JP2000195883A - 半導体ウエ―ハの樹脂封止方法 - Google Patents
半導体ウエ―ハの樹脂封止方法Info
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- JP2000195883A JP2000195883A JP10369618A JP36961898A JP2000195883A JP 2000195883 A JP2000195883 A JP 2000195883A JP 10369618 A JP10369618 A JP 10369618A JP 36961898 A JP36961898 A JP 36961898A JP 2000195883 A JP2000195883 A JP 2000195883A
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- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C43/00—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor
- B29C43/02—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles
- B29C43/18—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles incorporating preformed parts or layers, e.g. compression moulding around inserts or for coating articles
Abstract
(57)【要約】
【課題】フッ素樹脂離型フィルムの介在のもとで樹脂封
止を行う方法を、電極ポスト付きウエ−ハの樹脂封止に
電極ポストの頂上を確実に露出させて優れた歩留りで適
用できるようにする。 【解決手段】電極ポスト２１を有する半導体ウエ−ハ２
を樹脂組成物４の加圧成形により電極ポスト２１の頂上
を露出させて封止する方法であり、動摩擦係数が０．２
以下のフッ素樹脂フィルムを離型フィルム３として使用
する。
止を行う方法を、電極ポスト付きウエ−ハの樹脂封止に
電極ポストの頂上を確実に露出させて優れた歩留りで適
用できるようにする。 【解決手段】電極ポスト２１を有する半導体ウエ−ハ２
を樹脂組成物４の加圧成形により電極ポスト２１の頂上
を露出させて封止する方法であり、動摩擦係数が０．２
以下のフッ素樹脂フィルムを離型フィルム３として使用
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は樹脂による半導体の
封止をチップに分割するまえのウエ−ハの段階で行う半
導体ウエ−ハの樹脂封止方法に関するものである。
封止をチップに分割するまえのウエ−ハの段階で行う半
導体ウエ−ハの樹脂封止方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置を製造するには、所定
の処理・加工を施したシリコンウエ−ハをチップに分割
し、ワイヤボンディングまたはワイヤレスボンディング
を行った後、チップを金型のキャビティにセットし、ト
ランスファ−成形法等により樹脂で封止している。この
樹脂封止において、金型内面にフッ素樹脂離型フィルム
を介在させることにより離型性を高めて金型クリ−ニン
グ回数の低減による作業能率の向上、金型の長寿命化に
よるコスト低減、エジェクトピンの省略による金型構造
の簡易化等を図ることが公知である（特開平８−１９７
５６７号、特開平８−１８６１４１号、特開昭６０−２
４０４０８号等）。
の処理・加工を施したシリコンウエ−ハをチップに分割
し、ワイヤボンディングまたはワイヤレスボンディング
を行った後、チップを金型のキャビティにセットし、ト
ランスファ−成形法等により樹脂で封止している。この
樹脂封止において、金型内面にフッ素樹脂離型フィルム
を介在させることにより離型性を高めて金型クリ−ニン
グ回数の低減による作業能率の向上、金型の長寿命化に
よるコスト低減、エジェクトピンの省略による金型構造
の簡易化等を図ることが公知である（特開平８−１９７
５６７号、特開平８−１８６１４１号、特開昭６０−２
４０４０８号等）。
【０００３】最近、チップサイズパッケ−ジ半導体装置
の製造方法として、ウエ−ハ上に絶縁層（例えば、ポリ
イミド層）を形成し、その表面にスパッタ法等で金属薄
膜を形成し、この金属薄膜を所定のパタ−ンに加工する
と共に電極とパタ−ンとをブリッジで導通させ、このパ
タ−ンに電極ポストを形成し、更に電極ポストの頂上を
露出させて樹脂封止を行い、而るのち、チップに分割す
ることが提案されている〔このチップサイズパッケ−ジ
半導体装置においては、絶縁層（ポリイミド層）と樹脂
封止層との積層体中に電極−ブリッジ−金属薄膜パタ−
ン−電極ポストからなる格子状リード構造が埋設され、
電極ポストの頂上が露出されている〕。
の製造方法として、ウエ−ハ上に絶縁層（例えば、ポリ
イミド層）を形成し、その表面にスパッタ法等で金属薄
膜を形成し、この金属薄膜を所定のパタ−ンに加工する
と共に電極とパタ−ンとをブリッジで導通させ、このパ
タ−ンに電極ポストを形成し、更に電極ポストの頂上を
露出させて樹脂封止を行い、而るのち、チップに分割す
ることが提案されている〔このチップサイズパッケ−ジ
半導体装置においては、絶縁層（ポリイミド層）と樹脂
封止層との積層体中に電極−ブリッジ−金属薄膜パタ−
ン−電極ポストからなる格子状リード構造が埋設され、
電極ポストの頂上が露出されている〕。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、本発明
者の試験結果によれば、前記半導体ウエ−ハの樹脂封止
に上記したフッ素樹脂離型フィルムを介在させる方法を
使用すると、往々にして一部の電極ポスト頂上での樹脂
かぶりが観られる。これは、離型フィルムにシワが発生
し、一部の電極ポストの頂上面と離型フィルムとの間に
樹脂が侵入する結果である。
者の試験結果によれば、前記半導体ウエ−ハの樹脂封止
に上記したフッ素樹脂離型フィルムを介在させる方法を
使用すると、往々にして一部の電極ポスト頂上での樹脂
かぶりが観られる。これは、離型フィルムにシワが発生
し、一部の電極ポストの頂上面と離型フィルムとの間に
樹脂が侵入する結果である。
【０００５】ところで、上記樹脂封止時、離型フィルム
（円形）は周囲が固定され、熱収縮により引張り応力状
態となるが、フィルムの熱収縮性に方向性がないと、そ
の応力分布は中心に対し点対称の単純なパタ−ンとな
る。すなわち、中心から距離ｒと（ｒ＋Δｒ）とで囲ま
れた部分での半径方向応力δrと周方向応力δcとの平衡
から、
（円形）は周囲が固定され、熱収縮により引張り応力状
態となるが、フィルムの熱収縮性に方向性がないと、そ
の応力分布は中心に対し点対称の単純なパタ−ンとな
る。すなわち、中心から距離ｒと（ｒ＋Δｒ）とで囲ま
れた部分での半径方向応力δrと周方向応力δcとの平衡
から、
【数１】 ２ｒ・Δδr＝２δc・Δｒ
【数２】 ２πδr／Ｅr＝δc／Ｅc が成立し(但し、Ｅrは半径方向弾性率、Ｅcは周方向弾
性率)、
性率)、
【数３】 Logδr＝〔２πＥc／Ｅr〕Logｒ＋Ｋ の関係となり、離型フィルム（半径Ｒ）の固定端（外
周）の応力をδRとすれば、
周）の応力をδRとすれば、
【数４】 Log（δr／δR）＝〔２πＥc／Ｅr〕Log（ｒ／Ｒ） であり、Ｅc＝Ｅrとすれば、
【数５】 δr＝δR・（ｒ／Ｒ）2π が成立し、応力が等半径位置で等しく、中心に至るに従
い連続的に減少していく応力分布である。
い連続的に減少していく応力分布である。
【０００６】而るに、かかる単純な応力分布のもとで
は、離型フィルムにシワが発生する可能性は少ない。
は、離型フィルムにシワが発生する可能性は少ない。
【０００７】しかしながら、本発明者が種々のフッ素樹
脂フィルムについて、そのフィルムを離型フィルムに使
用して半導体ウエ−ハの樹脂封止を行う試験を行ったと
ころ、縦方向と横方向との熱収縮率の差を著しく小さく
したフッ素樹脂フィルムでも、シワ発生が往々にして観
られた。
脂フィルムについて、そのフィルムを離型フィルムに使
用して半導体ウエ−ハの樹脂封止を行う試験を行ったと
ころ、縦方向と横方向との熱収縮率の差を著しく小さく
したフッ素樹脂フィルムでも、シワ発生が往々にして観
られた。
【０００８】そこで、上記半導体ウエ−ハの樹脂封止時
でのシワ発生の原因につき鋭意究明したところ、フッ素
樹脂離型フィルムの動摩擦係数が強く関与しており、シ
ワ発生の抑制には動摩擦係数の低減が有効であることを
知った。この離型フィルムの動摩擦係数が関与する理由
としては、半導体ウエ−ハの樹脂封止の場合、チップ単
位の樹脂封止の場合とは異なり、金型の樹脂成形空間内
での樹脂の流動距離が長く、この流動樹脂と離型フィル
ムとの接触で離型フィルムに作用する摩擦力が大きくな
り離型フィルムがたぐられる結果であると推定される。
でのシワ発生の原因につき鋭意究明したところ、フッ素
樹脂離型フィルムの動摩擦係数が強く関与しており、シ
ワ発生の抑制には動摩擦係数の低減が有効であることを
知った。この離型フィルムの動摩擦係数が関与する理由
としては、半導体ウエ−ハの樹脂封止の場合、チップ単
位の樹脂封止の場合とは異なり、金型の樹脂成形空間内
での樹脂の流動距離が長く、この流動樹脂と離型フィル
ムとの接触で離型フィルムに作用する摩擦力が大きくな
り離型フィルムがたぐられる結果であると推定される。
【０００９】本発明の目的は、フッ素樹脂離型フィルム
の介在のもとで樹脂封止を行う方法を、電極ポスト付き
ウエ−ハの樹脂封止に電極ポストの頂上を確実に露出さ
せて優れた歩留りで適用できるようにすることにある。
の介在のもとで樹脂封止を行う方法を、電極ポスト付き
ウエ−ハの樹脂封止に電極ポストの頂上を確実に露出さ
せて優れた歩留りで適用できるようにすることにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体ウエ
−ハの樹脂封止方法は、電極ポストを有する半導体ウエ
−ハを樹脂組成物の加圧成形により電極ポストの頂上を
露出させて封止する方法であり、動摩擦係数が０．２以
下のフッ素樹脂フィルムを離型フィルムとして使用する
ことを特徴とする構成であり、動摩擦係数が０．２以下
のフッ素樹脂フィルムを離型フィルムには、縦方向及び
横方向の樹脂組成物の加圧成形条件下での寸法収縮率が
５％以下のポリテトロフルオロエチレンフィルムを使用
することが望ましい。上記動摩擦係数は、バ−デンレ−
ベン法による測定値である。
−ハの樹脂封止方法は、電極ポストを有する半導体ウエ
−ハを樹脂組成物の加圧成形により電極ポストの頂上を
露出させて封止する方法であり、動摩擦係数が０．２以
下のフッ素樹脂フィルムを離型フィルムとして使用する
ことを特徴とする構成であり、動摩擦係数が０．２以下
のフッ素樹脂フィルムを離型フィルムには、縦方向及び
横方向の樹脂組成物の加圧成形条件下での寸法収縮率が
５％以下のポリテトロフルオロエチレンフィルムを使用
することが望ましい。上記動摩擦係数は、バ−デンレ−
ベン法による測定値である。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態について説明する。図１の（イ）〜（ハ）は
本発明に係る半導体ウエ−ハの樹脂封止方法の一例を示
す工程図である。図１において、１１は上金型、１２は
下金型であり、上下金型とも内蔵ヒ−タにより所望温度
に加熱されている。２は電極ポスト付き半導体ウエ−ハ
であり、電極面側に絶縁層（例えば、ポリイミド層）を
設けこの絶縁層上に金属薄膜のパタ−ンを設けこのパタ
−ンと電極とをブリッジで導通すると共にパタ−ンの所
定位置に電極ポスト２１を設けてなる格子状リ−ドを有
する。３は動摩擦係数が０．２以下のフッ素樹脂離型フ
ィルムを示している。
実施の形態について説明する。図１の（イ）〜（ハ）は
本発明に係る半導体ウエ−ハの樹脂封止方法の一例を示
す工程図である。図１において、１１は上金型、１２は
下金型であり、上下金型とも内蔵ヒ−タにより所望温度
に加熱されている。２は電極ポスト付き半導体ウエ−ハ
であり、電極面側に絶縁層（例えば、ポリイミド層）を
設けこの絶縁層上に金属薄膜のパタ−ンを設けこのパタ
−ンと電極とをブリッジで導通すると共にパタ−ンの所
定位置に電極ポスト２１を設けてなる格子状リ−ドを有
する。３は動摩擦係数が０．２以下のフッ素樹脂離型フ
ィルムを示している。
【００１２】本発明により電極ポスト２１付きの半導体
ウエ−ハ２を樹脂封止するには、まず、所望温度に加熱
されている金型を開き、図１の（イ）に示すように下金
型１２に半導体ウエ−ハ２を固定すると共に上金型１１
にフッ素樹脂離型フィルム３の周囲を固定し（例えば吸
引固定による。周囲のみを固定するのは、フィルムの平
滑性を保持するためである）、半導体ウエ−ハ２上に封
止樹脂組成物４を供給する。この封止樹脂には、半導体
ウエ−ハ２上に載置される定重量のシ−ト状粉末圧縮成
形体、射出機により上下金型間に定量吐出される短円柱
状粉末圧縮成形体等を使用できる。
ウエ−ハ２を樹脂封止するには、まず、所望温度に加熱
されている金型を開き、図１の（イ）に示すように下金
型１２に半導体ウエ−ハ２を固定すると共に上金型１１
にフッ素樹脂離型フィルム３の周囲を固定し（例えば吸
引固定による。周囲のみを固定するのは、フィルムの平
滑性を保持するためである）、半導体ウエ−ハ２上に封
止樹脂組成物４を供給する。この封止樹脂には、半導体
ウエ−ハ２上に載置される定重量のシ−ト状粉末圧縮成
形体、射出機により上下金型間に定量吐出される短円柱
状粉末圧縮成形体等を使用できる。
【００１３】上記のようにして半導体ウエ−ハ２やフッ
素樹脂離型フィルム３のセット及び封止樹脂４の供給を
行ったのちは、図１の（ロ）に示すように型を閉じ、封
止樹脂４を加圧成形し、余剰の樹脂をパ−ティクルライ
ンから排出する。この加圧成形の初期に封止樹脂４が加
圧流動され、離型フィルム２に摩擦力が作用し、この摩
擦力が大きいと離型フィルムが伸ばされて伸び方向の先
方にたぐられるが、本発明においてはフッ素樹脂離型フ
ィルムの動摩擦係数を０．２以下の超低摩擦係数にして
あるから、離型フィルムに作用する摩擦力を僅小にして
前記離型フィルムのたぐりを実質的に排除でき、離型フ
ィルムのシワ発生を防止できる。
素樹脂離型フィルム３のセット及び封止樹脂４の供給を
行ったのちは、図１の（ロ）に示すように型を閉じ、封
止樹脂４を加圧成形し、余剰の樹脂をパ−ティクルライ
ンから排出する。この加圧成形の初期に封止樹脂４が加
圧流動され、離型フィルム２に摩擦力が作用し、この摩
擦力が大きいと離型フィルムが伸ばされて伸び方向の先
方にたぐられるが、本発明においてはフッ素樹脂離型フ
ィルムの動摩擦係数を０．２以下の超低摩擦係数にして
あるから、離型フィルムに作用する摩擦力を僅小にして
前記離型フィルムのたぐりを実質的に排除でき、離型フ
ィルムのシワ発生を防止できる。
【００１４】上記樹脂組成物の加圧成形時、成形温度に
よるフッ素樹脂離型フィルムの熱収縮が避けられない
が、熱収縮性に方向性がない場合はその応力分布が前記
式またはから推定できるように単純であり、また熱
収縮率が小さい場合は応力自体が小さくなり、これらの
場合はシワ発生に殆ど関与しない。従って、樹脂組成物
の加圧成形条件（例えば１８０℃×１０分）での寸法収
縮率が縦方向及び横方向ともに５％以下、好ましくは３
％以下のフッ素樹脂フィルムを使用することが望まし
い。
よるフッ素樹脂離型フィルムの熱収縮が避けられない
が、熱収縮性に方向性がない場合はその応力分布が前記
式またはから推定できるように単純であり、また熱
収縮率が小さい場合は応力自体が小さくなり、これらの
場合はシワ発生に殆ど関与しない。従って、樹脂組成物
の加圧成形条件（例えば１８０℃×１０分）での寸法収
縮率が縦方向及び横方向ともに５％以下、好ましくは３
％以下のフッ素樹脂フィルムを使用することが望まし
い。
【００１５】尤も、熱収縮性に方向性がある場合（従っ
て、離型フィルムの縦方向と横方向とで熱収縮率が相当
に異なる場合）や熱収縮率が大きい場合でも、これらに
基づくフッ素樹脂離型フィルムのシワ発生は前記の流動
封止樹脂との摩擦によるシワ発生に較べて僅少であり、
動摩擦係数が０．２以下のフッ素樹脂離型フィルムであ
れば、本発明の目的、すなわち電極ポスト頂上での樹脂
かぶりの防止を充分に達成できる。
て、離型フィルムの縦方向と横方向とで熱収縮率が相当
に異なる場合）や熱収縮率が大きい場合でも、これらに
基づくフッ素樹脂離型フィルムのシワ発生は前記の流動
封止樹脂との摩擦によるシワ発生に較べて僅少であり、
動摩擦係数が０．２以下のフッ素樹脂離型フィルムであ
れば、本発明の目的、すなわち電極ポスト頂上での樹脂
かぶりの防止を充分に達成できる。
【００１６】上記樹脂組成物の加圧成形を所定の条件、
例えば１８０℃×１０分で行い封止樹脂を硬化させたの
ち、図１の（ハ）に示すように型を開き、フッ素樹脂離
型フィルムを剥離したうえで樹脂封止半導体ウエ−ハを
取出し、これにて本発明による半導体ウエ−ハの樹脂封
止を終了する。
例えば１８０℃×１０分で行い封止樹脂を硬化させたの
ち、図１の（ハ）に示すように型を開き、フッ素樹脂離
型フィルムを剥離したうえで樹脂封止半導体ウエ−ハを
取出し、これにて本発明による半導体ウエ−ハの樹脂封
止を終了する。
【００１７】本発明に係る半導体ウエ−ハの樹脂封止方
法によれば、樹脂組成物の加圧成形をフッ素樹脂離型フ
ィルムにシワを発生させることなく行い得、電極ポスト
の頂上面とフッ素樹脂離型フィルムとを最終的に平滑面
で完全に接触させることができ、電極ポストの頂上を樹
脂かぶりを排除して確実に露出させ得、良好な歩留りで
樹脂封止を行うことができる。
法によれば、樹脂組成物の加圧成形をフッ素樹脂離型フ
ィルムにシワを発生させることなく行い得、電極ポスト
の頂上面とフッ素樹脂離型フィルムとを最終的に平滑面
で完全に接触させることができ、電極ポストの頂上を樹
脂かぶりを排除して確実に露出させ得、良好な歩留りで
樹脂封止を行うことができる。
【００１８】なお、上記実施例においては半導体ウエ−
ハの電極ポスト側のみを樹脂封止しているが、下金型に
前記動摩擦係数が０．２以下のフッ素樹脂離型フィルム
を固定し、この離型フィルムと半導体ウエ−ハの裏面と
の間にギャップを保持し半導体ウエ−ハの裏面側も樹脂
封止することができる。
ハの電極ポスト側のみを樹脂封止しているが、下金型に
前記動摩擦係数が０．２以下のフッ素樹脂離型フィルム
を固定し、この離型フィルムと半導体ウエ−ハの裏面と
の間にギャップを保持し半導体ウエ−ハの裏面側も樹脂
封止することができる。
【００１９】本発明において使用する動摩擦係数０．２
以下のフッ素樹脂離型フィルムは、耐熱性キャリアシ−
ト上にフッ素樹脂ディスパ−ジョンを塗布し、これをフ
ッ素樹脂の融点以上の温度で焼成し、ついで焼成フィル
ムをキャリアシ−トから剥離することにより得ることが
できる。この場合、一段加熱で一挙に焼成することもで
きるが、フッ素樹脂ディスパ−ジョンの分散媒の蒸発温
度でまず加熱して分散媒の一部または大部分を蒸発によ
り除去し、次いでフッ素樹脂の融点以上に加熱して焼成
する多段加熱を使用することが好ましい。塗布は浸漬法
の外、スプレ−法、刷毛塗り法等により行うこともでき
る。通常、フッ素樹脂離型フィルムの厚みを所望厚さと
するために、塗布したフッ素樹脂ディスパ−ジョンの加
熱焼成とフッ素樹脂ディスパ−ジョンの塗布とが数回繰
り返えして所望厚みのフッ素樹脂離型フィルムを得る。
以下のフッ素樹脂離型フィルムは、耐熱性キャリアシ−
ト上にフッ素樹脂ディスパ−ジョンを塗布し、これをフ
ッ素樹脂の融点以上の温度で焼成し、ついで焼成フィル
ムをキャリアシ−トから剥離することにより得ることが
できる。この場合、一段加熱で一挙に焼成することもで
きるが、フッ素樹脂ディスパ−ジョンの分散媒の蒸発温
度でまず加熱して分散媒の一部または大部分を蒸発によ
り除去し、次いでフッ素樹脂の融点以上に加熱して焼成
する多段加熱を使用することが好ましい。塗布は浸漬法
の外、スプレ−法、刷毛塗り法等により行うこともでき
る。通常、フッ素樹脂離型フィルムの厚みを所望厚さと
するために、塗布したフッ素樹脂ディスパ−ジョンの加
熱焼成とフッ素樹脂ディスパ−ジョンの塗布とが数回繰
り返えして所望厚みのフッ素樹脂離型フィルムを得る。
【００２０】上記焼成フィルムの剥離をよりスム−ズに
行うために、キャリアシ−トにシリコ−ン系等の剥離剤
を塗布することもできる。
行うために、キャリアシ−トにシリコ−ン系等の剥離剤
を塗布することもできる。
【００２１】上記耐熱性キャリアシ−トには、フッ素樹
脂ディスパ−ジョンの焼成温度に耐え、かつ表面粗さＲ
ａ（ＪＩＳ Ｂ０６０１−１９８２法による）が０．５
μｍ以下のプラスチックフィルムであれば適宜のものを
使用でき、例えばポリイミドフィルム、ポリエ−テルエ
−テルケトンフィルム、ポリエ−テルサルホンフィルム
や金属箔を使用できる。
脂ディスパ−ジョンの焼成温度に耐え、かつ表面粗さＲ
ａ（ＪＩＳ Ｂ０６０１−１９８２法による）が０．５
μｍ以下のプラスチックフィルムであれば適宜のものを
使用でき、例えばポリイミドフィルム、ポリエ−テルエ
−テルケトンフィルム、ポリエ−テルサルホンフィルム
や金属箔を使用できる。
【００２２】上記フッ素樹脂ディスパ−ジョンの分散媒
としては、例えば水を使用できる。フッ素樹脂として
は、テトラフルオロエチレン−パ−フルオロアルキルビ
ニルエ−テル共重合体、テトラフルオロエチレン−ヘキ
サフルオロプロピレン共重合体、ポリフッ化ビニリデン
等の使用も可能であるが、ポリテトラフロオロエチレン
が離型性に優れているので好適である。このフッ素樹脂
ディスパ−ジョンの固形分濃度は作業性の面から２０〜
６０重量％、特に４０〜６０重量％とすることが好まし
い。
としては、例えば水を使用できる。フッ素樹脂として
は、テトラフルオロエチレン−パ−フルオロアルキルビ
ニルエ−テル共重合体、テトラフルオロエチレン−ヘキ
サフルオロプロピレン共重合体、ポリフッ化ビニリデン
等の使用も可能であるが、ポリテトラフロオロエチレン
が離型性に優れているので好適である。このフッ素樹脂
ディスパ−ジョンの固形分濃度は作業性の面から２０〜
６０重量％、特に４０〜６０重量％とすることが好まし
い。
【００２３】本発明において使用する動摩擦係数０．２
以下のフッ素樹脂離型フィルムは、フッ素樹脂のモ−ル
ディングパウダ−、好ましくはポリテトラフロオロエチ
レンモ−ルディングパウダ−を円筒形金型に充填し、こ
れを常温で予備加圧成形し、次いで、フッ素樹脂の融点
以上の温度で焼成して円筒体を得、この円筒体を切削旋
盤で所望厚みのフィルム状に切削することにより得るこ
ともでき、必要に応じ切削加工歪を除去して寸法収縮率
を調整するために加熱処理することができる。
以下のフッ素樹脂離型フィルムは、フッ素樹脂のモ−ル
ディングパウダ−、好ましくはポリテトラフロオロエチ
レンモ−ルディングパウダ−を円筒形金型に充填し、こ
れを常温で予備加圧成形し、次いで、フッ素樹脂の融点
以上の温度で焼成して円筒体を得、この円筒体を切削旋
盤で所望厚みのフィルム状に切削することにより得るこ
ともでき、必要に応じ切削加工歪を除去して寸法収縮率
を調整するために加熱処理することができる。
【００２４】本発明において、フッ素樹脂離型フィルム
の厚みは加圧力の均一化のために１００μｍ以下、特に
５０μｍ以下とすることが好ましい。
の厚みは加圧力の均一化のために１００μｍ以下、特に
５０μｍ以下とすることが好ましい。
【００２５】本発明において封止樹脂には、熱硬化性樹
脂と硬化剤、硬化促進剤、可塑剤、着色剤、難燃剤、難
燃助剤、充填剤、離型剤等との粉末混合組成物のシ−ト
状または短円柱状圧縮成形体を使用でき、硬化性樹脂に
はエポキシ樹脂を使用することが好ましい。
脂と硬化剤、硬化促進剤、可塑剤、着色剤、難燃剤、難
燃助剤、充填剤、離型剤等との粉末混合組成物のシ−ト
状または短円柱状圧縮成形体を使用でき、硬化性樹脂に
はエポキシ樹脂を使用することが好ましい。
【００２６】本発明により樹脂封止された半導体ウエ−
ハにおいてはチップに分割され、チップの実装において
リフロ−法等により電極ポストの露出頂上が回路板の導
体にはんだ付けされる。
ハにおいてはチップに分割され、チップの実装において
リフロ−法等により電極ポストの露出頂上が回路板の導
体にはんだ付けされる。
【００２７】
【実施例】以下の実施例及び比較例で使用するフッ素樹
脂離型フィルムの縦方向及び横方向の寸法収縮率は、１
８０℃雰囲気下で１０分間加熱直後の各方向の寸法をＬ
2、加熱前の同寸法をＬ1として、（Ｌ2 −Ｌ1）×１０
０％／Ｌ1により算出し、フッ素樹脂離型フィルムの動
摩擦係数は、バ−デンレ−ベン法により測定時の接触相
手材として鋼球を使用し荷重量１００g、駆動速度６０
０ｍｍ／ｍｉｎのもとで測定した。
脂離型フィルムの縦方向及び横方向の寸法収縮率は、１
８０℃雰囲気下で１０分間加熱直後の各方向の寸法をＬ
2、加熱前の同寸法をＬ1として、（Ｌ2 −Ｌ1）×１０
０％／Ｌ1により算出し、フッ素樹脂離型フィルムの動
摩擦係数は、バ−デンレ−ベン法により測定時の接触相
手材として鋼球を使用し荷重量１００g、駆動速度６０
０ｍｍ／ｍｉｎのもとで測定した。
【００２８】〔実施例１〕ポリテトラフルオロエチレン
粉末濃度６０重量％の水性ディスパ−ジョンを厚さ０．
１ｍｍのポリイミドキャリアシ−トに浸漬塗布し、９０
℃×２分の加熱で分散媒（水）を除去し、次いで３６０
℃×２分の加熱で焼成することを４回繰り返して厚み５
０μｍのポリテトラフルオロエチレンフィルムを得、こ
のフィルムを離型フィルムとして使用した。この離型フ
ィルムの動摩擦係数及び寸法収縮率は表１に示す通りで
ある。電極ポスト付きシリコンウエ−ハの直径は５イン
チであり、離型フィルムをこれよりもやや大きい円形に
切断した。封止樹脂には、エポキシ樹脂主剤６０重量
部，難燃助剤１０重量部，硬化剤３０重量部，充填剤２
２０重量部，難燃剤５重量部，離型剤１重量部，顔料１
重量部，硬化促進剤１重量部，表面処理剤１重量部から
なる粉末混合組成物のシ−ト状圧縮成形体を使用した。
図１において、上金型及び下金型の加熱温度を１８０℃
とし、成形圧力３０ｋｇ／ｃｍ2，成形時間１２０秒の
成形条件で樹脂を硬化させ樹脂封止した。かかる樹脂封
止を２０枚のウエ−ハについて行い、その封止状態を調
査したところ、全てのウエ−ハの全電極ポストの頂上が
露出されており、不良率は０であった。
粉末濃度６０重量％の水性ディスパ−ジョンを厚さ０．
１ｍｍのポリイミドキャリアシ−トに浸漬塗布し、９０
℃×２分の加熱で分散媒（水）を除去し、次いで３６０
℃×２分の加熱で焼成することを４回繰り返して厚み５
０μｍのポリテトラフルオロエチレンフィルムを得、こ
のフィルムを離型フィルムとして使用した。この離型フ
ィルムの動摩擦係数及び寸法収縮率は表１に示す通りで
ある。電極ポスト付きシリコンウエ−ハの直径は５イン
チであり、離型フィルムをこれよりもやや大きい円形に
切断した。封止樹脂には、エポキシ樹脂主剤６０重量
部，難燃助剤１０重量部，硬化剤３０重量部，充填剤２
２０重量部，難燃剤５重量部，離型剤１重量部，顔料１
重量部，硬化促進剤１重量部，表面処理剤１重量部から
なる粉末混合組成物のシ−ト状圧縮成形体を使用した。
図１において、上金型及び下金型の加熱温度を１８０℃
とし、成形圧力３０ｋｇ／ｃｍ2，成形時間１２０秒の
成形条件で樹脂を硬化させ樹脂封止した。かかる樹脂封
止を２０枚のウエ−ハについて行い、その封止状態を調
査したところ、全てのウエ−ハの全電極ポストの頂上が
露出されており、不良率は０であった。
【００２９】〔実施例２〕ポリテトラフルオロエチレン
モ−ルディグパウダ−を円筒形金型に充填し、常温で２
００ｋｇｆ／ｃｍ2×１時間にて予備成形し、次いで予
備成形体を３８０℃×３時間の加熱で焼成し、この円柱
形焼成体を切削旋盤によりフィルム状に切削し、更に３
００℃の熱ロ−ルに１分間接触させ７％延伸する熱処理
で歪み取りを行って厚み５０μｍのポリテトラフルオロ
エチレンフィルムを得、このフィルムを離型フィルムと
して使用した。この離型フィルムの動摩擦係数及び寸法
収縮率は表１に示す通りである。他は実施例１と同様と
した。この実施例の樹脂封止を２０枚のウエ−ハについ
て行い、その封止状態を調査したところ、全てのウエ−
ハの全電極ポストの頂上が露出されており、不良率は０
であった。
モ−ルディグパウダ−を円筒形金型に充填し、常温で２
００ｋｇｆ／ｃｍ2×１時間にて予備成形し、次いで予
備成形体を３８０℃×３時間の加熱で焼成し、この円柱
形焼成体を切削旋盤によりフィルム状に切削し、更に３
００℃の熱ロ−ルに１分間接触させ７％延伸する熱処理
で歪み取りを行って厚み５０μｍのポリテトラフルオロ
エチレンフィルムを得、このフィルムを離型フィルムと
して使用した。この離型フィルムの動摩擦係数及び寸法
収縮率は表１に示す通りである。他は実施例１と同様と
した。この実施例の樹脂封止を２０枚のウエ−ハについ
て行い、その封止状態を調査したところ、全てのウエ−
ハの全電極ポストの頂上が露出されており、不良率は０
であった。
【００３０】〔実施例３〕実施例２に対し、フィルム状
に切削したのちでの歪み取りのための熱処理を、３００
℃の熱ロ−ルに１分間接触させ１０％延伸する処理とし
た以外、実施例２に同じとした。この実施例での離型フ
ィルムの厚みは４８μｍであり、離型フィルムの動摩擦
係数及び寸法収縮率は表１に示す通りである。この実施
例の樹脂封止を２０枚のウエ−ハについて行い、その封
止状態を調査したところ、１枚のウエ−ハに若干の電極
ポストの樹脂かぶりが観察された。しかし、後述の比較
例に較べ優れた合格率である。
に切削したのちでの歪み取りのための熱処理を、３００
℃の熱ロ−ルに１分間接触させ１０％延伸する処理とし
た以外、実施例２に同じとした。この実施例での離型フ
ィルムの厚みは４８μｍであり、離型フィルムの動摩擦
係数及び寸法収縮率は表１に示す通りである。この実施
例の樹脂封止を２０枚のウエ−ハについて行い、その封
止状態を調査したところ、１枚のウエ−ハに若干の電極
ポストの樹脂かぶりが観察された。しかし、後述の比較
例に較べ優れた合格率である。
【００３１】〔比較例１〕トラフルオロエチレ−エチレ
ン共重合体(ＥＴＦＥ)ンペレットをＴダイ押出し機によ
りダイス温度３４０℃，リップ間隙０．６ｍｍ，引取速
度５ｍ／ｍｉｎの成形条件で押出し成形して厚み５０μ
ｍのＥＴＦＥフィルムを得、このフィルムを離型フィル
ムとして使用した。この離型フィルムの動摩擦係数及び
寸法収縮率は表１に示す通りである。他は実施例１と同
様とした。この比較例の樹脂封止を２０枚のウエ−ハに
ついて行い、その封止状態を調査したところ、６枚のウ
エ−ハに電極ポストの樹脂かぶりが観察された。
ン共重合体(ＥＴＦＥ)ンペレットをＴダイ押出し機によ
りダイス温度３４０℃，リップ間隙０．６ｍｍ，引取速
度５ｍ／ｍｉｎの成形条件で押出し成形して厚み５０μ
ｍのＥＴＦＥフィルムを得、このフィルムを離型フィル
ムとして使用した。この離型フィルムの動摩擦係数及び
寸法収縮率は表１に示す通りである。他は実施例１と同
様とした。この比較例の樹脂封止を２０枚のウエ−ハに
ついて行い、その封止状態を調査したところ、６枚のウ
エ−ハに電極ポストの樹脂かぶりが観察された。
【００３２】〔比較例２〕市販の厚み５０μｍのＦＥＰ
（テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン
共重合体）フィルムを離型フィルムとして使用した。こ
の離型フィルムの動摩擦係数及び寸法収縮率は表１に示
す通りである。他は実施例１と同様とした。
（テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン
共重合体）フィルムを離型フィルムとして使用した。こ
の離型フィルムの動摩擦係数及び寸法収縮率は表１に示
す通りである。他は実施例１と同様とした。
【００３３】この比較例の樹脂封止を２０枚のウエ−ハ
について行い、その封止状態を調査したところ、４枚の
ウエ−ハに電極ポストの樹脂かぶりが観察された。
について行い、その封止状態を調査したところ、４枚の
ウエ−ハに電極ポストの樹脂かぶりが観察された。
【００３４】
【表１】 表１ 離型フィルムの 離型フィルムの 離型フィルムの 封止不良割合 縦方向収縮率 横方向収縮率 動摩擦係数 実施例１ ４％ ２％ ０．１６ ０／２０ 実施例２ ５％ ０％ ０．１５ ０／２０ 実施例３ ７％ −１％ ０．１５ １／２０ 比較例１ １１％ ６％ ０．４１ ６／２０ 比較例２ ０％ ２％ ０．２７ ４／２０
【００３５】比較例２から、フッ素樹脂離型フィルムの
縦方向寸法収縮率及び横方向寸法収縮率が小またはその
差が小であっても、フッ素樹脂離型フィルムの動摩擦係
数が大（０．２を越える値）であれば、電極ポスト頂上
の樹脂かぶりの発生頻度が高くなることが明らかであ
り、実施例３から、フッ素樹脂離型フィルムの縦方向寸
法収縮率及び横方向寸法収縮率が大またはその差が大
（実施例３では８％の差）であっても、フッ素樹脂離型
フィルムの動摩擦係数が小（０．２以下）であれば、電
極ポスト頂上の樹脂かぶりの発生を効果的に防止できる
ことが明らかである。従って、フッ素樹脂離型フィルム
の動摩擦係数の低減がフッ素樹脂離型フィルムの寸法収
縮率を小または寸法収縮の方向性を無くするよりもウエ
−ハの電極ポスト頂上の樹脂かぶりの防止に有効に寄与
することが推定される。
縦方向寸法収縮率及び横方向寸法収縮率が小またはその
差が小であっても、フッ素樹脂離型フィルムの動摩擦係
数が大（０．２を越える値）であれば、電極ポスト頂上
の樹脂かぶりの発生頻度が高くなることが明らかであ
り、実施例３から、フッ素樹脂離型フィルムの縦方向寸
法収縮率及び横方向寸法収縮率が大またはその差が大
（実施例３では８％の差）であっても、フッ素樹脂離型
フィルムの動摩擦係数が小（０．２以下）であれば、電
極ポスト頂上の樹脂かぶりの発生を効果的に防止できる
ことが明らかである。従って、フッ素樹脂離型フィルム
の動摩擦係数の低減がフッ素樹脂離型フィルムの寸法収
縮率を小または寸法収縮の方向性を無くするよりもウエ
−ハの電極ポスト頂上の樹脂かぶりの防止に有効に寄与
することが推定される。
【００３６】而るに、本発明においては、動摩擦係数が
０．２以下のフッ素樹脂フィルムを離型フィルムに使用
して半導体ウエ−ハを樹脂封止しており、電極ポスト頂
上の樹脂かぶりを排除して優れた歩留まりで樹脂封止で
きる。
０．２以下のフッ素樹脂フィルムを離型フィルムに使用
して半導体ウエ−ハを樹脂封止しており、電極ポスト頂
上の樹脂かぶりを排除して優れた歩留まりで樹脂封止で
きる。
【００３７】
【発明の効果】本発明によれば、電極ポストを有する半
導体ウエ−ハを電極ポストの頂上を露出させて樹脂組成
物の加圧成形により封止する場合、離型フィルムを使用
するにもかかわらず、電極ポスト頂上の樹脂かぶりを排
除して優れた歩留まりで樹脂封止でき、その結果、金型
クリ−ニング回数の低減による作業能率の向上、金型の
長寿命化によるコスト低減、エジェクトピンの省略によ
る金型構造の簡易化等を図ることができる。
導体ウエ−ハを電極ポストの頂上を露出させて樹脂組成
物の加圧成形により封止する場合、離型フィルムを使用
するにもかかわらず、電極ポスト頂上の樹脂かぶりを排
除して優れた歩留まりで樹脂封止でき、その結果、金型
クリ−ニング回数の低減による作業能率の向上、金型の
長寿命化によるコスト低減、エジェクトピンの省略によ
る金型構造の簡易化等を図ることができる。
【図１】本発明に係る半導体ウエ−ハの樹脂封止方法の
一例を示す図面である。
一例を示す図面である。
１１ 上金型 １２ 下金型 ２ ウエ−ハ ２１ 電極ポスト ３ フッ素樹脂離型フィルム ４ 封止樹脂
Claims (3)
- 【請求項１】電極ポストを有する半導体ウエ−ハを樹脂
組成物の加圧成形により電極ポストの頂上を露出させて
封止する方法であり、動摩擦係数が０．２以下のフッ素
樹脂フィルムを離型フィルムとして使用することを特徴
とする半導体ウエ−ハの樹脂封止方法。 - 【請求項２】電極ポストを有する半導体ウエ−ハを樹脂
組成物の加圧成形により電極ポストの頂上を露出させて
封止する方法であり、動摩擦係数が０．２以下で、かつ
樹脂組成物の加圧成形条件下での縦方向及び横方向の寸
法収縮率が５％以下のフッ素樹脂フィルムを離型フィル
ムとして使用することを特徴とする半導体ウエ−ハの樹
脂封止方法。 - 【請求項３】フッ素樹脂フィルムがポリテトロフルオロ
エチレンフィルムである請求項１または２記載の半導体
ウエ−ハの樹脂封止方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10369618A JP2000195883A (ja) | 1998-12-25 | 1998-12-25 | 半導体ウエ―ハの樹脂封止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10369618A JP2000195883A (ja) | 1998-12-25 | 1998-12-25 | 半導体ウエ―ハの樹脂封止方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000195883A true JP2000195883A (ja) | 2000-07-14 |
Family
ID=18494896
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10369618A Pending JP2000195883A (ja) | 1998-12-25 | 1998-12-25 | 半導体ウエ―ハの樹脂封止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000195883A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1035572A2 (en) * | 1999-03-10 | 2000-09-13 | Towa Corporation | Method of coating semiconductor wafer with resin and mold used therefor |
| WO2001043182A1 (fr) * | 1999-12-06 | 2001-06-14 | Idemitsu Petrochemical Co., Ltd. | Film de demoulage destine a etancheifier un element semi-conducteur et procede d"etancheification pour element semi-conducteur utilisant ce film |
| EP1364762A1 (en) * | 2002-05-23 | 2003-11-26 | Asahi Glass Company Ltd. | Release film |
| JP2015123558A (ja) * | 2013-12-26 | 2015-07-06 | Ｔｏｗａ株式会社 | フィルムの切断装置、離型フィルムの切断方法、フィルムの切断方法、被樹脂封止部品の樹脂封止装置、被樹脂封止部品の樹脂封止方法、及び樹脂封止成形品製造装置 |
| WO2020071388A1 (ja) * | 2018-10-04 | 2020-04-09 | 日東電工株式会社 | 耐熱離型シート及び熱圧着方法 |
| WO2020071387A1 (ja) * | 2018-10-04 | 2020-04-09 | 日東電工株式会社 | 耐熱離型シート及び熱圧着方法 |
| WO2020071386A1 (ja) * | 2018-10-04 | 2020-04-09 | 日東電工株式会社 | 耐熱離型シート及び熱圧着方法 |
| CN112208054A (zh) * | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Ｔｏｗａ株式会社 | 树脂成型装置及树脂成型品的制造方法 |
| WO2021124712A1 (ja) * | 2019-12-20 | 2021-06-24 | 日東電工株式会社 | 耐熱緩衝シート及び熱加圧処理方法 |
-
1998
- 1998-12-25 JP JP10369618A patent/JP2000195883A/ja active Pending
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| EP1035572A3 (en) * | 1999-03-10 | 2003-12-03 | Towa Corporation | Method of coating semiconductor wafer with resin and mold used therefor |
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| JP2020059273A (ja) * | 2018-10-04 | 2020-04-16 | 日東電工株式会社 | 耐熱離型シート及び熱圧着方法 |
| WO2020071387A1 (ja) * | 2018-10-04 | 2020-04-09 | 日東電工株式会社 | 耐熱離型シート及び熱圧着方法 |
| WO2020071386A1 (ja) * | 2018-10-04 | 2020-04-09 | 日東電工株式会社 | 耐熱離型シート及び熱圧着方法 |
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| JP2020059271A (ja) * | 2018-10-04 | 2020-04-16 | 日東電工株式会社 | 耐熱離型シート及び熱圧着方法 |
| CN112789150A (zh) * | 2018-10-04 | 2021-05-11 | 日东电工株式会社 | 耐热脱模片和热压接方法 |
| CN112789148A (zh) * | 2018-10-04 | 2021-05-11 | 日东电工株式会社 | 耐热脱模片和热压接方法 |
| CN112208054A (zh) * | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Ｔｏｗａ株式会社 | 树脂成型装置及树脂成型品的制造方法 |
| WO2021124712A1 (ja) * | 2019-12-20 | 2021-06-24 | 日東電工株式会社 | 耐熱緩衝シート及び熱加圧処理方法 |
| JP2021098788A (ja) * | 2019-12-20 | 2021-07-01 | 日東電工株式会社 | 耐熱緩衝シート及び熱加圧処理方法 |
| JP7090064B2 (ja) | 2019-12-20 | 2022-06-23 | 日東電工株式会社 | 耐熱緩衝シート及び熱加圧処理方法 |
| CN114829469A (zh) * | 2019-12-20 | 2022-07-29 | 日东电工株式会社 | 耐热缓冲片以及热加压处理方法 |
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