KR20090005281U - 발광 다이오드 밀봉 구조 - Google Patents

발광 다이오드 밀봉 구조 Download PDF

Info

Publication number
KR20090005281U
KR20090005281U KR2020070019118U KR20070019118U KR20090005281U KR 20090005281 U KR20090005281 U KR 20090005281U KR 2020070019118 U KR2020070019118 U KR 2020070019118U KR 20070019118 U KR20070019118 U KR 20070019118U KR 20090005281 U KR20090005281 U KR 20090005281U
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
base
emitting diode
lead frame
light emitting
present
Prior art date
Application number
KR2020070019118U
Other languages
English (en)
Inventor
웬-쿵 숭
Original Assignee
웬-쿵 숭
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 웬-쿵 숭 filed Critical 웬-쿵 숭
Priority to KR2020070019118U priority Critical patent/KR20090005281U/ko
Publication of KR20090005281U publication Critical patent/KR20090005281U/ko

Links

Images

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

본 고안에 따른 발광 다이오드의 밀봉 구조는, 베이스 및 적어도 2개의 리드 프레임을 포함하고, 상기 베이스의 내부에 딤플이 형성되며, 적어도 2개의 리드 프레임의 각각은 Z 형상으로 절곡됨과 동시에 대향하여 배치되어 베이스에 의해 덮여지고, 각 리드 프레임의 일단은 베이스의 딤플 내에 노출되고, 타단은 베이스의 바닥부로부터 측면 가장자리의 밖으로 연장되어 전극 패드를 형성한다. 본 고안에 따르면, 제조 프로세스를 단축시키고 코스트를 절감하며, 제품 수율을 향상시키고 사용 수명을 연장하는 등의 효과를 갖는다.

Description

발광 다이오드 밀봉 구조{LIGHT-EMITTING DIODE PACKAGE STRUCTURE}
본 고안은, 발광 다이오드 밀봉 구조와 관한 것으로, 특히, 베이스 및 적어도 2개의 리드 프레임을 조합한 설계에 의해, 소자의 제품 수율을 향상시키고 제조 프로세스를 단축시키며 코스트를 절감하고, 사용 수명을 연장할 수 있는 등의 효과를 갖는 발광 다이오드 밀봉 구조에 관한 것이다. 본 고안은 표면 실장형 발광 다이오드 혹은 유사 구조에 적용할 수 있다.
표면 실장형(Surface-Mount Device;SMD) 발광 다이오드 밀봉 구조는, 도 7에 도시하는 바와 같이, 2개의 리드 프레임(A1), 딤플이 있는 베이스(A2), 칩(A3) 및 밀봉재(A4)를 포함한다. 상기 리드 프레임(A1)의 일단이 베이스(A2) 내에 감합되며, 그 일부가 베이스(A2)의 딤플 내에 노출된다. 베이스(A2) 내에 감합된 각 리드 프레임(A1)은, 베이스(A2)의 측면 가장자리로 연장되어 베이스(A2)의 바닥부에서 절곡된다. 칩(A3)을 상기 베이스(A2)의 딤플 내의 리드 프레임(A1) 위에 고착하고, 칩(A3) 위에 본딩 와이어를 통해 다른 쪽 리드 프레임(A1)에 전기적으로 접속한다. 또한, 밀봉재(A4)로 베이스(A2)의 딤플을 매립하여, 칩(A3)과 일부의 리드 프레임(A1)을 덮는다.
그러나, 종래의 표면 실장형 발광 다이오드 구조는, 원래 절곡되지 않은 리드 프레임(A1)을 플라스틱 사출한 베이스(A2)에 결합하고, 다시 이 리드 프레임(A1)을 상기 베이스(A2)의 바닥부의 위치에서 절곡하여 전극 패드로 한다. 리드 프레임(A1)를 절곡하기 위해 외력을 가하면, 상기 플라스틱 베이스(A2)와 리드 프레임(A1) 사이에 내부 스트레스가 발생하여, 리드 프레임(A1)에 위치의 변위가 생겨 리드 프레임(A1)과 베이스(A2) 사이에 간극이 발생하게 된다. 그 때문에, 밀봉재로 몰딩을 행할 때에, 베이스(A2)와 리드 프레임(A1) 사이에 간극이 있기 때문에, 주입한 밀봉재(A4)가 그 간극으로부터 누출된다.
또한, 상기 발광 다이오드는, 표면 실장 기술(Surface-Mount Technology; SMT)로 회로 기판에 결합하고, 리플로우로(reflow furnace) 내에 넣어 고온 소성할 때에, 리드 프레임(A1)을 절곡할 때 발생한 내부 스트레스로 인해 본딩 와이어(A5)가 절단되는 불량률이 높아지는 문제가 있다.
게다가, 베이스(A2)를 형성하고 나서 리드 프레임(A1)을 베이스(A2)의 바닥부까지 절곡할 때, 리드 프레임(A1)과 베이스(A2)의 바닥부 사이가 평탄하지 않기 때문에 발광 다이오드의 바닥부가 평탄하지 않게 되어, 발광 다이오드가 발하는 광선의 지향성이 바뀌고 회로 기판에 결합할 때에 냉납(cold soldering) 등이 발생하기 쉽다는 문제가 있으며, 나아가서 소자의 불량률 및 제작비가 상승한다.
이를 감안하여 본 고안의 고안자는, 관찰 및 연구에 전념하고, 또한 학술 이론을 운용하여 합리적인 설계로 유효하게 상기의 결점을 개선 가능한 본 고안을 제안하였다.
본 고안의 주된 목적은, 베이스 및 적어도 2개의 리드 프레임을 조합한 설계에 의해, 상기 베이스가 적어도 2개의 리드 프레임에 결합한 후에 다시 리드 프레임을 베이스의 바닥부로 절곡할 때에 생긴 내부 스트레스로 인해, 발광 다이오드가 회로 기판에 결합하고 나서 리플로우노를 통과할 때, 본딩 와이어가 절단되기 쉬워지는 문제를 회피함으로써, 소자의 제품 수율을 향상키시고 제조 프로세스를 단축시켜, 코스트를 절감하고 사용 수명을 연장할 수 있으며, 실용성 및 편리성을 향상시킬 수 있는 발광 다이오드 밀봉 구조를 제공하는 것에 있다.
본 고안의 다른 목적은, 베이스 및 적어도 2개의 리드 프레임을 조합한 설계에 의해, 상기 베이스가 적어도 2개의 리드 프레임에 결합한 후에 다시 리드 프레임을 베이스의 바닥부로 절곡할 때에 생긴 내부 스트레스로 인해, 리드 프레임이 변위하여 베이스와의 사이에 간극이 발생되어, 몰딩시에 밀봉재를 누출시키는 문제를 회피함으로써, 발광 다이오드의 제품 수율을 개선하고, 그 실용성을 향상시킬 수 있는 발광 다이오드 밀봉 구조를 제공하는 것에 있다.
본 고안의 또 다른 목적은, 베이스 및 적어도 2개의 리드 프레임의 조합 설계에 의해, 상기 베이스가 적어도 2개의 리드 프레임에 결합한 후에 다시 리드 프레임을 베이스의 바닥부로 절곡할 때, 발광 다이오드의 바닥부가 평탄하지 않게 되어 이 발광 다이오드가 발하는 광선의 지향성이 바뀌고, 또한 상기 발광 다이오드가 회로 기판에 결합할 때에 냉납 등의 불량률이 발생하기 쉬운 문제를 회피함으로 써, 소자의 제품 수율을 향상시키고 전체의 실용성을 증진시킬 수 있는 발광 다이오드 밀봉 구조를 제공하는 것에 있다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 고안은, 베이스와 적어도 2개의 리드 프레임을 구비하고, 상기 베이스의 내부에 딤플이 형성되며, 상기 적어도 2개의 리드 프레임은, 각각 Z 형상(크랭크 형상)으로 절곡됨과 동시에 대향하여 배치되며 베이스에 의해 덮여지고, 각 리드 프레임의 일단은 베이스의 딤플 내에 노출되고, 타단은 베이스의 바닥부로부터 측면 가장자리로 연장되어 전극 패드를 형성한다.
본 고안의 다른 특징 및 구체적인 실시예는, 후술하는 자세한 설명 및 도시에 의해 더 자세히 이해할 수 있다.
본 고안에 따르면, 발광 다이오드의 밀봉 구조를 형성하여 제조 프로세스를 단축시키고 코스트를 절감하며, 제품 수율을 향상시키고 사용 수명을 연장할 수 있는 효과를 갖고, 나아가서 실용성 및 편리성을 구비한다.
도 1 및 도 2에 도시하는 바와 같이, 본 고안에 따른 발광 다이오드 밀봉 구조는 이하의 구성을 포함한다.
베이스(20)는 내부에 딤플(21)이 형성되며, 플라스틱 재료를 이용한다.
2개의 리드 프레임(30)은, 베이스(20)에 의해 덮여지고, 각 리드 프레임(30)은 Z 형상으로 절곡됨과 동시에 대향하여 배치되며, 상기 2개의 리드 프레임(30)의 일단은 상기 베이스(20)의 딤플(21) 내에 노출되고, 타단은 상기 베이스(20)의 바닥부로부터 측면 가장자리로 연장되어 일부의 리드 프레임(30)을 남겨 전극 패드를 형성한다. 각 리드 프레임(30)은 도전성 금속 재료를 이용한다. 이와 같이 하여, 발광 다이오드의 밀봉 구조를 형성한다.
도 3에 도시하는 바와 같이, 본 고안은, 사용할 때에, 칩(40) 및 밀봉재(60)가 결합된다. 상기 칩(40)은, 베이스(20)의 딤플(21) 내의 리드 프레임(30)에 고착되고, 본딩 와이어(50)를 통해 딤플(21) 내의 다른 쪽 리드 프레임(30)에 전기적으로 접속된다. 계속해서, 상기 베이스(20)의 딤플(21) 내를 밀봉재(60)로 매립하여 칩(40) 및 각 리드 프레임(30)을 덮는다. 상기 칩(40)은, 와이어 본딩(50)에 의해, 혹은, 땜납 볼 또는 금 볼을 플립 칩의 방식으로 리드 프레임(30)에 전기적으로 접속한다. 상기 밀봉재(60)는 에폭시 수지(EP), 폴리프탈아미드(PPA), 실리콘 중 어느 하나이다. 본 실시예에서는, 하나의 칩(40)을 설치하고 리드 프임(30)을 이에 대응하여 2개 마련하지만, 실제로 사용할 때, 칩(40)의 수량은 사용 요구에 따라 복수 개 설치되며, 리드 프레임(30)은 설치된 칩(40)의 수에 대응하여 복수 개 설치되어 칩(40)에 전기적으로 접속된다. 이상으로부터 알 수 있듯이, 본 고안은 적어도 2개의 리드 프레임(30)을 마련하고 있다.
이상과 같이 하여, 본 고안의 발광 다이오드 밀봉 구조는, 베이스(20) 및 적어도 2개의 리드 프레임(30)을 조합한 설계로서, 미리 절곡 성형한 리드 프레임(30)과 베이스가 결합함으로써, 종래 구조의 베이스(20)가 리드 프레임(30)에 결합한 후에 리드 프레임(30)을 베이스(20)의 바닥부로 절곡할 때에 생긴 내부 스트 레스로 인해, 플라스틱 베이스(20)와 각 리드 프레임(30) 사이에 간극이 발생되고, 리드 프레임(30)과 베이스(20)의 결합 위치가 변위하여, 몰딩시, 밀봉재(60)가 간극로부터 누출되는 문제를 회피한다. 또한, 내부 스트레스로 인해, 패키징한 발광 다이오드와 회로 기판이 리플로우노를 통과하여 결합될 때, 본딩 와이어(50)가 절단되는 문제를 회피한다. 게다가, 베이스(20)가 적어도 2개의 리드 프레임(30)에 결합한 후에, 다시 리드 프레임(30)을 상기 베이스(20)의 바닥부로 절곡할 때에, 발광 다이오드의 바닥부가 평탄하지 않게 되어, 상기 발광 다이오드가 발하는 광선의 지향성이 바뀌고, 상기 발광 다이오드가 회로 기판에 결합할 때에 냉납 등의 불량률이 발생하기 쉽다는 문제를 회피할 수 있다. 이 때문에, 본 고안은, 소자의 제품 수율을 향상시키고 제조 프로세스를 단축시켜, 코스트를 절감하고 사용 수명을 연장할 수 있는 등의 효과를 갖고, 전체적인 실용성 및 편리성을 향상시킬 수 있는 것을 특징으로 한다.
도 4는, 본 고안의 다른 실시예로서, 도 4를 참조하면, 베이스(20) 내에 3개의 칩(40)이 설치되고, 리드 프레임(30)이 칩(40)의 수에 대응하여 6개 배치된다. 각 리드 프레임(30)은, Z 형상으로 절곡됨과 동시에 대향하여 배치되며, 각 리드 프레임(30)의 일단은 상기 베이스(20)의 딤플(21) 내에 노출되고, 타단은 상기 베이스(20)의 바닥부로부터 측면 가장자리로 연장되어 일부의 리드 프레임(30)을 남겨 전극 패드를 형성한다. 사용할 때에, 칩 마운팅 및 몰딩하여 발광 다이오드를 완성하여, 높은 제품 수율, 제조 프로세스의 단축, 코스트 삭감 및 사용 수명 연장 등의 효과를 갖는다.
도 5 및 도 6은, 본 고안의 또 다른 실시예로서, 도 5 및 도 6을 참조하면, 상기 베이스(20) 내에 하나의 칩(40)이 설치되고, 리드 프레임(30)이 칩(40)의 수에 대응하여 2개 배치되며, 각 리드 프레임(30)은 Z 형상으로 절곡됨과 동시에 대향하여 배치되고, 각 리드 프레임(30)의 일단은 상기 베이스(20)의 딤플(21) 내에 노출되고, 타단은 상기 베이스(20)의 바닥부로부터 측면 가장자리로 연장되어 일부의 리드 프레임(30)을 남겨 전극 패드를 형성한다. 계속해서, 상기 베이스(20)의 바닥부로부터 측면 가장자리의 밖으로 연장된 리드 프레임(30)의 일단이, 위를 향해 절곡되고 베이스(20)의 측면 가장자리에 평탄하게 부착되어 전극 패드로서의 접촉 면적을 증가시킨다.
그러나, 전술한 바와 같은 구성은, 단순히 본 고안의 바람직한 실시예에 지나지 않는 것으로서 본 고안의 특징을 한정하는 것이 아니며, 당해 분야에서의 통상의 지식을 갖는 전문가가 본 발명의 분야 중에서 적절하게 변환이나 수정 등이 실시 가능하며, 그들 실시가 본 고안의 권리 범위 내에 포함되는 것은 물론이다.
도 1은 본 고안의 실시예의 외관 사시도이다.
도 2는 본 고안의 실시예의 구조를 도시하는 단면도이다.
도 3은 본 고안의 실시예에서 칩이 마운팅된 상태의 외관 사시도이다.
도 4는 본 고안의 다른 실시예의 외관 사시도이다.
도 5는 본 고안의 또 다른 실시예의 구조를 도시하는 단면도이다.
도 6은 본 고안의 또 다른 실시예의 외관 사시도이다.
도 7은 종래의 발광 다이오드의 구조를 도시하는 단면도이다.
〈부호의 설명〉
20, A2 베이스
21 딤플
30, A1 리드 프레임
31 일단
40, A3 칩
50, A5 본딩 와이어
60, A4 밀봉재

Claims (4)

  1. 내부에 딤플(dimple)이 형성된 베이스와,
    상기 베이스에 의해 덮여지고 각각이 Z 형상으로 절곡됨과 동시에 대향하여 배치되며, 그 일단은 베이스의 딤플 내에 노출되고, 타단은 베이스의 바닥부로부터 측면 가장자리로 연장되여 전극 패드를 형성하는 적어도 2개의 리드 프레임을 포함하는 발광 다이오드의 밀봉 구조를 형성한 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 밀봉 구조.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 베이스는 플라스틱 재료를 이용하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 밀봉 구조.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 각 리드 프레임은 도전성 금속 재료를 이용하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 밀봉 구조.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 리드 프레임의 상기 베이스의 바닥부로부터 상기 베이스의 측면 가장자리로 연장된 일단은, 위를 향해 절곡되고 베이스의 측면 가장자리에 평탄하게 부착 되어 전극 패드의 접촉 면적을 증가시키는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 밀봉 구조.
KR2020070019118U 2007-11-28 2007-11-28 발광 다이오드 밀봉 구조 KR20090005281U (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR2020070019118U KR20090005281U (ko) 2007-11-28 2007-11-28 발광 다이오드 밀봉 구조

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR2020070019118U KR20090005281U (ko) 2007-11-28 2007-11-28 발광 다이오드 밀봉 구조

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20090005281U true KR20090005281U (ko) 2009-06-02

Family

ID=41297480

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR2020070019118U KR20090005281U (ko) 2007-11-28 2007-11-28 발광 다이오드 밀봉 구조

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20090005281U (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101146416B1 (ko) * 2010-06-10 2012-05-17 빛샘전자주식회사 Ｌｅｄ 광원
CN102956627A (zh) * 2011-08-30 2013-03-06 展晶科技(深圳)有限公司 Led封装结构

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004311857A (ja) * 2003-04-10 2004-11-04 Sharp Corp 半導体発光装置およびその製造方法
US20050139846A1 (en) * 2003-12-26 2005-06-30 Park Jung K. High power light emitting diode package and fabrication method thereof
JP2005197369A (ja) * 2004-01-05 2005-07-21 Toshiba Corp 光半導体装置
JP2006278650A (ja) * 2005-03-29 2006-10-12 Showa Denko Kk ハンダ回路基板の製造方法
JP2010008836A (ja) * 2008-06-30 2010-01-14 Fujinon Corp 電子内視鏡装置及びそのピント調節方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004311857A (ja) * 2003-04-10 2004-11-04 Sharp Corp 半導体発光装置およびその製造方法
US20050139846A1 (en) * 2003-12-26 2005-06-30 Park Jung K. High power light emitting diode package and fabrication method thereof
JP2005197369A (ja) * 2004-01-05 2005-07-21 Toshiba Corp 光半導体装置
JP2006278650A (ja) * 2005-03-29 2006-10-12 Showa Denko Kk ハンダ回路基板の製造方法
JP2010008836A (ja) * 2008-06-30 2010-01-14 Fujinon Corp 電子内視鏡装置及びそのピント調節方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101146416B1 (ko) * 2010-06-10 2012-05-17 빛샘전자주식회사 Ｌｅｄ 광원
CN102956627A (zh) * 2011-08-30 2013-03-06 展晶科技(深圳)有限公司 Led封装结构

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR200373718Y1 (ko) 정전기 방전 충격에 대한 보호 기능이 내장된 고휘도발광다이오드
JP4951090B2 (ja) Ｌｅｄパッケージ
EP2479810B1 (en) Light-emitting device package and method of manufacturing the same
JP6323217B2 (ja) 発光装置
US20070035008A1 (en) Thin IC package for improving heat dissipation from chip backside
JP2008060344A (ja) 半導体発光装置
TW201626604A (zh) 發光二極體封裝結構
KR101640331B1 (ko) 방수 led 장치 및 이를 포함하는 led 디스플레이
KR20050092300A (ko) 고출력 발광 다이오드 패키지
KR20120094280A (ko) 발광소자 패키지 및 그 제조방법
JP5573602B2 (ja) 発光装置
WO2012057163A1 (ja) 発光装置及び照明装置
KR20090005281U (ko) 발광 다이오드 밀봉 구조
KR200427111Y1 (ko) 정전기 보호용 고휘도 발광다이오드
KR20090007763U (ko) 발광다이오드 패키지
JP2009123873A (ja) 発光ダイオード封止構造およびその製造方法
KR20150042954A (ko) 측면발광 발광 장치 및 그 제조 방법
TWI531096B (zh) 側面發光型發光二極體封裝結構及其製造方法
KR20050035638A (ko) 고출력 엘이디패키지 제작방법 및 이를 이용한 고출력엘이디패키지
KR20140008911A (ko) 광 모듈 및 그 제조 방법
JP2012004596A (ja) Ｌｅｄパッケージ及びその製造方法
JP4389263B2 (ja) 半導体発光装置の製法
JP3139835U (ja) 発光ダイオード封止構造
KR20020057351A (ko) 볼 그리드 어레이 패키지와 그 실장 구조
TW201944617A (zh) 側面發光型發光二極體封裝結構

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application