KR20230088752A - 보호 테이프, 이로부터의 물품, 및 이의 제조 및 사용 방법 - Google Patents

보호 테이프, 이로부터의 물품, 및 이의 제조 및 사용 방법 Download PDF

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쉬준 제이. 왕
로빈 이. 고렐
로저 에이. 그리슬
리차드 와이. 리우
야오야오 천
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쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니
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Abstract

물품은 회로 형성 표면 및 회로 형성 표면 반대편의 비-회로 형성 표면을 갖는 기판을 포함한다. 물품은 회로 형성 표면 상에 지지된 보호 테이프를 더 포함한다. 보호 테이프는 지지층 및 지지층의 주 표면 상에 지지된 경화성 접착제 층을 포함한다. 경화성 접착제 층은 고무 탄성중합체 및 열 경화제를 포함한다.

Description

보호 테이프, 이로부터의 물품, 및 이의 제조 및 사용 방법
본 발명은 일반적으로 보호 테이프에 관한 것이다. 보호 테이프 c는 예를 들어 반도체 웨이퍼의 비-회로 형성 표면 상에서 수행되는 하나 이상의 공정 동안 반도체 웨이퍼의 회로 형성 표면을 보호하기 위해 사용될 수 있다.
보호 테이프는, 예를 들어, 미국 특허 제10,340,172호, 국제특허 공개 WO 2017/169958호, 일본 특허 출원 공개 제2018006540호 및 미국 특허 출원 공개 제2011/0008597호에 기재되어 있다.
도 1은 본 발명의 일부 실시 형태에 따른 보호 테이프의 개략 단면도를 예시한다.
도 2는 본 발명의 일부 실시 형태에 따른 반도체 기판 및 보호 테이프의 개략 단면도를 예시한다.
도 3은 본 발명의 일부 실시 형태에 따른 반도체 기판 및 보호 테이프의 개략 단면도를 예시한다.
도 4는 본 발명의 일부 실시 형태에 따른 반도체 기판 및 보호 테이프의 개략 단면도를 예시한다.
반도체 장치의 제조에서, 접착 테이프는 장치 조립 및 취급을 용이하게 하는 간접 재료로서 널리 사용된다. 용어 "간접 재료"는 적용 후 버려지는 (또는 폐기되는), 예를 들어, 임시로 사용되는 재료를 지칭한다. 반도체 공정 테이프에 대한 가장 중요한 속성 중에는 제거 용이성 및 장치 표면 상에 잔류물을 남기는 경향이 있다.
반도체 패키징에 있어서, 본딩, 다이 부착, 접촉 금속화, 유전체 및 접착제 경화, 및 솔더 리플로우(solder reflow)와 같은 공정에서 높은 가공 온도가 일반적으로 사용된다. 온도 요건은 각각의 공정에서 다양할 수 있지만, 이러한 전자 장치(예를 들어, SiC, GaN 또는 Si)를 위한 상호접속 및 적합한 작동 환경을 확립하기 위한 온도는 섭씨 200도 이상일 수 있다. 이러한 고온 가공은 잔류물 및 제거 용이성의 관점에서 접착제에 매우 유해하다.
고온 가공과 관련된 이러한 문제를 극복하기 위해, 다수의 접근법은 온도 상승에 따라 접착제가 열화되는 것을 방지하기 위해 가교결합도의 증가에 의존한다.
반도체 시장의 추세는 솔더 볼(solder ball)이 구리 기둥 범프(copper pillar bump)로 진화하고 있으며, 이로 인해 장치 표면은 점점 더 불규칙하고 거칠어지고 있다. 구리 기둥 범프는 더 미세한 피치(pitch)를 가능하게 하여 트랜시버(transceiver), 내장형/애플리케이션 프로세서, 전력 관리, 기저대역, 주문형 집적 회로(application-specific integrated circuit, ASIC), 및 시스템 온 칩(system on a chip, SOC)과 같은 응용을 위한 우수한 상호접속 선택을 가능하게 한다. 이러한 기술은 더 작은 장치를 가능하게 하며, 기판 패키지 층들의 수를 감소시키고, 미세 피치, 환경 규정 준수(environmental compliance), 유해 물질 규정 준수, 낮은 비용, 및 전기이동 성능의 몇몇 조합을 필요로 하는 장치에 이상적이다.
특히 상기에 논의된 고온 저항성이고 고도로 가교결합된 접착제의 경우, 표면 요철의 높은 밀도 및 미세 피치는 접착제가 장치 표면 상에 접합하는 것을 어렵게 만든다. 또한, 반도체 장치의 제작 공정은, 백그라인딩 또는 금속화와 같은 일부 경우에, 솔더 또는 구리 기둥 범프의 완전한 보호 또는 흡수를 필요로 하며, 이는 접착제가 미세 피치에서 완전히 충전될 수 있어야 하고 공기 공극 없이 범프를 감쌀(둘러쌀) 수 있어야 한다는 것을 의미한다. 또한, 범프 구조화된 표면을 사용한 고온 가공 후에는, 미세 피치 또는 고밀도를 갖는 완전히 캡슐화된 범프 또는 표면 요철로부터 접착제를 용이하게 그리고 깨끗하게 제거하는 것은 거의 불가능하다.
접착제가 내열성, 범프 흡수 및 용이한/깨끗한 제거를 모두 달성하는 것은 매우 어렵다. 대부분의 반도체 장치 제조업체는 작업을 완료하기 위해 다양한 공정 동안 다수의 테이프 또는 가혹한 세정 절차를 사용하고 있다.
유사하게, 구리 기둥 범프 또는 솔더 볼을 포함하는 반도체 장치 기판은 몰딩 컴파운드에 매립된 재구성 칩, 또는 범프 또는 볼 표면 특징부가 없는 면에 기능성 층을 구축하기 위해 후면 공정 또는 고온 공정을 필요로 하는 구리 기둥 범프 또는 솔더 볼을 갖는 임의의 다른 기판을 또한 포함할 수 있다.
결과적으로, 고온(예를 들어, 260℃ 이상)에서 열화에 저항하고, 미세 피치형 솔더/구리 기둥 범프를 흡수하며, 제거 후 접착제 잔류물을 최소화하거나 없애면서 쉽게 박리할 수 있는 보호 테이프가 바람직하다.
본 명세서에 사용되는 바와 같이,
용어 "실온"은 22℃ 내지 25℃의 온도를 지칭한다.
용어 "경화"는, 보통 분자 또는 기의 가교결합을 통한 공유 화학 결합에 의해 중합체 사슬들을 함께 결합하여 네트워크 중합체를 형성하는 것을 지칭한다. 따라서, 본 명세서에서 용어 "경화된" 및 "가교결합된"은 상호교환 가능하게 사용될 수 있다.
용어 "탈접합력"(debond force)은 실온 또는 실온 근처에서 이러한 인접한 층의 라미네이션의 매끄러운 탈접합을 초래할 탈접합가능한 스택에서 한 쌍의 인접한 층에 인가되는 최소 힘을 의미한다.
본 명세서에서 도면 부호의 반복되는 사용은 본 발명의 동일하거나 유사한 특징부 또는 요소를 나타내도록 의도된다. 본 명세서에 사용되는 바와 같이, "내지"라는 단어는 수치 범위에 적용되는 것으로서, 달리 명시되지 않는 한, 범위의 종점(endpoint)을 포함한다. 종점에 의한 수치 범위의 언급은 그 범위 내의 모든 수(예를 들어, 1 내지 5는 1, 1.5, 2, 2.75, 3, 3.80, 4 및 5를 포함함)와 그 범위 내의 임의의 범위를 포함한다.
일부 실시 형태에서, 본 발명은 예를 들어 반도체 웨이퍼(100)의 회로 형성 표면에 임시로 접합하여 그를 보호하는 데 유용한 테이프를 제공한다. 도 1에 도시된 바와 같이, 일부 실시 형태에서, 테이프(10)는 지지층(15), 접착제 층(20), 및 지지층과 접착제 층(20) 사이에 배치된 선택적인 중간층(25)을 포함할 수 있다. 접착제 층(20)과 중간층(25) 둘 모두는 경화성 조성물의 경화에 의해 형성된다는 것이 이해되어야 한다. 본 출원의 목적상, 용어 "경화성"은 층이 경화-전에 기재되고 있음을 나타내기 위해 사용되며, 용어 "경화된"은 층이 경화-후에 기재되고 있으며 경화성 층의 경화된 반응 생성물을 포함한다는 것을 나타내기 위해 사용된다.
일부 실시 형태에서, 지지층(15)은 중합체 수지, 금속 포일, 종이 시트 등을 포함할 수 있다(또는 그로 형성될 수 있다). 적합한 중합체 수지의 예에는 폴리에스테르, 예컨대 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 및 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN); 폴리올레핀계 수지; 폴리이미드(P1); 폴리에테르 에테르 케톤(PEEK); 폴리비닐 클로라이드계 수지, 예컨대 폴리비닐 클로라이드(PVC); 폴리비닐리덴 클로라이드계 수지; 폴리아미드계 수지; 폴리우레탄; 폴리스티렌계 수지; 아크릴 수지; 플루오로수지; 셀룰로오스 수지; 및 폴리카르보네이트계 수지가 포함된다. 일부 실시 형태에서, 중합체 수지는 융점이 200℃ 이상, 225℃ 이상, 또는 250℃ 이상일 수 있다(또한 상당한 수축 없이 이러한 온도를 지속할 수 있다). 일부 실시 형태에서, 중합체 수지는, 임의의 뚜렷한 융점 없이 열분해되지만 높은 내열성을 갖는 내열성 수지일 수 있다.
일부 실시 형태에서, 지지층(15)은 두께가 약 10 내지 약 500 μm일 수 있다. 지지층(15)은 단일 층 또는 복수의 층으로서 배열될 수 있으며, 각각의 층은 동일하거나 상이하다.
일부 실시 형태에서, 경화성 접착제 층(20)은 고무 탄성중합체 및 열 경화제를 포함할 수 있다.
일부 실시 형태에서, 경화성 접착제 층(20)의 고무 탄성중합체는 아이소프렌, 부타다이엔 또는 다른 다이엔 단량체 또는 삼원단량체와 같이 불포화 이중 결합 또는 3차 탄소 결합을 포함하는 고무 탄성중합체를 포함할 수 있다. 고무 탄성중합체는 천연 고무 또는 합성 열가소성 탄성중합체, 스티렌-부타다이엔 고무, 폴리부타다이엔 고무, 폴리아이소프렌 고무, 니트릴 고무, 에틸렌-프로필렌 고무(EPR), 에틸렌-프로필렌 다이엔 단량체(EPDM), 에틸렌-비닐 아세테이트(EVA), 아크릴로니트릴-부타다이엔-스티렌 고무, 또는 다른 유사한 고무 탄성중합체일 수 있다. 일부 실시 형태에서, 경화성 접착제 층(20)은 경화성 접착제 층(20)의 총 중량을 기준으로 10 내지 99 중량%, 20 내지 90 중량%, 또는 30 내지 85 중량%의 양의 고무 탄성중합체를 포함할 수 있다.
본 명세서에 사용되는 바와 같이, 고무 탄성중합체를 위한 열 경화제는, 열에 의해 활성화되며 고무 탄성중합체와의 경화 반응에 의해 경질화되는 화합물을 지칭한다. 일부 실시 형태에서, 적합한 열 경화제는 황 함유 화합물 또는 이의 유도체, 퍼옥사이드, 페놀 수지, 또는 방향족 구아니딘을 포함할 수 있다. 일부 실시 형태에서, 적합한 황 함유 화합물은, 설펜아미드 기로 종종 유도체화된 티아졸, 예컨대, 2-메르캅토벤조티아졸(MBT), 티오-카르보닐 종, 예컨대 티우람, 다이티오카르바메이트, 잔테이트 및 유기 티오우레아를 포함할 수 있다. 일부 실시 형태에서, 적합한 퍼옥사이드는 다이알킬(아르알킬 포함) 퍼옥사이드, 예컨대 다이쿠밀 퍼옥사이드, DCP, 또한 퍼옥시케탈, 퍼옥시에스테르, 또는 다이아실 퍼옥사이드를 포함할 수 있다. 일부 실시 형태에서, 적합한 페놀 수지는 반응성을 위해 메틸올 또는 브로모-메틸 기를 포함할 수 있다. 일부 실시 형태에서, 경화성 접착제 층은 경화성 접착제 층(20)의 총 중량을 기준으로 1 내지 50 중량%, 1 내지 30 중량%, 또는 1 내지 20 중량%의 양의 열 경화제를 포함할 수 있다.
일부 실시 형태에서, 경화성 접착제 층은 임의의 또는 모든 가소제, 고무 경화 공정을 가속화하기 위한 촉매, 또는 점착부여제를 선택적으로 포함할 수 있다. 적합한 가소제에는 광범위한 에스테르(프탈레이트, 아디페이트, 세바케이트)뿐만 아니라 방향족, 나프텐계, 및 파라핀계 오일이 포함된다. 존재하는 경우, 가소제는 경화성 접착제 층(20)의 총 중량을 기준으로 1 내지 50 중량%, 1 내지 30 중량%, 또는 1 내지 20 중량%의 양으로 경화성 접착제 층(20)에 존재할 수 있다. 적합한 촉매에는 산화아연, 아연 레지네이트, 산화마그네슘, 또는 다른 금속 산화물이 포함된다. 촉매는, 존재하는 경우, 접착제 층(20)의 총 중량을 기준으로 1 내지 20 중량%, 1 내지 10 중량%, 또는 1 내지 5 중량%의 양으로 경화성 접착제 층(20)에 존재할 수 있다. 적합한 점착부여제에는 탄화수소 수지, 로진 에스테르, 테르펜 수지, 또는 페놀 수지가 포함될 수 있다. 점착부여제는, 존재하는 경우, 경화성 접착제 층(20)의 총 중량을 기준으로 1 내지 30 중량%, 1 내지 20 중량%, 또는 1 내지 10 중량%의 양으로 경화성 접착제 층(20)에 존재할 수 있다.
일부 실시 형태에서, 경화성 접착제 층(20)은 또한 충전제, 안료, 첨가제 또는 정전기 방지 첨가제 중 임의의 것 또는 전부를 포함할 수 있다.
일부 실시 형태에서, 경화성 접착제 층(20)은 10 내지 500 μm 또는 10 내지 300 μm의 두께로 지지층(15) 상에 배치될 수 있다.
접착제 층(열경화성 열가소성 고무로서 기재될 수 있음)의 전술한 구성요소는 접착제 층(20)이 고온 임시 웨이퍼 접합에 특히 적합하게 되는 특성을 나타내도록 조합될 수 있다는 것이 발견되었다. 예를 들어, 일부 실시 형태에서, 경화성 접착제 층(20)은 110℃ 이상의 온도에서 경화될 수 있다. 일부 실시 형태에서, 실온에서, 경화성 접착제 층(20)은 달퀴스트(Dahlquist) 기준을 충족시킬 수 있다(즉, 탄성 저장 모듈러스(G') 값이 25℃ 및 1 ㎐에서 0.1 MPa 미만이라는 점에서 감압 접착제로서 기능함).
일부 실시 형태에서, 접착제 시스템이 가열을 시작함에 따라 경화성 접착제 층의 탄성 저장 모듈러스가 감소하여(그리고 약 110℃의 온도까지 계속 감소하여), 접착제가 기판 상에 존재하는 임의의 표면 특징부(예를 들어, 범핑된 웨이퍼 표면 미세 특징부) 내로 유동할 수 있게 된다. 또한, 경화된 접착제 층(20)은 70℃에서의 저장 모듈러스보다 높은 200℃에서의 저장 모듈러스를 갖는데, 이는 기판으로부터 접착제를 제거한 후 잔류물이 없거나 적게 남도록 촉진한다.
일부 실시 형태에서, 경화성 접착제 층(20)은 탄성 저장 모듈러스(G')가 25℃ 내지 250℃ 범위에서 0.02 MPa 초과일 수 있고(이는, 실용적 측면에서, 접착제가 25℃ 내지 250℃의 범위에서 액체가 아니라 필름 형태임을 의미함); 접착제 층(20)은 G'가 250℃에서 0.1 MPa 초과일 수 있으며, 250℃에서의 G'는 50℃에서의 G'보다 클 수 있고(이는, 실용적 측면에서, 250℃에서, 접착제가 경화되며 50℃에서의 비경화 단계보다 G'가 더 높음을 의미함); 경화성 접착제 층(20)은 50℃ 내지 150℃에서 발생하는 G'의 최소값을 가질 수 있으며 G'의 최소값은 0.02 MPa 초과일 수 있다(이는, 실용적 측면에서, 접착제가 50℃ 초과의 온도를 받게 될 때 연화되고, G'의 최소값이 경화성 접착제의 경화 전에 발생하며, 150℃ 후에는, 접착제가 경화되고 G'가 최소값으로부터 증가함을 의미한다). 마지막으로, 경화성 접착제 층(20)은 250℃에서의 탄젠트 델타가 0.1 미만일 수 있으며, 이는 경화된 접착제가 완전히 응고되지 않고 박리할 수 있기에 충분히 여전히 연질임을 의미한다.
본 발명의 목적상, 탄성 저장 모듈러스(G') 및 탄젠트 델타 값은 본 발명의 실시예의 DMA 시험 방법에 따라 결정된다.
일부 실시 형태에서, 보호 테이프(10)는 선택적으로 중간층(25)을 포함할 수 있다. 일반적으로, 중간층(25)은 보호 테이프(10)에 높이가 15 μm 초과인 범프와 같은 극히 높은 범프에 대한 추가 범프 캡슐화 능력을 제공할 수 있다. 이는 반도체 기판 상의 이러한 높은 범프를 잘 캡슐화하기 위한 것이다.
일부 실시 형태에서, 경화성 중간층(25)은 탄성중합체, 다작용성 가교결합제, 및 선택적으로, 가공유(process oil), 점착부여제 또는 방사선 개시제 중 임의의 것 또는 전부를 포함할 수 있다.
일부 실시 형태에서, 경화성 중간층(25)의 탄성중합체는 UV 또는 전자 빔 방사선 경화될 수 있는 탄성중합체를 포함할 수 있다. 적합한 탄성중합체에는 천연 고무 또는 합성 열가소성 탄성중합체, 스티렌-부타다이엔 고무, 폴리부타다이엔 고무, 폴리아이소프렌 고무, 니트릴 고무, 에틸렌-프로필렌 고무(EPR), 에틸렌-프로필렌 다이엔 단량체(EPDM), 에틸렌-비닐 아세테이트(EVA), 아크릴로니트릴-부타다이엔-스티렌 고무, 실리콘 고무, 폴리올레핀 (공)중합체, 열가소성 폴리우레탄, 아크릴 탄성중합체, 또는 엔지니어링된 폴리아미드 탄성중합체가 포함된다. 일부 실시 형태에서, 적합한 폴리올레핀 (공)중합체는 포화 및 불포화 올레핀 블록 또는 중합체 둘 모두를 포함할 수 있다. 이러한 올레핀 블록은 올리고머성 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리옥텐, 폴리헥센, 폴리부타다이엔, 폴리아이소프렌, 폴리부텐, 및/또는 폴리펜텐을 포함할 수 있다. 일부 실시 형태에서, 경화성 중간층(25)은 경화성 중간층(25)의 총 중량을 기준으로 20 내지 98 중량%, 20 내지 80 중량%, 또는 20 내지 60 중량%의 양의 탄성중합체를 포함할 수 있다.
일부 실시 형태에서, 경화성 중간층(25)의 다작용성 가교결합제는, 탄성중합체의 베이스 중합체 내의 분자 사슬의 작용기과 반응하여 3차원 중합체 네트워크를 형성할 수 있으며 UV/E빔 방사선에 의해 촉발되는 임의의 다작용성 화학 화합물일 수 있다. 적합한 다작용성 가교결합제는 다작용성 아크릴레이트/메타크릴레이트, 다작용성 아민/아미드, 다작용성 실란, 또는 다작용성 무수물을 포함할 수 있다. 일부 실시 형태에서, 경화성 중간층(25)은 경화성 중간층(25)의 총 중량을 기준으로 0.1 내지 10 중량%, 0.1 내지 8 중량%, 또는 0.1 내지 5 중량%의 양의 다작용성 가교결합제를 포함할 수 있다.
일부 실시 형태에서, 경화성 중간층(25)의 가공유는 지지층 상에 탄성중합체를 코팅하는 것을 용이하게 하는 가소제 오일일 수 있다. 적합한 가소제 오일에는 광범위한 에스테르(예를 들어, 프탈레이트, 아디페이트, 세바케이트)뿐만 아니라 방향족, 나프텐계, 및 파라핀계 오일이 포함된다. 일부 실시 형태에서, 경화성 중간층(25)은 경화성 중간층(25)의 총 중량을 기준으로 1 내지 50 중량%, 1 내지 40 중량%, 또는 1 내지 30 중량%의 양의 가공유를 포함할 수 있다.
일부 실시 형태에서, 경화성 중간층(25)은 선택적으로 점착부여제, 방사선 경화 개시제, 또는 폴리올레핀 중합체 중 임의의 것 또는 전부를 포함할 수 있다. 적합한 점착부여제에는 탄화수소 수지, 로진 에스테르, 테르펜 수지, 또는 페놀 수지가 포함된다. 점착부여제는, 존재하는 경우, 경화성 중간층(25)의 총 중량을 기준으로 1 내지 40 중량%, 1 내지 35 중량%, 또는 1 내지 30 중량%의 양으로 경화성 중간층(25)에 존재할 수 있다. 적합한 방사선 경화 개시제에는 1-하이드록시사이클로헥실페닐-케톤, 2-하이드록시-2-메틸-1-페닐프로파논, 2-에틸헥실-(4-N,N-다이메틸 아미노)벤조에이트, 및 2-에틸-(4-N,N-다이메틸아미노)벤조에이트와 같은 자유 라디칼 광개시제가 포함된다. 방사선 경화 개시제는, 존재하는 경우, 경화성 중간층(25)의 총 중량을 기준으로 0.1 내지 3 중량%, 0.1 내지 2 중량%, 또는 0.1 내지 1 중량%의 양으로 경화성 중간층(25)에 존재할 수 있다. 적합한 폴리올레핀 중합체는 임의의 고 용융 온도 폴리올레핀 중합체(예를 들어, 섭씨 120도 초과의 융점), 예컨대 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 이들의 랜덤 또는 블록 공중합체, 또는 고 Tg 비정질 환형 올레핀 공중합체를 포함한다. 폴리올레핀 중합체는, 존재하는 경우, 경화성 중간층(25)의 총 중량을 기준으로 0.5 내지 5 중량%, 0.5 내지 3 중량%, 또는 0.5 내지 2 중량%의 양으로 경화성 중간층(25)에 존재할 수 있다.
일부 실시 형태에서, 경화성 중간층(25)은 충전제, 안료, 첨가제 또는 정전기 방지 첨가제 중 임의의 것 또는 전부를 또한 포함할 수 있다.
일부 실시 형태에서, 경화된 중간층(25)은 탄성 저장 모듈러스(G')가 25℃ 내지 250℃ 범위에서 0.0001 MPa 내지 0.7 MPa일 수 있다. 경화성 중간층은 테이프 제조 공정 동안 방사선 경화될 수 있다. 경화 후, 그의 탄성 저장 모듈러스 G'는 25℃ 내지 250℃ 범위에서 온도가 증가함에 따라 감소할 수 있다. G'의 최소값은 250℃에서 발생할 수 있으며, 이는 250℃에서 0.0001 MPa 초과이다. 경화된 중간층은 250℃에서의 G'가 50℃에서의 G'보다 작을 수 있다.
일부 실시 형태에서, 중간층(25)은 지지층(15) 상에 10 내지 500 μm 또는 10 내지 400 μm의 두께로 배치될 수 있다.
일부 실시 형태에서, 보호 테이프(10)를 구성하는 구성요소 또는 층은 보호 테이프(10)가 임시 접합 응용에 특히 유용하게 하는 서로에 대한 특성을 나타낼 수 있다 (즉, 경화 후, 경화성 접착제 층은 (보호 테이프(10)의 임의의 다른 구성요소와 함께) 기판으로부터 용이하고 깨끗하게 제거될 수 있다). 이와 관련하여, 일부 실시 형태에서, 경화된 접착제 층(20)과 소정 기판(예를 들어, 반도체 웨이퍼) 사이의 탈접합력은 3 N/in 미만이고, 사람의 육안에는, 접착제 잔류물이 없거나 매우 적을 것이다. 일부 실시 형태에서, 지지층(15)과 경화된 접착제 층(20) 사이의 탈접합력은 경화된 접착제 층(20)과 소정 기판(예를 들어, 반도체 웨이퍼) 사이의 탈접합력보다 더 높다. 일부 실시 형태에서, 지지층(15)과 경화된 중간층(25) 사이의 또는 경화된 중간층(25)과 경화된 접착제 층(20) 사이의 탈접합력은 경화된 접착제 층(20)과 소정 기판(예를 들어, 반도체 웨이퍼) 사이의 탈접합력보다 더 높다.
본 발명의 보호 테이프는 임의의 통상적인 방법을 사용하여 제조될 수 있다. 예를 들어, 보호 테이프는 접착제 층(20) 및 선택적으로 중간층(25)을 지지층(15)의 동일한 표면에 라미네이팅함으로써 제조될 수 있다. 라미네이션은, 예를 들어, 다이 코팅기 코팅, 롤 코팅, 스크린 코팅, 또는 그라비어 코팅의 코팅 방법을 사용하여 수행될 수 있다. 접착제 층(20)을 라미네이팅하기 전에, 중간층이 경화될 수 있다. 중간층(25)의 경화는, 예를 들어, 경화성 중간층(25)을 방사선(예를 들어, 자외선 또는 e-빔)에 노출시킴으로써 수행될 수 있다.
일부 실시 형태에서, 본 발명은 또한 상기에 논의된 보호 테이프를 기판에 결합할 때 형성되는 물품에 관한 것이다. 일부 실시 형태에서, 기판은 반도체 기판을 포함할 수 있다. 이제 도 3을 참조하면, 이러한 물품(100)은 전술한 보호 테이프(10)에 결합된 반도체 기판(105)(예를 들어, 내장 칩을 갖는 몰딩 컴파운드 또는 실리콘 웨이퍼)을 포함할 수 있다. 반도체 기판(105)은 회로 형성 표면(110) 및 회로 형성 표면(110) 반대편의 비-회로 형성 표면(115)을 포함할 수 있다. 회로 형성 표면(110)은 표면(110)으로부터 연장되는 복수의 표면 특징부(120)를 가질 수 있다. 표면 특징부(120)는 솔더 볼 또는 구리 기둥 범프를 포함할 수 있다. 상기에 논의된 보호 테이프(10)는 접착제 층(20)이 회로 형성 표면(110)에 가장 근접하게 배치되도록 회로 형성 표면(110)에 결합될 수 있다. 더 구체적으로, 일부 실시 형태에서, 도 3에 도시된 바와 같이, 접착제 층(20)은 범프들 또는 구리 기둥들 사이의 피치 - 피치 거리는 100 μm만큼 미세할 수 있음 - 를 완전히 충전할 수 있으며 공기 공극 없이 표면 특징부(120)를 감쌀 수 있다.
이러한 방식으로, 접착제 층(20)은 회로 형성 표면(110)의 요철과 정합할 수 있고 균열 및 공극을 방지하여 안정한 백그라인딩 공정을 지원할 수 있다. 또한, 보호 테이프(10)가 회로 형성 표면(110)에 결합된 상태로 유지되는 동안, 보호 테이프로 형성된 전체 물품은 비-회로 형성 표면(115) 상에서 하나 이상의 가공 단계(예를 들어, 백그라인딩, 금속화, 또는 재배선(redistribution) 층 구축)를 수행할 수 있다. 이러한 고온 공정 후에, 접착제는 접착제 잔류물 없이 표면(110)으로부터 깨끗하게 제거될 수 있다.
이제 도 4를 참조하면, 도시된 바와 같이, 선택적인 중간층(25)이 존재하는 실시 형태에서, 보호 테이프(10)는 접착제 층(20)과 선택적인 중간층(25) 둘 모두가 표면 특징부(120)와 접촉하도록 회로 형성 표면(110) 상에 지지될 수 있다(그리고 결과적으로, 접착제 층(20)의 두께는 표면 특징부(120)의 적어도 일부의 높이보다 작을 수 있다).
일부 실시 형태에서, 본 발명은 보호 테이프를 사용하여 기판의 하나 이상의 표면(예를 들어, 반도체 웨이퍼의 회로 형성 표면)을 임시로 보호하는 방법에 관한 것이다. 이 방법은 보호 테이프(10)를 반도체 기판(105)의 회로 형성 표면(110)에 결합하는 단계를 포함할 수 있다. 일부 실시 형태에서, 초기 결합 시에, 접착제 층(20)은 미경화 상태일 수 있고, 중간층(25)은 존재하는 경우 경화된 상태일 수 있다. 접착제 층(20)의 G' 값이 더 낮음에도 불구하고, 결합하는 단계는 접착제 층(20)의 G'의 최소값이 나타나는 온도보다 30 내지 40℃ 더 낮은 온도에서 수행될 수 있는 것으로 밝혀졌다. 앞서 논의된 바와 같이, 본 발명의 경화성 접착제 층은 공기 공극 없이 미세 피치를 충전할 수 있고 회로 형성 표면의 표면 특징부를 감쌀 수 있다는 것이 발견되었다.
일부 실시 형태에서, 이 방법은 이어서 접착제 층(20)을 경화시키는 단계를 포함할 수 있다. 경화시키는 단계는 접착제 층(20)에 열(예를 들어, 15분 이상 동안 100℃ 이상)을 가함으로써 수행될 수 있다.
일부 실시 형태에서, 이 방법은 이어서 보호 테이프(10)가 회로 형성 표면(110)에 결합된 상태로 유지되는 동안, 비-회로 형성 표면(115) 상에서 하나 이상의 가공 단계(예를 들어, 백그라인딩, 금속화, 또는 재배선 층 구축)를 수행하는 것을 포함할 수 있다. 이러한 가공 단계는 접착제 층(20)이 경화되기 시작하는 온도 이상의 온도에서 수행될 수 있다. 일부 실시 형태에서, 가공 단계 동안, 반도체 웨이퍼는 200℃ 이상, 250℃ 이상, 275℃ 이상, 또는 300℃ 이상의 온도를 받을 수 있다.
가공 단계 후에, 이 방법은 반도체 기판(105)으로부터 보호 테이프(10)를 (예를 들어, 박리에 의해) 제거하는 단계를 포함할 수 있다. 앞서 논의된 바와 같이, 본 발명의 경화된 접착제 층은 매우 높은 온도 가공 후에도 잔류물을 남기지 않거나 최소량의 잔류물만을 남기고 회로 형성 표면(105)으로부터 제거될 수 있다는 것이 발견되었다.
실시예
본 발명의 목적 및 이점이 하기 비교예 및 예시적인 실시예에 의해 추가로 예시된다.
달리 언급되지 않는 한, 실시예 및 본 명세서의 나머지 부분에서의 모든 부, 백분율, 비 등은 중량 기준이다.
Figure pct00001
시험 방법:
스테인리스강 180° 박리 시험 방법
각각의 테이프로부터 0.5" x 4"(12.7 mm x 101.6 mm)의 균일한 시험 스트립을 슬리팅한 다음, 접착제와 피착체 사이의 밀접한 접촉을 얻도록 2.0 ㎏ 고무 롤러로 각각의 스트립을 4회 수동 롤링함으로써 SS 패널의 길이에 따라 라미네이팅함으로써 박리 샘플을 제조하였다. 사용 전에 SS 패널을 아이소프로판올/물 50:50 혼합물로 세정하였다. 12 in/min(305 mm/min)의 크로스헤드 속도 및 180°의 각도로 MTS 기준 모델 42 인장 시험기를 사용하여 박리 접착 강도를 평가하였다. 꼬리부(tail)가 상부 잽(jab)을 향해 위쪽으로 연장된 상태로 샘플을 하부 병(클램프)에 고정하였다. 박리 시험 결과를 3개의 시험 시편의 평균으로서 뉴턴/센티미터(N/cm) 단위로 보고하였다. 결과가 표 3 및 표 6(경화성 접착제 층) 및 표 7(경화된 중간층)에 나타나 있다.
RT 시험: 테이프 샘플을 주위 온도(23℃±2℃, 50% 상대 습도±5%) 조건에서 SS 패널에 라미네이팅하였다. 15분 후에, 주위 온도(23℃±2℃, 50% 상대 습도±5%)에서 180° 박리 시험을 수행하였다.
180℃ 1시간 시험: 테이프 샘플을 주위 온도(23℃±2℃, 50% 상대 습도±5%)에서 SS 패널에 라미네이팅하였다. 라미네이트를 플레이트 상에 놓고 1시간 동안 180℃ 온도에 노출시켰다. 샘플을 180℃에서 1시간 동안 컨디셔닝하고 주위 온도(23℃±2℃, 50% 상대 습도±5%)에서 0.5시간 이상 동안 평형화한 후에, 주위 온도(23℃±2℃, 50% 상대 습도±5%)에서 180° 박리 시험을 수행하였다.
플레인 웨이퍼 180° 박리 시험 방법
각각의 테이프로부터 0.5" x 4"(12.7 mm x 101.6 mm)의 균일한 시험 스트립을 슬리팅한 다음, 접착제와 피착체 사이의 밀접한 접촉을 얻도록 2.0 ㎏ 고무 롤러로 각각의 스트립을 4회 수동 롤링함으로써 플레인 웨이퍼 상에 라미네이팅함으로써 박리 샘플을 제조하였다. 오염을 피하기 위해 각각의 플레인 웨이퍼를 1회 사용하였다. 12 in/min(305 mm/min)의 크로스헤드 속도 및 180°의 각도를 갖는 MTS 기준 모델 42 인장 시험기를 사용하여 박리 접착 강도를 평가하였다. 꼬리부가 상부 잽을 향해 위쪽으로 연장된 상태로 샘플을 하부 병(클램프)에 고정하였다. 박리 시험 결과를 3개의 시험 시편의 평균으로서 N/cm 단위로 보고하였다. 결과가 표 3(경화성 접착제 층)에 나타나 있다.
RT 시험: 테이프 샘플을 주위 온도(23℃±2℃, 50% 상대 습도±5%) 조건에서 플레인 웨이퍼에 라미네이팅하였다. 15분 후에, 주위 온도(23℃±2℃, 50% 상대 습도±5%)에서 180° 박리 시험을 수행하였다.
180℃ 1시간 시험: 테이프 샘플을 주위 온도(23℃±2℃, 50% 상대 습도±5%)에서 플레인 웨이퍼에 라미네이팅하였다. 이어서 라미네이트를 플레이트 상에 놓고 1시간 동안 180℃ 온도에 노출시켰다. 샘플을 180℃에서 1시간 동안 컨디셔닝하고 주위 온도(23℃±2℃, 50% 상대 습도±5%)에서 0.5시간 이상 동안 평형화한 후에, 주위 온도(23℃±2℃, 50% 상대 습도±5%)에서 180° 박리 시험을 수행하였다.
범핑된 웨이퍼 180° 박리 시험 방법
범핑된 웨이퍼를 15분 동안 핫 플레이트(예컨대, 미국 미주리주 롤라 소재의 코스트 이펙티브 이큅먼트, 엘엘씨(Cost Effective Equipment, LLC)로부터 입수가능한 CEE APOGEE 모델 베이크 플레이트(Bake Plate)) 상에서 120℃로 예열하였다. 접착제와 피착체 사이의 밀접한 접촉을 얻도록 2.0 ㎏ 고무 롤러로 각각의 스트립을 4회 수동 롤링함으로써, 접착제 스트립, 0.5" x 4"(12.7" x 101.6")를 예열된 범핑된 웨이퍼 상에 라미네이팅하였다. 라미네이트를 플레이트 상에 놓고 1시간 동안 180℃ 온도에 노출시켰다. 샘플을 180℃에서 1시간 동안 컨디셔닝하고 주위 온도(23℃±2℃, 50% 상대 습도±5%)에서 0.5시간 이상 동안 평형화한 후에, 주위 온도(23℃±2℃, 50% 상대 습도±5%)에서 박리 접착력을 시험하여, 180° 박리 시험을 수행하였다. 12" in/min(305 mm/min)의 크로스헤드 속도 및 180°의 각도를 갖는 MTS 기준 모델 42 인장 시험기를 사용하여 박리 접착 강도를 평가하였다. 꼬리부가 상부 잽을 향해 위쪽으로 연장된 상태로 샘플을 하부 병(클램프)에 고정하였다. 박리 시험 결과를 3개의 시험 시편의 평균으로서 N/cm 단위로 보고하였다. 결과가 표 3 및 표 6(경화성 접착제 층)에 나타나 있다.
동적 기계적 분석 시험 방법
온도의 함수로서, 경화성 접착제 층 및 경화된 중간층의 물리적 특성을 평행판 레오미터(미국 델라웨어주 뉴캐슬 소재의 티에이 인스트루먼츠(TA Instruments)로부터 상표명 "AR2000"으로 입수함)를 사용하여 동적 기계적 분석(DMA)을 통해 측정하였다. 각각의 샘플에 대해, 중합체 층의 직사각형 슬래브에서 8 mm 직경 x 1 mm 두께의 샘플을 잘라내고, 레오미터의 8 mm 직경 평행판들 사이에 중심이 오도록 배치하였다. 레오미터의 샤프트 및 평행판을 둘러싼 노의 문(furnace door)을 닫고, 온도를 20℃까지 상승시키고 5분 동안 유지하였다. 이어서, 평행판을 1 ㎐의 진동수 및 5%의 일정한 변형률로 진동시키면서, 온도를 20℃로부터 260℃까지 5℃/min으로 램핑하였다. 저장 모듈러스(G') 및 탄젠트 델타를 포함하는, 다양한 온도에서의 결과가 표 2 및 표 5에 나타나 있다.
제조예
경화성 접착제 층 및 그로부터의 보호 테이프: 실시예 1 내지 실시예 5(Ex 1 내지 Ex 5) 및 비교예 6 및 비교예 7(CE-6 및 CE-7)
유리 병에서, 표 1에 따라 성분들을 톨루엔 또는 톨루엔/헵탄 50/50 중량/중량 용매에 용해시켜 경화성 접착제 층을 제조하였다. 성분들을 30 중량% 고형물 조성물이 되게 하는 분량으로 혼합하였다. 이어서, 각각의 생성된 접착제 조성물을 PI 필름 상에 슬롯 다이로 코팅하여, 100 마이크로미터 접착제 두께(건조)를 수득하였다.
경화된 중간층, 실시예 8 내지 실시예 13, 및 그로부터의 보호 테이프, 실시예 14 내지 실시예 19
표 4에 따라, 경화된 중간층을 형성하는 데 사용된 성분들을 용융 이축 압출기를 사용하여 혼합하였다. 압출기의 온도를 350°F(177℃)로 제어하였다. 스크루를 300 rpm으로 가동하였다. 기어 펌프를 사용하여 다이 내로의 공급 속도를 제어하였다. 생성된 화합물의 레올로지 특성을 압출물의 용융 온도를 조정함으로써 제어하였다. 다이 온도는 350°F(177℃)였다. 생성된 용융물 스트림을 캐스트 필름 다이에 펼친 다음, PI 필름 상으로의 냉각 롤에 의해 급랭하였다. 생성된 압출된 층은 약 12 밀(300 마이크로미터)의 균일한 두께를 가졌다. 압출된 층을 280 KV 8 Mrad의 전자 강도의 전자 빔을 통과시킴으로써 경화시킨 후, 롤로 권취하였다.
경화성 접착제 층에 대해 전술한 절차에 따라, 다음 변경을 가지고, 실시예 2의 조성(표 1 참조)에 기초하여 경화성 접착제 층을 제조하였다: 조성물을 50 마이크로미터 실리콘 코팅된 이형 라이너 상에 50 마이크로미터 접착제 층 두께(건조)로 슬롯 다이로 코팅하였다. 이 경화성 접착제 층을, 표 4의 경화된 중간층에 라미네이팅한 후에, 각각의 테이프를 롤로 권취하였다.
[표 1]
Figure pct00002
[표 2]
Figure pct00003
[표 3]
Figure pct00004
[표 4]
Figure pct00005
[표 5]
Figure pct00006
[표 6]
Figure pct00007
본 발명의 범주 및 사상으로부터 벗어남이 없이 본 발명에 대한 다양한 수정 및 변경이 당업자에게 명백하게 될 것이다. 본 발명은 본 명세서에 기재된 예시적인 실시 형태들 및 실시예들에 의해 부당하게 제한되도록 의도되지 않고, 그러한 실시예들 및 실시 형태들은 단지 예로서 제시되며, 이때 본 발명의 범주는 하기와 같이 본 명세서에 기재된 청구범위에 의해서만 제한되도록 의도됨을 이해하여야 한다. 본 명세서에 인용된 모든 참고문헌은 전체적으로 본 명세서에 참고로 포함된다.

Claims (20)

  1. 회로 형성 표면 및 상기 회로 형성 표면 반대편의 비-회로 형성 표면을 갖는 기판; 및
    상기 회로 형성 표면 상에 지지된 보호 테이프를 포함하며, 상기 보호 테이프는
    지지층; 및
    상기 지지층의 주 표면 상에 지지된 경화성 접착제 층을 포함하고, 상기 경화성 접착제 층은 고무 탄성중합체 및 열 경화제를 포함하는, 물품.
  2. 제1항에 있어서, 상기 경화성 접착제 층은 탄성 저장 모듈러스(G') 값이 25℃ 및 1 ㎐에서 0.1 MPa 미만인, 물품
  3. 제1항에 있어서, 상기 경화성 접착제 층은 탄성 저장 모듈러스(G')가 (i) 25℃ 내지 250℃의 범위에서 0.02 MPa 초과이고; (ii) 250℃에서 0.1 MPa 초과이고; (iii) 250℃에서는 50℃에서보다 크고; (iv) 50℃ 내지 150℃에서 발생하며 0.02 MPa 초과인 최소값을 나타내는, 물품.
  4. 제1항에 있어서, 상기 경화성 접착제 층은 200℃에서의 탄젠트 델타가 0.1 미만인, 물품.
  5. 제1항에 있어서, 상기 경화성 접착제 층의 상기 고무 탄성중합체는 천연 고무, 합성 열가소성 탄성중합체, 스티렌-부타다이엔 고무, 폴리부타다이엔 고무, 폴리아이소프렌 고무, 니트릴 고무, 에틸렌-프로필렌 고무, 에틸렌-프로필렌 다이엔 단량체, 에틸렌-비닐 아세테이트, 또는 아크릴로니트릴-부타다이엔-스티렌 고무를 포함하는, 물품.
  6. 제1항에 있어서, 상기 고무 탄성중합체는 상기 경화성 접착제 층의 총 중량을 기준으로 10 내지 99 중량%의 양으로 존재하는, 물품.
  7. 제1항에 있어서, 상기 경화성 접착제 층의 상기 열 경화제는 황 함유 화합물, 퍼옥사이드, 페놀 수지, 또는 방향족 구아니딘을 포함하는, 물품.
  8. 제1항에 있어서, 상기 열 경화제는 상기 경화성 접착제 층의 총 중량을 기준으로 1 내지 50 중량%의 양으로 존재하는, 물품.
  9. 제1항에 있어서, 상기 경화성 접착제 층과 상기 지지층 사이에 배치된 경화된 중간층을 더 포함하며, 상기 경화된 중간층은 탄성중합체, 다작용성 가교결합제, 및 가공유(process oil)를 포함하는 경화성 중간층의 반응 생성물인, 물품.
  10. 제9항에 있어서, 상기 경화성 중간층의 상기 탄성중합체는 천연 고무 또는 합성 열가소성 탄성중합체, 스티렌-부타다이엔 고무, 폴리부타다이엔 고무, 폴리아이소프렌 고무, 니트릴 고무, 에틸렌-프로필렌 고무(EPR), 에틸렌-프로필렌 다이엔 단량체(EPDM), 에틸렌-비닐 아세테이트(EVA), 아크릴로니트릴-부타다이엔-스티렌 고무, 실리콘 고무, 폴리올레핀 (공)중합체, 열가소성 폴리우레탄, 아크릴 탄성중합체, 또는 엔지니어링된 폴리아미드 탄성중합체를 포함하는, 물품.
  11. 제9항에 있어서, 상기 경화성 중간층의 상기 탄성중합체는 포화 또는 불포화 올레핀 블록 또는 중합체를 포함하는, 물품.
  12. 제10항에 있어서, 상기 올레핀 블록 또는 중합체는 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리옥텐, 폴리헥센, 폴리부타다이엔, 폴리아이소프렌, 폴리부텐, 또는 폴리펜텐의 올리고머 블록을 포함하는, 물품.
  13. 제1항에 있어서, 상기 경화된 중간층은 탄성 저장 모듈러스(G')가 (i) 25℃ 내지 250℃의 범위에서 온도가 증가함에 따라 감소하고; (ii) 25℃ 내지 250℃ 범위에서 0.0001 MPa 내지 0.7 MPa이고; (iii) 250℃에서 발생하는 최소값을 갖고; (iv) 250℃에서 0.0001 MPa 초과이고; (v) 250℃에서는 50℃에서보다 작은, 물품.
  14. 제1항에 있어서, 상기 회로 형성 표면은 표면 특징부를 포함하는, 물품.
  15. 제1항에 있어서, 상기 표면 특징부는 구리 기둥 범프(copper pillar bump) 또는 솔더 볼(solder ball)을 포함하는, 물품.
  16. 제1항에 있어서, 상기 접착제 층은 상기 표면 특징부의 최대 높이보다 큰 두께로 상기 지지층 상에 지지되는, 물품.
  17. 제9항에 있어서, 집합적으로, 상기 경화성 접착제 층 및 상기 경화된 접착제 층은 상기 표면 특징부의 최대 높이보다 큰 두께로 상기 지지층 상에 지지되는, 물품.
  18. 반도체 웨이퍼를 가공하는 방법으로서,
    제1항의 물품을 제공하는 단계;
    경화성 접착제 층을 경화시키는 단계;
    비-회로 형성 표면 상에서 하나 이상의 공정을 수행하는 단계; 및
    상기 반도체 웨이퍼로부터 상기 물품을 분리하는 단계를 포함하는, 방법.
  19. 제18항에 있어서, 상기 비-회로 형성 표면 상에서 하나 이상의 공정을 수행하는 단계는 상기 비-회로 형성 표면을 그라인딩하는 단계를 포함하는, 방법.
  20. 제18항에 있어서, 상기 비-회로 형성 표면 상에서 하나 이상의 공정을 수행하는 단계는 상기 반도체 웨이퍼가 180℃ 이상의 온도를 받게 하는 단계를 포함하는, 방법.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115785848B (zh) * 2022-12-08 2024-02-06 业成科技（成都）有限公司 胶带结构

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6617020B2 (en) * 2001-04-04 2003-09-09 3M Innovative Properties Company Hot melt processable pressure sensitive adhesive comprising organophilic clay plate-like particles, a method of making, and articles made therefrom
US7157535B2 (en) * 2002-06-19 2007-01-02 National Starch And Chemical Investment Holding Corporation Polymeric photoinitiators
KR101113341B1 (ko) * 2002-10-15 2012-09-27 엑손모빌 케미칼 패턴츠 인코포레이티드 올레핀 중합용 다중 촉매 시스템 및 이로부터 제조된중합체
JP2007096115A (ja) * 2005-09-29 2007-04-12 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JP6404475B2 (ja) * 2015-07-03 2018-10-10 三井化学東セロ株式会社 半導体ウエハ表面保護フィルムおよび半導体装置の製造方法
TWI641494B (zh) * 2015-11-04 2018-11-21 日商琳得科股份有限公司 第一保護膜形成用片、第一保護膜形成方法以及半導體晶片的製造方法
WO2020075063A1 (en) * 2018-10-11 2020-04-16 3M Innovative Properties Company Adhesive composition comprising a block copolymer having a polyvinyl aromatic block and poly(vinyl aromatic/isoprene) block, articles, and methods of bonding

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