KR100757825B1 - 발광 다이오드 제조방법 - Google Patents

발광 다이오드 제조방법 Download PDF

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KR100757825B1
KR100757825B1 KR1020060077701A KR20060077701A KR100757825B1 KR 100757825 B1 KR100757825 B1 KR 100757825B1 KR 1020060077701 A KR1020060077701 A KR 1020060077701A KR 20060077701 A KR20060077701 A KR 20060077701A KR 100757825 B1 KR100757825 B1 KR 100757825B1
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최혁중
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서울반도체 주식회사
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Abstract

발광 다이오드 제조방법이 개시된다. 이 방법은 기판을 준비하고, 상기 기판 상에 발광칩들을 실장하는 단계들을 포함한다. 상기 기판상에 중간 플레이트가 위치된다. 상기 중간 플레이트는 발광칩들을 수용하는 관통홀들 및 그 상부면 상에 상기 관통홀들을 연결하는 그루브들을 갖는다. 상기 그루브들을 런너로 이용하여 투명 몰딩제로 트랜스퍼 몰딩함으로써 상기 관통홀들을 채우는 제1 몰딩부들이 형성된다. 그 후, 상기 중간 플레이트가 제거되고, 개별 발광 다이오드로 분리된다. 이에 따라, 트랜스퍼 몰딩에 의해 형성된 제1 몰딩부들이 기판의 절단면 내부에 위치하는 발광 다이오드를 제공할 수 있으며, 또한 상기 제1 몰딩부들이 기판의 절단면 내부에 위치하므로, 상기 제1 몰딩부의 측면들 상에 대칭적인 제2 몰딩부들을 다양하게 형성할 수 있다.
발광 다이오드, 트랜스퍼 몰딩, 몰드 다이(mold die), 중간 플레이트(middle plate), 런너(runner)

Description

발광 다이오드 제조방법{MANUFACTURING METHOD OF LIGHT EMITTING DIODE}
도 1 내지 도 3은 종래의 칩형 발광 다이오드를 제조하는 방법을 설명하기 위한 도면들로, 도 1 및 도 2에서 (a)는 평면도를, (b)는 단면도를 나타내고, 도 3은 종래의 칩형 발광 다이오드의 사시도이다.
도 4 내지 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드를 제조하는 방법을 설명하기 위한 도면들로, 각 도면들에 있어서, (a)는 평면도를, (b)는 단면도를 나타낸다.
도 10 내지 도 12는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드를 제조하는 방법을 설명하기 위한 도면들로, 도 11에서 (a)는 평면도를, (b)는 단면도를 나타낸다.
도 13 및 도 14는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드를 제조하는 방법을 설명하기 위한 단면도 및 사시도이다.
도 15 및 도 16은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드를 제조하는 방법을 설명하기 위한 단면도 및 사시도이다.
*도면의 주요 부분에 대한 설명*
11, 31 : 인쇄회로기판 12, 32 : 발광칩,
13, 33 : 와이어 14 : 몰딩부,
34 : 제1 몰딩부, 35, 65, 75 : 제2 몰딩부,
41: 중간 플레이트, 43 : 그루브,
44 : 관통홀, 51, 53: 몰드 다이
본 발명은 발광 다이오드(LED) 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 종래의 제조 방법을 개선하여 백라이트용 광원으로 사용하기에 적절한 발광 다이오드 제조방법에 관한 것이다.
백라이트 광원용 발광 다이오드 제조방법으로, 인쇄회로기판 또는 리드프레임 상에 발광칩을 실장하고, 상기 발광칩을 봉지하는 몰딩부를 트랜스퍼 몰딩에 의해 형성하는 방법이 사용되어 왔다. 도 1 내지 도 3은 이러한 종래의 칩형 발광 다이오드 제조방법을 설명하기 위한 도면들로, 도 1 및 도 2에서 (a)는 평면도를, (b)는 단면도를 나타내고, 도 3은 종래의 칩형 발광 다이오드의 사시도를 나타낸다
도 1을 참조하면, 인쇄회로기판 또는 리드프레임과 같은 기판(11) 상에 발광칩들(12)이 실장된다. 상기 기판(11)은 리드전극들(도시하지 않음)을 가지며, 상기 발광칩들은 와이어(13)를 통해 리드전극들에 전기적으로 연결된다.
도 2를 참조하면, 상기 발광칩들(12)이 실장된 기판(11)을 몰드 다이(도시하지 않음) 내에 위치시킨 후, 트랜스퍼 몰딩에 의해 몰딩부(14)가 형성된다. 통상 상기 몰드 다이는 몰딩제가 흘러갈 수 있는 런너(runner)를 가지며, 발광칩들은 상 기 런너 내에 위치된다. 이에 따라, 도시된 바와 같이, 몰딩부들(14)이 발광칩들의 열을 따라 형성된다. 그 후, 상기 기판(11)을 소잉(sawing)하여 분리함으로써 도 3에 도시된 바와 갚은 개별 발광 다이오드들이 완성된다.
종래 기술에 따르면, 트랜스퍼 몰딩 기술을 사용하여 몰딩부(14)를 형성함으로써 칩형 발광 다이오드들을 대량 생산할 수 있으며, 몰딩시간이 짧아 무기 형광체와 같이 비중이 큰 물질이 몰딩부(14) 내에 균일하게 분산될 수 있는 장점이 있다.
그러나, 발광칩(12)을 봉지하는 몰딩부(14)가 투명하기 때문에, 발광칩(12)에서 방출된 광은 몰딩부(14)의 전면을 통해 외부로 방출된다. 따라서, 광의 지향각이 넓어 요구되는 지향각 내의 발광 광도가 낮고, 백라이팅에 사용되지 못하고 소실되는 광이 많은 단점이 있다. 또한, 도 3에 도시된 바와 같이, 양측면에서 기판의 절단면과 몰딩부의 절단면이 일치하기 때문에, 상기 몰딩부(14)의 절단면 상에 제2 몰딩부를 형성할 수 없는 단점이 있다.
한편, 요구되는 지향각 내의 발광 광도를 향상시키기 위해, 기판 상에 리플렉터(reflector)를 부착하거나, 불투명 합성 수지를 사출성형하여 리플렉터를 형성한 후, 발광칩을 실장하고, 상기 리플렉터 내부에 투명 몰딩부를 형성하는 리플렉터 타입 발광 다이오드 제조방법이 사용되고 있다.
이러한 리플렉터 타입 발광 다이오드 제조방법은 요구되는 지향각 내의 발광 광도를 향상시킬 수 있는 장점이 있다. 그러나, 투명 몰딩부를 트랜스퍼 몰딩에 의해 형성하는 것이 어려워, 액상 수지를 리플렉터 내에 포팅하는 방법이 주로 사용 되고 있다. 액상 수지를 사용하는 방법은, 리플렉터 내에 액상수지를 일일이 포팅해야 하므로 생산성이 떨어지고, 몰딩시간이 오래 걸려 비중이 큰 형광체가 침전하기 때문에 형광체가 균일하게 분산된 몰딩부를 제공하기 어렵다. 또한, 리플렉터 부착 또는 사출성형에 의한 리플렉터 형성 기술은 발광 다이오드의 두께를 감소시키는데 한계가 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 트랜스퍼 몰딩에 의해 형성된 제1 몰딩부가 기판의 절단면 내에 위치하는 발광 다이오드 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는, 제1 몰딩부의 측면들 상에 대칭적인 제2 몰딩부를 갖는 발광 다이오드 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 또 다른 기술적 과제는, 요구되는 지향각 내의 발광광도를 향상시킬 수 있는 발광 다이오드 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 또 다른 기술적 과제는, 리플렉터를 갖되, 발광 다이오드의 두께 증가를 방지할 수 있는 발광 다이오드 제조방법을 제공하는 것이다.
상기 기술적 과제들을 해결하기 위하여, 본 발명의 일 태양에 따른 발광 다이오드 제조방법은 기판을 준비하는 단계를 포함한다. 상기 기판 상에 발광칩들이 실장되고, 상기 기판 상에 중간 플레이트가 위치된다. 상기 중간 플레이트는 발광칩들을 수용하는 관통홀들 및 그 상부면 상에 상기 관통홀들을 연결하는 그루브들 을 갖는다. 그 후, 상기 그루브들을 런너로 이용하여 투명 몰딩제로 트랜스퍼 몰딩함으로써 상기 관통홀들을 채우는 제1 몰딩부들이 형성된다. 이어서, 상기 중간 플레이트가 제거되고, 개별 발광 다이오드로 분리된다. 이에 따라, 상기 제1 몰딩부들이 중간 플레이트의 관통홀들 내에 형성되므로, 제1 몰딩부가 기판의 절단면 내에 위치하는 발광 다이오드를 제공할 수 있다.
한편, 상기 투명 몰딩제는 형광체 분말을 함유할 수 있다. 따라서, 형광체 분말을 함유하고 있는 투명 몰딩제로 트랜스퍼 몰딩함으로써 제1 몰딩부들이 형성되므로, 형광체가 제1 몰딩부들 내에 침전하는 것을 방지할 수 있다.
상기 발광칩들이 실장되기 전에 상기 중간 플레이트가 먼저 상기 기판 상에 위치될 수 있다. 그 후, 상기 중간 플레이트의 관통홀들 내에 상기 발광칩들이 실장된다.
한편, 본 발명의 실시예들에 있어서, 상기 중간 플레이트가 제거된 후에, 상기 제1 몰딩부들의 적어도 측면들을 둘러싸는 제2 몰딩부들이 형성될 수 있다.
몇몇 실시예들에 있어서, 상기 제2 몰딩부들은 불투명한 몰딩제로 몰딩함으로써 상기 제1 몰딩부들을 덮고, 상기 제1 몰딩부들의 상부면들이 노출될 때까지 상기 불투명한 몰딩제를 제거함으로써 형성될 수 있다. 이와 달리, 상기 제2 몰딩부들은 상기 제1 몰딩부들 사이의 공간을 채우나 그 상부면들을 노출시키도록 불투명한 몰딩제로 몰딩함으로써 형성될 수 있다. 불투명 몰딩제로 형성된 제2 몰딩부들은 리플렉터로서 작용하여 요구되는 지향각 내의 발광 광도를 향상시킨다. 이러한 제2 몰딩부들은 제1 몰딩부들의 높이와 동일하게 형성되므로, 발광 다이오드의 두께 증가를 방지할 수 있다.
몇몇 실시예들에 있어서, 상기 제2 몰딩부들은 상기 제1 몰딩부들의 상부면들을 각각 덮는 렌즈부들을 갖도록 투명 몰딩제로 몰딩될 수 있다. 상기 렌즈부들은 발광칩에서 방출된 광을 요구되는 지향각 내로 집광함으로써 발광광도를 향상시킨다.
한편, 상기 제1 몰딩부들의 적어도 측면들을 둘러싸는 상기 제2 몰딩부들은 서로 이격되어 형성될 수 있다. 이에 더하여, 상기 제2 몰딩부들은 상기 제1 몰딩부들의 상부면들을 덮고, 형광체들을 함유할 수 있다. 이에 따라, 형광체들을 함유하는 제2 몰딩부가 상기 제1 몰딩부 상에 균일하게 형성된 발광 다이오드를 제공할 수 있다. 이러한 제2 몰딩부들은 상기 제1 몰딩부들을 수용하는 관통홀들을 갖는 새로운 중간 플레이트를 사용함으로써 형성될 수 있다.
본 발명의 다른 태양에 따른 발광 다이오드 제조방법은 기판을 준비하는 단계를 포함한다. 상기 기판 상에 발광칩들이 실장되고, 상기 발광칩들을 각각 덮는 투명한 제1 몰딩부들이 형성된다. 그 후, 상기 제1 몰딩부들의 측면들을 덮는 불투명한 제2 몰딩부들이 형성되고, 개별 발광 다이오드로 분리된다. 이에 따라, 두께 증가를 방지하면서 요구되는 지향각 내의 발광광도를 향상시킬 수 있는 발광 다이오드를 제조할 수 있다.
상기 제2 몰딩부들은 불투명 몰딩제로 몰딩함으로써 상기 제1 몰딩부들을 덮고, 상기 제1 몰딩부들의 상부면들이 노출될 때까지 상기 불투명 몰딩제를 제거함으로써 형성될 수 있다. 이와 달리, 상기 제2 몰딩부들은 상기 제1 몰딩부들 사이 의 공간을 채우나 그 상부면들을 노출시키도록 불투명 몰딩제로 몰딩함으로써 형성될 수 있다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 4 내지 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드를 제조하는 방법을 설명하기 위한 도면들로, 각 도면들에 있어서, (a)는 평면도를, (b)는 단면도를 나타낸다.
도 4를 참조하면, 인쇄회로기판 또는 리드프레임과 같은 기판(31) 상에 발광칩들(32)이 실장된다. 상기 발광칩들(32)은 통상적으로, 도시된 바와 같이, 매트릭스 형태로 정렬된다. 상기 기판(31)은 리드전극들(도시하지 않음)을 가지며, 상기 발광칩들은 와이어(33)를 통해 리드전극들에 전기적으로 연결된다. 상기 발광칩(32)은, 도시된 바와 같이, 그것의 전극들 중 하나에 와이어(33) 하나가 본딩되는 1본딩 다이일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 두개의 전극들 각각에 와이어(33)가 본딩되는 2본딩 다이이거나, 와이어(33) 없이 기판의 리드전극들에 전기적으로 연결되는 플립칩일 수 있다.
도 5를 참조하면, 상기 발광칩들(32)이 실장된 기판(31) 상에 중간 플레이 트(41)가 위치된다. 상기 중간 플레이트(41)는 상기 발광칩들(32)을 수용하는 관통홀들(44)을 가지며, 상기 관통홀들을 연결하는 그루브들(43)을 그 상부면 상에 갖는다. 따라서, 상기 발광칩들(32)은 상기 중간 플레이트(41)의 관통홀들 내에 각각 위치한다.
상기 중간 플레이트(41)는 트랜스퍼 몰딩 동안 변형되지 않으면 그 재료에 제한이 없다. 또한, 상기 관통홀들(44)은 사각 기둥의 형상을 취하는 것으로 도시되어 있으나, 목적에 따라 예컨대, 사각뿔대, 원형뿔대 등의 다양한 형상을 취할 수 있다. 또한, 상기 그루브들(43)은 도시한 바와 같이 관통홀들(44)을 열 단위로 연결할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 다양한 방식으로 연결할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 발광칩들(32)을 실장한 후, 중간 플레이트(41)를 위치시키는 것으로 설명하지만, 그 순서는 서로 변경될 수 있다. 즉, 중간 플레이트(41)를 기판(31) 상에 위치시킨 후, 상기 관통홀들(44) 내에 발광칩들(32)을 실장할 수도 있다.
도 6을 참조하면, 기판(31)을 하부 몰드 다이(51)와 상부 몰드 다이(53) 사이에 위치시키고, 상기 중간 플레이트(41)의 그루브들(43)을 런너(runner)로 이용하여 투명 몰딩제, 예컨대 에폭시 또는 실리콘(silocone) 수지로 트랜스퍼 몰딩함으로써 제1 몰딩부(34)가 형성된다.
종래의 발광 다이오드 제조방법과 달리, 상기 상부 몰드 다이(53)는 런너를 가지지 않을 수 있으므로, 하부면이 평평한 면일 수 있다. 상기 투명 몰딩제는 중간 플레이트(41)의 그루브들(43)을 따라 중간 플레이트(41) 상부로 흘러 들어가고, 상기 관통홀들(44)을 채운다. 그 후, 상기 투명 몰딩제는 경화되어 제1 몰딩부(34)가 형성된다.
투명 몰딩제는 확산제나 형광체들을 함유할 수 있으며, 트랜스퍼 몰딩에 의해 제1 몰딩부(34)가 형성되므로, 형광체들이 고르게 분산된 제1 몰딩부(34)들을 형성할 수 있다. 형광체의 종류는 발광칩(32)의 광을 요구되는 파장의 광으로 변환시키기 위해 적절히 선택될 수 있다.
도 7을 참조하면, 상기 몰딩 다이들(51, 53)로부터 기판(31)을 들어낸 상태를 나타낸다. 상기 기판(31) 상에는 여전히 중간 플레이트(41)가 위치하며, 상기 중간 플레이트(41)의 관통홀들(44)은 제1 몰딩부(34)에 의해 채워져 있다. 또한, 상기 중간 플레이트(41)의 그루브들(43) 내에도 잔존하는 몰딩부들(34a)이 채워져 있다.
도 8을 참조하면, 상기 기판(31)으로부터 중간 플레이트(41)가 제거된다. 이에 따라, 상기 중간 플레이트(41)의 그루브들(43) 내에 채워진 몰딩부들(34a)도 함께 제거된다. 상기 몰딩부들(34a)을 관통홀들(44) 내의 제1 몰딩부들(34)로부터 쉽게 분리하기 위해 다양한 수단들이 채택될 수 있다. 예컨대, 상기 그루브(43)와 관통홀(44)이 만나는 부분에서 그루브(43)의 폭 또는 높이를 감소시킴으로써 몰딩부들(34a)이 제1 몰딩부들(34)로부터 쉽게 분리되게 할 수 있다.
도 9를 참조하면, 상기 기판(31)을 소잉(sawing)함으로써 개별 발광 다이오드로 분리된다. 소잉 공정은 블레이드 또는 레이저를 사용하여 수행할 수 있다. 소잉 공정 후에는 절단면을 세정한다. 그 결과, 도시된 바와 같이, 기판(31)의 절단 면 내에 제1 몰딩부들(34)이 위치하는 칩형 발광 다이오드가 완성된다.
본 실시예에 따르면, 상부면 상에 그루브들(43)을 갖는 중간 플레이트(41)를 이용하므로, 런너로 이용된 그루브들(43)을 채우는 몰딩부들(34a)은 중간 플레이트(41)와 함께 제거된다. 따라서, 종래기술과 달리, 제1 몰딩부(34)가 기판(31)의 절단면 내에 위치하는 발광 다이오드가 제조된다.
도 10 내지 도 12는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 제조방법을 설명하기 위한 도면들로, 도 11에서 (a)는 평면도를, (b)는 단면도를 나타내고, 도 10 및 도 12는 각각 단면도 및 평면도이다.
도 10을 참조하면, 앞의 도 4 내지 도 8을 참조하여 설명한 바와 같이, 중간 플레이트(41)를 사용하여 기판(31) 상에 발광칩들(32)을 각각 덮는 제1 몰딩부들(34)을 형성하고, 중간 플레이트(41)를 제거한다. 이어서, 불투명 몰딩제를 도포하여 제1 몰딩부들(34)이 형성된 기판(31)을 덮는 제2 몰딩부들(35)을 형성한다. 불투명 몰딩제는 상기 제1 몰딩부들(34) 사이의 공간을 채우며, 상기 제1 몰딩부들(34)을 덮는다.
불투명 몰딩제로는 PPA와 같은 불투명 내열성 수지 또는 TiO2가 혼합된 백색 에폭시 수지가 사용될 수 있다. 불투명 몰딩제는 다양한 방법, 예컨대 스크린 인쇄, 트랜스퍼 몰딩 또는 인젝션 몰딩 방법에 의해 몰딩될 수 있으며, 열 뿐만아니라 자외선(UV)에 의해 경화될 수 있다.
도 11을 참조하면, 상기 제1 몰딩부들(34)의 상부면들이 노출될 때 까지, 폴 리싱 가공 등에 의해 상기 불투명 몰딩제를 제거한다. 그 결과, 제2 몰딩부들(35)은 제1 몰딩부들(34)의 측면들을 덮고 그 상부면을 노출시킨다.
본 실시예에 있어서, 상기 제2 몰딩부들(35)은, 불투명 몰딩제로 상기 제1 몰딩부들(34)을 덮은 후, 그 일부를 제거함으로써, 제1 몰딩부들(34)의 측면들을 덮도록 형성된다.
그러나, 다른 실시예들에 있어서, 불투명 몰딩제가 제1 몰딩부들(34)의 상부면들을 덮지 않도록 도포될 수 있으며, 이 경우 불투명 몰딩제의 일부를 제거하는 공정, 예컨대 폴리싱 공정은 생략될 수 있다. 이러한 방법은, 예컨대 상부 몰드 다이가 상기 제1 몰딩부들(34)의 상부면들에 접촉하도록 기판(31)을 몰드 다이들 내에 배치한 후, 트랜스퍼 몰딩 또는 인젝션 몰딩에 의해 제2 몰딩부들(35)을 형성함으로써 실현될 수 있다.
도 12을 참조하면, 상기 제2 몰딩부들(35)이 형성된 기판을 소잉(sawing) 하여 개별 발광 다이오드로 분리한다. 이에 따라, 제1 몰딩부(34)의 측면들을 대칭적으로 둘러싸는 불투명 몰딩제의 제2 몰딩부(35)를 갖는 발광 다이오드가 제조된다.
상기 제2 몰딩부(35)는 종래의 리플렉터로서 이용될 수 있으며, 따라서 요구되는 지향각 내의 발광 광도를 향상시킬 수 있다. 또한, 제2 몰딩부(35)는 제1 몰딩부(34)와 동일한 높이를 가지므로, 제2 몰딩부(35)를 채택하여도 발광 다이오드의 두께가 증가되지 않는다.
한편, 종래의 리플렉터를 채택하는 발광 다이오드는 리플렉터의 형상 및 고 온에 약한 리플렉터 재질에 기인하여 트랜스퍼 몰딩에 의해 투명 몰딩부를 형성하는 것이 어려웠다. 그러나, 본 실시예에 따르면, 제1 몰딩부(34)를 형성한 후에 제2 몰딩부(35)를 형성하기 때문에, 제2 몰딩부의 재질 및 형상에 제한되지 않고, 제1 몰딩부를 트랜스퍼 몰딩에 의해 형성할 수 있다.
또한, 본 실시예에 있어서, 관통홀들(44) 및 그루브들(43)을 갖는 중간 플레이트(41)를 채택하여 트랜스퍼 몰딩에 의해 제1 몰딩부들(34)을 형성하는 것으로 설명하였으나, 제1 몰딩부들(34)은 트랜스퍼 몰딩 이외에 다양한 방법, 예컨대 종래의 스크린 인쇄, 인젝션 몰딩 등에 의해 형성될 수도 있다.
한편, 상기 제2 몰딩부(35)는 발광칩(32)에서 방출된 광을 요구되는 지향각 내로 반사시키도록 일정한 경사면을 가질 수 있다. 본 실시예에 있어서, 제2 몰딩부(35)의 경사면은 제1 몰딩부(34)의 측면을 따라 형성되며, 제1 몰딩부(34)의 측면은 중간 플레이트(41)의 관통홀(44)의 형상에 의해 결정된다. 따라서, 관통홀(44)의 형상을 적절히 조절함으로써 제2 몰딩부(35)의 경사면을 제어할 수 있다.
도 13 및 도 14는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 제조 방법을 설명하기 위한 단면도 및 사시도이다.
도 13을 참조하면, 앞의 도 4 내지 도 8을 참조하여 설명한 바와 같이, 중간 플레이트(41)를 사용하여 기판(31) 상에 발광칩들(32)을 각각 덮는 제1 몰딩부들(34)을 형성하고, 중간 플레이트(41)를 제거한다. 이어서, 발광칩들(32)의 위치에 대응하는 렌즈 형상의 오목부들을 갖는 몰드 다이들 내에 기판(31)을 위치시키고, 투명 몰딩제로 몰딩하여 제2 몰딩부들(65)을 형성한다.
상기 제2 몰딩부들(65)은 트랜스퍼 몰딩 또는 인젝션 몰딩에 의해 형성될 수 있으며, 그 결과, 도 13에 도시된 바와 같이, 제1 몰딩부들을 덮고, 그 상부에 렌즈부를 갖는 제2 몰딩부들(65)이 형성된다.
도 14를 참조하면, 상기 제2 몰딩부들(65)이 형성된 기판을 소잉(sawing) 하여 개별 발광 다이오드로 분리한다. 이에 따라, 제1 몰딩부(34)의 측면들을 대칭적으로 둘러싸며, 상기 제1 몰딩부(34)의 상부를 렌즈 형상으로 덮는 제2 몰딩부(65)를 갖는 발광 다이오드가 제조된다. 상기 제2 몰딩부(65)의 렌즈부는 발광칩(32)에서 방출된 광을 요구되는 지향각 내로 집광함으로써 발광 광도를 향상시킨다.
상기 제2 몰딩부(65)는 제1 몰딩부(34)와 동일한 재료, 예컨대 에폭시 또는 실리콘 수지로 형성될 수 있다.
도 15 및 도 16은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 제조방법을 설명하기 위한 단면도 및 사시도이다.
도 15를 참조하면, 앞의 도 4 내지 도 8을 참조하여 설명한 바와 같이, 중간 플레이트(41)를 사용하여 기판(31) 상에 발광칩들(32)을 각각 덮는 제1 몰딩부들(34)을 형성하고, 중간 플레이트(41)를 제거한다. 이어서, 상기 제1 몰딩부들(34)을 각각 덮는 제2 몰딩부들(75)을 형성한다.
상기 제2 몰딩부들(75)은 상기 제1 몰딩부들(34)을 수용하는 관통홀들을 갖는 중간 플레이트(도시하지 않음)를 사용하여 스크린 인쇄, 트랜스퍼 몰딩 또는 인젝션 몰딩에 의해 형성될 수 있다.
상기 중간 플레이트는 도 5를 참조하여 설명한 중간 플레이트(41)와 동일한 형상의 관통홀들 및 그루브들을 가질 수 있으며, 다만 중간 플레이트(41)의 관통홀들(44)에 비해 더 큰 관통홀들을 갖는다. 다만, 몰딩 방법에 따라, 그루브들이 반드시 필요한 것은 아니므로, 상기 중간 플레이트는 제1 몰딩부들(34)을 수용하는 관통홀들만을 가질 수도 있다.
상기 중간 플레이트의 관통홀들의 크기를 조절함으로써, 상기 제2 몰딩부들(75)의 두께를 조절할 수 있으며, 상기 제1 몰딩부들(34)을 균일한 두께로 덮도록 제2 몰딩부들(75)을 형성할 수 있다.
도 16을 참조하면, 상기 제2 몰딩부들(75)이 형성된 기판을 소잉(sawing) 하여 개별 발광 다이오드로 분리한다. 이에 따라, 제1 몰딩부(34)의 측면들을 대칭적으로 둘러싸며, 상기 제1 몰딩부(34)의 상부를 균일하게 덮는 제2 몰딩부(75)를 갖는 발광 다이오드가 제조된다. 상기 제2 몰딩부(75)는 제1 몰딩부(34)의 측면들 및 상부면 상에 균일한 두께로 형성될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1 몰딩부(34) 또는 상기 제2 몰딩부(75)는 형광체들을 함유할 수 있으며, 특히 상기 제2 몰딩부(75) 내에 형광체들이 분산된 경우, 발광칩(32)에서 방출된 광을 균일하게 파장 변환시킬 수 있다. 이에 더하여, 상기 제1 몰딩부(34) 및 상기 제2 몰딩부(75)는 형광체들을 각각 함유할 수 있으며, 예컨대 상기 제1 몰딩부(34) 내에 적색 형광체들, 상기 제2 몰딩부(75) 내에 녹색 형광체들이 함유시키어 백색 발광 다이오드를 제공할 수 있다. 이 경우, 상기 제1 몰딩부(34)의 적색 형광체에 의해 파장변환된 광은 상기 제2 몰딩부 내의 녹색 형광체들에 의해 흡수되지 않고 외부로 방출되므로, 광 손실을 방지할 수 있 다. 이와 반대로, 상기 제1 몰딩부(34) 내에 녹색 형광체들을, 상기 제2 몰딩부(75) 내에 적색 형광체들을 함유시킬 수도 있다. 이 경우, 상기 녹색 형광체들에 의해 파장변환된 광은 다시 상기 적색 형광체들에 의해 적색으로 파장변환될 수 있으며, 이에 따라 적색광의 광량을 증가시킬 수 있다.
본 발명에 따르면, 트랜스퍼 몰딩에 의해 형성된 제1 몰딩부가 기판의 절단면 내에 위치하는 발광 다이오드를 제조할 수 있으며, 이에 따라 상기 제1 몰딩부의 측면들 상에 대칭적으로 제2 몰딩부를 형성할 수 있다. 따라서, 리플렉터 기능을 갖는 제2 몰딩부를 형성하거나, 렌즈부를 갖는 제2 몰딩부를 형성함으로써, 요구되는 지향각 내의 발광광도를 향상시킬 수 있다. 또한, 리플렉터 기능을 갖는 제2 몰딩부를 채택할 경우, 종래의 칩형 발광 다이오드에 비해 발광 다이오드의 두께가 증가하는 것을 방지할 수 있으며, 요구되는 지향각 내의 발광 광도를 현저히 증가시킬 수 있다.

Claims (11)

  1. 기판을 준비하고,
    상기 기판 상에 발광칩들을 실장하고,
    상기 기판 상에 중간 플레이트를 위치시키되, 상기 중간 플레이트는 발광칩들을 수용하는 관통홀들 및 그 상부면 상에 상기 관통홀들을 연결하는 그루브들을 갖고,
    상기 그루브들을 런너로 이용하여 투명 몰딩제로 트랜스퍼 몰딩함으로써 상기 관통홀들을 채우는 제1 몰딩부들을 형성하고,
    상기 중간 플레이트를 제거하고,
    개별 발광 다이오드로 분리하는 단계들을 포함하는 발광 다이오드 제조방법.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 투명 몰딩제는 형광체 분말을 함유하는 발광 다이오드 제조방법.
  3. 청구항 1에 있어서, 상기 발광칩들을 실장하는 단계 전에 상기 중간 플레이트를 위치시키는 단계가 수행되는 발광 다이오드 제조방법.
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 중간 플레이트를 제거하는 단계 후에, 상기 제1 몰딩부들의 적어도 측면들을 둘러싸는 제2 몰딩부들을 형성하는 단계를 더 포함하는 발광 다이오드 제조방법.
  5. 청구항 4에 있어서, 상기 제2 몰딩부들을 형성하는 단계는,
    불투명 몰딩제로 몰딩함으로써 상기 제1 몰딩부들을 덮고,
    상기 제1 몰딩부들의 상부면들이 노출될 때까지 상기 불투명한 몰딩제를 제거하는 단계들을 포함하는 발광 다이오드 제조방법.
  6. 청구항 4에 있어서, 상기 제2 몰딩부들을 형성하는 단계는,
    상기 제1 몰딩부들 사이의 공간을 채우나 그 상부면들을 노출시키도록 불투명 몰딩제로 몰딩함으로써 수행되는 발광 다이오드 제조방법.
  7. 청구항 4에 있어서, 상기 제2 몰딩부들은 투명 몰딩제로 몰딩되고, 상기 제1 몰딩부들의 상부면들을 각각 덮는 렌즈부들을 갖는 발광 다이오드 제조방법.
  8. 청구항 5 내지 7의 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 몰딩부들은 형광체들을 함유하는 발광 다이오드 제조방법.
  9. 청구항 4에 있어서, 상기 제2 몰딩부들은 서로 이격되어 형성되는 발광 다이오드 제조방법.
  10. 청구항 9에 있어서, 상기 제2 몰딩부들은 상기 제1 몰딩부들의 상부면들을 덮고, 상기 제1 몰딩부들 및 상기 제2 몰딩부들 중 적어도 하나는 형광체들을 함유하는 발광 다이오드 제조방법.
  11. 청구항 9에 있어서, 상기 제2 몰딩부들은 상기 제1 몰딩부들을 수용하는 관통홀들을 갖는 새로운 중간 플레이트를 사용함으로써 형성되는 발광 다이오드 제조방법.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2177337A1 (en) * 2008-10-15 2010-04-21 ASM Technology Singapore Pte Ltd. Optical device molding system
WO2011013923A2 (ko) * 2009-07-28 2011-02-03 한미반도체 주식회사 반도체 패키지 제조용 패키지 집합체
KR101085230B1 (ko) 2011-04-06 2011-11-21 김용일 색온도 조절 가능한 ｌｅｄ 조명 및 그의 제조방법
KR101155968B1 (ko) * 2009-09-28 2012-06-18 선문대학교 산학협력단 엘이디 램프 및 그 제조방법

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100646569B1 (ko) * 2005-12-15 2006-11-15 엘지전자 주식회사 발광 소자 패키지 및 그의 제조 방법
KR20070001512A (ko) * 2005-06-29 2007-01-04 엘지전자 주식회사 발광 소자의 패키지 및 그의 제조 방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070001512A (ko) * 2005-06-29 2007-01-04 엘지전자 주식회사 발광 소자의 패키지 및 그의 제조 방법
KR100646569B1 (ko) * 2005-12-15 2006-11-15 엘지전자 주식회사 발광 소자 패키지 및 그의 제조 방법

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2177337A1 (en) * 2008-10-15 2010-04-21 ASM Technology Singapore Pte Ltd. Optical device molding system
CN101807534B (zh) * 2008-10-15 2013-01-23 先进科技新加坡有限公司 光学器件模塑系统
TWI397464B (zh) * 2008-10-15 2013-06-01 Asm Tech Singapore Pte Ltd 光學器件模塑系統
US9346205B2 (en) 2008-10-15 2016-05-24 Asm Technology Singapore Pte Ltd Optical device molding system
WO2011013923A2 (ko) * 2009-07-28 2011-02-03 한미반도체 주식회사 반도체 패키지 제조용 패키지 집합체
WO2011013923A3 (ko) * 2009-07-28 2011-04-07 한미반도체 주식회사 반도체 패키지 제조용 패키지 집합체
KR101155968B1 (ko) * 2009-09-28 2012-06-18 선문대학교 산학협력단 엘이디 램프 및 그 제조방법
KR101085230B1 (ko) 2011-04-06 2011-11-21 김용일 색온도 조절 가능한 ｌｅｄ 조명 및 그의 제조방법

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