JP2008010486A - 発光装置及びその製造方法 - Google Patents

発光装置及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2008010486A
JP2008010486A JP2006176672A JP2006176672A JP2008010486A JP 2008010486 A JP2008010486 A JP 2008010486A JP 2006176672 A JP2006176672 A JP 2006176672A JP 2006176672 A JP2006176672 A JP 2006176672A JP 2008010486 A JP2008010486 A JP 2008010486A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
light emitting
emitting device
plate
emitting element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2006176672A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5103805B2 (ja
Inventor
Ryohei Yamashita
良平 山下
Hideyuki Nagai
秀幸 長井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nichia Chemical Industries Ltd
Original Assignee
Nichia Chemical Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nichia Chemical Industries Ltd filed Critical Nichia Chemical Industries Ltd
Priority to JP2006176672A priority Critical patent/JP5103805B2/ja
Publication of JP2008010486A publication Critical patent/JP2008010486A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5103805B2 publication Critical patent/JP5103805B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

【課題】本発明は、下部電極の形成不良が起こりにくく、表面にバリの出来にくい発光装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の発光装置10は、発光素子18と、前記発光素子18を実装する上面と該上面に対向する下面とを備えた基板15と、前記基板15の前記上面に形成され前記発光素子18と接続された一対の上面電極16a、16bと、前記基板15の前記下面に形成された一対の下面電極27a、27bと、前記上面電極16a、16bと前記下面電極27a、27bとを導通する接続部22a、22bと、を備えた発光装置10であって、前記基板15は、前記下面側に段差33を備え、前記段差33の側面12dは、前記段差33の角度θが鈍角になるように、前記下面に対して傾斜しており、前記下面電極27a、27bが、少なくとも前記段差33の傾斜した前記側面12dまで延設されていることを特徴とする。
【選択図】図1

Description

本発明は、段差を有する基板を備えたサイドビュー型の発光装置及びその製造方法に関する。
携帯電話等の液晶画面のバックライト用の発光装置として、発光面を横向きに実装する、いわゆるサイドビュー型の発光装置が知られている(例えば特許文献1及び2参照。)。発光装置の小型化が進み、これに伴って発光装置の電極等の各部品も小寸法になっている。発光装置を実装基板に実装するときには、発光装置の電極と、実装基板の配線パターンとをハンダによって接続するが、発光装置の電極が小型になると、ハンダがはみ出して電極間を短絡することや、又は短絡を避けるためにハンダの量を減らすと発光装置の固定力が不足するなどの問題があった。
これらの問題を解決するために、図9及び図10に示すような垂直な垂直段差29を有する基板を備えた発光装置が知られている(例えば特許文献3参照。)。
この発光装置100は、長さの異なる2枚の基板(第1基板12、第2基板14)を積層した積層基板15の上面に、発光素子18を実装し、さらに発光素子18を封止する透明樹脂層20によってシリンドリカル状のレンズを形成している。
積層基板15は、長さの短い第1基板12の上面12aに長さの長い第2基板14を積層して構成されているので、積層基板15の下面15b側の両端に垂直段差29が形成される。垂直段差29に面した第1基板12の側面12c及び第2基板14の下面14bには、発光装置100の下面電極27a、27bが形成されていて、ハンダ28を用いて実装基板30の配線パターン32に接続及び固定することができる。
この発光装置100では、実装時のハンダ28が垂直段差29に留まりやすいので、ハンダの量を減らさなくても短絡を十分に抑制することができる。また、下面電極27a、27bが第1基板12の側面12cの面積に相当する分だけ広くなっているので、発光装置100を固定する面積が広くとれる。これらの理由により、図9及び図10の発光装置100は、高い固定力で実装基板30に実装することができる。
特開2001−177156号公報 特開2003−234507号公報 意匠登録第1257104号公報
図9及び図10のような発光装置100を製造するときには、図10のY方向に、複数の発光装置100が結合したような形態で、積層基板15の作製、発光素子18の実装、及び透明樹脂層20の形成を行い、その後に所定の厚みに切断して個々の発光装置100に分割する方法を採用することが多い。この製造方法は、取扱いしやすい大きめの寸法形状で殆どの工程を進めることができる点と、多数の発光装置100を同時に製造できるので生産性に優れている点で有利である。
しかしながら、この製造方法で形成すると、いくつかの問題点が生じていた。
第1の問題点は、下面電極27a、27bの形成不良の問題である。
図9に示すように、下面電極27a、27bは、第1メッキ層24a、24bと、第2メッキ層25a、25bと、メッキ層26a、26bとから構成されている。第1メッキ層24a、24b及び第2メッキ層25a、25bは、第1基板12と第2基板14とを積層する前に、無電解メッキ、物理蒸着法又は化学蒸着法などにより所定位置に形成される。そして、第1基板12と第2基板14とを積層した後に、第1メッキ層24a、24bと第2メッキ層25a、25bとの導通を確実にするために、電解メッキによりメッキ層26a、26bを形成している。
メッキ層26a、26bの形成時には、積層の完了した積層基板15をメッキ浴に浸漬するが、単に浸漬しただけでは垂直段差29から空気が抜けないことがあった。そのため、垂直段差29に面した部分にはメッキ層26a、26bが形成されず、下面電極27a、27bの形成不良が起こっていた。
第2の問題点は、個々の発光装置100に分割するときの、バリの問題である。
発光装置100を分割するときは、透明樹脂層20から39積層基板15に向かって切断刃で切断するが、このときに、金属から形成された下面電極27a、27bが切断刃によって引っ張られてバリを発生する(図11参照)。発光装置100を実装基板に実装するときには、マウンターが発光装置100の表面形状を認識して実装位置を位置決めするが、バリ50が発生して見かけの表面形状が変化すると、マウンターが発光装置100の形状を誤認して、実装精度を低下させるおそれがある。
マウンターの誤認の原因は、発光装置100の実装面(これを裏面100bとする)のバリよりも、表面100aのバリ50に依存する。そこで、発光素子100に分割する前に、下面電極27a、27bのうち、発光装置100の表面100aに接する部分を除去することが考えられる。そのように小さい領域の下面電極を除去するには、フォトレジストを用いて下面電極をエッチングする方法が最適であり、下面電極のうち残したい領域の形状、又は除去したい領域の形状に合わせたマスクを使用して、フォトレジストを露光し、その後にエッチングにより下面電極を除去する。発光装置100の下面電極27a、27bの場合には、フォトレジストの露光時には、積層基板15の下面15bからZ方向に向けて光を照射するが、第1基板12の側面12cが光の照射方向と平行になるので、側面12c上に形成されたフォトレジストは十分に露光されず、その結果、下面電極27a、27bには、未除去部分270が残ってしまう(図12参照)。そして、発光装置100の分割のときに、切断刃がこの未除去部分270を通ると、針状のバリ50が発生する。このような針状のバリ50は、実装時に発光装置100から実装基板30に落下しやすく、配線パターンの短絡の原因となる可能性が高い。
そこで、本発明は、下部電極の形成不良が起こりにくく、表面にバリの出来にくい発光装置を提供することを目的とする。また、本発明は、上記の発光装置の製造に適した製造方法を提供することを目的とする。
本発明の発光装置は、発光素子と、前記発光素子を実装する上面と該上面に対向する下面とを備えた基板と、前記基板の前記上面に形成され前記発光素子と接続された一対の上面電極と、前記基板の前記下面に形成された一対の下面電極と、前記上面電極と前記下面電極とを導通する接続部と、を備えた発光装置であって、前記基板は、前記下面側に段差を備え、前記段差の側面は、前記段差の角度θが鈍角になるように、前記下面に対して傾斜しており、前記下面電極が、少なくとも前記段差の傾斜した前記側面まで延設されていることを特徴とする。前記基板の上面と下面とは平行であることが好ましい。
本明細書では、「段部の角度θ」とは、段差の開口部分の角度を指している。段差の角度θが鈍角であると、基板の下面側から傾斜した側面が観察されるようになる。
本発明の発光装置は、段部の側面に下面電極を備えることにより、特許文献3の発光装置と変わらない下面電極の面積を維持している。そして、段部の角度θを鈍角にすることにより、メッキ浴に浸漬したときの段部からの空気の抜けを良好にすることができる。よって、傾斜した段部側面に形成された下面電極の表面には、電解液に接触して十分な厚さの金属メッキを施すことができる。また、フォトリソグラフィー技術を用いた下面電極のパターニングでは、段部の側面が傾斜しているので、下面電極の全面を十分に露光することができる。よって、連続した形態で形成した発光装置を分割するときに生じていたバリを発生させずに、個々の発光装置に分割することができる。
また、本発明の発光装置の製造方法は断面逆台形の帯状部分を含む第1板状体の上面側に第2板状体を積層して積層板状体を形成する工程と、前記積層板状体の上面から下面まで貫通した複数の貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔の内部に導電性材料を配置して接続部を形成する工程と前記積層板状体の上面に、前記接続部の上端と接触する上面電極を形成する工程と、前記積層板状体の下面に、前記接続部の下端と接触する下面電極を形成する工程と、前記積層板状体の上面に発光素子を実装する工程と、前記第1基板の長手方向と略垂直方向に前記積層板状体を切断して、個々の発光装置に分離する工程とを備えることを特徴とする。
本発明の製造方法は、断面逆台形の帯状部分を含む第1板状体と第2板状体とを用いることにより、角度θが鈍角の段差を有する積層板状体を形成する。この積層板状体は、上記の複数の基板が連続した形態となっており、積層板状体の段階で発光素子に必要な構成を形成し、後に積層板状体を分割することにより、同時に多数の発光装置を形成することができる。また、第1板状体122と第2板状体142とを積層することにより、傾斜した段差側面を有する基板を容易に形成することができる。さらに、小型の発光装置の製造であっても、比較的ハンドリングしやすい寸法形状の基板で製造して、最後に平行に切断すれば、簡単に製造することができる。
本発明の発光装置は、下部電極の形成不良が起こりにくくいので、製品のコストパフォーマンスが高く、また表面にバリが出来にくいので、実装時のバリの落下のおそれがない。また、本発明の製造方法によれば、上記の発光装置を容易に製造することができる。
<実施の形態1>
図1及び図2に図示されているように、本実施の形態の発光装置10は、長手方向がX方向に向くように配置された第1基板12及び第2基板14を含んでいる。これらの基板をZ方向に積層し、そして第1基板12の上面12aと第2基板14の下面14bとの間を固定部材36によって固定することにより、積層基板15が構成されている。
第1基板12は、上面12aから下面12bに向かって狭くなる逆台形の断面形状を有し、そして第2基板14は長矩形の断面形状を有している。第1基板12の上面12aをX方向の長さ12Xとし、第2基板14のX方向の長さ4Xとすると、第1基板12と第2基板14との寸法関係は、12X>14Xになっている。そのため、積層基板15を形成するときには、第1基板12の両端の傾斜面12dを、第2基板14の側面14cよりも内方に位置するように第1基板12と第2基板14とを積層することができる。第1基板12の傾斜面12dと第2基板の下面14bとの間には、傾斜段部33が形成される。
なお、本実施の形態では、第1基板12のY方向の寸法は、第2基板14のY方向の寸法と略等しく、Y方向においては、第1基板12と第2基板14とを実質的に面一に積層することができる。
第2基板14の上面14aには、一対の上面電極16a、16bが形成され、また、上面電極16a、16bの間には発光素子(例えば発光ダイオード)18が固定されている。発光素子18は、上面電極16a、16bと導電性ワイヤ38a、38bによって接続されている。
第2基板14の上面14aは、透明樹脂から成る透明樹脂層20によって覆われており、発光素子18を外部環境から保護している。本実施の形態では、透明樹脂層20の発光面42を、Z方向に突出したシリンドリカルレンズに成形することにより、発光素子18からYZ面内に広がる光を、Z方向に収束させるようにしている。
上面電極16a、16bの直下には、第1基板12の下面12bから第2基板14の上面14aまで貫通する貫通孔34が形成されており、この貫通孔34の内部に導電性材料が充填されて、接続部22a、22bを構成している。
第1基板14の下面14bには、接続部22a、22bの下面側に接触し且つ貫通孔34を封止する第1金属膜24a、24bが形成されている。
第1基板12の下面12bの一部と傾斜面12dとには、第1金属膜が形成されている。また、第2基板14の下面14aには、第2金属膜25a、25bが適当な間隔をあけて形成されており、第1基板12と第2基板14との間で接続部22a、22bと接触している。そして、露出した第1金属膜24a、24b及び第2金属膜25a、25bの表面には、メッキ層26a、26bが形成されている。メッキ層26a、26bは、第1金属膜24a、24bから対応する第2金属膜25a、25bまでを覆って、それらの間の導通を取っている。本実施形態では、第1金属膜24a、24bと、第2金属膜25a、25bと、メッキ層26a、26bと、下面電極27a、27bが構成される。
この発光装置10では、実装時のハンダ28が傾斜段差33に留まりやすいので、隣接する下面電極27a、27bの間でのハンダ28の漏れだしが起こりにくく、そのためハンダの量を減らさなくても短絡を十分に抑制することができる。また、下面電極27a、27bが第1基板12の傾斜面12dの面積に相当する分だけ広くなっているので、発光装置10を固定する面積が広くとれる。さらにサイドビュー型の発光装置であるため、実装安定性が良い。これらの理由により、発光装置10は、高い固定力で実装基板30に実装することができる。
傾斜段部33の角度θは、少なくとも鈍角(90°より大きく、180°未満の角度)にされるが、特に95°〜165°であるのが好ましく、さらに110°〜130°であるとより好ましい。角度θが95°未満であると、メッキ層26a、26bの形成時に傾斜段部33から空気が抜けにくく、また下面電極27a、27bをフォトリソグラフィー技術を用いてエッチング加工する場合には、第1基板12の傾斜面12d上のフォトレジストを十分に露光しにくいので好ましくない。角度θが165°より大きいと、ハンダ28が傾斜段部33から漏れやすくなるので好ましくない。
また、第1基板12の下面12bのX方向の長さ120Xは、接続部22a、22bの下端の開口位置に影響するので、ある一定範囲の長さに形成されるのが好ましい。特に、22a、22bと第1基板12の下面12bの角部との間隔dが、100μm以上になるように、長さ120Xが調整されるのが好ましい。間隔dが、100μm未満であると、接続部22a、22bが形成しにくくなるので好ましくない。なお、長さ120Xは、第1基板12の上面の長さ12X、傾斜段部33の角度θ、及び第1基板12の厚さ12tの3つの設定を変更することにより、調節できる。
第2金属膜25a、25bは、第1基板12と第2基板14との間で接続部22a、22bと接触しているので、接続部22a、22bの内部にこもりやすい熱を外部に逃がす放熱経路として有効である。これにより、半導体発光装置10の積層基板15が反るなどの熱による悪影響を抑制することができる。また発光素子18から発生する熱を効率的に外部に逃すことができる。なお、それぞれの第2金属膜25a、25bは、短絡しないように間隔をあけて形成され、第2金属膜25a、25bの短絡を避けるために、固定部材36には絶縁性の固定用材料(例えば接着剤)を使用する。
次に、本実施の形態に係る発光装置の製造方法について説明する。
1.積層板状体152の作製
図3は、第1基板12を形成するための第1板状体122と、第2基板14を形成するための第2板状体142とを示している。この第1板状体122及び第2板状体142は、複数個の発光装置10を同時に形成することができる。
第1板状体122には、Y方向に長いスロット52が複数(この例では2つ)並列して形成されている。このスロット52には、第1板状体122の下面122a側の周辺および内壁に、第1金属膜の一部241a、241b(スロットの左右で区別されている)が被覆されている。なお、スロット52周辺の上面側122aには、金属膜は被覆されていない。隣接するスロット52の周辺に形成された第1金属膜の一部241a、241bは、互いが接触しないように間隔をあけて成膜されている。
スロット52のX方向の寸法は、第1板状体122の下面122bから上面122aに向かって狭くなるように形成されており、これにより、スロット52の断面形状が台形になっている。これにより、スロット52の間に位置している第1板状体122の帯状部分123(後に第1基板12となる)の断面形状を逆台形にすることができる。
第2板状体142は、裏面142b側に、Y方向に延びた複数の第2金属膜25a、25b(この例では2つ)が形成されている。第2金属膜25a、25bは、第1板状体122のスロット52の形成位置に位置合わせしてパターニングされている。また、隣接する第2金属膜25a、25b同士は、互いに接触しないように間隔をあけて成膜されている。
図3の第1板状体122と第2板状体142とは、固定材層36を間に挟んで積層して、図4Aに示すような積層板状体152を形成する。このとき、Z方向から観察して、第1板状体122のスロット52から、第2板状体142の第2金属膜25a、25bが部分的に露出するように、第1板状体122と第2板状体142とを位置合わせをして積層する。
この位置合わせがずれると、個々の発光装置10に分割するときに、第1基板12及び第2基板14のそれぞれに設定された切断位置がずれてしまうので、分割後の発光装置10が不良品になる恐れがある。よって、第1板状体122のスロットと、第2板状体142の第2金属膜25a、25bとの位置をできるだけ精度よく位置合わせするのが好ましい。
2.積層板状体152の加工
図4Aのように積層した積層板状体152に、第1板状体122の下面から第2板状体142の上面まで貫通した貫通孔34を形成する(図4B参照)。貫通孔は、第1板状体122の2つのスロット52の間に、X方向に2つ並べて形成する。特に、各貫通孔34が、第2金属膜25a、25bを貫通するように位置を決定するのが良い。なお、複数の発光装置10を同時に形成するときには、1つの発光装置10当たり、X方向に並んだ2つの貫通孔34を含むように、積層板状体152に必要な個数の貫通孔34を形成する。
形成した貫通孔34に金属ペーストを充填し、又は貫通孔34内に金属メッキを施して、接続部22a、22bを形成する。接続部22a、22bの上端(第2板状体142の上面側)には上面電極16a、16bを形成する。また、接続部22a、22bの下端(第1板状体122の下面側)には、第1金属膜の一部241a、241bから延設された金属膜(この延設された金属膜と、第1金属膜の一部241a、241bとから、第1金属膜24a、24bが構成される)が形成される(図4C参照)。
3.下面電極27a、27bの形成
第1板状体122と第2板状体142とを積層したときに、第1金属膜24a、24bと第2金属膜25a、25bとは絶縁性の固定材層36によって絶縁されるか、または僅かに接触する状態である。そこで、第1金属膜24a、24bと第2金属膜25a、25bとの導通を確保するために、それらの金属膜を覆うメッキ層26a、26bを形成する。メッキ層26a、26bは、電解メッキ法によって形成するのが好ましく、導電性の第1金属膜24a、24b及び第2金属膜25a、25bの上に、選択的にメッキすることができる。本実施の形態では、電解浴に浸漬したときに空気が逃げにくい積層板状体152の段差部分を角度θの傾斜段部33とすることにより、空気の逃げを良くすることができる。これにより、傾斜段部33に形成された第1金属膜24a、24b及び第2金属膜25a、25bの表面に、電解液が十分に接触し、所望の厚さのメッキ層26a、26bを形成することができる。
こうして、第1金属膜24a、24b、第2金属膜25a、25b、及びメッキ層26a、26bから成る下面電極27a、27bが形成される(図4D参照)。
形成された下面電極27a、27bは、さらにフォトリソグラフィー技術によってパターニングされて、所望の電極形状に成形される(図4D参照)。パターニングは、フォトレジスト(図示せず)を用いたエッチングで行われ、まず下面電極27a、27bの表面にフォトレジストを塗布し、所望の電極形状を有するマスク46で覆った状態で光Lを照射して、フォトレジストを所定パターンに感光させる。そして、フォトレジストで部分的に保護された下面電極27a、27bをエッチングすることにより、所望のパターンの下面電極27a、27bが得られる。
図5Aのように、パターニングされた下面電極27a、27bは、X方向に延び、Y方向に断続する縞状の除去部272により分断される。除去部272からは、基板12の傾斜部12dが露出している。また、第1板状体122と第2板状体142との間に位置してエッチングされずに残った第2金属膜25a、25bも、除去部272から露出する。
本実施の形態では、第1板状体122の側部を傾斜部12dとすることにより、フォトレジストの感光のときに、第1板状体122の傾斜部12dを含む下面電極27a、27bの表面全体を光Lによって十分に露光できる。よって、フォトレジストがマスク46の形状どおりに感光し、下面電極27a、27bを所定の形状にパターニングすることができる。
4.発光素子18の実装
下面電極27a、27bのパターニングが完了した積層板状体152に、発光素子18を実装する。発光素子18は、積層板状体152の上面に、2つの上面電極16a、16bの間に位置するようにダイボンドされる。そして、発光素子18の電極は、導電性ワイヤ38a、38bによって、積層板状体152の上面電極16a、16にワイヤボンドされる(図4E参照)。複数の発光装置10を同時に製造する場合には、Y方向に沿って複数の発光素子18を実装することができる。
5.透明樹脂層20の形成
積層板状体152の上面に、発光素子18、上面電極16a、16b及び導電性ワイヤ38a、38bを封止する透明樹脂層20を形成する(図4F及び図5B参照)。図4Fのように、X方向に並列に実装された複数の発光素子18に、同時に透明樹脂20を形成することができる。また、図5Bのように、Y方向に実装された複数の発光素子18に、同時に透明樹脂層20を設けることもできる。透明樹脂層20は2層以上の複数層でもよい。例えば、蛍光体が含有された1層目が発光素子を覆うように形成されており、フィラーが含有された2層目が該1層目を覆うように形成された透明樹脂層20とすることもできる。
透明樹脂層20は、レンズ形状を有する金型を用い、トランスファモールド、圧縮成形、射出成形などの方法により形成可能である。なお、透明樹脂層20には、発光素子18からの発光を波長変換するための蛍光体を含んでもよい。
6.発光装置10への分割
最後に、図5A及び図5Bの切断線C及びCに沿って積層板状体152を切断する。切断線C及びCは、切断後の各発光装置10に、1つの発光素子18と一対の接続部22a、22bとが含まれるように設定される。なお、切断線Cは、第1基板12のスロット52の中心線に一致している。
切断後は、図4Gに示すように、個々に分割された発光装置10が、同時に複数得られる。得られた発光装置10の傾斜段部33は、図6に示すように、発光装置10の表面10a側に接する下面電極27a、27bが、除去部272によって十分に除去されているので、図12に示すような未除去部270が存在せず、よって発光装置10の表面10aにはバリ50が発生しない。
本実施の形態の製造方法は、スロット52を有する第1板状体122を第2板状体142に積層し、最後にスロット52の長手方向に延びる中心線に一致する切断線Cと、それに直交する切断線Cとによって切断することにより、長さの異なる第1基板12と第2基板とを積層した積層基板15を備えた発光装置を、同時に多数形成することができる。また、断面逆台形の第1基板12を有する積層基板15を、断面台形のスロットを備えた第1板状体122を用いることで、容易に製造することができる。さらに、小型の発光装置10の製造であっても、比較的ハンドリングしやすい寸法形状の基板で製造して、最後に平行に切断すれば、簡単に製造することができる。
以下、発光装置10の各構成について詳細に説明する。
(第1基板12、第2基板14)
第1基板12及び第2基板14は、適当な機械的強度と絶縁性を有する材料であれば特に限定されない。例えば、BTレジン、ガラスエポキシ等を用いることができる。また、エポキシ系樹脂シートを多層張り合わせたものでも良い。
(上面電極16a、16b、第1金属膜24a、24b、第2金属膜25a、25b)
第1基板12及び第2基板14に形成する上面電極16a、16b、第1金属膜24a、24b、及び第2金属膜25a、25bは、Cuを主成分とする金属層とすることが好ましく、例えば、Cu/Ni/Agによって構成することができる。
(メッキ層26a、26b)
第1基板12の表面に形成されるメッキ層26a、26bは、電解メッキによって形成されており、Niを下地層とし、Agを表面に配置する構成が好ましい。NiとAgとの間にAuなどを設けてもよい。また、Agの代わりにPd、Rhなどを用いても良い。Ni層の厚さは3μm以上、Ag層の厚さは2μm以上が好ましいが、適宜変更することもできる。
(接続部22a、22b)
接続部22a、22bは、貫通孔34に、銅ペースト、銀ペーストなどの導電部材を充填して形成することができる。金属ペーストは、上面電極16a、16b及び第1金属膜24a、24bによって、貫通孔内に封止される。
また、接続部22a、22bは、無電界メッキ等により形成した導電性被膜から形成することもできる。このとき、導電性被膜が貫通孔34を一部又は全部を充填してもよいし、貫通孔34の内壁のみを被覆して空洞部を残してもよい。空洞部が残存する場合には、そこにエポキシ樹脂などの絶縁材料を充填してもよい。
(固定部材36)
固定部材36は、第1基板12及び第2基板14との接着性が良好で、且つメッキ層26a、26bや接続部22a、22bの間を絶縁できる絶縁性の接着剤や接着シートから形成することができる。好ましい固定部材36としては、エポキシ樹脂や変性シリコーン樹脂、シリコーン樹脂などを用いることができる。
(発光素子18)
発光素子18には、半導体発光素子が好ましく利用される。特に、バックライト用の白色発光装置を作製する場合には、発光素子に短波長を発する発光ダイオードを用いて、蛍光体により発光の一部を他の色に波長変換する方法が採用できる。以下に、白色発光装置に利用できる発光ダイオードと蛍光体との組み合わせについて説明する。
白色の発光装置を構成するのに適した発光ダイオードとして、窒化物半導体(InAlGa1−X−YN、0≦X、0≦Y、X+Y≦1)のを用いたものを用いることができる。この発光ダイオードは、InGa1-xN(0<x<1)を発光層として有しており、その混晶度によって発光波長を約365nmから650nmで任意に変えることができる。
白色系の光を発光させる場合は、蛍光体から出射される光との補色関係を考慮すると、発光ダイオード8の発光波長は400nm以上530nm以下に設定することが好ましく、420nm以上490nm以下に設定することがより好ましい。なお、蛍光体の種類を選択することにより、400nmより短い紫外域の波長の光を発光するLEDチップを適用することもできる。
蛍光体は、例えば、窒化物系半導体を発光層とする半導体発光ダイオード8からの光を吸収し異なる波長の光に波長変換するものであればよい。例えば、Eu、Ce等のランタノイド系元素で主に賦活される窒化物系蛍光体・酸窒化物系蛍光体、Eu等のランタノイド系、Mn等の遷移金属系の元素により主に付活されるアルカリ土類ハロゲンアパタイト蛍光体、アルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン蛍光体、アルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体、アルカリ土類ケイ酸塩、アルカリ土類硫化物、アルカリ土類チオガレート、アルカリ土類窒化ケイ素、ゲルマン酸塩、又は、Ce等のランタノイド系元素で主に付活される希土類アルミン酸塩、希土類ケイ酸塩又はEu等のランタノイド系元素で主に賦活される有機及び有機錯体等から選ばれる少なくともいずれか1以上であることが好ましい。特に、セリウムで賦活したアルミニウムガーネットMAl12:Ce(MはY、Tb、Lu等)が好ましく、組成の一部をGd、Gaなどの他の元素で置換しても良い。
(透明樹脂層20)
透明樹脂層20の材料は、発光素子18の発光を透過し、使用時に変質しにくい材料であれば特に限定されない。例えば、エポキシ、シリコーン、変成シリコーン、ウレタン樹脂、オキセタン樹脂、アクリル、ポリカーボネイト、ポリイミドなどの樹脂を用いることができる。さらに、樹脂以外にガラスを用いることができる。第1透明樹脂層12中にフィラーや拡散材が分散されていても良い。尚、透明樹脂層20は、発光素子18の熱を受け易いため、耐熱性の良好な樹脂であることが好ましい。例えば、エポキシ、シリコーン樹脂、変成シリコーン樹脂、オキセタン樹脂を用いることが好ましい。透明樹脂層20の粘度は、硬化前で100〜2000mPa・sであることが好ましい。ここで「粘度」とは、円錐平板型回転粘度計を用い、常温下で測定したものを指す。また、透明樹脂層20は、硬化条件が80℃〜180℃、数分〜数時間の下で形状を維持できる程度の硬さになる樹脂であることが望ましい。
本実施の形態では、透明樹脂層20にシリンドリカル状のレンズを形成しているが、このレンズは、実装面に平行な方向に大きなレンズ径を有することが好ましい。これは実装面に平行な方向は、実装面に垂直な方向に比べて配光特性を制御する必要性が高いからである。
また、蛍光体を用いて白色発光装置を形成する場合には、この透明樹脂層20に蛍光体を混入するのが好ましい。蛍光体は、透明樹脂層に均一に分散してもよいが、特に、発光素子18の近傍に偏在すると、視認方向による色むらを抑制できるので好ましい。
<実施の形態2>
本実施の形態にかかる発光装置10は、図7及び図8に図示しているように、第1基板12に相当する部位と第2基板14に相当する部位とが一体に形成されて、単一基板150を構成している。そのため、実施の形態1とは異なり、本実施の形態では第2基板14の下面12aに第2金属膜25a、25bが形成されていない。また、第1基板12に第1金属膜24a、24bを形成する代わりに、下面電極27a、27bを直接形成している。また、本実施の形態では、実施の形態1のような固定部材36を備えていない。これらの構成以外は、実施の形態1と同様である。
これらの相違により、実施の形態1の製造方法において、第1板状体122と第2板状体142とを積層して積層板状体152を形成する代わりに、単一の板状体を加工して同様の形状を形成している。
単層板状体151の作製
図8は、単層基板150を形成するための単層板状体151であり、図3及び図4Aにおける第1板状体122のスロット52の代わりに、基板の厚さの途中まで掘り込んだ座グリ穴54を形成する。座グリ穴54は、断面形状が台形で、Y方向に長く延びた細長い形状にする。これにより、図4Aの積層板状体152と類似の断面を有する単層板状体151が得られる。本明細書では、単層板状体151のうち座グリ穴54が達していない連続部分を第1基板相当部121、座グリ穴54によって分離された島状部分を第2基板相当部141と称する。
このようにして形成された単層板状体151は、実施の形態1と同様に、接続部22a、22b、上面電極16a、16b、下面電極27a、27bを形成し、下面電極27a、27bをパターニングし、発光素子18を実装した後に透明樹脂層20を形成する。そして、図5Bに示すように切断線C及びCで発光装置10に分割するときには、切断線Cを、座グリ穴54の長手方向(Y方向)の中心線と一致させる。
本実施の形態の製造方法は、基板に細長い座グリ穴54を形成し、最後に座グリ穴54の長手方向に延びる中心線に一致する切断線Cと、それに直交する切断線Cとによって切断することにより、長さの異なる第1基板12と第2基板とを含む単層基板150を備えた発光装置10を、同時に多数形成することができる。また、断面逆台形の第1基板相当部121を有する単層基板150を、断面台形の座グリ穴54を備えた単層板状体151を用いることで、容易に製造することができる。さらに、小型の発光装置10の製造であっても、比較的ハンドリングしやすい寸法形状の単層板状体151で製造して、最後に平行に切断すれば、簡単に製造することができる。
そして、単層板状体151を用いた本実施の形態は、第1板状体122第2板状体142との位置合わせが不要であるので、第1基板12と第2基板14との位置ズレによる発光装置の不良品発生を防止できる。
実施の形態1にかかる発光装置の実装状態を示す概略正面図である。 実施の形態1にかかる発光装置の実装状態を示す概略斜視図である。 実施の形態1にかかる発光装置の基板の作製方法を説明する概略斜視図である。 実施の形態1にかかる発光装置の製造方法を説明する概略断面図である。 実施の形態1にかかる発光装置の製造方法を説明する概略断面図である。 実施の形態1にかかる発光装置の製造方法を説明する概略断面図である。 実施の形態1にかかる発光装置の製造方法を説明する概略断面図である。 実施の形態1にかかる発光装置の製造方法を説明する概略断面図である。 実施の形態1にかかる発光装置の製造方法を説明する概略断面図である。 実施の形態1にかかる発光装置の製造方法を説明する概略断面図である。 実施の形態1にかかる発光装置の下面電極のパターニングを示す概略側面図である。 実施の形態1にかかる発光装置の分割方法を説明する概略斜視図である。 実施の形態1にかかる発光装置の基板に形成された傾斜段差を示す部分概略斜視図である。 実施の形態2にかかる発光装置の実装状態を示す概略正面図である。 実施の形態2にかかる発光装置の基板の作製方法を説明する概略断面図である。 従来の発光装置の実装状態を示す概略正面図である。 従来の発光装置の実装状態を示す概略斜視図である。 従来の発光装置の基板に形成された垂直段差を示す部分概略斜視図である。 従来の発光装置の基板に形成された垂直段差を示す部分概略斜視図である。
符号の説明
10 発光装置、 12 第1基板、 12a 第1基板の上面、 12b 第1基板の下面、 12d 第1基板の傾斜した側面、 14 第2基板、 15 積層基板、 16a、16b 上面電極、 18 発光素子、 20 透明樹脂層、22a、22b 接続部、 24a、24b 第1金属膜、 25a、25b 第2金属膜、 26a、26b メッキ層、 27a、27b 下面電極、 28 ハンダ、 33 傾斜段差、 36 固定部材、 46 マスク、 50 バリ、 52 第1基板のスロット、 54 座グリ穴、121 第1基板相当部、 122 第1板状体、 123 帯状部分、 141 第2基板相当部、 142 第2板状体、 150 単層基板、 152 積層板状体、 270 下面電極の未除去部分、 272 下面電極の除去部分

Claims (7)

  1. 発光素子と、
    前記発光素子を実装する上面と該上面に対向する下面とを備えた基板と、
    前記基板の前記上面に形成され前記発光素子と接続された一対の上面電極と、
    前記基板の前記下面に形成された一対の下面電極と、
    前記上面電極と前記下面電極とを導通する接続部と、を備えた発光装置であって、
    前記基板は、前記下面側に段差を備え、
    前記段差の側面は、前記段差の角度θが鈍角になるように、前記下面に対して傾斜しており、
    前記下面電極が、少なくとも前記段差の傾斜した前記側面まで延設されていることを特徴とする発光装置。
  2. 前記角度θが、95°〜165°であることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
  3. 前記基板が、
    断面逆台形で前記基板の下面側に配置される第1基板と、
    前記第1基板の上面側に積層される第2基板と、
    前記第1基板と前記第2基板とを固定する固定部材と、を含む積層基板であることを特徴とする請求項1又は2に記載の発光装置。
  4. 前記接続部が、前記第1基板の上面から前記第2基板の下面まで貫通する貫通孔の内部に充填された導電材料から成り、
    前記発光装置が、前記第1基板と前記第2基板との間で前記接続部に接触した金属膜をさらに備えており、
    前記金属膜が、前記第2基板の下面に沿って延設されて、前記下面電極と接触していることを特徴とする請求項3に記載の発光装置。
  5. 前記基板が、
    断面逆台形で前記基板の下面側に配置される第1基板に相当する部位と、
    前記第1基板の上面側に一体に形成される第2基板に相当する部位と、を含む単層基板であることを特徴とする請求項1又は2に記載の発光装置。
  6. 断面逆台形の帯状部分を含む第1板状体の上面側に第2板状体を積層して積層板状体を形成する工程と、
    前記積層板状体の上面から下面まで貫通した複数の貫通孔を形成する工程と、
    前記貫通孔の内部に導電性材料を配置して接続部を形成する工程と
    前記積層板状体の上面に、前記接続部の上端と接触する上面電極を形成する工程と、
    前記積層板状体の下面に、前記接続部の下端と接触する下面電極を形成する工程と、
    前記積層板状体の上面に発光素子を実装する工程と、
    前記第1基板の長手方向と略垂直方向に前記積層板状体を切断して、個々の発光装置に分離する工程とを備えることを特徴とする発光装置の製造方法。
  7. 発光素子を実装するための上面と、該上面に対向する下面と、を備えた発光装置用基板であって、
    前記基板の前記上面に形成されて前記発光素子と接続される一対の上面電極と、
    前記基板の前記下面に形成された一対の下面電極と、
    前記上面電極と前記下面電極とを導通する接続部と、を備え、
    前記基板は、前記下面側に段差を備え、
    前記段差の側面は、前記段差の角度θが鈍角になるように、前記下面に対して傾斜しており、
    前記下面電極が、少なくとも前記段差の傾斜した前記側面まで延設されていることを特徴とする発光装置用基板。

JP2006176672A 2006-06-27 2006-06-27 発光装置及びその製造方法 Expired - Fee Related JP5103805B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006176672A JP5103805B2 (ja) 2006-06-27 2006-06-27 発光装置及びその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006176672A JP5103805B2 (ja) 2006-06-27 2006-06-27 発光装置及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2008010486A true JP2008010486A (ja) 2008-01-17
JP5103805B2 JP5103805B2 (ja) 2012-12-19

Family

ID=39068461

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006176672A Expired - Fee Related JP5103805B2 (ja) 2006-06-27 2006-06-27 発光装置及びその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5103805B2 (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010003722A (ja) * 2008-06-18 2010-01-07 Nichia Corp 半導体装置およびその製造方法
JP2010199253A (ja) * 2009-02-25 2010-09-09 Nichia Corp 光半導体装置及びその製造方法
WO2010140604A1 (ja) * 2009-06-05 2010-12-09 先端フォトニクス株式会社 サブマウント、これを備えた光モジュール、及びサブマウントの製造方法
JP2012099737A (ja) * 2010-11-04 2012-05-24 Stanley Electric Co Ltd サイドビュー型半導体発光装置およびその製造方法
JP2013084863A (ja) * 2011-10-12 2013-05-09 Apic Yamada Corp Ledパッケージ用基板、ledパッケージ、ledパッケージ用基板の製造方法、および、ledパッケージの製造方法
US9502619B2 (en) 2014-05-20 2016-11-22 Nichia Corporation Side-view light emitting device including base body having protruding component

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06350206A (ja) * 1993-06-04 1994-12-22 Osaka Shinku Kagaku Kk 立体回路基板及びその製造方法
JPH1184180A (ja) * 1997-09-09 1999-03-26 Oki Electric Ind Co Ltd 光モジュールの実装基板及びその製造方法
JP2002076161A (ja) * 2000-08-23 2002-03-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 表面実装型の半導体装置
JP2002313914A (ja) * 2001-04-18 2002-10-25 Sony Corp 配線形成方法及びこれを用いた素子の配列方法、画像表示装置の製造方法
WO2003030274A1 (fr) * 2001-09-27 2003-04-10 Nichia Corporation Dispositif emetteur de lumiere et procede de fabrication associe
JP2004111964A (ja) * 2002-09-18 2004-04-08 Agilent Technol Inc 表面実装型電子デバイス
JP2004207542A (ja) * 2002-12-26 2004-07-22 Kyocera Corp 発光素子収納用パッケージおよび発光装置
JP2004311857A (ja) * 2003-04-10 2004-11-04 Sharp Corp 半導体発光装置およびその製造方法
JP2006128511A (ja) * 2004-10-29 2006-05-18 Ngk Spark Plug Co Ltd 発光素子用セラミック基板
JP2006156447A (ja) * 2004-11-25 2006-06-15 Kyocera Corp 発光素子用配線基板ならびに発光装置およびその製造方法

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06350206A (ja) * 1993-06-04 1994-12-22 Osaka Shinku Kagaku Kk 立体回路基板及びその製造方法
JPH1184180A (ja) * 1997-09-09 1999-03-26 Oki Electric Ind Co Ltd 光モジュールの実装基板及びその製造方法
JP2002076161A (ja) * 2000-08-23 2002-03-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 表面実装型の半導体装置
JP2002313914A (ja) * 2001-04-18 2002-10-25 Sony Corp 配線形成方法及びこれを用いた素子の配列方法、画像表示装置の製造方法
WO2003030274A1 (fr) * 2001-09-27 2003-04-10 Nichia Corporation Dispositif emetteur de lumiere et procede de fabrication associe
JP2004111964A (ja) * 2002-09-18 2004-04-08 Agilent Technol Inc 表面実装型電子デバイス
JP2004207542A (ja) * 2002-12-26 2004-07-22 Kyocera Corp 発光素子収納用パッケージおよび発光装置
JP2004311857A (ja) * 2003-04-10 2004-11-04 Sharp Corp 半導体発光装置およびその製造方法
JP2006128511A (ja) * 2004-10-29 2006-05-18 Ngk Spark Plug Co Ltd 発光素子用セラミック基板
JP2006156447A (ja) * 2004-11-25 2006-06-15 Kyocera Corp 発光素子用配線基板ならびに発光装置およびその製造方法

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010003722A (ja) * 2008-06-18 2010-01-07 Nichia Corp 半導体装置およびその製造方法
JP2010199253A (ja) * 2009-02-25 2010-09-09 Nichia Corp 光半導体装置及びその製造方法
WO2010140604A1 (ja) * 2009-06-05 2010-12-09 先端フォトニクス株式会社 サブマウント、これを備えた光モジュール、及びサブマウントの製造方法
US9240527B2 (en) 2009-06-05 2016-01-19 Advanced Photonics, Inc. Submount, optical module provided with submount, and submount manufacturing method
JP2012099737A (ja) * 2010-11-04 2012-05-24 Stanley Electric Co Ltd サイドビュー型半導体発光装置およびその製造方法
JP2013084863A (ja) * 2011-10-12 2013-05-09 Apic Yamada Corp Ledパッケージ用基板、ledパッケージ、ledパッケージ用基板の製造方法、および、ledパッケージの製造方法
US9502619B2 (en) 2014-05-20 2016-11-22 Nichia Corporation Side-view light emitting device including base body having protruding component
US9711691B2 (en) 2014-05-20 2017-07-18 Nichia Corporation Side-view type light emitting device including base body having protruding component

Also Published As

Publication number Publication date
JP5103805B2 (ja) 2012-12-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8338845B2 (en) LED package and method for manufacturing the same
US20130001633A1 (en) Light-emitting element mounting substrate and led package
US20120002420A1 (en) LED module, LED package, and wiring substrate and method of making same
JP5315607B2 (ja) 発光装置及びその製造方法
JP4759381B2 (ja) 素子内蔵回路基板およびその製造方法
US20120132949A1 (en) Led package
US6733954B2 (en) Semiconductor module substrate sheet, semiconductor module substrate sheet fabricating method and semiconductor module
US20130001632A1 (en) Light-emitting element mounting substrate, led package and method of manufacturing the led package
US20130001618A1 (en) Light-emitting element mounting substrate and led package
JP5103805B2 (ja) 発光装置及びその製造方法
US20110101392A1 (en) Package substrate for optical element and method of manufacturing the same
JP2015156463A (ja) 配線基板及び半導体パッケージ
JP2006190814A (ja) 発光素子用の配線基板
JP2005347401A (ja) 光素子チップ部品
JP6065586B2 (ja) 発光装置及びその製造方法
JP5447928B2 (ja) 実装基板およびそれを用いた薄型発光装置の製造方法
KR101135740B1 (ko) 발광 광원 및 그 제조 방법
US9685391B2 (en) Wiring board and semiconductor package
JP5401025B2 (ja) 発光モジュールおよびその製造方法
JP2009071012A (ja) 発光装置及びその製造方法
WO2013027568A1 (ja) 発光装置
JP2006100753A (ja) 半導体モジュールおよびその製造方法
WO2017033890A1 (ja) 発光素子搭載用基板、発光装置および発光モジュール
JP4952235B2 (ja) 発光装置及びそれを用いたバックライト
JP2006080003A (ja) 照明装置用反射板とその製造方法、及びこれを用いた照明装置とその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20090625

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20111003

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20111101

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20111227

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120904

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120917

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5103805

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151012

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees