図である。
【図６】従来の半導体発光装置の製造方法を示すフロー図である。
【符号の説明】
１ リードフレーム
１ａ 発光素子搭載部
１ｂ 端子部
１ｃ 屈曲部
１ｄ 底面部
２ ＬＥＤチップ
３ 樹脂
５ Ａｇペースト
６ 金線

Claims (8)

  1. フレームと、このフレームに搭載された半導体発光素子と、上記フレームに固定されていると共に上記半導体発光素子を囲む面を有する樹脂とを備える半導体発光装置において、
    上記フレームは、上記半導体発光素子を搭載すると共に上記半導体発光素子の一方の電極が接続される発光素子搭載部と、上記半導体発光素子の他方の電極が接続される端子部と、上記発光素子搭載部および端子部に連なると共に、上記半導体発光素子から遠い側に屈曲する屈曲部とを有し、この屈曲部が上記樹脂の内部に配置されていることを特徴とする半導体発光装置。
  2. 請求項１に記載の半導体発光装置において、
    上記樹脂は、白色の熱可塑性樹脂であることを特徴とする半導体発光装置。
  3. 請求項１に記載の半導体発光装置において、
    上記フレームは、上記屈曲部に連なると共に、上記樹脂の底面に沿って形成された底面部を有することを特徴とする半導体発光装置。
  4. 請求項３に記載の半導体発光装置において、
    上記フレームは、上記底面部に連なると共に、上記樹脂の側面に沿って形成された側面部を有することを特徴とする半導体発光装置。
  5. 請求項１に記載の半導体発光装置において、
    上記フレームに、複数の上記発光素子を搭載したことを特徴とする半導体発光装置。
  6. 請求項３または４に記載の半導体発光装置において、
    上記フレームの底面部および側面部のいずれか一方または両方に、Ａｇめっき上にＳｎＢｉめっきを施すか、またはパラジウムめっきを施したことを特徴とする半導体発光装置。
  7. フレームに、半導体発光素子を搭載すると共に上記半導体発光素子の一方の電極が接続される発光素子搭載部と、上記半導体発光素子の他方の電極が接続される端子部と、上記発光素子搭載部および端子部に連なると共に上記半導体発光素子を搭載する側から遠い側に屈曲する屈曲部とを形成する工程と、
    上記フレームに樹脂を固定して、上記フレームの屈曲部を上記樹脂の内部に配置する工程と
    を備えることを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
  8. 請求項７に記載の半導体発光装置の製造方法において、
    上記フレームに、半導体発光素子を搭載すると共に上記半導体発光素子の一方の電極が接続される発光素子搭載部と、上記半導体発光素子の他方の電極が接続される端子部と、上記発光素子搭載部および端子部に連なると共に上記半導体発光素子を搭載する側から遠い側に屈曲する屈曲部とを形成する工程の後であって、上記フレームに樹脂を固定して、上記フレームの屈曲部を上記樹脂の内部に配置する工程の前に、上記フレームの屈曲部に連なる部分にめっきを施す工程を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
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