JP2007189116A - 光素子の樹脂封止成形方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明に係わる光素子2の樹脂封止成形方法によれば、基板1に成形される透光性樹脂成形体11における複数の光素子2に対応して、この場合、フレネルレンズを採用することにより、レンズ部分の厚みを薄型化し、この薄型化されたレンズ部分と光素子部分とを樹脂通路を全く設けないトランスファーレス成形用(圧縮成形用)金型にて圧縮成形して一体成形を行うものである。
【選択図】図1
Description
また、前述した特許文献1に示されるチップ型LED(半製品)の樹脂封止部と同様に、基板(リードフレーム)上の発光ダイオードペレット(LEDチップ)を、例えば、トランスファモールド法によって、樹脂封止して四角形の平面形状を有する光電変換素子基体(樹脂封止部)である半製品を成形させる。これに加えて、その基体上に、平面視して四角形の平板状部分と凸状のレンズ部分を、例えば、インジェクションモールド法、すなわち射出成型法によって透明性樹板(レンズ板)を形成し、最終的に、光電変換素子気体(半製品)と透明樹脂板(レンズ板)とを装着させて、レンズ付の透明樹脂板である光電子部品(製品)を完成させることが一般的に行われる(例えば、特許文献2参照)。
つまり、チップ型LED、または、光電変換素子基体である半製品を樹脂封止する成形方法として、トランスファモールド法を採用する一方、凸状のレンズ部分を有する透明性樹板であるレンズ板を樹脂封止する成形方法として、射出成型法を採用するものである。
第一に、トランスファモールド法、ならびに、射出成型法では、樹脂封止成形用金型を、トランスファ用金型と射出成型用金型とを個別に所有する必要があること。そして、両金型で成形された半製品とレンズ板とを装着させる別の何らかの装着機構を備える組立装置を更に所有する必要があること。すなわち、製造現場における大規模な設置スペースの確保、あるいは、各装置における夫々に対して、オペレーションやメンテナンスすること等の作業量が増大する問題が発生する点である。
第二に、透光性樹脂を前記した両金型(キャビティ)へ注入充填するために、樹脂通路(カル・ランナ・ゲート・スプル等)を両金型に夫々形成するが、前記した樹脂通路を介して両キャビティに当該樹脂を夫々万遍無く行き渡らせることは非常に困難な点である。
第三に、前記したレンズ板における凸状のレンズ部分は、光素子が放射する光を透過する重要な部位である。このレンズ内部にボイド(気泡)が少しでも含んだ状態で透光性樹脂にて封止成形すると、光素子から放射された光が不均一となって輝度ムラを発生させる。これに加えて、レンズ板の品質劣化を招く点である。
所要複数個の光素子2を嵌入させる金型の一方5側に形成されたキャビティ形成面6、ならびに、所要複数個の光素子2に対応してレンズの形状を夫々形成されたレンズ形成部7を備えるとともに、レンズ形成部7を有するキャビティ形成面6に透光性樹脂8を供給した状態で、且つ、基板1を金型における他方4側に供給セットした状態で、金型を型締めし、更に、この状態で、透光性樹脂8を加熱溶融化して所要複数個の光素子2を浸漬内包させるのと略同時に、加熱溶融化された透光性樹脂8(9)がレンズ形成部7の形状に沿って万遍無く行き渡らせて、所要複数個の光素子2を一括して圧縮成形させることにより、所要複数個の光素子2に対応して夫々形成されたレンズ、ならびに、所要複数個の光素子2を一体成形するように設定されていることを特徴とする。
所要複数個の光素子2を嵌入させる金型の一方5側に形成されたキャビティ形成面18に透光性樹脂8を供給した状態で、且つ、基板1を金型における他方4側に供給セットした状態で、金型を型締めし、更に、この状態で、透光性樹脂8を加熱溶融化して所要複数個の光素子2を浸漬内包させることにより、所要複数個の光素子2を一括して圧縮成形する一次モールド工程と、
一次モールド工程にて成形された硬化した透光性樹脂成形体19における所要複数個の光素子2に対応して、レンズの形状を金型とは別の金型における一方23側に夫々形成されたレンズ形成面24に別の透光性樹脂21を供給し、且つ、硬化した透光性樹脂成形体19を成形した基板1を別の金型における他方22側に供給セットした状態で、別の金型を型締めし、更に、この状態で、硬化した透光性樹脂成形体19が別の透光性樹脂21を加圧し且つ加熱溶融化するとともに、加圧し且つ加熱溶融化された別の透光性樹脂21がフレネルレンズの形状に万遍無く行き渡らせて、一括してレンズを圧縮成形する二次モールド工程と、を行い、
更に、一次モールド工程にて成形された硬化した透光性樹脂成形体19に対して、二次モールド工程にて成形されたレンズが二次モールド工程時に圧着させることにより、所要複数個の光素子2に対応して夫々形成されたレンズ、ならびに、所要複数個の光素子2を一体成形するように設定されていることを特徴とする。
なお、LEDチップに限らず、受けた光を電気的信号に変換する受光素子、例えば、フォトダイオード(PD)、固体撮像素子等のチップに対して本発明を適用することができる。そして、受けた電気的信号に応じて発光する発光素子、例えば、レーザダイオード(LD)等のチップに対して本発明を適用することができる。加えて、光通信に使用されるモジュールに対して本発明を適用することができる。すなわち、光素子に対して本発明を適用することができる。
つまり、基板1に搭載された複数のチップ2に対応してレンズ、この場合、フレネルレンズを採用することにより、該レンズ部分の厚みを薄型化し、この薄型化されたレンズ部分と光素子部分とを樹脂通路を全く設けないトランスファーレス成形用(圧縮成形用)金型にて圧縮成形して一体成形を行うものである。
つまり、図1(1)に対応する下型5のレンズ形成部7において、その他の一のレンズ形成部36・37を上方から見た概略平面図として、図4(1)および図4(2)にて夫々示している。
また、金型は、上下両型4・5(二型構造)ではなく、例えば、上下両型4・5間にさらに中間型(図示なし)を設ける三型構造、あるいは、三型以上の金型構造にも実施することができる。
すなわち、図示していないが、上型4の外側方周囲には、円筒形・角筒形等の環状形にて構成された上型側外気遮断部材(シール機構)が上型4を囲った状態で設けるとともに、下型5の外側方周囲には円筒形・角筒形等の環状形にて構成された下型側外気遮断部材(シール機構)が下型5を囲った状態で設ける。
また、上下両型4・5の型締時に、上型側および下型側外気遮断部材両者は、両外気遮断部材における夫々の先端部側に設けられたP.L面にて接合するとともに、上型側外気遮断部材の P.L面(接触面)に、例えば、伸縮自在の耐熱性ゴム等から成るチューブ状の中空シール部材を設ける。
つまり、図1(2)に示す上下両型4・5の中間型締時に、中空シール部材を膨張させることにより、該膨張中空シール部材は上型側外気遮断部材のP.L面から突出した状態となるとともに、膨張中空シール部材を下型側外気遮断部材のP.L面に当接することにより、少なくとも上下両型4・5における少なくとも型内空間部の内部の空気等を強制的に吸引排出することができる。なお、中空シール部材に換えて、Oリング等のシール部材を採用することができるとともに、上下両型4・5の外側方周囲でなく、上下両型4・5の型面に、中空シール部材、あるいは、シール部材を設けることもできる。
従って、金型の型内空間部に外気遮断空間部10を形成するとともに、該空間部10から透光性樹脂8(溶融樹脂9)のボイド(気泡)を強制的に吸引排出し、レンズ内部、ならびに、光素子部分におけるボイド(気泡)を抑制することができる。
また、基板1を金型が狭持する状態で、完全型締め状態としているが、上下両型4・5のいずれか一方の型面に基板1を収容セットするセット用凹所(図示なし)を形成することもできる。
また、フレネルレンズ用のレンズ形成部7に換えて、小さなマイクロレンズが凝集した一のレンズ形成部36を所要複数個形成したもの、あるいは、三角錘の突起が凝集した一のレンズ形成部37を所要複数個形成したものを採用することも可能である。
なお、LEDチップに限らず、受けた光を電気的信号に変換する受光素子、例えば、フォトダイオード(PD)、固体撮像素子等のチップに対して本発明を適用することができる。そして、受けた電気的信号に応じて発光する発光素子、例えば、レーザダイオード(LD)等のチップに対して本発明を適用することができる。加えて、光通信に使用されるモジュールに対して本発明を適用することができる。すなわち、光素子に対して本発明を適用することができる。
つまり、実施例1と比較しても本実施例2は各工程を増やすことになるが、この場合、フレネルレンズの特異な形状部分を、迅速に且つ精度良く、すなわち、品質の優れたレンズ部分のみを個別に形成させる主意によって、まず、光素子部分を一次モールドしておき、次に、一次モールド成形した光素子部分に、別の透光性樹脂21にて圧着することにより、フレネルレンズ状のレンズ部分を一体成形する、すなわち二次モールド(二次印刷)するものである。
つまり、基板1に搭載された複数のチップ2を樹脂通路を全く設けないトランスファーレス成形用(圧縮成形用)金型にて圧縮成形して一次モールド成形、すなわち一次モールド工程を行うものである。
また、金型は、上下両型4・5(二型構造)ではなく、例えば、上下両型4・5間にさらに中間型(図示なし)を設ける三型構造、あるいは、三型以上の金型構造にも実施することができる。
すなわち、図示していないが、上型4の外側方周囲には、円筒形・角筒形等の環状形にて構成された上型側外気遮断部材(シール機構)が上型4を囲った状態で設けるとともに、下型5の外側方周囲には円筒形・角筒形等の環状形にて構成された下型側外気遮断部材(シール機構)が下型5を囲った状態で設ける。
また、上下両型4・5の型締時に、上型側および下型側外気遮断部材両者は、両外気遮断部材における夫々の先端部側に設けられたP.L面にて接合するとともに、上型側外気遮断部材の P.L面(接触面)に、例えば、伸縮自在の耐熱性ゴム等から成るチューブ状の中空シール部材を設ける。
つまり、図2(2)に示す上下両型4・5の中間型締時に、中空シール部材を膨張させることにより、該膨張中空シール部材は上型側外気遮断部材のP.L面から突出した状態となるとともに、膨張中空シール部材を下型側外気遮断部材のP.L面に当接することにより、少なくとも上下両型4・5における少なくとも型内空間部の内部の空気等を強制的に吸引排出することができる。なお、中空シール部材に換えて、Oリング等のシール部材を採用することができるとともに、上下両型4・5の外側方周囲でなく、上下両型4・5の型面に、中空シール部材、あるいは、シール部材を設けることもできる。
従って、金型の型内空間部に外気遮断空間部10を形成するとともに、該空間部10から透光性樹脂8(溶融樹脂9)のボイド(気泡)を強制的に吸引排出し、保護部材における光素子部分におけるボイド(気泡)を抑制することができる。
また、基板1を金型が狭持する状態で、完全型締め状態としているが、上下両型4・5のいずれか一方の型面に基板1を収容セットするセット用凹所(図示なし)を形成することもできる。
つまり、本実施例2における硬化した一次中間体20とは、全体基板1と、基板1の上面に搭載されたチップ2と、チップ2を封止する透光性樹脂成形体19とを備えている。
従って、各チップ2・ワイヤ3(光素子部分)を透光性樹脂8にて一次モールド成形する一次モールド工程を行うことにより、光素子部分を確実に保護することができる。
また、レンズ形成面24には、図3(1)に示すように、透光性を有する熱硬化性樹脂(別の透光性樹脂21)からなる所定量、好ましくは、所定量よりも多いシート状の樹脂材料を供給する。
つまり、基板1に形成された透光性樹脂成形体19における複数のチップ2に対応してレンズ、この場合フレネルレンズを採用することにより、該レンズ部分の厚みを薄型化し、この薄型化されたレンズ部分と光素子部分とを樹脂通路を全く設けないトランスファーレス成形用(圧縮成形用)金型にて圧縮成形して、レンズ部分と光素子部分とを一体成形する二次モールド成形、すなわち二次モールド工程を行うものである。
つまり、図3(1)に対応する下型23のレンズ形成面24における透光形成部25において、その他の一の透光形成部38・39を上方から見た概略平面図として、図4(1)および図4(2)にて夫々示している。
また、金型は、上下両型22・23(二型構造)ではなく、例えば、上下両型22・23間にさらに中間型(図示なし)を設ける三型構造、あるいは、三型以上の金型構造にも実施することができる。
また、本実施例2においては、一の金型ではなく、この場合、二の金型を搭載するモールド装置を必要とする。つまり、本実施例1と比較して製造現場における設置スペースは幾分大きくなるかもしれない。しかし、従来のような別の金型を搭載する別の装置を個別に設置するのではなく、互いにモールド装置内において、二の金型を搭載するので、オペレーションやメンテナンスすること等の作業量が削減できる。この二の金型の構造として、例えば、上型4と別の上型22とを同一の型とし、下型側を下型5と別の下型23として個別に搭載するとともに、下型5と別の下型23とを上型4(22)の所定位置へ移動させるスライド方式、あるいは、二の金型を個別に並列に載置し、上下両型4・5から別の上下両型22・23へ、適宜な搬送手段によって、基板1を移送させるモジュール方式を採用することができる。
すなわち、図示していないが、上型22の外側方周囲には、円筒形・角筒形等の環状形にて構成された上型側外気遮断部材(シール機構)が上型22を囲った状態で設けるとともに、下型23の外側方周囲には円筒形・角筒形等の環状形にて構成された下型側外気遮断部材(シール機構)が下型23を囲った状態で設ける。
また、上下両型22・23の型締時に、上型側および下型側外気遮断部材両者は、両外気遮断部材における夫々の先端部側に設けられたP.L面にて接合するとともに、上型側外気遮断部材の P.L面(接触面)に、例えば、伸縮自在の耐熱性ゴム等から成るチューブ状の中空シール部材を設ける。
つまり、図3(2)に示す上下両型22・23の中間型締時に、中空シール部材を膨張させることにより、該膨張中空シール部材は上型側外気遮断部材のP.L面から突出した状態となるとともに、膨張中空シール部材を下型側外気遮断部材のP.L面に当接することにより、少なくとも上下両型22・23における少なくとも型内空間部の内部の空気等を強制的に吸引排出することができる。なお、中空シール部材に換えて、Oリング等のシール部材を採用することができるとともに、上下両型22・23の外側方周囲でなく、上下両型22・23の型面に、中空シール部材あるいはシール部材を設けることもできる。
従って、金型の型内空間部に外気遮断空間部27を形成するとともに、該空間部27から溶融状態の透光性樹脂21のボイド(気泡)を強制的に吸引排出し、レンズ内部におけるボイド(気泡)を抑制するので、本実施例2においては、二の金型夫々において、ボイド(気泡)をより一層抑制することができる。
この場合、レンズ形成面24は、下型23と一体構造となっているが、レンズ形成面24の型面を分割構造とし、摺動自在にして効率良く圧縮成形することもできる。
また、基板1を金型が狭持する状態で、完全型締め状態としているが、上下両型22・23のいずれか一方の型面に基板1を収容セットするセット用凹所(図示なし)を形成することもできる。
更に、基板1に形成された透光性樹脂成形体19に必要以上の圧着力を金型の型締時にかけたとしても、所定量よりも多い量の透光性樹脂21によってレンズ、この場合フレネルレンズの特異な形状に対し、より一層、レンズ部分の先端部位まで樹脂を効率良く行き渡らせて、品質の良いレンズを形成することができる。このことは、光素子部分を予め一次モールド成形して保護していることに起因する。
ここまでの工程により、圧縮成形(一次・二次モールド成形)を使用して、二次中間体29を一括して成形する、すなわち二次モールド工程を完了することになる。
なお、本実施例2において、レンズ部分には、透光部32に対応してフランジ部33が平面状に形成されているが、下型23のレンズ形成面24におけるフランジ形成部26の型面を更に分割構造とすることで、フランジ部33の厚みを極力薄くすること、最終的にはフランジ部33のない透光部32のみ形成されたレンズ成形体28を成形することもできる。このフランジ部33のない透光部32によって、実施例1における光電子部品14における透光部15の厚みと略同等にすることも適宜に実施可能である。
一次モールド工程にて成形された硬化した透光性樹脂成形体19における所要複数個のチップ2に対応してレンズ、この場合フレネルレンズの形状を金型とは別の下型23に夫々形成されたフレネルレンズ用のレンズ形成面24に別の透光性樹脂21を供給し、且つ、硬化した透光性樹脂成形体19を成形した基板1を別の上型22に供給セットした状態で、別の金型を型締めし、更に、この状態で、硬化した透光性樹脂成形体19が別の透光性樹脂21を加圧し且つ加熱溶融化するとともに、加圧し且つ加熱溶融化された別の透光性樹脂21が、この場合フレネルレンズの形状、すなわち特異な形状の透光形成部25に万遍無く行き渡ることにより、一括してレンズを圧縮成形する二次モールド工程と、を行い、
更に、一次モールド工程にて成形された硬化した透光性樹脂成形体19に対して、二次モールド工程にて成形されたレンズが二次モールド工程時に圧着し、最終的に、チップ2に対応して夫々形成されたレンズ、この場合フレネルレンズ、ならびに、所要複数個のチップ2を一体成形するものである。
また、レンズ形成面24の透光形成部25に換えて、小さなマイクロレンズが凝集した一の透光形成部38を所要複数個形成されたもの、あるいは、三角錘の突起が凝集した一の透光形成部39を所要複数個形成されたものを採用することも可能である。
2 光素子(チップ)
3 ワイヤ
4・22 上型
5・23 下型
6・18 キャビティ形成面
7・36・37 レンズ形成部
8・21 透光性樹脂
9 溶融樹脂
10・27 外気遮断空間部
11・19 透光性樹脂成形体
12 中間体
13・30 ダイシングライン
14・31 光電子部品(製品)
15・32 透光部
16・35 レンズ部材
17・34 基板
20 一次中間体
24 レンズ形成面
25・38・39 透光形成部
26 フランジ形成部
28 レンズ成形体
29 二次中間体
33 フランジ部
Claims (2)
- 基板に搭載された所要複数個の光素子を樹脂封止成形用金型に透光性樹脂を供給することにより前記所要複数個の光素子を封止成形する光素子の樹脂封止成形方法であって、
前記所要複数個の光素子を嵌入させる金型の一方側に形成されたキャビティ形成面、ならびに、前記所要複数個の光素子に対応してレンズの形状を夫々形成されたレンズ形成部を備えるとともに、前記レンズ形成部を有するキャビティ形成面に透光性樹脂を供給した状態で、且つ、前記基板を金型における他方側に供給セットした状態で、前記金型を型締めし、更に、この状態で、前記透光性樹脂を加熱溶融化して所要複数個の光素子を浸漬内包させるのと略同時に、加熱溶融化された前記透光性樹脂がレンズ形成部の形状に沿って万遍無く行き渡らせて、前記所要複数個の光素子を一括して圧縮成形させることにより、前記所要複数個の光素子に対応して夫々形成されたレンズ、ならびに前記所要複数個の光素子を一体成形するように設定されていることを特徴とする光素子の樹脂封止成形方法。 - 基板に搭載された所要複数個の光素子を樹脂封止成形用金型に透光性樹脂を供給することにより前記所要複数個の光素子を封止成形する光素子の樹脂封止成形方法であって、
前記所要複数個の光素子を嵌入させる金型の一方側に形成されたキャビティ形成面に透光性樹脂を供給した状態で、且つ、前記基板を金型における他方側に供給セットした状態で、前記金型を型締めし、更に、この状態で、前記透光性樹脂を加熱溶融化して所要複数個の光素子を浸漬内包させることにより、前記所要複数個の光素子を一括して圧縮成形する一次モールド工程と、
前記一次モールド工程にて成形された硬化した透光性樹脂成形体における所要複数個の光素子に対応して、レンズの形状を前記金型とは別の金型における一方側に夫々形成されたレンズ形成面に別の透光性樹脂を供給し、且つ、前記硬化した透光性樹脂成形体を成形した基板を別の金型における他方側に供給セットした状態で、前記した別の金型を型締めし、更に、この状態で、前記硬化した透光性樹脂成形体が別の透光性樹脂を加圧し且つ加熱溶融化するとともに、前記した加圧し且つ加熱溶融化された別の透光性樹脂がレンズの形状に万遍無く行き渡らせて、一括して前記レンズを圧縮成形する二次モールド工程と、を行い、
更に、前記一次モールド工程にて成形された硬化した透光性樹脂成形体に対し、前記二次モールド工程にて成形されたレンズが二次モールド工程時に圧着させることにより、前記所要複数個の光素子に対応して夫々形成されたレンズ、ならびに前記所要複数個の光素子を一体成形するように設定されていることを特徴とする光素子の樹脂封止成形方法。
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Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010283016A (ja) * | 2009-06-02 | 2010-12-16 | Apic Yamada Corp | 半導体パッケージの製造方法及び切断装置 |
JP2011514688A (ja) * | 2008-03-17 | 2011-05-06 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | フリップチップledに関するアンダーフィル処理 |
JP2011138985A (ja) * | 2009-12-29 | 2011-07-14 | Asahi Rubber Inc | 半導体発光装置の製造方法及び半導体発光装置 |
JP2011523508A (ja) * | 2008-05-26 | 2011-08-11 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 半導体デバイス、反射型フォトインタラプタおよび反射型フォトインタラプタ用のハウジングを製造する方法 |
KR101162404B1 (ko) * | 2007-11-05 | 2012-07-04 | 토와 가부시기가이샤 | 수지 밀봉 발광체 및 그 제조 방법 |
JP2013089726A (ja) * | 2011-10-17 | 2013-05-13 | Towa Corp | 光電子部品及びその製造方法 |
JP2013537005A (ja) * | 2010-09-06 | 2013-09-26 | ヘレーウス ノーブルライト ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | オプトエレクトロニクスチップオンボードモジュール用のコーティング法 |
JP2015511066A (ja) * | 2012-03-06 | 2015-04-13 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ | 照明モジュール及び照明モジュールを製造する方法 |
KR20160048259A (ko) * | 2014-10-23 | 2016-05-04 | 주식회사 세미콘라이트 | 반도체 발광소자 및 이의 제조 방법 |
KR20170114939A (ko) * | 2016-04-06 | 2017-10-16 | 가부시기가이샤 디스코 | 패키지 웨이퍼의 제조 방법 |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI416674B (zh) * | 2008-11-05 | 2013-11-21 | Advanced Semiconductor Eng | 封膠模具與封膠方法 |
TWI381496B (zh) | 2009-01-23 | 2013-01-01 | Everlight Electronics Co Ltd | 封裝基板結構與晶片封裝結構及其製程 |
US20100209670A1 (en) * | 2009-02-17 | 2010-08-19 | Nitto Denko Corporation | Sheet for photosemiconductor encapsulation |
KR20110011405A (ko) * | 2009-07-28 | 2011-02-08 | 한미반도체 주식회사 | 반도체 패키지 제조용 패키지 집합체 |
WO2011109442A2 (en) * | 2010-03-02 | 2011-09-09 | Oliver Steven D | Led packaging with integrated optics and methods of manufacturing the same |
JP5563918B2 (ja) * | 2010-07-22 | 2014-07-30 | セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー | 回路装置の製造方法 |
JP5697919B2 (ja) * | 2010-07-29 | 2015-04-08 | Towa株式会社 | 樹脂封止装置及び樹脂封止方法 |
EP2812929B1 (en) | 2012-02-10 | 2020-03-11 | Lumileds Holding B.V. | Molded lens forming a chip scale led package and method of manufacturing the same |
CN103437632A (zh) * | 2013-08-31 | 2013-12-11 | 德清科迪特安保设备有限公司 | 防潮保险柜 |
CN104051669B (zh) * | 2014-05-28 | 2016-02-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 封装基板、封装方法、显示面板 |
WO2016039593A1 (ko) | 2014-09-12 | 2016-03-17 | 주식회사 세미콘라이트 | 반도체 발광소자의 제조 방법 |
JP6356581B2 (ja) * | 2014-11-19 | 2018-07-11 | 信越化学工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
KR20170136158A (ko) * | 2016-06-01 | 2017-12-11 | 주식회사 라이트전자 | Uv 플립칩 led 면광원 모듈 |
JP6672113B2 (ja) * | 2016-09-09 | 2020-03-25 | Towa株式会社 | 電子回路装置及び電子回路装置の製造方法 |
CN108417699A (zh) * | 2018-05-18 | 2018-08-17 | 深圳市德彩光电有限公司 | Led光源的塑封模具 |
CN108807649B (zh) * | 2018-06-13 | 2020-09-11 | 深德彩光电(深圳)有限公司 | 一种led光源塑封方法 |
CN108547839A (zh) * | 2018-06-14 | 2018-09-18 | 深圳市德彩光电有限公司 | 封胶装置 |
CN109560181B (zh) * | 2018-11-16 | 2020-04-17 | 重庆秉为科技有限公司 | 一种led封装结构 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0381653U (ja) * | 1989-12-08 | 1991-08-21 | ||
JPH0425185A (ja) * | 1990-05-18 | 1992-01-28 | Omron Corp | 光半導体素子の製造方法 |
JPH10104474A (ja) * | 1996-10-03 | 1998-04-24 | Toshiba Electron Eng Corp | 光伝送装置 |
JP2004179284A (ja) * | 2002-11-26 | 2004-06-24 | Towa Corp | 樹脂封止方法、半導体装置の製造方法、及び樹脂材料 |
JP2004235261A (ja) * | 2003-01-28 | 2004-08-19 | Matsushita Electric Works Ltd | 光学系装置及びその製造方法 |
JP2004281605A (ja) * | 2003-03-14 | 2004-10-07 | Toyoda Gosei Co Ltd | Ledパッケージ |
WO2005032757A1 (en) * | 2003-09-30 | 2005-04-14 | Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. | Mold for optical components |
JP2005259847A (ja) * | 2004-03-10 | 2005-09-22 | Nitto Denko Corp | 光半導体装置の製造方法 |
JP2005305954A (ja) * | 2004-04-26 | 2005-11-04 | Towa Corp | 光素子の樹脂封止成形方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2588373A (en) * | 1947-10-08 | 1952-03-11 | Richard T Erban | Kinoptic device |
JPH04348088A (ja) | 1991-05-24 | 1992-12-03 | Nec Corp | 光電変換装置 |
JPH0878732A (ja) | 1994-08-31 | 1996-03-22 | Rohm Co Ltd | チップ型発光ダイオード及びその製造方法 |
JP2001168117A (ja) * | 1999-12-06 | 2001-06-22 | Idemitsu Petrochem Co Ltd | 半導体素子の封止用離型フィルム及びそれを用いる半導体素子の封止方法 |
KR100380660B1 (ko) * | 2000-11-22 | 2003-04-18 | 학교법인 성균관대학 | 중성빔을 이용한 반도체소자의 식각방법 및 이를 위한식각장치 |
GB0123744D0 (en) * | 2001-10-03 | 2001-11-21 | Qinetiq Ltd | Coated optical components |
CN100352066C (zh) * | 2002-07-25 | 2007-11-28 | 松下电工株式会社 | 光电元件部件 |
JP4326786B2 (ja) * | 2002-11-26 | 2009-09-09 | Towa株式会社 | 樹脂封止装置 |
JP4336499B2 (ja) * | 2003-01-09 | 2009-09-30 | Towa株式会社 | 電子部品の樹脂封止成形方法及び装置 |
TW200522387A (en) * | 2003-12-26 | 2005-07-01 | Ind Tech Res Inst | High-power LED planarization encapsulation structure |
-
2006
- 2006-01-16 JP JP2006006922A patent/JP5192646B2/ja active Active
- 2006-12-15 KR KR1020107027347A patent/KR101138077B1/ko active IP Right Grant
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- 2006-12-15 CN CN2006800511439A patent/CN101361201B/zh active Active
- 2006-12-21 TW TW095148165A patent/TW200733431A/zh unknown
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0381653U (ja) * | 1989-12-08 | 1991-08-21 | ||
JPH0425185A (ja) * | 1990-05-18 | 1992-01-28 | Omron Corp | 光半導体素子の製造方法 |
JPH10104474A (ja) * | 1996-10-03 | 1998-04-24 | Toshiba Electron Eng Corp | 光伝送装置 |
JP2004179284A (ja) * | 2002-11-26 | 2004-06-24 | Towa Corp | 樹脂封止方法、半導体装置の製造方法、及び樹脂材料 |
JP2004235261A (ja) * | 2003-01-28 | 2004-08-19 | Matsushita Electric Works Ltd | 光学系装置及びその製造方法 |
JP2004281605A (ja) * | 2003-03-14 | 2004-10-07 | Toyoda Gosei Co Ltd | Ledパッケージ |
WO2005032757A1 (en) * | 2003-09-30 | 2005-04-14 | Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. | Mold for optical components |
JP2005259847A (ja) * | 2004-03-10 | 2005-09-22 | Nitto Denko Corp | 光半導体装置の製造方法 |
JP2005305954A (ja) * | 2004-04-26 | 2005-11-04 | Towa Corp | 光素子の樹脂封止成形方法 |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101162404B1 (ko) * | 2007-11-05 | 2012-07-04 | 토와 가부시기가이샤 | 수지 밀봉 발광체 및 그 제조 방법 |
JP2011514688A (ja) * | 2008-03-17 | 2011-05-06 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | フリップチップledに関するアンダーフィル処理 |
KR101524004B1 (ko) * | 2008-03-17 | 2015-05-29 | 코닌클리케 필립스 엔.브이. | 플립 칩 led를 위한 언더필 프로세스 |
US9165913B2 (en) | 2008-05-26 | 2015-10-20 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Semiconductor component, reflected-light barrier and method for producing a housing therefor |
JP2011523508A (ja) * | 2008-05-26 | 2011-08-11 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 半導体デバイス、反射型フォトインタラプタおよび反射型フォトインタラプタ用のハウジングを製造する方法 |
JP2010283016A (ja) * | 2009-06-02 | 2010-12-16 | Apic Yamada Corp | 半導体パッケージの製造方法及び切断装置 |
JP2011138985A (ja) * | 2009-12-29 | 2011-07-14 | Asahi Rubber Inc | 半導体発光装置の製造方法及び半導体発光装置 |
JP2013537005A (ja) * | 2010-09-06 | 2013-09-26 | ヘレーウス ノーブルライト ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | オプトエレクトロニクスチップオンボードモジュール用のコーティング法 |
JP2013089726A (ja) * | 2011-10-17 | 2013-05-13 | Towa Corp | 光電子部品及びその製造方法 |
JP2015511066A (ja) * | 2012-03-06 | 2015-04-13 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ | 照明モジュール及び照明モジュールを製造する方法 |
US9777890B2 (en) | 2012-03-06 | 2017-10-03 | Philips Lighting Holding B.V. | Lighting module and method of manufacturing a lighting module |
KR20160048259A (ko) * | 2014-10-23 | 2016-05-04 | 주식회사 세미콘라이트 | 반도체 발광소자 및 이의 제조 방법 |
KR101638125B1 (ko) * | 2014-10-23 | 2016-07-11 | 주식회사 세미콘라이트 | 반도체 발광소자 및 이의 제조 방법 |
KR20170114939A (ko) * | 2016-04-06 | 2017-10-16 | 가부시기가이샤 디스코 | 패키지 웨이퍼의 제조 방법 |
KR102253564B1 (ko) | 2016-04-06 | 2021-05-17 | 가부시기가이샤 디스코 | 패키지 웨이퍼의 제조 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20080078901A (ko) | 2008-08-28 |
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