JPH03109454A

JPH03109454A - 磁気ディスク

Info

Publication number: JPH03109454A
Application number: JP1245225A
Authority: JP
Inventors: Keisuke Funaki; 圭介舟木; Yuichi Oki; 祐一大木
Original assignee: Idemitsu Kosan Co Ltd
Current assignee: Idemitsu Kosan Co Ltd
Priority date: 1989-09-22
Filing date: 1989-09-22
Publication date: 1991-05-09

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は磁気ディスクに関し、詳しくは耐熱性。

耐水性及び寸法安定性にすぐれ、可撓性に富んだ磁気デ
ィスクに関する。

〔従来の技術及び発明が解決しようとする課題〕従来か
ら、フロッピーディスク等の可撓性を有する磁気ディス
ク（フレキシブル磁気ディスク）の基材として、ポリエ
チレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムが用いられて
いる。一方、近年ノフロッピーディスクの小型化、高密
度化に伴い、耐熱性、耐湿性１寸法安定性がバランス良
く一層優れたものが要求されている。

しかしながら、上記のＰＥＴフィルムを基材とするフレ
キシブル磁気ディスクは、湿度の変化による寸法変化、
熱膨張係数の面内異方性、高温高湿下に長期間置かれた
場合の永久収縮等の問題がある。

また、ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）のフィルム
を用いれば、上記の如き問題は解消できるが、腐食性を
有するとともに、高価であって実用上には不向きなもの
である。

ところで、本発明者らのグループが先般開発したシンジ
オタクチック構造を有するスチレン系重合体は、ＰＥＴ
に比べ、耐熱性、耐水性や寸法安定性にすぐれ、しかも
オリゴマーの少ない重合体であって、様々な用途が期待
されている。

このスチレン系重合体、例えばシンジオタクチック構造
のスチレンホモポリマーは、ガラス転移温度が９０〜１
００℃であって、ＰＥＴのそれより高い。しかし、−射
的には、上記スチレン系重合体のフィルムは、磁気ディ
スクとして必要なすべり性や面内バランス等を満足する
ものではなく、未だ実用的観点からは不充分なものであ
る。

そこで、本発明者らはこのシンジオタクチック構造を有
するスチレン系重合体を用いて、高温。

高温条件下でも面内バランスが良好で、また耐熱性、耐
水性等にすぐれた磁気ディスクを開発すべく鋭意研究を
重ねた。

〔課題を解決するための手段］その結果、上記スチレン系重合体又はその組成物の延伸
フィルムあるいは該延伸フィルムを含む積層フィルムで
あって、長手方向及び横方向の線膨張係数とともにその
比率、ならびに表面粗さが一定範囲にある基材フィルム
に磁性層を形成したものが、上記目的に適う磁気ディス
クになることを見出した。本発明はかかる知見に基いて
完成したものである。

すなわち本発明は、シンジオタクチック構造を有するス
チレン系重合体又はその組成物の延伸フィルムあるいは
該延伸フィルムを含む積層フィルムであって、長手方向
の線膨張係数（αＭＤ）および横方向の線膨張係数（α
ＴＤ）が５　Ｘ　Ｉ　Ｏ−’／’Ｃ以下で、かつその比
（αＭＤ／α？Ｄ）が０．３〜３であり、表面粗さＲａ
が０．００１〜０．０３　μｍである厚さ２０〜２００
μｍの基材フィルムの少なくとも片面に磁性層を設けて
なる磁気ディスクを提供するものである。

本発明では磁気ディスクの基材フィルムとして、上述し
た延伸フィルムからなる単層フィルムあるいは該延伸フ
ィルムを含む積層フィルムが用いられる。また、この基
材フィルムは、長手方向の線膨張係数（αＭＤ）および
横方向の線膨張係数（αＴＤ）がそれぞれ５　Ｘ　１０
−’／’Ｃ以下、好ましくは４×１０−５／℃以下で、
かつその比（αＭＤ／αアＤ）が０．３〜３、好ましく
は０．５〜２である。さらに表面粗さＲａは０．００１
〜０．０３　μｍ、好ましくは０．００５〜０．０３μ
ｍであり、またその厚さは２０〜２００　μｍ、好まし
くは５０〜１５０μｍである。

ここで、αＭＤやα、Ｄが５　Ｘ　１０−’／’Ｃを超
えるものでは、寸法安定性に欠け、実用的でない。

またαＭＤ／α１．が０．３未満のもの、あるいは３を
超えるものでは、磁気ディスクとして使用する場合、環
境変化に対して面内の寸法変化が異方性をもち良好な再
生状態が得られない。表面粗さＲａについては、表面粗
さＲａが０．０３μｍを超えると、磁気ヘッドの摩耗等
の問題を生ずることがあり、ｏ、ｏｏｉμｍ未満では、
滑り性が問題となり、良好な走行状態のものが得られに
くい。

さらにこの基材フィルムの厚さが薄すぎると、磁気ディ
スクに必要な腰や自己支持性がなく実用に供せず、また
厚すぎると可撓性に欠ける。

このような本発明の磁気ディスクの基材フィルムを作成
するにあたっては、各種の方法があるが、具体的には下
記（１）〜（３）の三つの方法を例示することができる
。

（１）シンジオタクチック構造を有するスチレン系重合
体に、無機微粒子を配合してなる組成物、特に、平均粒
径０．０１〜３μｍの無機微粒子を０．００１〜１重景
％配合してなる組成物を加熱溶融、押出。

冷却固化、加熱、延伸、熱処理（熱固定）して延伸フィ
ルムを形成する。これによって、この延伸フィルムのみ
からなる両面が平滑かつ易清な粗面の単層フィルムが得
られる。

（２）上記（１）で用いた組成物と、シンジオタクチッ
ク構造を有するスチレン系重合体、特に残留アルミニウ
ム分が３０００ｐｐｍ以下、残留チタン分が１０ｐｐｍ
以下及び残留スチレン系単量体が７０００ｐｐｍ以下の
高純度のスチレン系重合体、あるいはこのスチレン系重
合体を主成分とする組成物（但し、無機微粒子を含有し
ない。）とを加熱溶融。

共押出、冷却固化、加熱、延伸、熱処理して二種類ある
いはそれ以上の延伸フィルムを積層状態で形成する。こ
れによって、片面が超平滑で他面が易滑な粗面の多層（
積層）フィルムや両面が平滑且つ易清な粗面の多層フィ
ルムが得られる。

（３）シンジオタクチック構造を有するスチレン系重合
体、特に残留アルミニウム分が３０００ｐｐｍ以下、残
留チタン分が１０ｐｐｍ以下及び残留スチレン系単量体
が７ＱＯＯｐｐｍ以下の高純度のスチレン系重合体ある
いはこのスチレン系重合体を主成分とする組成物（但し
、無機微粒子を含有しない）。

を、加熱溶融、押出、冷却固化、加熱、延伸、熱処理す
る過程でその少なくとも片面に、表面粗面化可能な樹脂
或いは無機超微粒子を含有する樹脂組成物からなる層を
、貼り合わせ（ラミネート）。

塗布あるいは蒸着等により形成させることによって、片
面が超平滑でもう一方の面が易滑な粗面の多層フィルム
や両面が平滑かつ易滑な粗面の多層フィルムが得られる
。この際上記樹脂組成物からなる層は、必要に応じて延
伸したものを用いてもよい。

ここで、積層に用いる樹脂は、シンジオタクチック構造
を有するスチレン系重合体や各種ブレンド樹脂を用いる
ことができるが、融点あるいは軟化点の高い樹脂が好ま
しい。また、他樹脂中に含有させる無機微粒子の種類、
量９粒径は、後述の無機微粒子を用いることができる。

また、積層する方法は特に限定はないが、共押出法の他
にこれらの他樹脂、他樹脂組成物を溶解、塗布する方法
を延伸フィルム製造工程に組み込むと生産性が良い。

これらの基材フィルムを用いて、磁気ディスクを作成す
るが、必要に応じて、コロナ処理等により表面接着性を
改良したフィルムも用いてもよく、さらに予め、磁性層
を設ける側に接着層を設けていてもよい。

ところで、上記フィルムの素材として用いられるシンジ
オタクチック構造を有するスチレン系重合体とは、立体
化学構造が主としてシンジオタクチック構造、即ち炭素
−炭素結合から形成される主鎖に対して側鎖であるフヱ
ニル基や置換フェニル基が交互に反対方向に位置する立
体構造を有するものであり、そのタフティシティ−は同
位体炭素による核磁気共鳴法（１３Ｃ−ＮＭＲ法）によ
り定量される。”Ｃ−ＮＭＲ法により測定されるタフテ
ィシティ−は、連続する複数個の構成単位の存在割合、
例えば２個の場合はダイアツド、３個の場合はトリアッ
ト、５個の場合はペンタッドによって示すことができる
が、本発明に言うシンジオタクチック構造を有するスチ
レン系重合体とは、通常はラセミダイアツドで７５％以
上、好ましくは８５％以上、若しくはラセミペンタッド
で３０％以上、好ましくは５０％以上のシンジオタクテ
イシテイ−を有するポリスチレン、ポリ（アルキルスチ
レン）、ポリ（ハロゲン化スチレン）、ポリ（アルコキ
シスチレン）、ポリ（ビニル安息香酸エステル）、これ
らの水素化重合体およびこれらの混合物、あるいはこれ
らの構造単位を含む共重合体を指称する。なお、ここで
ポリ（アルキルスチレン）としては、ポリ（メチルスチ
レン）、ポリ（エチルスチレン）、ポリ（プロピルスチ
レン）、ポリ（ブチルスチレン）、ポリ（フェニルスチ
レン）。

ポリ（ビニルナフタレン）、ポリ（ビニルスチレン）。

ポリ（アセナフチレン）などがあり、ポリ（ハロゲン化
スチレン）としては、ポリ（クロロスチレン）、ポリ（
ブロモスチレン）、ポリ（フルオロスチレン）などがあ
る。また、ポリ（アルコキシスチレン）としては、ポリ
（メトキシスチレン）。

ポリ（エトキシスチレン）などがある。これらのうち特
に好ましいスチレン系重合体としては、ポリスチレン、
ポリ（ｐ−メチルスチレン）、ポリ（ｍ−メチルスチレ
ン）、ポリ（ｐ−ターシャリ−ブチルスチレン）、ポリ
（ｐ−クロロスチレン）。

ポリ（ｍ−クロロスチレン）、ポリ（ｐ−フルオロスチ
レン）、またスチレンとｐ−メチルスチレンとの共重合
体をあげることができる（特開昭６２−１８７７０８号
公報）。

更に、スチレン系共重合体におけるコモノマーとしては
、上述の如きスチレン系重合体のモノマーのほか、エチ
レン、プロピレン、ブテン、ヘキセン、オクテン等のオ
レフィンモノマー、ブタジェン、イソプレン等のジエン
モノマー、環状ジエンモノマーやメタクリル酸メチル、
無水マレイン酸、アクリロニトリル等の極性ビニルモノ
マー等をあげることができる。

またこのスチレン系重合体は、分子量について特に制限
はないが、重量平均分子量が１０．０００以上３．００
０．０００以下のものが好ましく、とりわけ５０．００
０以上１，５００，０００以下のものが最適である。

ここで重量平均分子量が１０，０００未満であると、延
伸が充分にできない。さらに、分子量分布についてもそ
の広狭は制約がな（、様々なものを充当することが可能
であるが、重量平均分子ｉ（Ｍｗ）／数平均分子量（Ｍ
ｎ）が１．５以上８以下が好ましい。なお、シンジオタ
クチック構造を有するスチレン系重合体は、従来のアク
クチツク構造のスチレン系重合体に比べて耐熱性が格段
に優れている。

また、前述の延伸フィルム（特に平滑面を有するフィル
ム）を構成するシンジオタクチック構造を有するスチレ
ン系重合体は、上述した如きものであればよいが、特に
残留アルミニウム分が３０００ｐｐｍ以下、残留チタン
分が１０ｐｐｍ以下及び残留スチレン系単量体が７００
０ｐｐｎ＋以下のものが好ましい。とりわけ、残留アル
ミニウム分が１０００ｐｐｎ＋以下、残留チタン分が７
　ｐｐｍ以下及び残留スチレン系単量体が５０００ｐｐ
ｍ以下のものが最適である。

このような高純度のスチレン系重合体を製造するには、
様々な手法があるが、例えば次の如くである。まず、残
留アルミニウム分及び残留チタン分を上記の範囲内に抑
えるためには、■高活性触媒を用いてスチレン系重合体
を製造する方法（特願昭６３−７４６６号明細書参照）
あるいは■脱灰、洗浄による方法、即ち、特開昭６２−
１８７７０８号公報等に記載の通常のＩＶＡ族の有機金
属化合物とメチルアルミノキサン等のアルキルアルミノ
キサンを触媒成分として、スチレン系単量体を重合させ
た後、得られたシンジオタクチック構造のスチレン系重
合体を、酸、アルカリを適当な溶媒に溶解させた溶液に
より脱灰し、適当な溶媒で洗浄する方法である。

このようにして■あるいは■の方法により、残留アルミ
ニウム分及び残留チタン分′の少ないシンジオタクチッ
ク構造のスチレン系重合体が得られるが、さらに、これ
を下記■あるいは■の方法で処理すれば、残留スチレン
系単量体が７０００ｐｐｍ以下のものとなる。

■上記スチレン系重合体を減圧乾燥する方法ここで減圧
乾燥するにあたっては、乾燥温度を該重合体のガラス転
移温度以上とすると効率がよい。

■上記スチレン系重合体を押出機により脱気する方法上記スチレン系重合体あるいは■の方法で減圧乾燥した
スチレン系重合体を、押出機により脱気し、同時に成形
用材料（ペレット）とする。ここで押出機はベント付き
が好ましく、−軸、二軸いずれの押出機を用いてもよい
。

このような処理を経て残留アルミニウム分、残留チタン
分及び残留スチレン系単量体の少ない高純度のシンジオ
タクチック構造のスチレン系重合体が得られる。

一方、易清な粗面を有する延伸フィルムの構成素材は、
シンジオタクチック構造を有するスチレン系重合体に無
機微粒子を含有させた組成物、特に上記スチレン系重合
体に平均粒径０．０１〜３μｍの無機微粒子をｏ、ｏｏ
ｉ〜１重量％含有させた組成物である。この組成物は、
スチレン系重合体（但し、必ずしも上記の如き高純度で
あることを要せず、特開昭６２−１８７７０８号公報等
に記載の方法等によればよい。）に、無機微粒子を配合
するあるいは重合中に析出させることによって調製され
る。ここで、無機微粒子とは、ＩＡ族、■Ａ族、ＩＶＡ
族、ＶＩＡ族、■Ａ族、■族、■Ｂ族、■Ｂ族、■Ｂ族
、ＩＶＢ族元素の酸化物、水酸化物、硫化物、窒素化物
、ハロゲン化物、炭酸塩、酢酸塩、燐酸塩、亜燐酸塩、
有機カルボン酸塩、珪酸塩、チタン酸塩、硼酸塩及びそ
れらの含水化合物、それらを中心とする複合化合物、天
然鉱物粒子を示す。

具体的には、弗化リチウム、硼砂（硼酸ナトリウム含水
塩）等のＩＡ族元素化合物、炭酸マグネシウム、燐酸マ
グネシウム、酸化マグネシウム（マグネシア）、塩化マ
グネシウム、酢酸マグネシウム、弗化マグネシウム、チ
タン酸マグネシウム、珪酸マグネシウム、珪酸マグネシ
ウム含水塩（タルク）、炭酸カルシウム、燐酸カルシウ
ム。

亜燐酸カルシウム、硫酸カルシウム（石膏）、酢酸カル
シウム、テレフタル酸カルシウム、水酸化カルシウム、
珪酸カルシウム、弗化カルシウム。

チタン酸カルシウム、チタン酸ストロンチウム。

炭酸バリウム、燐酸バリウム、硫酸バリウム、亜燐酸バ
リウム等のＩＩＡ族元素化合物、二酸化チタン（チタニ
ア）、−酸化チタン、窒化チタン、二酸化ジルコニウム
（ジルコニア）、−一酸化ジルコニウム等のＩＶＡ族元
素化合物、二酸化モリブデン。

三酸化モリブデン、硫化モリブデン等のＶＩＡ族元素化
合物、塩化マンガン、酢酸マンガン等の■Ａ族元素化合
物、塩化コバルト、酢酸コバルト等の■族元素化合物、
沃化第一銅等のＩＢ族元素化合物、酸化亜鉛、酢酸亜鉛
等のｎＢ族元素化合物、酸化アルミニウム（アルミナ）
、水酸化アルミニウム、弗化アルミニウム、アルミノシ
リケート（珪酸アルミナ、カオリン、カオリナイト）等
の１１ＩＢ族元素化合物、酸化珪素（シリカ、シリカゲ
ル）１石墨、カーボン、グラファイト、ガラス等のＩＶ
Ｂ族元素化合物、カーナル石、カイナイト。

雲母（マイカ、キンウンモ）、バイロース鉱等の天然鉱
物の粒子が挙げられる。

本発明で用いる無機微粒子の平均粒径は、特に制限はな
いが、好ましくは０．０１〜３μｍ、より好ましくは０
．０１〜１μｍで、組成物中の含量は０．００１〜１重
量％、好ましくは０．００１〜０．６重量％である。こ
こで平均粒径が０．０１μｍより小さいと粒子同士の二
次凝集のため分散が困難となる場合があり、また平均粒
径が３μｍより大きいと平滑性が低下する。また、組成
物中の無機微粒子の含量がｏ、ｏｏｉ重量％より少ない
とすべり性の改良の効果が不充分となり、含量が１重量
％より多いと薄物での延伸が困難となる場合がある。

また、前述の無機微粒子は本発明の目的を達成する上で
、効果的な成分であるが、本発明の目的を阻害しない限
り、他の種類あるいは他の粒径の微粒子、無機充填材等
を含むものであってもよい。

本発明で用いる無機微粒子は、最終的な成形品（フィル
ム）に含有されるが、含有させる方法に限定はない。例
えば、スチレン系単量体の重合中の任意の過程で添加あ
るいは析出させる方法、溶融押出する任意の過程で添加
する方法が挙げられる。

この中で特に本発明においては、重合過程の任意の段階
で上記無機微粒子をスラリー状として添加する方法が、
粒子の二次凝集を防げるうえで好ましい。

またこれらの微粒子を効果的に分散させるため、分散剤
、界面活性剤等を用いてもよい。

本発明の基材フィルムを構成する延伸フィルムに使用さ
れる素材には、さらに成形性、力学物性。

表面性等を考慮して、本発明の目的を阻害しない範囲で
、酸化防止剤、帯電防止剤、難燃剤、無機充填材、さら
に他の樹脂などを適宜配合することもできる。

ここで他の樹脂としては、各種のものがあるが、例えば
、アタクチック構造のスチレン系重合体。

アイソタクチック構造のスチレン系重合体、スチレン−
無水マレイン酸共重合体、ポリフェニレンエーテル等は
、前述のシンジオタクチック構造のスチレン系重合体と
相溶じやすく、延伸用予備成形体を作成するときの結晶
化の制御に有効で、その後の延伸性が向上し、延伸条件
の制御が容易で、且つ力学物性に優れたフィルムを得る
ことができる。このうち、アククチツク構造および／ま
たはアイソタクチック構造のスチレン系重合体を含有さ
せる場合、シンジオタクチック構造のスチレン系重合体
と同様のモノマーからなるものが好ましい。また、これ
ら相溶性樹脂成分の含有割合は７０〜１重量％、特に好
ましくは５０〜２重量％とすればよい。ここで相溶性樹
脂成分の含有割合が７０重景％を超えると、シンジオタ
クチック構造のスチレン系重合体の長所である耐熱性等
が損なわれるため好ましくない。また、非相溶性樹脂と
しては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ
ブテン、ポリベンテン等のポリオレフィン、ポリエチレ
ンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリ
エチレンナフタレート等のポリエステル、ナイロン−６
やナイロン６．６等のポリアミド、ポリフェニレンスル
フィド等のポリチオエーテル、ポリカーボネート、ボリ
アリレートポリスルホン、ポリエーテルエーテルケトン
、ポリエーテルスルホン、ポリイミド、テフロン等のハ
ロゲン化ビニル系重合体、ポリメタクリル酸メチル等の
アクリル系重合体、ポリビニルアルコール等、上記相溶
性の樹脂以外はすべて相当し、さらに、上記相溶性の樹
脂を含む架橋樹脂が挙げられる。これらの樹脂は、本発
明のシンジオタクチック構造のスチレン系重合体と非相
溶であるため、少量含有する場合、シンジオタクチック
構造のスチレン系重合体中に島のように分散させること
ができ、延伸後に程良い光沢を与えたり、表面のすべり
性を改良するのに有効である。これら非相溶性樹脂成分
の含有割合は、光沢を目的とする場合は５０〜２重量％
、表面性の制御を目的とする場合、０．００１〜５重量
％が好ましい。また、製品として使用する温度が高い場
合は、比較的耐熱性のある非相溶性樹脂を用いることが
好ましい。

本発明の磁気ディスクの基材フィルムを成形するには、
前述した如き方法によればよいが、この際に行う加熱溶
融から熱固定までの操作を具体的に説明すれば、次の通
りである。

まず、上述の如き成形素材を通常は押出成形（あるいは
共押出成形）して、延伸用予備成形体（フィルム、シー
トまたはチューブ）とする。この成形にあっては、上記
成形素材の加熱溶融したものを押出成形機にて所定形状
に成形するのが一般的であるが、成形素材を加熱溶融さ
せずに、軟化した状態で成形してもよい。ここで用いる
押出成形機は、−軸押出成形機、二軸押出成形機のいず
れでもよく、またベント付き、ベント無しのいずれでも
よいが、−軸の直列タンデム型が好ましい。なお、押出
機には適当なメツシュを使用すれば、夾雑物や異物を除
去することができる。ここでこれらのメツシュを用いる
際には、メツシュそのものの耐圧２強度を考慮して、上
記以下の番手を前後に入れても良い。またメツシュの形
状は、平板状２円筒状等適当に選定して使用することが
できる。

またここで押出条件は、特に制限はなく、様々な状況に
応じて適宜選定すればよいが、好ましくは温度を成形素
材の融点〜分解温度より５０°Ｃ高い温度の範囲で選定
し、剪断応力を５Ｘ１０’ｄｙｎｅ／ｃｄ以下とする。

用いるダイはＴ−グイ、円環グイ等をあげることができ
る。

上記押出成形後、得られた延伸用予備成形体を冷却固化
する。この際の冷媒は、気体、液体、金属ロール等各種
のものを使用することができる。

金属ロール等を用いる場合、エアナイフ、エアチャンバ
ー、タッチロール、静電印荷等の方法によると厚みムラ
や波うち防止に効果的である。

冷却固化の温度は、通常は０°Ｃ〜延伸用予備成形体の
ガラス転移温度より３０℃高い温度の範囲、好ましくは
ガラス転移温度より５０℃低い温度〜ガラス転移温度の
範囲である。また冷却速度は２００〜ｂ次に、この冷却、固化した予備成形体を一軸あるいは二
軸に延伸する。二軸延伸の場合は縦方向及び横方向に同
時に延伸してもよいが、任意の順序で逐次延伸してもよ
い。また延伸は一段で行ってもよく、多段で行ってもよ
い。

ここで延伸方法としては、テンターによる方法。

ロール間で延伸する方法、気体圧力を利用してバブリン
グによる方法、圧延による方法など様々であり、これら
を適当に選定あるいは組み合わせて適用すればよい。特
に縦方向（ＭＤ）にロール間で延伸後、横方向（ＴＤ）
にテンターで延伸し、更に再延伸することが好ましい。

ここで、逐次延伸するにあたっては、−段目の縦延伸の
際の複屈折の絶対値１Δｎ１を３Ｘ１０−’〜７０Ｘ１
０−３とし、次いで横延伸、場合によっては再延伸し、
その後、熱処理して得られるフィルムの複屈折の絶対値
ＩΔｎ１を４０Ｘ１０−’以下にすると、強度及び線膨
張係数のバランスの良好なフィルムが形成される。

延伸温度は、一般には予備成形体のガラス転移温度と融
点の間で設定すればよい。但し、逐次延伸あるいは多段
延伸する際には、−段目は予備成形体のガラス転移温度
〜冷結晶化温度の範囲とし、後段はガラス転移温度〜融
点の範囲が好ましい。

また延伸速度は、通常は１×１０〜１ｘｉｏ’％／分、
好ましくはｌＸｌ０’〜１×１０５％／分である。

なお、延伸倍率は、面積延伸倍率として６倍以上が好ま
しい。延伸倍率が低すぎると寸法安定性が劣り、好まし
くない。

上述の如き条件で延伸して得られた延伸フィルムに、さ
らに高温時の寸法安定性、耐熱性、フィルム面内の強度
バランスが要求される場合、特に線膨張係数を小さくす
る上では、熱固定を行うことが効果的である。熱固定は
、通常行われている方法で行うことができるが、この延
伸フィルムを緊張状態、弛緩状態あるいは制限収縮状態
の下で、該フィルムのガラス転移温度〜融点、好ましく
は融点より１００℃低い温度〜融点直前の温度範囲にて
、０．５〜１２０秒間保持することによって行えばよい
。なお、この熱固定は、上記範囲内で条件を変えて二回
以上行うことも可能である。また、この熱固定はアルゴ
ンガス、窒素ガスなどの不活性ガス雰囲気下で行っても
良い。

ここで、上記の如き熱固定を行わないと、０〜９０°Ｃ
での線膨張係数が５Ｘ１０−’より大きくなり、特にガ
ラス転移温度近傍の変形が大きくなる場合がある。

このようにして得られる本発明の基材フィルムは、目的
とする各種物性が前述した範囲のものとなる。

本発明の磁気ディスクは、上記基材フィルムに少なくと
も一層の磁性層を形成してなるが、アンダーコート層、
バックコート層あるいはトップコート層を形成すること
もできる。これらの各層は、基材フィルムを中心に両面
あるいは片面の全部あるいは一部に形成される。

また、磁性層の素材となる磁性体は、各種のものがあり
、例えばＧｏ　、Ｃｏ−０，Ｃｏ−Ｃｒ。

Ｃｏ−Ｖ、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｐ、Ｃｏ−Ｉ　ＦｅｚＯ
ｚ＋Ｃｏ−Ｎ１−Ｐ、Ｃｏ−Ｎ１−Ｎ、Ｃｏ−Ｎ１−Ｗ
。

Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ　、ＣｏＮ１（Ｃｒ）／Ｃｒ　、Ｆｅ
。

Ｆｅ−〇、　　Ｆｅ−Ａｇ＋　　ｒＦｅｔＯｓ＊Ｆｅ−
Ｃｏ。

ＢａＯ・ｒ　ＦｅｚＯ１，Ｎｉ、Ｃｒ０ｚなどを列挙す
ることができる。

この磁性体を用いて磁性層を基材フィルムに形成するに
は、塗布、蒸着、スパッタリング、メツキ等の各種の方
法によればよく、その操作条件等は常法にしたがって、
適宜選定すればよい。

なお、磁性層の厚みは特に制限はないが、一般には０．
０１〜１０μｍであり、特に塗布の場合は０．５〜１０
μｍ、蒸着やスパッタリングの場合は０．０１〜ｌμｍ
、メツキの場合は０．１〜５μｍである。

なお、塗布にあたって使用するバインダー用の樹脂とし
ては、例えば塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビ
ニル−酢酸ビニル部分ケン化共重合体、塩化ビニル−塩
化ビニリデン共重合体、塩化ビニル−アクリロニトリル
、ビニルブチラール。

ビニルホルマール等のビニル共重合系、ニトロセルロー
ス、セルロースアセトブチレート等の繊維素系、飽和ポ
リエステル、ポリウレタンポリアミド、エポキシ等の縮
重合系、ブタジェン・アクリロニトリル共重合体等の合
成ゴム系、ポリホスファゼン等の無機高分子系があげら
れ、イソシアネート化合物等の架橋剤を用いてもよい。

このようにして得られた本発明の磁気ディスクは、磁気
ヘッド摩耗防止等のため表面を研磨しても良い。

〔実施例〕

次に本発明を実施例に基いてさらに詳しく説明する。

参考例１（１）無機微粒子を含むスチレン系重合体成形用材料（
重合体組成物）の作成アルゴン置換した内容積５００ｍのガラス製容器に、硫
酸銅５水塩（ＣｕＳＯ，・５１（，０）１７．８ｇ（７
１ミリモル）、トルエン２００Ｉｄ及びトリメチルアル
ミニウム２４ｍｊ！（２５０ミリモル）を入れ、４０°
Ｃで８時間反応させた。その後、固体部分を除去して得
られた溶液から、更に、トルエンを室温下で減圧留去し
て接触生成物６．７ｇを得た。このものの凝固点降下法
によって測定した分子量は６１０であった。また、’Ｈ
−ＮＭＲ測定による前述の高磁場成分（即ち、−０，１
〜−０，５ｐｐｍ）は４３％であった。

一方、情調スチレンモノマー９９．５部に乾式法シリカ
（デグツサ■製アニロジルＴＴ−６００（１次粒子の直
径４０ｍμのもの））を０．５部添加し、Ｔ、にホモミ
キサーＬ型（特殊機化工業製）を用いて、円筒容器の中
で混合攪拌してスチレン混合物を得た。なおこの際、ス
テアリン酸カルシウムを０．２重量部加えた。

内容積２！の反応容器に、上述の如く調製したスチレン
混合物１１、上述の如く得られた接触生成物をアルミニ
ウム原子として５ミリモル、トリイソブチルアルミニウ
ムを５ミリモル、ペンタメチルシクロペンタジェニルチ
タントリメトキシド０、０２５ミリモルを用いて９０°
Ｃで５時間重合反応を行った。反応終了後、生成物を水
酸化ナトリウムのメタノール溶液で触媒成分を分解後、
メタノールで繰返し洗浄後、乾燥して重合体３０８ｇを
得た。

この重合体の重量平均分子量を、１，２．４トリクロロ
ベンゼンを溶媒として、１３０℃でゲルパーミェーショ
ンクロマトグラフィーにて測定したところ３８９，００
０であり、また重量平均分子量／数平均分子量は２．６
４であった。また、融点及び”Ｃ−ＮＭＲ測定により、
この重合体はシンジオタクチック構造のポリスチレンで
あることを確認した。

この重合体を１３０°Ｃで１．２．４−）リクロロベン
ゼンに溶解し、濾別し、重合体中のシリカ含量を調べた
ところ０．５ｗｔ％であった。また、この溶液をスライ
ドガラス上に滴下し、顕微鏡で観察し、シリカの平均粒
径を調べたところ０．０８μｍであった。

さらに、このスチレン系重合体を１５０℃で２時間、減
圧乾燥した。得られたパウダーを、ベント付き二軸押出
機の先端にキャピラリーを持つ装置で３００℃にて押出
し、冷却後、カットしペレットとした。このペレットを
熱風により攪拌しながら結晶化させた。このペレットは
、結晶化度３５％でスチレンモノマーを７００　ｐｐｍ
含んでいた。

（２）無機微粒子を含まないスチレン系重合体成形用材
料の作成乾式シリカを含まないスチレンモノマーを用いて、上記
（１）と同様にしてスチレン系重合体を製造した。得ら
れた重合体は、重量平均分子量が４１７．０００重量平
均分子量／数平均分子量が２．５４゜／ｌ含量が７５ｐ
ｐｍ、　Ｔｉ含量が２　ｐｐｍであった。

このスチレン系重合体を上記（１）と同様にペレットと
した。このペレットの結晶化度は３０％であり、スチレ
ンモノマー含量は８００　ｐｐｍであった。

参考例２（スチレン系重合体延伸フィルムの製造）（１
）参考例１（１）のようにして得られた成形材料を用い
、直列型タンデム押出機の先端にＴ−ダイを取りつけた
装置で３３０°Ｃで溶融押出した。

この時の剪断応力は、１．５　Ｘ　１０５ｄｙｎｅ／ｃ
ｍであった。この溶融押出したシートを静電印荷により
６３°Ｃの冷却ロールに密着させ、冷却固化させた。

この時の冷却速度は平均７０℃／秒で１５００μｍの延
伸用シートを得た。このシートをロール間で、それぞれ
のロールの周速度を変化させ縦方向に、１１０°Ｃ２延
伸速度６０００％／分で３倍に延伸した。このとき、複
屈折の絶対値１Δｎは３５Ｘ１０−３であった。

続いて、横方向にテンターを用いて１２０°Ｃ５延伸速
度６０００％／分で３倍に延伸した。更に横方向にテン
ターで固定したまま、縦横同時に、１３０℃、２０００
％／分でそれぞれの方向に１．５倍に再延伸した。この
フィルムを、テンターに固定し若干弛緩させ、２５５°
Ｃで１０秒熱処理した。

得られたフィルムは厚さ７５μｍであった。このフィル
ムの複屈折の絶対値１Δｎｌは１４×１０−３であった
。また、このフィルムの０〜９０゛Ｃの線膨張係数をサ
ーマルメカニカルアナリシスにて測定した。さらに表面
粗さをＪＩＳＢ〜０６０１に準拠し、カットオフ値０．
０８ｍｍにて測定した。得られたフィルムの性質を表に
示す。

（２）参考例１（１）及び参考例１（２）の結晶化させ
たスチレン系重合体ペレットを用いて、押出機の先端に
Ｔ−ダイを取りつけた装置で３３０°Ｃで二種三層の溶
融共押出したことの他は、参考例２（１）と同様にした
。得られたフィルムの性質を表に示す。なお、この時、
参考例１（２）のスチレン系重合体ベレットを５０／１
５０／４００／１５０１５０メツシユを入れた主押出機
の直列型タンデム単軸押出機で、また参考例１（１）の
スチレン系重合体ペレットを複押出機で溶融押出し、参
考例１（１）の重合体／参考例１（２）の重合体／参考
例１（１）の重合体の構成とした。

このフィルムの複屈折の絶対値１Δｎ１はｌＯ×１０−
３であった。

（３）参考例１（２）のスチレン系重合体ベレットを用
いて、押出機中に５０／１５０／４００／１５０１５０
メツシユを入れたことの他は、参考例２（１）と同様に
延伸フィルムを作成した。このフィルムの複屈折の絶対
値１Δｎ１は９Ｘ１０−”であった。このフィルムの両
面をコロナ処理した。

次に、特開平１−９５１１３号公報の実施例１で得られ
たシンジオタクチック構造のスチレン−ジビニルベンゼ
ン共重合体（ジビニルベンゼン単位９．４モル％、エチ
ルベンゼン単位５．０モル％。

重量平均分子量３６０．０００　）の０．５　ｉｖｔ％
クロロホルム溶液を作り、この溶液にスチレン−ジビニ
ルベンゼン共重合体に対して０．５ｗｔ％の乾式法シリ
カ（テグッサ■製アエロジルＴＴ−６００ニー次粒子の
粒径４０ｍμのもの）を添加し、ホモミキサーＬ型（特
殊機化工業型）を用いて円筒容器で均一に混合し、スラ
リー溶液とした。このスラリー溶液を上記フィルムの両
面にバーコーターにて塗布し、２５０°Ｃで１０秒乾燥
した。

（４）熱処理を行わなかったことの他は参考例２（１）
と同様にした。このフィルムの複屈折の絶対値１Δｎ１
は１８Ｘ１０−’であった。

（５）再延伸を縦方向（ＭＤ）のみ２倍としたことの他
は参考例２（１）と同様にした。このフィルムの複屈折
の絶対値１Δｎ１は５３Ｘ１０”’であった。

（６）参考例１（１）において、無機粒子として平均粒
径４μｍのシリカ（水澤化学工業製、ジルトンＡＭＴ−
４０）を用いてスチレン系重合体を得、以下参考例２（
１）と同様にした。

このフィルムの複屈折の絶対値１Δｎｌは８×１０−３
であった。

実施例１参考例２（１）で得られた基材フィルムの両面にコロナ
放電処理を施し磁性塗料を塗布した。なお、この磁性塗
料の組成はγ−ＦｅｚＯ＝磁性粉末４５重量部、塩化ビ
ニル−酢酸ビニル共重合体（ＵＣＣ社製、ＶＡＧＨ）１
７重量部、アクリロニトリル−ブタジェン共重合体（日
本ゼオン社製。

Ｎ　　１４３２Ｊ）３．５重量部、ポリイソシアネート
（日本ポリウレタン製、コロネートＬ）１．５重量部、
メチルイソブチルケトン５０重量部、トルエン５０重量
部、カーボンブラック４重量部である。乾燥後の磁性層
の厚みは両面とも３μｍであった。

次いで、このフィルムの両面を適度に研磨し、市販の５
インチフロッピーディスクと同サイズに切り抜いた。こ
の円盤を市販のフロッピーディスクのジャケットに入れ
フロッピーディスクを作成した。このフロッピーにＮＥ
ＣＰＣ−９，８０１Ｆを用いてプログラムを入力した。

その後８０″Ｃ２７０％ＲＨ（相対湿度）下で５０時間
放置した。

これを常態にもどした後、プログラムの読み込み（ＬＯ
ＡＤ）及び実行（ＲＵＮ）を行ったところ良好な状態で
あった。このことから高温高湿下での寸法変化がいずれ
の方向でも非常に小さく、バランスが良いことがわかっ
た。また、連続繰返し１００回ＬＯＡＤ及びＲＵＮを行
ったが、異常無く、すべり性。

走行性が良好なことがわかった。結果を表に示す。

実施例２参考例２（１）で得られたフィルムの両面にコロナ放電
処理を施し、続いてＣｏ８０重量％、　Ｎｉ２Ｏ重量％
からなるターゲットを作成し、このターゲットによって
ＲＦスパッタ法で厚さ約３０００人のＣｏ−Ｎｉ磁性薄
膜を両面に形成後、電解質を含む溶液中で陽極酸化し、
表面に不働態膜を形成させた。スパッタリングの条件と
して、ターゲットとフィルムの間の距離は６０Ｍ、プレ
ート電圧１．９ｋＶ、プレート電流１６０ｍＡ、アルゴ
ン圧１．　Ｉ　Ｘ　１０−”ｍｍＨｇであった。

このフィルムを用いて実施例１と同様にした。

結果を表に示す。

実施例３参考例２（２）で得られたフィルムを用いたことの他は
実施例１と同様にした。結果を表に示す。

実施例４参考例２（３）で得られたフィルムを用いたことの他は
実施例１と同様にした。結果を表に示す。

比較例１参考例２（４）で得られたフィルムを用いたことの他は
実施例１と同様にした。結果を表に示す。

比較例２参考例２（５）で得られたフィルムを用いたことの他は
実施例１と同様にした。結果を表に示す。

比較例３参考例２（６）で得られたフィルムを用いたことの他は
実施例１と同様にした。結果を表に示す。

比較例４ＰＥＴフィルム（ティジン製、テトロン■、７５μｍ）
を用いたことの他は実施例１と同様にした。

結果を表に示す。

〔発明の効果〕

畝上の如く、本発明の磁気ディスクは、耐熱性。

耐水性にすぐれるとともに、可撓性を有し、また高温下
での寸法安定性にもすぐれている。特に高温、高湿下で
の寸法変化が小さ（、しかもどの方向でも寸法変化のバ
ランスがとれている。そのうえ、表面の滑り性も良好で
ある。

したがって、本発明の磁気ディスクは、フロッピーディ
スク等のフレキシブル磁気ディスクとして有効な利用が
期待される。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）シンジオタクチック構造を有するスチレン系重合
体又はその組成物の延伸フィルムあるいは該延伸フィル
ムを含む積層フィルムであって、長手方向の線膨張係数
（α＿Ｍ＿Ｄ）および横方向の線膨張係数（α＿Ｔ＿Ｄ
）が５×１０＾−＾５／℃以下で、かつその比（α＿Ｍ
＿Ｄ／α＿Ｔ＿Ｄ）が０．３〜３であり、表面粗さＲａ
が０．００１〜０．０３μｍである厚さ２０〜２００μ
ｍの基材フィルムの少なくとも片面に磁性層を設けてな
る磁気ディスク。
（２）延伸フィルムが無機微粒子を含有するシンジオタ
クチック構造のスチレン系重合体組成物からなる請求項
１記載の磁気ディスク。
（３）基材フィルムが、無機微粒子を含有するシンジオ
タクチック構造のスチレン系重合体組成物からなる層と
無機微粒子を含有しないシンジオタクチック構造のスチ
レン系重合体又はその組成物からなる層を有する積層体
である請求項１又は２に記載の磁気ディスク。