JP2010283016A - 半導体パッケージの製造方法及び切断装置 - Google Patents
半導体パッケージの製造方法及び切断装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010283016A JP2010283016A JP2009133132A JP2009133132A JP2010283016A JP 2010283016 A JP2010283016 A JP 2010283016A JP 2009133132 A JP2009133132 A JP 2009133132A JP 2009133132 A JP2009133132 A JP 2009133132A JP 2010283016 A JP2010283016 A JP 2010283016A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cutting
- workpiece
- resin
- stage
- cut
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】リードフレーム70上に第一の樹脂88及び第二の樹脂85を順に積層したワークを個片化して形成される半導体パッケージの製造方法であって、ワークの第一の主面側から第二の樹脂85と第一の樹脂88の少なくとも一部とを切削刃71を用いて切削する工程と、切削後のワークを反転させる工程と、ワークの第一の主面とは反対側の第二の主面側からリードフレーム70と第一の樹脂88の残りの一部とを切削刃73を用いて切削する工程とを有する。
【選択図】図3
Description
ところが、このようなワークを半導体素子の実装面側から切削しようとすると、リードフレームの切削時にバリが発生する。リードフレームにこのようなバリが生じていると、個片化した半導体パッケージを基板に実装する際に、半田により確実な接続ができないおそれがあり、実装不良の要因となりうる。一方、ワークを半導体素子の実装面とは反対側の面から切削しようとすると、二次成形樹脂を構成する透明樹脂は柔らかいため切削時に、この樹脂が伸びてしまう。このため、弾性のある二次成形樹脂を切断する際に樹脂が伸びて一次成形樹脂から剥離してしまい、ワークに伸びや剥がれのような不具合を発生させずに切断することができない。また、上述の特許文献1のように、リードフレームの切断部に樹脂を形成しようとすると、樹脂を形成するための工程が必要となるためコストが増加する。
第二の切削部では、リードフレーム70と第一の樹脂88(リフレクタ樹脂)の残りの一部とが切削刃73(又は切削刃74)を用いて切削される。切削刃73、74はレジン又は金属からなり、その厚さt2が例えば0.3〜0.5mmの比較的厚い刃が用いられる。切削刃73、74によるワーク10bの切削の際には、ステージ33は、例えば5mm/sec程度の送り速度で移動する。
10a、10b ワーク
11 個片化ワーク(半導体パッケージ)
32、33、34 ステージ
35、36、37 反転ユニット
71、72、73、74 切削刃
100 供給部
200、201、202 切削部
300 収納部
Claims (5)
- リードフレーム上に第一の樹脂及び第二の樹脂を順に積層したワークを個片化して形成される半導体パッケージの製造方法であって、
前記ワークの第一の主面側から前記第二の樹脂と前記第一の樹脂の少なくとも一部とを第一の切削刃を用いて切削する工程と、
前記ワークを反転させる工程と、
前記ワークの前記第一の主面とは反対側の第二の主面側から前記リードフレームと前記第一の樹脂の残りの一部とを第二の切削刃を用いて切削する工程と、を有することを特徴とする半導体パッケージの製造方法。 - 前記第一の樹脂は、前記リードフレーム上に実装されたLEDから射出した光のリフレクタとして用いられ、シリカ及び酸化チタンを含有するシリコーン樹脂であり、
前記第二の樹脂は、前記LEDから射出した光のレンズとして用いられる透明シリコーン樹脂であることを特徴とする請求項1記載の半導体パッケージの製造方法。 - 前記第一の切削刃の厚さは、前記第二の切削刃よりも薄いことを特徴とする請求項1又は2記載の半導体パッケージの製造方法。
- リードフレーム上に第一の樹脂及び第二の樹脂を順に積層したワークを個片化する切断装置であって、
前記ワークの第一の主面側から前記第二の樹脂と前記第一の樹脂の少なくとも一部とを切削する第一の切削刃と、
前記ワークを反転させる反転ユニットと、
前記ワークの前記第一の主面とは反対側の第二の主面側から前記リードフレームと前記第一の樹脂の残りの一部とを切削する第二の切削刃と、を有することを特徴とする切断装置。 - 前記第一の切削刃及び前記第二の切削刃にて個片化された複数の半導体パッケージを搬送するオフローダを更に有することを特徴とする請求項4記載の切断装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009133132A JP5173940B2 (ja) | 2009-06-02 | 2009-06-02 | 半導体パッケージの製造方法及び切断装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009133132A JP5173940B2 (ja) | 2009-06-02 | 2009-06-02 | 半導体パッケージの製造方法及び切断装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010283016A true JP2010283016A (ja) | 2010-12-16 |
JP5173940B2 JP5173940B2 (ja) | 2013-04-03 |
Family
ID=43539544
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009133132A Expired - Fee Related JP5173940B2 (ja) | 2009-06-02 | 2009-06-02 | 半導体パッケージの製造方法及び切断装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5173940B2 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011115875A (ja) * | 2009-12-02 | 2011-06-16 | Apic Yamada Corp | 切断装置及び切断方法 |
JP2014216622A (ja) * | 2013-04-30 | 2014-11-17 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
KR20160122427A (ko) * | 2015-04-14 | 2016-10-24 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 어레이의 분리 장치 |
JP2017005247A (ja) * | 2015-06-09 | 2017-01-05 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法及び発光装置 |
JP2018207005A (ja) * | 2017-06-07 | 2018-12-27 | シチズン電子株式会社 | 発光装置及びその製造方法並びに面状ライトユニット |
JP2021052044A (ja) * | 2019-09-24 | 2021-04-01 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001118865A (ja) * | 1999-10-19 | 2001-04-27 | Japan Rec Co Ltd | 光電子部品の製造方法 |
JP2007189116A (ja) * | 2006-01-16 | 2007-07-26 | Towa Corp | 光素子の樹脂封止成形方法 |
JP2007311378A (ja) * | 2006-05-16 | 2007-11-29 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
-
2009
- 2009-06-02 JP JP2009133132A patent/JP5173940B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001118865A (ja) * | 1999-10-19 | 2001-04-27 | Japan Rec Co Ltd | 光電子部品の製造方法 |
JP2007189116A (ja) * | 2006-01-16 | 2007-07-26 | Towa Corp | 光素子の樹脂封止成形方法 |
JP2007311378A (ja) * | 2006-05-16 | 2007-11-29 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011115875A (ja) * | 2009-12-02 | 2011-06-16 | Apic Yamada Corp | 切断装置及び切断方法 |
JP2014216622A (ja) * | 2013-04-30 | 2014-11-17 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
KR20160122427A (ko) * | 2015-04-14 | 2016-10-24 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 어레이의 분리 장치 |
KR102310646B1 (ko) * | 2015-04-14 | 2021-10-08 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 어레이의 분리 장치 |
JP2017005247A (ja) * | 2015-06-09 | 2017-01-05 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法及び発光装置 |
JP2018207005A (ja) * | 2017-06-07 | 2018-12-27 | シチズン電子株式会社 | 発光装置及びその製造方法並びに面状ライトユニット |
JP2021052044A (ja) * | 2019-09-24 | 2021-04-01 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
JP7376775B2 (ja) | 2019-09-24 | 2023-11-09 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5173940B2 (ja) | 2013-04-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102047035B1 (ko) | 다이 본딩 장치 | |
JP5173940B2 (ja) | 半導体パッケージの製造方法及び切断装置 | |
KR100506109B1 (ko) | 접착성 테이프의 박리 기구, 접착성 테이프의 박리 장치,접착성 테이프의 박리 방법, 반도체 칩의 픽업 장치,반도체 칩의 픽업 방법, 반도체 장치의 제조 방법 및반도체 장치의 제조 장치 | |
CN107533965B (zh) | 吸附机构、吸附方法、制造装置及制造方法 | |
JP2005332982A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
TW200426954A (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
JP2000164534A (ja) | ウェ―ハの分離装置及び方法 | |
KR102654506B1 (ko) | 웨이퍼 분리 방법 및 웨이퍼 분리 장치 | |
JP5533695B2 (ja) | 半導体チップの製造方法および半導体チップの実装方法 | |
TWI726230B (zh) | 保持構件、保持構件的製造方法、保持機構以及製品的製造裝置 | |
JP2019160948A (ja) | ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法 | |
KR20060044663A (ko) | 초박 칩의 제조 프로세스 및 제조장치 | |
JP6849468B2 (ja) | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 | |
JP5129002B2 (ja) | 加工装置 | |
CN107068606A (zh) | 加工装置 | |
JP2008159724A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP6579929B2 (ja) | 加工装置 | |
JP2011181936A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
TWI747296B (zh) | 法蘭盤端面修正裝置、切斷裝置、法蘭盤端面修正方法以及切斷品的製造方法 | |
JP2013219245A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
WO2022113574A1 (ja) | 切断装置及び切断品の製造方法 | |
KR101288544B1 (ko) | 세라믹 패키지 싱귤레이션 시스템 및 싱귤레이션 방법 | |
KR100327759B1 (ko) | 반도체 장비용 마운터장치 | |
TWI810693B (zh) | 切斷裝置以及切斷品的製造方法 | |
JP2008066731A (ja) | 半導体パッケージ処理装置及びその制御方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120508 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121031 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121106 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121207 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121225 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121227 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160111 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |