KR200427111Y1

KR200427111Y1 - 정전기 보호용 고휘도 발광다이오드

Info

Publication number: KR200427111Y1
Application number: KR20060018594U
Authority: KR
Inventors: 이춘길
Original assignee: 주식회사 티씨오
Priority date: 2006-07-10
Filing date: 2006-07-10
Publication date: 2006-09-22

Abstract

본 고안은 은 도금을 한 다수열의 리드프레임의 정전기방전(ESD) 보호소자 다이 패드면 바닥에 ESD보호소자(Varistor, Zener Diode)를 접착재 또는 크림솔더(Cleam Solder)로 실장한후, TiO₂를 포함하는 사출수지 사출 방식으로 표면에 반사판(Reflector)을 가진 반사컵을 만들어, 이 표면에 반사판을 가진 반사컵 내부의 발광다이오드 다이패드(Die Pad부)에 InGaN, GaN계의 발광다이오드 칩을 다이본딩·와이어본딩을 하고, 표면에 반사판을 가진 반사컵 내부에 광투과 에폭시수지를 채운후 소윙(Sawing) 공정 또는 트리밍 공정을 통하여 개별화 함으로서 정전기에 강한 정전기(ESD) 보호용 고휘도 발광다이오드에 관한 것이다. 본 발광이다이도는 한 쌍의 양극 리드프레임(Anode Lead Frame)(5)과 음극 리드프레임(Cathode Lead Frame)(4)으로 이루어진 리드프레임(1)과, 상기 음극 양극 리드프레임(4)(5)의 상측에 TiO₂가 포함된 열가소성수지,열경화성수지(9)로 만들어진 표면에 반사판을 가진 반사컵(91)과, 이 TiO₂가 포함된 열가소성수지,열경화성수지(9)로 만들어진 표면에 반사판을 가진 반사컵(91) 내부(음극 양극 리드프레임의 밑면)에 정전기 보호를 위한 ESD 보호소자(7)(Varistor, Zener Diode)와, 음극 리드프레임(Lead Frame)부분의 다이패드(Die Pad)컵(3) 부분에 부착되어 있는 GaN, InGaN계의 칩(10)과, 상기 양극, 음극 리드프레임(5)(4)과 발광다이오드 칩(10)의 통전을 위한 통전 와이어(11)와, 상기 TiO₂가 포함된 열가소성수지, 열경화성수지(9) 내부에 투과형 에 폭시 수지(15)로 이루어진다.

발광다이오드, Zener Diode, InGaN계, GaN계, 정전기, 정전기방전(ESD)충격, 저항소재

Description

정전기 보호용 고휘도 발광다이오드{High Brightness LED With Protective Function of Electrostatic Damage}

도 1a는 종래의 정전압다이오드(Zener Diode Chip)를 발광원인 LED 칩의 수평방향(반사판 사출벽면)으로 내장한 발광다이오드의 구조를 도시한 요부 종단면도이고,

도 1b는 종래의 정전압다이오드를 발광원인 LED 칩의 수직방향으로 내장한 후 에폭시로 몰드하여 얻은 발광다이오드의 구조를 도시한 요부 종단면도이고

도 2a는 본 고안에 따른 정전기방전(ESD)보호 소자(Varistor)를 리드프레임의 하측면(발광다이오드 칩과 동일 평면상)에 삽입한 발광다이오드 요부 종단면도와 회로도이고,

도 2b는 본 고안의 또 다른 실시에 따른 도면으로 정전기 방전(ESD)보호 소자(Varistor)를 리드프레임의 하측면에 삽입한 후 에폭시로 몰드하여 얻어지는 발광다이오드 요부 종단면도와 회로도이고,

도 3a는 본 고안의 또 다른 실시에 따른 도면으로 제너다이오드를 사출 밑면에 다이본딩, 와이어 보딩한 후,에폭시로 몰드하여 얻어지는 고휘도 발광다이오드의 요부 종단면도와 회로도이고,

도 3b는 본 고안의 또 다른 실시에 따른 도면으로 제너다이오드를 사출 밑면 에 다이 본딩, 와이어본딩 한 후 에폭시로 몰드하여 얻어지는 고휘도 발광다이오드의 요부 종단면도와 회로도이고,

도 4는 본 고안의 또 다른 실시에 따른 도면으로 제너다이오드를 사출물 내부 상측면에 다이 본딩, 와이어본딩한후 사출하여 얻어지는 발광다이오드 요부 종단면도와 회로도이다.

- 도면 중 주요부분에 대한 부호의 설명-

1 : 반도체용 리드프레임}{Lead Frame(Copper Substate)}

2 : 관통홀

3 : 발광 다이오드 칩(InGaN, GaN계)의 다이패드(Die Pad)부

4 : 발광다이오드 음극리드(Cathode Lead)부

5 : 발광다이오드 양극리드(Anode Lead)부

6 : 하프엣칭{Half Etching(or Half Stampping)}부

7 : 정전기방전(ESD)보호소자(Varistor, Zener Diode)

71 : 정전기방전(ESD)보호소자(Varistor, Zener Diode) 패드부

Z : 정전압다이오드칩(Zener Diode Chip)

8 : 크림솔더(Cleam Solder)

9 : 백색 TiO₂ 를 포함하는 수지(열경화성,열가소성수지)

91 : 표면에 반사판(Reflector)을 가진 반사컵

10 : InGaN, GaN계 발광다이오드 칩 11 : 골드 와이어

12 : 파장변환 형광체 13 : SiO₂ 재질 그라스

14 : 에어층(공기층) 15 : 광투과 에폭시 수지

본 고안은 정전기 발생시 InGaN,GaN계 발광다이오드 칩(Chip)을 보호하기 위한 것으로서, 더욱 상세하게는 은 도금을 한 다수열의 리드프레임의 정전기방전(ESD) 보호소자 다이 패드면 바닥에 ESD보호소자(Varistor, Zener Diode)를 접착재 또는 크림솔더(Cleam Solder)로 실장한후, TiO₂를 포함하는 사출수지 사출 방식으로 표면에 반사판(Reflector)을 가진 반사컵을 만들어, 이 표면에 반사판을 가진 반사컵 내부의 발광다이오드 다이패드(Die Pad부)에 InGaN, GaN계의 발광다이오드 칩을 다이본딩·와이어본딩을 하고, 표면에 반사판을 가진 반사컵 내부에 광투과 에폭시수지를 채운후 소윙(Sawing) 공정 또는 트리밍 공정을 통하여 개별화 함으로서 정전기에 강한 정전기(ESD) 보호용 고휘도 발광다이오드에 관한 것이다.

종래의 ESD보호용 발광다이오드의 구성은 도 1a, 1b에 도시된 바와 같다.

도 1a는 플라스틱(열가소성) 사출재질(92)로 구성된 반사컵을 가진 리드프레임(Lead Frame)과, 전압을 인가하면 빛을 발산하는 InGaN, GaN계 칩(10)과, 상기 InGaN, GaN계 칩(10)에 전압을 인가하기 위한 도전성 금속재의 음극 및 양극 리드(5)(4)로 이루어지고, 상기 칩(10)은 음극 리드(4)의 끝단에 형성된 다이 패 드(Die pad)상에 도전성 은 접착제로 부착됨과 동시에, 양극 리드부분 끝단의 패드부분에 정전압다이오드칩(Zener Diode Chip)(Z)을 은(Ag) 접착제로 부착함과 동시에 음극, 양극 리드(4)(5)의 끝단과 와이어(11)로 본딩되어 음극 및 양극 리드 (4)(5) 사이에서 전기적으로 접속된 구성이다.

또한, 도 1b는 투과형 에폭시 수지(15)로와 리드프레임(Lead Frame)(4)(5)과, 전압을 인가하면 빛을 발산하는 InGaN, GaN계 칩(10)과, 상기 InGaN, GaN계 칩(10)에 전압을 인가하기 위한 도전성 금속재의 음극 및 양극 리드(5)(4)로 이루어지고, 정전압다이오드칩(Zener Diode Chip)(Z)를 음극 또는 양극 리드(5)(4)의 끝단에 형성된 다이패드(Die pad)상에 도전성 은(Ag) 접착제로 부착됨과 동시에, InGaN, GaN계 발광다이오드 칩(10)을 접착재로 정전압다이오드칩(Zener Diode Chip)(Z)을 상측면에 부착한 후 음극, 양극 리드(4)(5)의 끝단과 와이어(11)로 본딩되어 음극 및 양극 리드 (4)(5) 사이에서 전기적으로 접속된 구성이다.

이와 같은 2가지 기술처럼 공정 진행 후, 상기 칩(10)(Z)을 외부로부터 보호하기 위해 절연재질의 광투과 에폭시(15)로 몰딩하되, 음극 및 양극 리드(4)(5)의 다른 끝단의 일부가 외부로 노출되도록 하여 외부에서 칩(10)으로 전압을 인가할 수 있도록 구성된다.

외부로 노출된 발광다이오드의 음극 및 양극 리드(4)(5)를 사용하고자 하는 회로와 전기적으로 접속시키게 되면, 음극 및 양극 리드(4)(5)를 통해 칩(10)으로 전원이 인가됨으로써 광 반도체 소자인 칩(10)이 발광되어 기능을 수행할 수 있는 것이며, 몰딩물(15)은 통상 투명 에폭시 수지(Epoxy)로 이루어지고 발광다이오드 칩(10)의 종류에 따라 그린, 블루, 백색등으로 제조된다. 그러나, 위와 같이 정전압다이오드칩(Zener Diode Chip)(Z)을 플라스틱 사출재질(92)의 반사컵 내부에 실장한 구조는 InGaN,GaN계 발광다이오드(10)에서 방사 하는 빛을 정전압다이오드(Zener Diode)가 빛을 흡수, 산란시킴으로써 방사 방향으로의 빛의 방사를 방해함하여 최소 15%이상의 휘도가 저하되는 단점이 있다.

본 고안은 종래의 InGaN, GaN계의 발광다이오드 소자의 정전기에 매우 약한 제반 문제점을 해결하기 위한 것으로, InGaN, GaN계의 발광다이오드 소자의 극성의 반대로 ESD 보호소자(Varistor,Zener Diode)의 전극을 형성시킴으로써 수천 볼트(Volts)의 정전기 발생시 InGaN, GaN계의 칩에 직접적인 충격을 주지 않고 ESD보호소자로 정전기가 흘러 세트 및 발광다이오드 소자에 정전기 발생으로 인한 불량률을 줄일수 있고, 사출 재질 내부(밑면,옆면)에 정전기방전(ESD) 보호소자(7)(Varistor,Zener Diode)를 실장함으로서 발광다이오드 칩(10)의 방사 빛을 간섭하지 않는 정전기(ESD) 보호용 고휘도 발광다이오드를 제공하는데 있다.

이러한 목적을 달성하기 위한 본 고안에 따른 LED 광반도체 소자는, 은 도금을 한 다수열의 리드프레임(1)의 ESD 보호소자 다이 패드(71) 면 바닥에 정전기방번(ESD)보호소자(7)(Varistor, Zener Diode)를 크림솔더(Cleam Solder)(8)또는 접착재로 실장한후, 백색 TiO2가 포함된 열경화성,열가소성 수지로 표면에 반사판을 가진 반사컵(Reflector)(91)을 만들어, 이 표면에 반사판을 가진 반사컵(91) 내부의 발광다이오드 다이패드(Die Pad)부(3)에 InGaN, GaN계의 발광다이오드 칩(10)을 다이 본딩·와이어 본딩을 하고, 표면에 반사판을 가진 반사컵(91) 내부에 광투과 에폭시 수지(15)를 채운후 소윙(Sawing) 공정 또는 트리밍 공정을 통하여 개별화하는 공정을 거쳐 제조된다.

이하, 첨부된 도면에 의하여 본 고안을 상세하게 설명하면 다음과 같다.

도 2a는 본 고안의 일 실시예에 따른 정전기 대책의 고휘도 발광다이오드의 내부구조와 이에 따른 극성을 요부종단면도와 회로도로 도시하고 있다.

도 2a에 도시된 바와 같이 본 고안에 정전대책 InGaN, GaN계 발광다이오드의 구성은 한 쌍의 양극 리드프레임(Anode Lead Frame)(5)과 음극 리드프레임(Cathode Lead Frame)(4)으로 이루어진 리드프레임(1)과, 상기 음극 양극 리드프레임(4)(5)의 상측에 TiO₂가 포함된 열경화성수지,열가소성수지(9)로 만들어진 표면에 반사판을 가진 반사컵(Reflector)(91)과, 이 TiO₂가 포함된 열경화성수지,열가소성수지(9) 내부에 정전기 보호를 위한 ESD 보호소자(7)(Varistor, Zener Diode)와, 음극 리드프레임 부분의 다이패드 컵(3) 부분에 부착되어 있는 GaN, InGaN계의 ㅊ칩(10)과, 상기 양극, 음극 리드프레임(5)(4)과 발광다이오드 칩(10)의 통전을 위한 통전 와이어(11)와, 상기 TiO₂가 포함된 열경화성수지, 열가소성수지(9)(92) 내부에 투과형 에폭시 수지(15)로 이루어지고 있다.

도 2b는 본 고안의 일 실시예에 따른 정전기 대책의 고휘도 발광다이오드의 내부구조와 이에 따른 극성을 요부단면도와 회로도로 도시하고 있다.

도 2b에 도시된 바와 같이 본 고안의 정전대책 InGaN, GaN계 발광다이오드의 구성은 한 쌍의 양극 리드프레임(Anode Lead Frame)(5)과 음극 리드프레임(Cathode Lead Frame)(4)으로 이루어진 리드프레임(1)과, 상기 음극 양극 리드프레임(4)(5)의 상측에 TiO₂가 포함된 열가소성, 열경화성수지(9)로 만들어진 표면에 반사판을 가진 반사컵(91)와, 이 TiO₂ 열경화성수지(9) 내부 뒷면에 정전기 보호를 위한 ESD 보호소자(7)로 정전압다이오드칩(Z)과, 음극 리드프레임 부분의 다이패드컵(3) 부분에 부착되어 있는 GaN, InGaN계로 되는 두 개의 칩(10)과, 상기 양극, 음극 리드프레임(5)(4)과 발광다이오드 칩(10)의 통전을 위한 통전 와이어(11)와, 상기 TiO₂가 포함된 열가소성 수지 열경화성수지(9) 내부에 투과형 에폭시 수지(15)로 이루어지고 있다.

도 3a는 본 고안의 또 다른 실시예에 의한 정전기 대책의 고휘도 발광다이오드의 내부구조와 이에 따른 극성을 요부 종단면도와 회로도로 도시하고 있다.

도 3a에 도시된 바와 같이 본 고안의 정전대책 InGaN, GaN계 발광다이오드의 구성은 한 쌍의 양극 리드프레임(Anode Lead Frame)(5)과 음극 리드프레임(Cathode Lead Frame)(4)으로 이루어진 리드프레임(1)과, 상기 음극 양극 리드프레임(4)(5)의 상측에 내부에 정전기 보호를 위한 ESD 보호소자(7)와, 음극 리드프레임 부분의 다이패드컵(3) 부분에 부착되어 있는 GaN, InGaN계의 칩(10)과, 상기 양극, 음극 리드프레임(5)(4)과 발광다이오드 칩(10)의 통전을 위한 통전 와이어(11)와, 양음극 리드 프레임의 상측 내부에 GaN, InGaN계의 칩(10)과, 투과형 에폭시수지(15) 로 이루어지고 있다.

도 3b는 본 고안의 또 다른 실시예에 의한 정전기 대책의 고휘도 발광다이오드의 내부구조와 이에 따른 극성을 요부 단면도와 회로도로 도시하고 있다.

도 3b에 도시된 바와 같이 상기 도3a에서 설명한 내용과 같으며 다만, GaN, InGaN계 발광다이오드 칩(10)과 ESD보호소자(7)를 제너다이오드를 사용하고 있으며, 양음극 리드 프레임의 뒷면에 제너다이오드(Zener Diode)가 내장되어 있다.

도 4는 본 고안의 또 다른 실시예를 나타내는 요부단면도와 회로도이다.

도 4는 상기 도2a, 2b와 같으며 다만, 정전기 보호소자(제너다이오드, Varistor)(7)(Z)가 양음극 리드 상측면의 사출물 내부에 부착되어지는 것을 특징으로 하고 있다.

이상과 같은 구성으로 이루어지는 본 고안의 정전기 방전(ESD) 충격에 대한 보호 기능이 내장된 고휘도 발광다이오드는 InGaN, GaN계의 발광다이오드 칩(10)의 극성과 반대의 정전기 방전 충격 보호소자(7){반도체 저항소자(Varistor) 또는 정전압 다이오드(Zener-Diode)}의 전극을 형성시킴으로서 수천 볼트의 정전기가 발생할 시 InGaN, GaN계의 칩(7)(Chip)에 직접적인 충격이 가해지지 않도록 정전기 방전 충격 보호소자(7){반도체 저항소자(Varistor) 또는 정전압 다이오드(Zener-Diode)}로 정전기를 도통시켜 세트(Set) 및 발광다이오드 소자에 정전기가 도통되지 않기 때문에 정전기 방전 충격 발생으로 인한 불량률을 획기적으로 줄일 수 있다.

이 정전기 방전 충격 보호소자(7){반도체 저항소자(Varistor) 또는 정전압 다이오드(Zener-Diode)}를 백색의 열가소성 사출재질이 아닌 TiO₂계 백색 열경화성수지(9)와 함께 사용함으로서 InGaN, GaN계의 발광다이오드 칩(10)(Chip)을 은(Ag)수지(Epoxy)로 접착하지 않고 고온의 유텍티크본딩(Eutectic Bonding)방법으로 작업을 할 수 있어 생산 능력을 향상시키며, 순전압(Forward Voltage-Vf)을 낮출 수 있다.

또한, 이 TiO₂계 백색 열경화성수지(9) 내부에 정전기 방전 충격 보호소자(7){반도체 저항소자(Varistor) 또는 정전압 다이오드(Zener-Diode)}를 실장함으로서 발광다이오드칩(Chip)에서 방사되는 빛을 간섭하지 않으므로 발광다이오드의 휘도를 향상 시킬 수 있다.

또한, TiO₂계 백색 열경화성수지(9)를 사용하여 만든 리플렉터(Reflector) 내부를 투과형 에폭시 수지로 채우지 않고 TiO₂계 백색 열경화성수지(9) 상측부에 SiO₂ 그라스(Glass)(13)를 접착제로 접착함으로서 발광다이오드칩(Chip)에 열적 스트레스(Stress)를 주지 않기 때문에 고열로 인해 발생되는 문제를 지니지 않는 발광다이오드소자를 제조할 수 있다.

이상에서 설명한 본 고안은 전술한 실시 예와 도면에 의해 한정되는 것은 아니고, 본 고안의 기술적 사상을 벗어나지 않은 범위 내에서 여러 가치 치환, 변형 및 변경 가능함은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.

이상과 같은 본 고안은, InGaN, GaN계의 칩(Chip)에 직접적인 충격이 가해지지 않고 정전기 방전 충격 발생으로 인한 불량률을 획기적으로 줄이고, 고온의 유텍티크본딩(Eutectic Bonding)방법으로 작업을 할 수 있어 생산 능력을 향상시키며, 순전압(Forward Voltage-Vf)을 낮출 수 있다. 또한, 이 TiO₂계 백색 열경화성수지 내부에 정전기 방전 충격 보호소자{반도체 저항소자(Varistor) 또는 정전압 다이오드(Zener-Diode)}를 실장함으로서 발광다이오드칩(Chip)에서 방사되는 빛을 간섭하지 않으므로 발광다이오드의 휘도를 향상시킬 수 있으며, 다이본딩과 와이어본딩을 하는 작업상의 난이점을 해소할 수 있기에 획기적인 생산성 향상효과가 있다.

또한, TiO₂계 백색 열경화성수지를 사용하여 만든 리플렉터(Reflector) 내부를 TiO₂계 백색 열경화성수지 상측부에 SiO₂ 그라스(Glass)를 접착제로 접착함으로서 발광다이오드칩(Chip)에 열적 스트레스(Stress)를 주지 않기 때문에 고열로 인해 발생되는 문제를 지니지 않는 발광다이오드소자를 제조할 수 효과를 제공한다.

Claims

한 쌍의 양극 리드프레임(Anode Lead Frame)(5)과 음극 리드프레임(Cathode Lead Frame)(4)으로 이루어진 리드프레임(1)과, 상기 음극 양극 리드프레임(4)(5)의 상측에 TiO₂가 포함된 열가소성수지,열경화성수지(9)로 만들어진 표면에 반사판을 가진 반사컵(91)과, 이 TiO₂가 포함된 열가소성수지,열경화성수지(9)로 만들어진 표면에 반사판을 가진 반사컵(91) 내부(음극 양극 리드프레임의 밑면)에 정전기 보호를 위한 ESD 보호소자(7)(Varistor, Zener Diode)와, 음극 리드프레임(Lead Frame)부분의 다이패드(Die Pad)컵(3) 부분에 부착되어 있는 GaN, InGaN계의 칩(10)과, 상기 양극, 음극 리드프레임(5)(4)과 발광다이오드 칩(10)의 통전을 위한 통전 와이어(11)와, 상기 TiO₂가 포함된 열가소성수지, 열경화성수지(9) 내부에 투과형 에폭시 수지(15)로 이루어진 것을 특징으로 하는 정전기(ESD) 보호용 고휘도 발광다이오드.
청구항 1에 있어서,

상기 발광다이오드 칩(10)과 ESD 보호소자(Varistor, Zener Diode)를 다수열로 배열하는 하고, 반사 Reflector도 다수열로 구성하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 정전기(ESD) 보호용 고휘도 발광다이오드.
청구항 1항에 있어서,

상기 정전기 보호소자로 정전압다이오드(Zener Diode)(Z)를 사용하는 것을 특징으로 하는 정전기(ESD) 보호용 고휘도 발광다이오드.
청구항 1항에 있어서,

상기 정전기 보호소자를 반도체 저항소자(Varistor)가 아닌 일반 저항을 사용하고 제너다이오드(Zener Diode) 대용으로 스위칭 다이오드, TVS 다이오드나, 브릿지 다이오드중 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 정전기(ESD) 보호용 고휘도 발광다이오드.
한 쌍의 양극 리드프레임(Anode Lead Frame)(5)과 음극 리드프레임(Cathode Lead Frame)(4)으로 이루어진 리드프레임(1)과, 상기 음극 양 극 리드프레임(4)(5)의 하측에 정전기 보호를 위한 ESD 보호소자(7)(Varistor, Zener Diode)와, 음극리드프레임 부분의 다이패드 컵(3) 부분에 부착되어 있는 GaN, InGaN계의 칩(10)과, 상기 양극, 음극 리드프레임(5)(4)과 발광다이오드 칩(10)의 통전을 위한 통전 와이어(11)와, 투과형 에폭시 수지(15)로 몰드되어지는 것을 특징으로 하는 정전기(ESD) 보호용 고휘도 발광다이오드.
청구항 5에 있어서,

상기 발광다이오드 칩(10)과 ESD 보호소자(Varistor, Zener Diode)를 다수열 로 배열하고, 투과형 에폭시 수지(15)도 다수열로 구성하는 것을 특징으로 하는 정전기(ESD) 보호용 고휘도 발광다이오드.
청구항 5에 있어서,

상기 발광다이오드 칩(10)과 ESD 보호소자인 바리스터 대용으로 저항을 사용하는 경우와 제너다이오드 대용으로 스위칭 다이오드나, TVS 다이오드나, 브릿지 다이오드를 사용하는 것을 특징으로 하는 정전기(ESD) 보호용 고휘도 발광다이오드.
상기 음극 양극 리드프레임(4)(5)의 상측에 TiO₂가 포함된 열가소성수지,열경화성수지(9) 내부에, 이 TiO₂가 포함된 열가소성,열경화성수지(9) 상측면(Reflector 상측 내부) 내부에 ESD 보호소자(Z)(Zener Diode)와, 이 제너다이오드를 전기적으로 연결시켜 주기 위한 골드와이어(Gold Wire)(11)와, 음극 리드프레임(Lead Frame)부분의 다이패드(Die Pad) 컵(3) 부분에 부착되어 있는 GaN, InGaN계의 칩(10)과, 상기 양극, 음극 리드프레임(5)(4)과 발광다이오드 칩(10)의 통전을 위한 통전 와이어(11)와, 상기 TiO₂ 가 포함된 열가소성, 열경화성수지(9) 내부에 투과형 에폭시 수지(15)로 이루어지는 것을 특징으로하는 정전기(ESD) 보호용 고휘도 발광다이오드.
청구항 8에 있어서,

정전기 보호소자를 반도체저항소자(Varistor)를 사용하는 것을 특징으로 하는 정전기(ESD) 보호용 고휘도 발광다이오드.
청구항 8에 있어서,

상기 정전기 보호소자를 저항 및 스위칭다이오드, TVS 다이오드를 사용하는 것을 특징으로 하는 정전기(ESD) 보호용 고휘도 발광다이오드.