JP2013084863A - Ledパッケージ用基板、ledパッケージ、ledパッケージ用基板の製造方法、および、ledパッケージの製造方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 64
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 194
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 194
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 claims abstract description 26
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 61
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 claims description 23
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 18
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 5
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 1
- 239000006082 mold release agent Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Casting Or Compression Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
Abstract
【解決手段】LEDパッケージを製造するために用いられるLEDパッケージ用基板であって、LEDチップの第1の電極に電気的接続するためのダイパッドおよびLEDチップの第2の電極に電気的接続するためのリードを備えたリードフレームと、トランスファ成形によりダイパッドとリードとの間の抜き孔に充填され、かつ、リードフレームの表面上の端部にダム部を成形する樹脂とを有する。
【選択図】図3
Description
12 ダイパッド
13 リード
14 パッド部
16 抜き孔
18 LEDチップ実装領域
40 LEDチップ
50、80 上金型
60、90 下金型
71 樹脂
76 レンズ樹脂
93 Oリング
95 リリースフィルム
Claims (9)
- LEDパッケージを製造するために用いられるLEDパッケージ用基板であって、
LEDチップの第1の電極に電気的接続するためのダイパッド、および、該LEDチップの第2の電極に電気的接続するためのリードを備えたリードフレームと、
トランスファ成形により前記ダイパッドと前記リードとの間の抜き孔に充填され、かつ、前記リードフレームの表面上の端部に環状のダム部を成形する樹脂と、を有することを特徴とするLEDパッケージ用基板。 - 前記樹脂は、前記LEDチップを取り囲むように前記リードフレームの表面上にリフレクタを成形し、
前記ダム部は、前記リフレクタを取り囲むように該リフレクタよりも高く成形されていることを特徴とする請求項1に記載のLEDパッケージ用基板。 - 前記ダム部は、該ダム部の内外を連通する凹部を有することを特徴とする請求項1に記載のLEDパッケージ用基板。
- LEDチップと、
前記LEDチップの第1の電極に電気的接続するためのダイパッド、および、該LEDチップの第2の電極に電気的接続するためのリードを備えたリードフレームと、
トランスファ成形により前記ダイパッドと前記リードとの間の抜き孔に充填され、かつ、前記リードフレームの表面上の端部に環状のダム部を成形する樹脂と、
前記LEDチップを封止したレンズ樹脂と、を有することを特徴とするLEDパッケージ。 - 前記レンズ樹脂は、前記ダム部の内側に液状樹脂を供給し、金型を用いて圧縮成形を行うことによりレンズ部を形成することを特徴とする請求項4に記載のLEDパッケージ。
- LEDパッケージを製造するために用いられるLEDパッケージ用基板の製造方法であって、
LEDチップの第1の電極に電気的接続するためのダイパッド、および、該LEDチップの第2の電極に電気的接続するためのリードを備えるようにリードフレームを加工するステップと、
トランスファ成形により樹脂を前記ダイパッドと前記リードとの間の抜き孔に充填し、かつ、該樹脂を用いて前記リードフレームの表面上の端部にダム部を成形するステップと、を有することを特徴とするLEDパッケージ用基板の製造方法。 - LEDチップの第1の電極に電気的接続するためのダイパッド、および、該LEDチップの第2の電極に電気的接続するためのリードを備えるようにリードフレームを加工するステップと、
トランスファ成形により樹脂を前記ダイパッドと前記リードとの間の抜き孔に充填し、かつ、該樹脂を用いて前記リードフレームの表面上の端部にダム部を成形するステップと、
前記LEDチップを実装するステップと、
圧縮成形によりレンズ樹脂を前記ダム部の内部に供給して前記LEDチップを封止するステップと、を有することを特徴とするLEDパッケージの製造方法。 - LEDチップの第1の電極に電気的接続するためのダイパッド、および、該LEDチップの第2の電極に電気的接続するためのリードを備えるようにリードフレームを加工するステップと、
トランスファ成形により樹脂を前記ダイパッドと前記リードとの間の抜き孔に充填し、かつ、該樹脂を用いて前記リードフレームの表面上の端部にダム部を成形するステップと、
前記LEDチップを実装するステップと、
トランスファ成形によりレンズ樹脂を前記ダム部の内部に供給して前記LEDチップを封止するステップと、を有することを特徴とするLEDパッケージの製造方法。 - 前記レンズ樹脂の一部を前記ダム部の内部に予め供給し、ポットに該レンズ樹脂の他の一部を供給して前記トランスファ成形を行うことにより、前記LEDチップを封止することを特徴とする請求項8に記載のLEDパッケージの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011225354A JP5873678B2 (ja) | 2011-10-12 | 2011-10-12 | Ledパッケージ用基板の製造方法、および、ledパッケージの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013084863A true JP2013084863A (ja) | 2013-05-09 |
JP5873678B2 JP5873678B2 (ja) | 2016-03-01 |
Family
ID=48529730
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011225354A Active JP5873678B2 (ja) | 2011-10-12 | 2011-10-12 | Ledパッケージ用基板の製造方法、および、ledパッケージの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5873678B2 (ja) |
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JP5873678B2 (ja) | 2016-03-01 |
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