JP2001168117A - 半導体素子の封止用離型フィルム及びそれを用いる半導体素子の封止方法 - Google Patents

半導体素子の封止用離型フィルム及びそれを用いる半導体素子の封止方法

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JP2001168117A JP34583599A JP34583599A JP2001168117A JP 2001168117 A JP2001168117 A JP 2001168117A JP 34583599 A JP34583599 A JP 34583599A JP 34583599 A JP34583599 A JP 34583599A JP 2001168117 A JP2001168117 A JP 2001168117A
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sealing
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styrene
semiconductor
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祐介 大槻
Hiroyasu Yamato
宏康 大和
Tsukasa Isogai
宰 磯貝
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Idemitsu Petrochemical Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、半導体素子の封止工程において、
半導体の端子を変形させたり、離型フィルムを変形させ
ず、離型性にも優れた半導体の封止用離型フィルム及び
それを用いる半導体の製造効率を高めることができる半
導体素子の封止方法を提供する。 【解決手段】 熱可塑性樹脂を含む単層又は多層からな
り、以下の要件を満たす半導体素子の封止用離型フィル
ム及びその離型フィルムを用いる半導体素子の封止方法
である。 （１）表面層のぬれ指数が３６以下、（２）１７５℃に
おける熱収縮率が３％未満、（３）１７５℃における弾
性率が１０〜５００ＭＰａ、（４）離型フィルムの厚さ
が１０〜３００μｍ

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子の封止
用離型フィルム及びそれを用いる半導体素子の封止方法
に関し、詳しくは、圧縮成形法による半導体素子の封止
方法における樹脂封止工程に用いる半導体素子の封止用
離型フィルム及びそれを用いる半導体素子の封止方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体の製造方法は製造効率を高めるべ
く、新たな方法が生まれてきている。例えば、ＬＳＩを
ウェハーごと超小型パッケージに圧縮成形する半導体封
止技術が開発されている（特開平１０―１２５７０５号
公報、特開平１０−７９３６２号公報など）。この方法
は多数のＬＳＩを設けたウェハーにエポキシ系熱可塑性
樹脂を乗せ、金型の中で加熱しながら圧縮成形し、ウェ
ハー全体を上記樹脂で封止するものである。この封止技
術において、金型と封止用のエポキシ系熱可塑性樹脂の
間に、ポリイミド、ポリ塩化ビニル、ポリカ−ボネ−ト
（ＰＣ）、ポリエチレンテレフタレ−ト（ＰＥＴ）等の
離型フィルムが、また、金型とウェハーないしは可撓性
基板との間に、上記離型フィルムが用いられている。こ
の離型フィルムは、プリント基板を圧着して製造する際
に、金型と基板の樹脂が接着しないようにそれらの間に
使用する等、製造工程フィルムとして使用されている。
【０００３】しかし、上記の半導体の製造方法における
封止工程で従来用いられるポリイミド、ポリカーボネー
ト等からなる離型フィルムを用いると、ポリイミドフィ
ルムは高価であるばかりでなく、エポキシ系樹脂の硬化
温度においても剛性が高く、半導体の端子（突起電極）
を変形させていまうことがあり、またポリ塩化ビニー
ル、ポリカーボネートフィルムは、エポキシ系樹脂の硬
化温度において、離型フィルムの変形、収縮がおこり確
実に封止することができない恐れがある。さらにＰＥＴ
ではエポキシ系樹脂の硬化反応時に、密着し剥がれなく
なることもある。つまりこれら公知の離型フィルムを用
いると半導体の製造工程でトラブルを起こし、不良品が
発生して製造効率を低下させる原因となっている。
【０００４】そのため、安価で、半導体の端子の変形
や、離型フィルムの変形がなく、離型性も良好であり、
半導体を不良品を発生させることなく製造できる新規な
半導体素子の封止用離型フィルムと半導体素子の封止方
法の出現が要望されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、半導体素子
封止工程において、半導体の端子を変形させたり、離型
フィルムを変形させず、離型性にも優れた半導体素子の
封止用離型フィルム及びそれを用いる半導体の製造効率
を高めることができる半導体素子の封止方法を提供する
ことを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、鋭意研究
を重ねた結果、特定の物性等を有する離型フィルムを使
用することにより、上記本発明の目的を効果的に達成で
きることを見いだし、本発明を完成したものである。従
って、本発明の要旨は以下の通りである。 〔１〕 熱可塑性樹脂を含む単層又は多層からなり、以
下の（１）〜（４）の要件を満たす半導体素子の封止用
離型フィルム。
【０００７】（１）表面層のぬれ指数が３６以下 （２）１７５℃における熱収縮率が３％未満 （３）１７５℃における弾性率が１０〜５００ＭＰａ （４）離型フィルムの厚さが１０〜３００μｍ 〔２〕 離型フィルムの少なくとも表面層が、（Ａ）フ
ッ素系樹脂、（Ｂ）主としてシンジオタクチック構造を
有するスチレン系重合体または（Ｃ）主としてシンジオ
タクチック構造を有するスチレン系重合体を含む樹脂組
成物からなる前記〔１〕に記載の半導体素子の封止用離
型フィルム。 〔３〕 （Ｃ）主としてシンジオタクチック構造を有す
るスチレン系重合体を含む樹脂組成物が、主としてシン
ジオタクチック構造を有するスチレン系重合体５０〜１
００重量％（１００重量％は含まず）と、（Ｃ−１）ゴ
ム状弾性体，（Ｃ−２）シンジオタクチック構造を有す
るスチレン系重合体以外の熱可塑性樹脂及び（Ｃ−３）
樹脂組成物用添加剤のうちの少なくとも一成分５０〜０
重量％（０重量％は含まず）とからなる前記〔２〕に記
載の半導体素子の封止用離型フィルム。 〔４〕 離型フィルムを配置した半導体製造用金型に、
突起電極を形成した半導体素子を有する半導体基盤を配
置した後、封止樹脂を供給して圧縮成形する半導体素子
の封止方法において、離型フィルムとして前記〔１〕〜
〔３〕のいずれかに記載の半導体素子の封止用離型フィ
ルムを用いる半導体素子の封止方法。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の発明の実施の形
態について説明する。 〔半導体素子封止用離型フィルム〕本発明は、熱可塑性
樹脂を含む単層又は多層からなり、以下の（１）〜
（４）の要件を満たす半導体素子封止用離型フィルムで
ある。
【０００９】（１）表面層のぬれ指数が３６以下 （２）１７５℃における熱収縮率が３％未満 （３）１７５℃における弾性率が１０〜５００ＭＰａ （４）離型フィルムの厚さが１０〜３００μｍ 以下、各要件について説明する。
【００１０】まず、要件（１）では、表面層のぬれ指数
が３６以下、好ましくは３５以下である必要がある。こ
の表面層のぬれ指数が３６を超えると封止樹脂に対する
離型性が悪く、樹脂形成後の離型工程でトラブルが生ず
ることがある。
【００１１】また要件（２）では、１７５℃における熱
収縮率が３％未満、好ましくは２％未満である必要があ
る。１７５℃における熱収縮率が３％を超えると、半導
体素子封止時にフィルムの収縮が大きく、封止樹脂と離
型フィルムが剥がれ、またフィルムが金型に付着する不
都合が生ずることがある。
【００１２】さらに要件（３）は、１７５℃における弾
性率が１０〜５００ＭＰａ、好ましくは、５０〜３００
ＭＰａである。１７５℃における弾性率が１０ＭＰａ未
満ではフィルムの腰が弱すぎ、封止後金型を開き成形体
を取り出す際に取り扱い性が悪くなる。一方、５００Ｍ
Ｐａを超えると半導体の端子を変形させてしまうことが
ある。
【００１３】またさらに要件（４）は離型フィルムの厚
さが１０〜３００μｍ、好ましくは５０〜１００μｍで
ある必要がある。離型フィルムの厚さが１０μｍ未満で
は、フィルムの腰が弱く取扱が困難になり、厚さが３０
０μｍを超えると金型からの熱伝導が悪く成形に長時間
を要するため本発明の半導体素子封止用離型フィルムと
しては好ましくない。
【００１４】以上（１）〜（４）の要件を満たす離型フ
ィルムは、半導体製造用金型に対して離型がよくため、
樹脂層形成後金型を開ける際に、金型から容易に離れ、
また封止樹脂に対しては、封止樹脂と熱溶着せず、容易
に剥離できる。また、半導体素子の突起電極と金型との
間では、突起電極に変形が生じない程度の柔軟性と厚み
であるため、半導体素子の製造工程における不良品の発
生などのトラブルの発生を抑制できる。
【００１５】上記の要件を満たす本発明にかかる半導体
素子の封止用離型フィルムは、以下に述べる材料から製
造するのが好ましい。まず、本発明の半導体素子の封止
用離型フィルムは、少なくとも表面層が、（Ａ）フッ素
系樹脂、（Ｂ）主としてシンジオタクチック構造を有す
るスチレン系重合体又は（Ｃ）主としてシンジオタクチ
ック構造を有するスチレン系重合体を含む樹脂組成物で
あることが好ましい。
【００１６】すなわち、単層の離型フィルムにする場合
は上記（Ａ）〜（Ｃ）のいずれかの樹脂又は樹脂組成物
を用いればよい。また、多層の離型フィルムにする場合
は、（Ａ）〜（Ｃ）のうちの２以上を用いるか、又は
（Ａ）〜（Ｃ）のいずれか１以上と（Ｄ）それら以外の
熱可塑性樹脂とを積層し、表面層（最外層）に（Ａ）〜
（Ｃ）のいずれか１以上の樹脂又は樹脂組成物を使用す
ればよい。
【００１７】本発明で用いる（Ａ）〜（Ｃ）の材料と
（Ｄ）それら以外の熱可塑性樹脂は、以下のものが挙げ
られる。 （Ａ）フッ素樹脂 本発明で用いるフッ素樹脂は、フッ素を含むオレフィン
の重合体により得られる合成樹脂であり、例えばポリテ
トラフルオロエチエレン、エチレン−テトラフルオロエ
チレン共重合体、プロピレン−テトラフルオロエチレン
共重合体、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリジク
ロロジフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデンなどが
挙げられる。
【００１８】（Ｂ）主としてシンジオタクチック構造を
有するスチレン系重合体 本発明で用いるシンジオタクチック構造を有するスチレ
ン系重合体（以下、ＳＰＳと略称することがある）にお
けるシンジオタクチック構造とは、立体化学構造がシン
ジオタクチック構造、即ち炭素- 炭素結合から形成され
る主鎖に対して側鎖であるフェニル基が交互に反対方向
に位置する立体構造を有するものであり、そのタクティ
シティーは同位体炭素による核磁気共鳴法（13Ｃ−ＮＭ
Ｒ）により定量される。13Ｃ−ＮＭＲ法により測定され
るタクティシティーは、連続する複数個の構成単位の存
在割合、例えば２個の場合はダイアッド、３個の場合は
トリアッド、５個の場合はペンタッドによって示すこと
ができるが、本発明に言うシンジオタクチック構造を有
するスチレン系重合体とは、通常はラセミダイアッドで
７５％以上、好ましくは８５％以上、若しくはラセミペ
ンタッドで３０％以上、好ましくは５０％以上のシンジ
オタクティシティーを有するポリスチレン、ポリ（アル
キルスチレン）、ポリ( ハロゲン化スチレン) 、ポリ(
ハロゲン化アルキルスチレン) 、ポリ（アルコキシスチ
レン）、ポリ（ビニル安息香酸エステル）、これらの水
素化重合体およびこれらの混合物、あるいはこれらを主
成分とする共重合体を指称する。なお、ここでポリ（ア
ルキルスチレン）としては、ポリ（メチルスチレン）、
ポリ（エチルスチレン）、ポリ（イソプロピルスチレ
ン）、ポリ（ｔｅｒｔーブチルスチレン）、ポリ（フェ
ニルスチレン）、ポリ（ビニルナフタレン）、ポリ（ビ
ニルスチレン）などがあり、ポリ（ハロゲン化スチレ
ン）としては、ポリ（クロロスチレン）、ポリ（ブロモ
スチレン）、ポリ（フルオロスチレン）などがある。ま
た、ポリ（ハロゲン化アルキルスチレン）としては、ポ
リ（クロロメチルスチレン）など、またポリ（アルコキ
シスチレン）としては、ポリ（メトキシスチレン）、ポ
リ（エトキシスチレン）などがある。
【００１９】なお、これらのうち特に好ましいスチレン
系重合体としては、ポリスチレン、ポリ（ｐ−メチルス
チレン）、ポリ（ｍ−メチルスチレン）、ポリ（ｐ−タ
ーシャリープチルスチレン）、ポリ（ｐ−クロロスチレ
ン）、ポリ（ｍ−クロロスチレン）、ポリ（ｐ−フルオ
ロスチレン）、水素化ポリスチレン及びこれらの構造単
位を含む共重合体が挙げられる。
【００２０】このようなシンジオタクチック構造を有す
るスチレン系重合体は、例えば不活性炭化水素溶媒中ま
たは溶媒の不存在下に、チタン化合物及び水とトリアル
キルアルミニウムの縮合生成物を触媒として、スチレン
系単量体( 上記スチレン系重合体に対応する単量体) を
重合することにより製造することができる( 特開昭６２
―１８７７０８号公報) 。また、ポリ（ハロゲン化アル
キルスチレン）については特開平１−４６９１２号公
報、これらの水素化重合体は特開平１−１７８５０５号
公報記載の方法などにより得ることができる。なお、こ
れらのシンジオタクチック構造を有するスチレン系重合
体は１種のみを単独で、または、２種以上を組み合わせ
て用いることができる。
【００２１】（Ｃ）主としてシンジオタクチック構造を
有するスチレン系重合体を含む樹脂組成物 本発明で用いる主としてシンジオタクチック構造を有す
るスチレン系重合体を含む樹脂組成物とは、主としてシ
ンジオタクチック構造を有するスチレン系重合体の他に
（Ｃ−１）ゴム状弾性体、（Ｃ−２）シンジオタクチッ
クポリスチレン以外の熱可塑性樹脂及び（Ｃ−３）樹脂
組成物用添加剤のうち、少なくとも一成分を配合したも
のである。樹脂組成物用添加剤としては、例えば、アン
チブロッキング剤、酸化防止剤、核剤、帯電防止剤、プ
ロセスオイル、可塑剤、離型剤、難燃剤、難燃助剤、顔
料が含まれる。
【００２２】以下、シンジオタクチック構造を有するス
チレン系樹脂組成物に用いる各成分について説明する。 （Ｃ−１）ゴム状弾性体 ゴム状弾性体の具体例としては、例えば、天然ゴム、ポ
リブタジエン、ポリイソプレン、ポリイソブチレン、ネ
オプレン、ポリスルフィドゴム、チオコールゴム、アク
リルゴム、ウレタンゴム、シリコーンゴム、エピクロロ
ヒドリンゴム、スチレン−ブタジエンブロック共重合体
（ＳＢＲ）、水素添加スチレン−ブタジエンブロック共
重合体（ＳＥＢ）、スチレン−ブタジエン−スチレンブ
ロック共重合体（ＳＢＳ）、水素添加スチレン−ブタジ
エン−スチレンブロック共重合体（ＳＥＢＳ）、スチレ
ン−イソプレンブロック共重合体（ＳＩＲ）、水素添加
スチレン−イソプレンブロック共重合体（ＳＥＰ）、ス
チレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体（ＳＩ
Ｓ）、水素添加スチレン−イソプレン−スチレンブロッ
ク共重合体（ＳＥＰＳ）、またはエチレンプロピレンゴ
ム（ＥＰＭ）、エチレンプロピレンジエンゴム（ＥＰＤ
Ｍ）、直鎖状低密度ポリエチレン系エラストマー等のオ
レフィン系ゴム、あるいはブタジエン−アクリロニトリ
ル−スチレン−コアシェルゴム（ＡＢＳ）、メチルメタ
クリレート−ブタジエン−スチレン−コアシェルゴム
（ＭＢＳ）、メチルメタクリレート−ブチルアクリレー
ト−スチレン−コアシェルゴム（ＭＡＳ）、オクチルア
クリレート−ブタジエン−スチレン−コアシェルゴム
（ＭＡＢＳ）、アルキルアクリレート−ブタジエン−ア
クリロニトリル−スチレン−コアシェルゴム（ＡＡＢ
Ｓ）、ブタジエン−スチレン−コアシェルゴム（ＳＢ
Ｒ）、メチルメタクリレート−ブチルアクリレート−シ
ロキサンをはじめとするシロキサン含有コアシェルゴム
等のコアシェルタイプの粒子状弾性体、またはこれらを
変性したゴム等が挙げられる。
【００２３】このうち、本発明の目的であるぬれ指数及
びフィルムインパクトを達成する上で、ＳＢＲ，ＳＥ
Ｂ，ＳＢＳ，ＳＥＢＳ，ＳＩＲ，ＳＥＰ，ＳＩＳ，ＳＥ
ＰＳ，コアシェルゴム，ＥＰＭＳ，ＥＰＤＭ，直鎖状低
密度ポリエチレン系エラストマー又はこれらを変性した
ゴムが好ましく用いられる。
【００２４】（Ｃ−２）シンジオタクチックポリスチレ
ン以外の熱可塑性樹脂 シンジオタクチックポリスチレン以外の熱可塑性樹脂と
しては、直鎖状高密度ポリエチレン、直鎖状低密度ポリ
エチレン、高圧法低密度ポリエチレン、アイソタクチッ
クポリプロピレン、シンジオタクチックポリプロピレ
ン、ブロックポリプロピレン、ランダムポリプロピレ
ン、ポリブテン、１，２−ポリブタジエン、４−メチル
ペンテン、環状ポリオレフィン及びこれらの共重合体に
代表されるポリオレフィン系樹脂、アタクチックポリス
チレン、アイソタクチックポリスチレン、耐衝撃性ポリ
スチレン（ＨＩＰＳ）、ＡＢＳ樹脂、ＡＳ樹脂、スチレ
ンーメタクリル酸共重合体、スチレンーメタクリル酸・
アルキルエステル共重合体、スチレンーメタクリル酸・
グリシジルエステル共重合体、スチレンーアクリル酸共
重合体、スチレンーアクリル酸・アルキルエステル共重
合体、スチレンーマレイン酸共重合体、スチレンーフマ
ル酸共重合体に代表されるはじめとするポリスチレン系
樹脂、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレー
ト、ポリブチレンテレフタレートをはじめとするポリエ
ステル系樹脂、ナイロン６、ナイロン６，６をはじめと
するポリアミド系樹脂、ポリフェニレンエーテル、ポリ
フェニレンスルフィド（ＰＰＳ）等公知のものから任意
に選択して用いることができる。なお、これらの熱可塑
性樹脂は１種のみを単独で、または、２種以上を組み合
わせて用いることができる。尚、シンジオタクチックポ
リスチレン以外の熱可塑性樹脂を２種以上用いる場合の
これらの配合量については特に問わず、目的に応じて適
宜決めればよい。
【００２５】（Ｃ−３）樹脂組成物用添加剤 本発明の樹脂組成物には、以下に例示する各種の添加剤
を通常の比率において配合することができる。
【００２６】アンチブロッキング剤（ＡＢ剤） アンチブロッキング剤としては、以下のような無機粒子
又は有機粒子が挙げられる。
【００２７】無機粒子としては、ＩＡ族、IIＡ族、IVＡ
族、VIＡ族、VII Ａ族、VIII族、ＩＢ族、IIＢ族、III
Ｂ族、IVＢ族元素の酸化物、水酸化物、硫化物、窒素化
物、ハロゲン化物、炭酸塩、硫酸塩、酢酸塩、燐酸塩、
亜燐酸塩、有機カルボン酸塩、珪酸塩、チタン酸塩、硼
酸塩及びそれらの含水化合物、それらを中心とする複合
化合物及び天然鉱物粒子が挙げられる。
【００２８】具体的には、弗化リチウム、ホウ砂（硼酸
ナトリウム含水塩）等のＩＡ族元素化合物、炭酸マグネ
シウム、燐酸マグネシウム、酸化マグネシウム（マグネ
シア）、塩化マグネシウム、酢酸マグネシウム、弗化マ
グネシウム、チタン酸マグネシウム、珪酸マグネシウ
ム、珪酸マグネシウム含水塩（タルク）、炭酸カルシウ
ム、燐酸カルシウム、亜燐酸カルシウム、硫酸カルシウ
ム（石膏）、酢酸カルシウム、テレフタル酸カルシウ
ム、水酸化カルシウム、珪酸カルシウム、弗化カルシウ
ム、チタン酸カルシウム、チタン酸ストロンチウム、炭
酸バリウム、燐酸バリウム、硫酸バリウム、亜硫酸バリ
ウム等のIIＡ族元素化合物、二酸化チタン（チタニ
ア）、一酸化チタン、窒化チタン、二酸化ジルコニウム
（ジルコニア）、一酸化ジルコニウム等のIVＡ族元素化
合物、二酸化モリブデン、三酸化モリブデン、硫化モリ
ブデン等のVIＡ族元素化合物、塩化マンガン、酢酸マン
ガン等のVII Ａ族元素化合物、塩化コバルト、酢酸コバ
ルト等のVIII族元素化合物、沃化第一銅等のＩＢ族元素
化合物、酸化亜鉛、酢酸亜鉛等のIIＢ族元素化合物、酸
化アルミニウム（アルミナ）、水酸化アルミニウム、弗
化アルミニム、アルミナシリケート（珪酸アルミナ、カ
オリン、カオリナイト）等のIII Ｂ族元素化合物、酸化
珪素（シリカ、シリカゲル）、石墨、カーボン、グラフ
ァイト、ガラス等のIVＢ族元素化合物、カーナル石、カ
イナイト、雲母（マイカ、キンウンモ）、バイロース鉱
等の天然鉱物の粒子が挙げられる。
【００２９】有機粒子としては、フッ素樹脂、メラミン
系樹脂、スチレン・ジビニルベンゼン共重合体、アクリ
ル系レジンシリコーン及びおよびそれらの架橋体が挙げ
られる。ここで、用いる無機粒子の平均粒径は０．１〜
１０μｍ、添加量は０.0１〜１５重量％が好ましい。な
おこれらの無機充填材は１種のみを単独または２種以上
を組み合わせて用いることができる。
【００３０】酸化防止剤 酸化防止剤としてはリン系、フェノール系、イオウ系等
公知のものから任意に選択して用いることができる。な
お、これらの酸化防止剤は一種のみを単独で、または、
２種以上を組み合わせて用いることができる。さらに好
適なものとして、２−〔１−ヒドロキシ−３，５−ジ−
ｔ−ペンチルフェニル）エチル〕−４，６−ジ−ｔ−ペ
ンチルフェニルアクリレートが挙げられる。
【００３１】核剤 核剤としてはアルミニウムジ（ｐ−ｔ−ブチルベンゾエ
ート）をはじめとするカルボン酸の金属塩、メチレンビ
ス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェノール）アシッドホス
フェートナトリウムをはじめとするリン酸の金属塩、タ
ルク、フタロシアニン誘導体等、公知のものから任意に
選択して用いることができる。なお、これらの核剤は１
種のみを単独で、または、２種以上を組み合わせて用い
ることができる 可塑剤 可塑剤としてはポリエチレングリコール、ポリアミドオ
リゴマー、エチレンビスステアロアマイド、フタル酸エ
ステル、ポリスチレンオリゴマー、ポリエチレンワック
ス、流動パラフィン、シリコーンオイル等公知のものか
ら任意に選択して用いることができる。なお、これらの
可塑剤は１種のみを単独で、または、２種以上を組み合
わせて用いることができる。
【００３２】離型剤 離型剤としてはポリエチレンワックス、シリコーンオイ
ル、長鎖カルボン酸、長鎖カルボン酸金属塩等公知のも
のから任意に選択して用いることができる。なお、これ
らの離型剤は１種のみを単独で、または、２種以上を組
み合わせて用いることができる。
【００３３】本発明の半導体素子封止用離型フィルムの
製造に用いるシンジオタクチック構造を有するスチレン
系樹脂組成物は、上記（Ｃ−１）〜（Ｃ−３）の成分の
うち少なくとも一つを、主としてシンジオタクチック構
造を有するスチレン系樹脂とともに配合して製造される
が、その配合割合は、主としてシンジオタクチック構造
を有するスチレン系重合体５０〜１００重量％（１００
重量％は含まず）、さらには、５０〜９８重量％，特に
５５〜９５重量％が好ましく、（Ｃ−１）、（Ｃ−２）
及び（Ｃ−３）のうちの少なくとも一の成分を５０〜０
重量％（０重量％は含まず）、さらには５０〜２重量
％、特に４５〜５重量％であることが好ましい。
【００３４】主としてシンジオタクチック構造を有する
スチレン系重合体５０重量％未満であれば、圧縮成形時
に耐熱性不足の現象や離型性不良の現象が生ずる場合が
あり好ましくない。
【００３５】また上記各成分の混練方法については、
シンジオタクチックポリスチレン製造工程のいずれかの
段階においてブレンドし溶融混練する方法や、組成物
を構成する各成分をブレンドし溶融混練する方法や、
フィルム成形時にドライブレンドし、成形機の押出機中
で混練するなど様々な方法で行なえばよい。
【００３６】（Ｄ）（Ａ）〜（Ｃ）以外の熱可塑性樹脂 本発明の半導体素子の封止用離型フィルムに用いる
（Ａ）〜（Ｃ）以外の熱可塑性樹脂としては、特に制限
はないが、例えば、ポリエチレンテレフタレ−ト、ポリ
エチレンナフタレ−ト、ポリイミド（ナイロン）、ポリ
（４−メチルペンテン−１）などの樹脂が挙げられる。
これらの（Ａ）〜（Ｃ）以外の熱可塑性樹脂は、離型フ
ィルムの表面層ではなく、内部層として用いるのが好ま
しい。
【００３７】次に、上記の様にして得られた樹脂や樹脂
組成物を用いて本発明の半導体素子の封止用離型フィル
ムの製造方法については、特に制限はないが、例えば、
キャスト成形、インフレーション成形、あるいは二軸延
伸成形によって製造すればよい。この場合、弾性率を本
発明の範囲に調製するために、延伸倍率を調製すること
好ましい場合がある。また、熱収縮率を調製するために
熱処理を施してもよい。
【００３８】上記の本発明の離型フィルムは、圧縮成形
法による半導体素子の封止用離型フィルムに適するもの
である。特に、チップサイズパッケ−ジ構造を有する半
導体素子の樹脂封止工程に用いる離型フィルムに適する
ものである。
【００３９】〔半導体素子の封止方法〕次に本発明の半
導体素子の封止方法について説明する。本発明は、離型
フィルムを配置した半導体製造用金型に、突起電極を形
成した半導体素子を有する半導体基盤を配置した後、封
止樹脂を供給して圧縮成形する半導体素子の封止方法に
おいて、離型フィルムとして上述した本発明に係る半導
体素子の封止用離型フィルムを用いる半導体素子の封止
方法である。
【００４０】通常、半導体の製造工程は、半導体素子形
成、突起電極（バンプ）形成、樹脂封止、突起電極露
出、分離の各工程を要するが、この中の樹脂封止は基盤
装着、樹脂層形成、離型の工程からなっており、この樹
脂封止工程の代表例を図を用いて説明する。
【００４１】図１は、本発明の製造方法に使用できるの
半導体素子の封止用金型の概念図（断面図）である。図
１において、１は上型、２ａ，２ｂは下型、３は半導体
基盤、４は突起電極（バンプ）、５は封止樹脂、６ａ，
６ｂは半導体素子の離型フィルムである。但し６ｂの離
型フィルムは必ずしも必要ではない。下型は２ａの下型
基体と２ｂの下型側体から構成されており、１の上型と
ともにいずれも上下移動可能になっている。また、上型
と下型には、共にヒーターが内設されている。
【００４２】上記の半導体素子封止用金型を用いて、次
のように樹脂封止工程が行われる。先ず、半導体素子形
成工程及びバンプ形成工程を経た多数の半導体素子が形
成された半導体基板３（ウエハー）を半導体装置製造用
金型の下型２ａ上に図の様に，突起電極４を上側にして
装着する。次いで、上型１の下面に上述した本発明の半
導体素子封止用離型フィルム６ａを取り付ける。その
後、封止樹脂５を半導体基盤３の中央に配置する。以上
で基盤装着工程が終了する。図１は基盤装着工程が終了
した状態を示している。
【００４３】次いで、樹脂層形成工程に入る。上型１は
下方に、下型側体２ｂに接触するまで移動する。それに
ともなって半導体素子の封止用離型フィルム６ａも下降
し、封止樹脂５を圧縮する。下型基体２ａは移動せず、
上型１は下型側体２ｂと共にさらに下降する。したがっ
て、封止樹脂５は押し広げられて基盤３の外周に進んで
ゆき、半導体基盤３全体が樹脂により封止される。その
後、金型内は加熱され、封止樹脂５は硬化する。樹脂層
が形成された状態では、半導体素子の封止用離型フィル
ム６ａは、封止樹脂５を圧接するとともに、基板３の表
面にある突起電極４の先端がのめり込んだ状態になって
いる。
【００４４】次いで、離型工程が行われる。まず、上型
１を上昇させて、上型を半導体素子の封止用離型フィル
ム６ａから離脱させる。続いて、下型基体２ａは移動さ
せず下型側体２ｂをわずかに下降させて、樹脂層を下型
側体２ｂから離脱させる。その後、下型側体２ｂを上昇
させる。これによって、半導体素子の封止用離型フィル
ム６ａとともに樹脂層が形成された基盤３が下型基体２
ａから離脱する。これで離型工程が終了し、その後の突
起電極露出工程、分離の各工程に進む。これらは公知の
方法で行えばよい。
【００４５】なお、上記の例では離型フィルムを上型１
の下面にのみ配置したが、さらに下型基体２ａと半導体
基盤３との間にも離型フィルム６ｂを配置してもよい。
これにより、半導体素子の封止用離型フィルム６ａとと
もに樹脂層が形成された半導体基盤３が下型基体２ａか
ら離脱する工程がより容易になる効果がある。
【００４６】
〔評価方法〕
（１）ぬれ指数 ぬれ指数標準液（和光純薬社製）を用い、ＪＩＳ Ｋ６
７６８に規定する方法により測定した。 （２）熱収縮率 フィルムを無荷重下で１７５℃のオーブン内で１５０分
間放置し、その後の熱収縮率を測定した。 （３）弾性率 １７５℃雰囲気下でフィルム引張り測定を実施し、その
弾性率を測定した。 〔半導体素子の封止実験〕図１に示す金型を用い、１７
５℃で１５０分間プレスした後、離型フィルムが密着し
た状態でウエハーを取り出し、室温に冷却した後、該離
型フィルムを引き剥がし、その離型性及び、ウエハー上
に形成されているバンプ（突起電極）の変形を観察し
た。
【００４７】〔離型フィルムの製造〕使用した原料 （１）シンジオタクチックポリスチレン Ｍｗ＝２７０，０００，Ｍｗ／Ｍｎ＝２．２０（１，
２，４−トリクロロベンゼンを溶媒とし、１５０℃でＧ
ＰＣ法にて測定した。以下，同様） （２）シンジオタクチックポリスチレン Ｍｗ＝１００，０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝２．２０ （３）ポリスチレン（ＧＰＰＳ） 出光石油化学製 ＨＨ３０ （４）ゴム弾性体 ＳＥＰＳタイプエラストマー：クラレ社製 セプトン２
１０４ （５）ゴム弾性体 エチレン・ オクテン共重合体系エラストマー：デュポン
・ダウエラストマー社製 ＥＮＧＡＧＥ８１５０ （６）熱可塑性樹脂 ポリ（４−メチルペンテン−１）：三井化学製 ＭＸ０
００２ （７）酸化防止剤 チバガイギー社製 Ｉｒｇａｎｏｘ１０１０ （８）酸化防止剤 旭デンカ社製 ＰＥＰ３６
【００４８】〔実施例１〕シンジオタクチックポリスチ
レンを８０重量部、ゴム弾性体を４重量部、ゴム弾
性体を１６重量部、酸化防止剤を０．１重量部、酸
化防止剤を０．１重量部を配合したシンジオタクチッ
ク構造を有するスチレン重合体組成物（ＳＰＳ組成物）
をドライブレンドし、６５ｍｍφ二軸押出機にて溶融混
練してペレットを得た。このペレットを用い、５０ｍｍ
φ単軸押出機に５００ｍｍ幅のコートハンガーダイを取
り付け押出し量２０ｋｇ／ｈｒにて３００℃で溶融押出
し、１００μｍの厚みのフィルムを得た。この離型フィ
ルムを用いて、上記フィルム評価、及び封止実験を行っ
た。評価結果を表１に纏めて示した。 〔実施例２〕実施例１に記載したＳＰＳ組成物と熱可塑
性樹脂（「ＴＲＸ」と略称する）を共押出して，厚さ
の割合がＳＰＳ／ＴＰＸ／ＳＰＳ＝２５／５０／２５の
１００μｍのフィルムを得た。これを実施例１と同様な
評価を行った。結果を表１にまとめて示した。 〔実施例３〕フッ素樹脂系であるポリテトラフルオロエ
チレン樹脂（旭硝子社製アフロンＣＯＰ）の１００μｍ
フィルムを離型フィルムとして用い、実施例１と同様な
評価を行った。評価結果を表１に纏めて示した。
【００４９】〔比較例１〕実施例１で用いた離型フィル
ムをコロナ処理を施した離型フィルムについて、実施例
１と同様の評価を行った。評価結果を表１に纏めて示し
た。 〔比較例２〕実施例１で得られたフィルムをテーブルテ
ンターで１２０℃雰囲気下でＭＤ方向、ＴＤ方向に各
１．１倍二軸延伸を行ったフィルムを離型フィルムを用
いて、実施例１と同様の評価を行った。評価結果を表１
に纏めて示した。 〔比較例３〕シンジオタクチックポリスチレンを５０
重量部、ポリスチレン（ＧＰＰＳ）を１０重量部、ゴム
弾性体を２０重量部、ゴム弾性体を２０重量部，酸
化防止剤を０．１重量部、酸化防止剤を０．１重量
部を配合後ドライブレンドし、６５ｍｍφ二軸押出機に
て溶融混練してペレットを得た。このペレットを用いて
実施例１と同様の評価を行った。評価結果を表１に纏め
て示した。 〔比較例４〕厚さ１００μｍのポリイミドフィルム（デ
ュポン製カプトンＨ）を用いたて、実施例１と同様の評
価を行った。評価結果を表１に表１に纏めて示した。
【００５０】
【表１】
【００５１】
【発明の効果】本発明の半導体素子封止用離型フィルム
は、半導体素子封止工程において、半導体の端子を変形
させたり、離型フィルムを変形させず、離型性にも優れ
た半導体素子封止用離型フィルムであり、それを用いて
半導体を製造すると、半導体の製造効率を高めることが
できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の製造方法に使用できる半導体素子封止
用金型の概念図（断面図）である。
【符号の説明】
１ 上型 ２ 下型 ３ 半導体基盤 ４ 突起電極（バンプ） ５ 封止樹脂 ６ａ，６ｂ 半導体素子の封止用離型フィルム
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０８Ｋ 5/00 Ｃ０８Ｋ 5/00 Ｃ０８Ｌ 7/00 Ｃ０８Ｌ 7/00 9/00 9/00 25/06 25/06 101/00 101/00 // Ｃ０８Ｊ 5/18 ＣＥＴ Ｃ０８Ｊ 5/18 ＣＥＴ ＣＥＷ ＣＥＷ Ｂ２９Ｋ 101:00 Ｂ２９Ｋ 101:00 105:20 105:20 Ｂ２９Ｌ 31:34 Ｂ２９Ｌ 31:34 Ｆターム(参考） 4F071 AA10 AA22 AA26 AE04 AE05 AE22 AF01Y AF20Y AF61Y AH12 BA01 BB06 BC01 4F202 AD02 AD05 AD08 AH37 CA11 CB17 CB20 CK53 CM72 CQ05 4F206 AD02 AD05 AD08 AH37 JA03 JA07 JB17 JB20 JF06 JL02 JM06 JN25 JN41 JQ81 4J002 AC01X AC02X AC04Y AE055 BB03Y BB035 BB04Y BB12Y BC03W BC03Y BC04Y BC044 BC11W BD124 CC184 CF06Y CF07Y CG00Y CH015 CH07Y CL005 CL01Y CL03Y CN01Y CP035 DD036 DE076 DE186 DE236 DJ048 DK006 EG078 EJ017 EW048 FD025 FD077 FD204 FD206 FD208 GQ05 5F061 AA01 BA05 CA22 EA01

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 熱可塑性樹脂を含む単層又は多層からな
    り、以下の（１）〜（４）の要件を満たす半導体素子の
    封止用離型フィルム。 （１）表面層のぬれ指数が３６以下 （２）１７５℃における熱収縮率が３％未満 （３）１７５℃における弾性率が１０〜５００ＭＰａ （４）離型フィルムの厚さが１０〜３００μｍ
  2. 【請求項２】 離型フィルムの少なくとも表面層が、
    （Ａ）フッ素系樹脂、（Ｂ）主としてシンジオタクチッ
    ク構造を有するスチレン系重合体または（Ｃ）主として
    シンジオタクチック構造を有するスチレン系重合体を含
    む樹脂組成物からなる請求項１に記載の半導体素子の封
    止用離型フィルム。
  3. 【請求項３】 （Ｃ）主としてシンジオタクチック構造
    を有するスチレン系重合体を含む樹脂組成物が、主とし
    てシンジオタクチック構造を有するスチレン系重合体５
    ０〜１００重量％（１００重量％は含まず）と、（Ｃ−
    １）ゴム状弾性体，（Ｃ−２）シンジオタクチック構造
    を有するスチレン系重合体以外の熱可塑性樹脂及び（Ｃ
    −３）樹脂組成物用添加剤のうちの少なくとも一成分５
    ０〜０重量％（０重量％は含まず）とからなる請求項２
    に記載の半導体素子の封止用離型フィルム。
  4. 【請求項４】 離型フィルムを配置した半導体製造用金
    型に、突起電極を形成した半導体素子を有する半導体基
    盤を配置した後、封止樹脂を供給して圧縮成形する半導
    体素子の封止方法において、離型フィルムとして請求項
    １〜３のいずれかに記載の半導体素子の封止用離型フィ
    ルムを用いる半導体素子の封止方法。
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