JP2006190814A - 発光素子用の配線基板 - Google Patents

発光素子用の配線基板 Download PDF

Info

Publication number
JP2006190814A
JP2006190814A JP2005001393A JP2005001393A JP2006190814A JP 2006190814 A JP2006190814 A JP 2006190814A JP 2005001393 A JP2005001393 A JP 2005001393A JP 2005001393 A JP2005001393 A JP 2005001393A JP 2006190814 A JP2006190814 A JP 2006190814A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
hole
light emitting
wiring board
blind hole
emitting element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2005001393A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4735941B2 (ja
Inventor
Ryoji Sugiura
良治 杉浦
Masayuki Sakurai
正幸 桜井
Takeshige Ushiyama
雄滋 牛山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Lincstech Circuit Co Ltd
Original Assignee
Hitachi AIC Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi AIC Inc filed Critical Hitachi AIC Inc
Priority to JP2005001393A priority Critical patent/JP4735941B2/ja
Publication of JP2006190814A publication Critical patent/JP2006190814A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4735941B2 publication Critical patent/JP4735941B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors

Abstract

【課題】 複数の発光素子を搭載する非貫通穴と端面電極とする非貫通穴を備え、高い光出力をより変換効率よく得ることが可能な発光素子を搭載するための反射板を備えた配線基板を提供する。
【解決手段】 複数の発光ダイオード30、30を絶縁基板のテーパー形状である非貫通穴11内部に搭載する発光素子は、配線基板にテーパー形状の非貫通穴11が形成され、そのテーパー形状の非貫通穴の底面から裏面に至る厚い金属導体の放熱板12形成され、その内周面及び底部には反射効率の良い反射膜13が形成され、更に、この非貫通穴11の上端の周辺部には、複数の発光素子の電極を電気的に接続するための配線パターン14、14と、端面電極とする第2の非貫通穴11が形成され、この第2の非貫通穴の略中心に沿って切断し端面電極40を形成する配線基板を提供する。
【選択図】 図1

Description

本発明は、配線基板の非貫通穴内部に発光素子を搭載し、各種の表示パネル、液晶表示装置のバックライト、照明装置などの光源として利用することの可能なチップ部品型発光装置とするための発光素子用の配線基板に関する。
従来、チップ部品型のLEDに代表されるチップ部品型発光装置は、表示パネル、液晶表示装置のバックライト、照明装置などの光源として利用されている。なお、かかるチップ部品型発光装置は、近年におけるフラットパネルの用途の拡大に伴って、その適用される用途が更に広がってきている。かかる用途の拡大に伴い、チップ部品型発光装置には、素子自体の発光量の増大と共に、消費電力に対する発光量の増大、換言すれば、光への変換効率の向上が求められており、そして、更には、特に、大量生産に適しており、もって、比較的安価に製造することの可能なチップ部品型発光装置とするための配線基板が求められている。
なお、従来におけるかかるチップ部品型発光装置は、例えば、以下の特許文献1に示すように、一般に、絶縁基板の一部に、貫通穴、又は、テーパ面を備えた穴を形成すると共に、上記の貫通穴の底面に取り付けた金属薄板の上にLEDチップ部品を搭載し、上記底面の金属薄板は配線基板上面の一方の配線パターンに接続し、電気的の接続が必要となっていた。
つまり、底面の金属薄板の上面にLEDチップ部品等の1個のLEDチップ部品を搭載し電気的の接続してチップ部品型発光装置として完成するものである。
特許第3137823号公報
しかしながら、上述した従来技術になるチップ部品型発光装置の実装構造は、各配線基板に対して、例えばLEDチップ部品を、ただ1個を搭載する構造であり、そのため、上述したように、各LEDチップ部品の発光素子の発光量の増大に対応し、発生熱容量が多くなり熱放散に適した構造とはなっていない。
即ち、上記特許文献1により知られる構造では、貫通穴の裏面に取り付けた金属薄板を上面の配線パターンに接続し、その内部に搭載するLEDチップ部品の一方の電極を絶縁基板の裏面の金属薄板の表面にAgペースト等の導電材料で接続すると共に、その他方の電極を、例えば、ワイヤボンディングなどにより、やはり配線基板の一部に形成した他の接続配線パターンに接続する。
しかしながら、Agペースト等の導電材料で電気的な接続すること、この配線基板の裏面には、はんだ付け時の絶縁性を確保するためレジスト層を形成するため、発生熱容量が多い熱放散に適した構造ではない。
また、複数のLEDチップ部品を貫通穴の裏面に取り付けた金属薄板上に搭載した場合に適した構造とはなっていない。
また、上記特許文献1により知られる構造では、内部に搭載するLEDチップ部品の他方の電極をワイヤボンディングなどによって配線基板の上部に形成した接続配線パターンに接続し、この接続配線パターンは表面の金属薄板と裏面の金属薄板とを接続するように延設して形成されている。
しかしながら、絶縁基板の側面のメッキ層は個別の配線基板の側面に平坦に形成され、複数のLEDチップ部品を上記非貫通穴内に搭載した場合には、外部に電気的な接続をするための電極を多数形成することは困難であり、生産効率も悪くなっている。
そこで、本発明は、上述した従来技術における問題点に鑑みて成されたものであり、特に、その内部に複数の発光素子を搭載するチップ部品型発光装置とするための配線基板であって、更には、大盤版の配線基板に配置されている小さな個々の配線基板の非貫通穴の内底部に発光素子を繰り返し搭載し、電気的な接続はワイヤボンディングなどによって配線基板の上部に形成した接続ランドに接続し、発生熱容量の熱放散に非貫通穴の底面の厚い金属導体を放熱板にする。また、この発光素子を搭載した非貫通穴の上部を封止樹脂でモールドしてから、切断線で分割して多対の端面電極を有するチップ部品型発光装置を大量生産することが可能な構造であり比較的安価に、生産効率の良い配線基板を提供することを目的とする。
上記の目的を達成するため、本発明によれば、発光素子を絶縁基板の非貫通穴の内底部に搭載してなる配線基板であって、前記配線基板の一部に発光素子を搭載するための非貫通穴が上方に開口して形成されると共に、この非貫通穴の底面径(L2)より上方端面径(L1)が大きくテーパー形状に広がって開口し、このテーパー形状穴の内周壁面には金属薄膜からなる反射膜が形成され、前記配線基板のテーパー形状穴の上端周辺部の表面上には当該の発光素子を電気的に接続するための接続ランドが形成され、かつ該テーパー形状穴の底面には発光素子を搭載する厚さ70μm〜300μmの厚い金属導体によって熱放散を目的とした放熱板が、該非貫通穴の底面と裏面に露呈して形成されている発光素子用の配線基板を提供するものである。
なお、本発明によれば、前記に記載した前記配線基板の一つの非貫通穴であるテーパー形状穴の底面に複数の発光素子を搭載する非貫通穴であり、このテーパー形状穴の内周壁面には反射効率の良い金属薄膜からなる反射膜が形成され、更に、前記非貫通穴の上端周辺部には、複数の発光素子を電気的に接続するための多対の接続ランドが形成され、該非貫通穴の底面には発生熱容量の熱放散に好適な厚い金属導体を放熱板にする配線基板が形成されていることが好ましい。つまり、非貫通穴の底面の厚い金属導体は電気的な接続は必要とせず、発生熱容量の熱放散を目的としたものであり、チップ部品型発光装置の筐体ケースと該配線板の裏面に露出している放熱板を直接接触してチップ部品型発光装置の筐体に効率良く熱放散ができる。
更に、本発明によれば、やはり上記の目的を達成するため、前記配線基板の非貫通テーパー形状穴の上端周辺部に形成された接続ランドと、前記の接続ランドの近傍に形成する上端面を金属導体で閉口し、非貫通穴内部が空洞で金属薄膜が露呈している第2の非貫通穴と、前記配線基板上で互いに電気的に接続され、発光素子を非貫通のテーパー形状穴内に搭載した後、当該第2の非貫通穴の略中心に沿って切断して端子電極を配線基板の側面(端面)に形成する配線基板が提供される。
上述したように、本発明によれば、複数の発光素子を搭載した非貫通穴の底面の厚い金属導体は電気的な接続はせず、発生熱容量の熱放散を目的とし、チップ部品型発光装置の筐体ケースと該配線板の裏面に露出している放熱板を直接接触してチップ部品型発光装置の筐体に効率良く熱放散をすることができる。
さらに非貫通穴の底面径(L2)より上方端面径(L1)が大きいテーパー形状に広がって開口し、非貫通穴の上方面に多くの光量を放散させる目的で、このテーパー形状穴の内周壁面には発光素子自体の発光光源に対し反射効率の良い金属薄膜からなる反射膜が形成された高い光出力をより変換効率よく得ることが可能な配線基板が提供されるという優れた効果を発揮する。
さらに、本発明によれば、大盤版の配線基板の一つの非貫通穴の底面に複数の発光素子を繰り返し搭載して、切断線で分割して多対の端面電極を有する底背型・小型・高密度のチップ部品型発光装置を大量生産することに適していることから比較的安価に製造することができる。
以下、本発明の実施の形態について、添付の図面を参照しながら、詳細に説明する。
まず、図1は、本発明の一実施の形態になる発光素子を搭載するための配線基板を示す断面図である。
このための配線基板は、図からも明らかなように、外形を略正方形の板状に形成されており、基本的には、この配線基板10に形成された非貫通穴11を非貫通穴11の底面径(L2)より上方端面径(L1)が大きいテーパー形状に広がって開口し、このテーパー形状穴の内周壁面には、例えば、金、銀、Al、Niなどの反射効率の良い金属薄膜からなる反射膜13が形成されたものである。
また、この発光素子を搭載するテーパー形状の非貫通穴11の底面全体から配線基板10の裏面まで導通する、つまり通常の銅箔(18〜35μm)より厚さの厚い銅箔とめっき導体により放熱板12を形成する。
つまり、導体厚さ70μm〜300μmの厚い金属導体は発光素子の搭載と共に発光素子から発生する熱の放散を目的とした放熱板12であり発光素子を電気的に非貫通穴11の底面に接続する必要はなく、配線基板10の裏面に露出している放熱板12をチップ部品型発光装置の筐体に接触させることが容易に可能となる。(LEDチップ部品のアノード電極、カソード電極としない)。
配線基板10の上端周辺部の表面上には前記発光素子を電気的に接続する接続ランドなどの配線パターン14を通常の銅箔と銅めっきで金属薄膜によって形成する。
上記厚さの厚い金属導体の放熱板12の表面には、後にも詳細に説明するが、例えば、金、銀、Al、Niなどの金属薄膜からなる反射膜13が、一体に形成されている。
この図1からも明らかなように、上記配線基板10の上面の配線基板のテーパー形状穴の上端周辺部の表面上に当該の発光素子を電気的に接続するための接続ランドを含む配線パターン14、14が形成される。
そして、この配線パターン14、14は、必ずしも金属薄膜からなる反射膜13や放熱板12とは電気的に接続しなくても良い。つまり、配線基板のテーパー形状穴の内周壁面のみに金、銀、Al、Niなどの金属薄膜からなる反射膜13を形成する。つまり、発光素子を電気的に接続するのは接続ランドのみであり、放熱板12とは電気的な接続はしないようにすることが良好である。
また、非貫通穴11の底面より上方端面に広がって開口するテーパー形状穴の傾斜角度は40°〜75°とし、テーパー形状穴の深さ、口径、発光素子の発光位置などにより適宜選択することが望ましい。
前記のテーパー形状穴の非貫通穴11の近傍に形成する上端面を金属導体で閉口し、非貫通穴11の内部が空洞で金属薄膜が露呈している第2の非貫通穴41と接続ランド等の配線パターン14とが前記配線基板10上で互いに電気的に接続され、発光素子を非貫通穴11内に搭載した後、当該第2の非貫通穴41の略中心にある一点鎖線(X、Y)に沿って切断して端子電極を配線基板の側面(端面)に形成する個々の配線基板10である。
続いて、添付の図2を参照しながら説明する。なお、この図2は、上記した配線基板10の製造方法を示しており、この図では、配線基板10の製造過程の各段階における断面構造を示す。
まず、例えば、エポキシ樹脂等の絶縁材からなる、厚さが約0.15mmの絶縁基材300を用意し、その両面に、厚さが約25μmの接着剤(シート)310、310を付着する(図2(a)を参照)。
その後、例えば、NC穴明機により、この基材の所定の箇所に貫通穴11A(例えば、φ5.0mm程度)を穴明けする(図2(b)を参照)。
更に、その絶縁基材300の接着剤310の下の面に、厚さの厚い銅箔330(100μm)を付着する、そして銅箔330を加熱して、本接着を行うことにより、下端面を厚さの厚い銅箔330で閉口した非貫通穴11を形成する(図2(c)を参照)。
なお、上記の銅箔330は、この非貫通穴の底面の厚い金属導体は電気的な接続はせず、発生熱容量の熱放散を目的とし、チップ部品型発光装置の筐体ケースと該配線板の裏面に露出している放熱板とするため、その厚さが70〜300μm程度の比較的厚い銅箔が好ましい。
それから、この基材の所定の箇所に、端子電極40を形成するため配線基板の非貫通穴11の近傍にNC(穴明機)により貫通穴4A(例えば、φ0.6mm程度)を形成してから、絶縁基材300の接着剤310の上の面に、接続ランドや配線パターンとなる通常の厚さ(18〜35μm)の銅箔320を加熱・圧着する。(図2(d)を参照)つまり、上端面を銅箔320で閉口した非貫通穴を形成する。
なお、上面に銅箔320が積層されている絶縁基材300を使用し、絶縁材が薄い場合は、この基材の所定の下面側からレーザー穴明けをして、上端面を銅箔320で閉口した非貫通穴41を形成してもよい。
例えば、絶縁基材300厚さが約0.15mm(150μm)、その両面の接着剤(シート)310厚さが約25μm×2(図2(a)を参照)と、下端面の放熱板銅箔330の厚さが250μmとすれば、下端面の金属導体を含む配線板全体の厚みの50%が下端面の放熱板となる。
次に、上記で用意した絶縁基材300の全体に、厚さ約20μmの銅めっき層340を施す(図2(e)を参照)。その後、上記の絶縁基材300の両面に露光・現像・エッチング等の処理により必要な金属導体の回路(配線パターン14,14)を形成し、上端面を銅箔や銅めっき層で閉口した非貫通穴41を形成する。(図2(f)を参照)、更に、その上に、厚さ約5μmのNiを下地として、厚さ約0.3μmの金めっきを施す(図示なし)。
上端面を銅箔や銅めっき層で閉口した非貫通穴41の略中心で切断して端子電極40を形成するものであるが、発光素子を非貫通穴11内に搭載した後、モールド樹脂で発光素子や配線基板の上面を樹脂封止し貫通導通穴の略中心で切断して端子電極40を備えたチップ部品型発光装置とする。この非貫通穴41は上方から封止樹脂が侵入しないように図に示すような上端面を銅箔や銅めっき層等の金属導体で閉口した第2の非貫通穴を形成することが望ましい。
また、この第2の非貫通穴は発光素子を搭載するための非貫通穴11と、発光素子を電気的に接続するための接続ランドなどの配線パターン14の近傍に形成することが望ましい。
添付の図3にも示すように、上記基板を構成する配線基板10の略中央部に形成した非貫通穴11の底面に設けられた放熱板12の上に、伝熱性の高いはんだペーストを介して、上記複数の発光ダイオード30、30…を所定の位置に固定する。つまり、発光ダイオード30、30の搭載をするペースト等の接着材料は必ずしも導電性材料でなく、熱伝導性の良い耐熱性がある融点の高いAl、Cu、Zn、Ni等含有の接着材料を選択すればよい。
その後、例えば、ワイヤボンディングにより配線が行われる。その際、発光ダイオードとの間で配線を施す配線パターン14、14が、上記配線基板10に上面が開口された非貫通穴11の周辺部に、多数配置されており、複数の発光ダイオード30、30…の各々の電極は、これら配線パターン(接続ランド)14、14…との間でワイヤボンディングによって配線が行われる。なお、この図3においても、配線されたワイヤが符号15により示されている。
このように、上記配線基板の構成によれば、上記配線基板10の略中央部に形成した非貫通穴11内に、複数の発光ダイオード30、30…を実装することが可能となり、高発光出力のチップ部品型発光装置として、例えば、携帯電話、表示パネル、液晶表示装置のバックライト、照明装置などの光源として利用することが出来る。
また、上記図3にも示すように、上記配線基板を構成する配線基板10に上面に開口した非貫通穴11の底面及びその内周面には、上述したように、その全面に亘って、ニッケル(Ni)層と金(Au)層とからなる貴金属めっき層が施され、更に、その表面には銀(Ag)層(厚さ約1μm)からなる反射膜13が形成されている。このことから、配線基板10の非貫通穴11の内部に設けられた複数の発光ダイオード30、30…から出射した光は、これら反射膜13によって反射され、無駄に漏出することなく、配線基板10に開口した非貫通穴11の上部から発光導出される。即ちテーパー形状の非貫通穴11とすれば、複数の発光素子による高い光出力を、変換効率良く得ることが可能となる。
また、上記図4にも示すように、多数のチップ部品型発光装置を同時に製作するため、その表面積の大きな基板を用い、多数の配線基板10が一体で繋がってる大盤版の配線基板1を作成する。そして、上記図4における一点鎖線XとYは、大盤版の配線基板1から多数の個々の配線基板10を分割する切断線である。
特に一点鎖線XとYは、発光素子を非貫通穴11内に搭載した後、当該第2の非貫通穴41の略中心に沿って分割切断して端子電極を個々の配線基板10の側面(端面)に形成するものである。(本図では4辺に端子電極を形成する場合を示す)
この非貫通穴11の近傍に形成する上端面を金属薄膜で閉口した第2の非貫通穴41の上端面の金属薄膜とワイヤボンディングをする接続ランドは配線パターンにより配線が行われる。そして、当該第2の非貫通穴41の略中心に沿って切断して端子電極40を配線基板の各端面に形成する配線基板10が提供される。
なお、本図では第2の非貫通穴41は1個の配線基板10に対して4個だけ表示したが、複数の発光素子を一つの非貫通穴11内に搭載する場合は複数の第2の非貫通穴41を多面に多対として配置して、多対の端子電極40を形成するものである。
なお、以上に種々述べた実施例においては、上記配線基板10に開口した非貫通穴11、又は第2の非貫通穴41は、円形であるとして説明したが、しかしながら、本発明はそれにのみ限定されるものではなく、これを、例えば、長円形や楕円形や方形に形成することも可能である。なお、その場合にも、上記と同様の効果が得られることは明らかであろう。また、上記の実施例においては、上記配線基板10の基材に貫通穴11Aを形成する際(上記図2(b)を参照)、例えば、テーパドリル等を利用することにより、その内周面を傾斜して形成することも可能である。
本発明の発光素子を搭載するための配線基板を示す断面図である。 上記配線基板の製造方法を示すための工程図であり、その製造過程の各段階における断面構造を示す。 上記により得られた基板に複数の発光素子を搭載してなるチップ部品型発光装置の構造を示す断面図である。 大盤版の配線基板から多数の配線基板を分割する平面図である。
符号の説明
10…配線基板、11…非貫通穴、12…放熱板、13…反射膜、14…配線パターン、30…発光ダイオード、40…端面電極、41…非貫通穴。

Claims (2)

  1. 発光素子を絶縁基板の非貫通穴の内底部に搭載してなる配線基板であって、前記配線基板の一部に発光素子を搭載するための非貫通穴が上方に開口して形成されると共に、この非貫通穴の底面径(L2)より上方端面径(L1)が大きくテーパー形状に広がって開口し、このテーパー形状穴の内周壁面には金属薄膜からなる反射膜が形成され、前記配線基板のテーパー形状穴の上端周辺部の表面上には当該の発光素子を電気的に接続するための接続ランドが形成され、かつ該テーパー形状穴の底面には発光素子を搭載する厚さ70μm〜300μmの金属導体の放熱板が、該非貫通穴の底面と裏面に露呈して形成されていることを特徴とする配線基板。
  2. 前記配線基板の非貫通テーパー形状穴の上端周辺部に形成された接続ランドと、前記の接続ランドの近傍に形成する上端面を金属導体で閉口し、非貫通穴の内部が空洞で金属薄膜が露呈している第2の非貫通穴と、前記配線基板上で互いに電気的に接続され、発光素子を非貫通のテーパー形状穴内に搭載した後、当該第2の非貫通穴の略中心に沿って切断して端子電極を配線基板の側面に形成することを特徴とする配線基板。
JP2005001393A 2005-01-06 2005-01-06 発光素子用の配線基板 Expired - Fee Related JP4735941B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005001393A JP4735941B2 (ja) 2005-01-06 2005-01-06 発光素子用の配線基板

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005001393A JP4735941B2 (ja) 2005-01-06 2005-01-06 発光素子用の配線基板

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006190814A true JP2006190814A (ja) 2006-07-20
JP4735941B2 JP4735941B2 (ja) 2011-07-27

Family

ID=36797742

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005001393A Expired - Fee Related JP4735941B2 (ja) 2005-01-06 2005-01-06 発光素子用の配線基板

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4735941B2 (ja)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008027898A (ja) * 2006-07-24 2008-02-07 Samsung Electro Mech Co Ltd 線光源用ledモジュール
JP2008192735A (ja) * 2007-02-02 2008-08-21 Hitachi Aic Inc 配線板
JP2009016466A (ja) * 2007-07-03 2009-01-22 Nec Corp 配線基板複合体、並びに、配線基板複合体、配線基板および半導体装置の製造方法
JP2009021426A (ja) * 2007-07-12 2009-01-29 Sharp Corp チップ部品型led及びその製造方法
JP2010272744A (ja) * 2009-05-22 2010-12-02 Kyushu Institute Of Technology Ledモジュール装置及びその製造方法
KR101003769B1 (ko) 2008-04-25 2010-12-24 주식회사 이츠웰 작은 대전력 광원 램프를 위한 효과적인 열방출 구조의리드 프레임, 전자 소자 및 그 제조 방법
WO2011077900A1 (ja) * 2009-12-22 2011-06-30 シャープ株式会社 発光ダイオード素子、光源装置、面光源照明装置、及び液晶表示装置
JP2011174131A (ja) * 2010-02-24 2011-09-08 Showa Denko Kk めっき浴、めっき方法、めっき膜、放熱板
JP2013520807A (ja) * 2010-06-04 2013-06-06 フォーシャン・ネーションスター・オプトエレクトロニクス・カンパニー・リミテッド 表面実装パワーled支持物の製造方法および製品
JP2013120840A (ja) * 2011-12-07 2013-06-17 Shin Etsu Chem Co Ltd 積層基板
CN106298749A (zh) * 2015-05-18 2017-01-04 深圳市龙岗区横岗光台电子厂 发光二极管、电子器件及其制作方法
CN114430624A (zh) * 2020-10-29 2022-05-03 鹏鼎控股(深圳)股份有限公司 电路板的制作方法以及电路板

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6390872A (ja) * 1986-10-03 1988-04-21 Matsushita Electric Works Ltd プリント配線板の製造方法
JPH11284233A (ja) * 1998-03-27 1999-10-15 Stanley Electric Co Ltd 平面実装型led素子
JP2000031545A (ja) * 1998-07-16 2000-01-28 Rohm Co Ltd 半導体発光素子及びその製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6390872A (ja) * 1986-10-03 1988-04-21 Matsushita Electric Works Ltd プリント配線板の製造方法
JPH11284233A (ja) * 1998-03-27 1999-10-15 Stanley Electric Co Ltd 平面実装型led素子
JP2000031545A (ja) * 1998-07-16 2000-01-28 Rohm Co Ltd 半導体発光素子及びその製造方法

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4674282B2 (ja) * 2006-07-24 2011-04-20 サムソン エルイーディー カンパニーリミテッド. 線光源用ledモジュール
JP2008027898A (ja) * 2006-07-24 2008-02-07 Samsung Electro Mech Co Ltd 線光源用ledモジュール
US8039856B2 (en) 2006-07-24 2011-10-18 Samsung Led Co., Ltd. Light emitting diode module for line light source
US8410509B2 (en) 2006-07-24 2013-04-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting diode module for line light source
JP2008192735A (ja) * 2007-02-02 2008-08-21 Hitachi Aic Inc 配線板
JP2009016466A (ja) * 2007-07-03 2009-01-22 Nec Corp 配線基板複合体、並びに、配線基板複合体、配線基板および半導体装置の製造方法
JP2009021426A (ja) * 2007-07-12 2009-01-29 Sharp Corp チップ部品型led及びその製造方法
KR101003769B1 (ko) 2008-04-25 2010-12-24 주식회사 이츠웰 작은 대전력 광원 램프를 위한 효과적인 열방출 구조의리드 프레임, 전자 소자 및 그 제조 방법
JP2010272744A (ja) * 2009-05-22 2010-12-02 Kyushu Institute Of Technology Ledモジュール装置及びその製造方法
US8902382B2 (en) 2009-12-22 2014-12-02 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting diode element, light source device, surface light source illumination device, and liquid crystal display device
WO2011077900A1 (ja) * 2009-12-22 2011-06-30 シャープ株式会社 発光ダイオード素子、光源装置、面光源照明装置、及び液晶表示装置
JP2011174131A (ja) * 2010-02-24 2011-09-08 Showa Denko Kk めっき浴、めっき方法、めっき膜、放熱板
JP2013520807A (ja) * 2010-06-04 2013-06-06 フォーシャン・ネーションスター・オプトエレクトロニクス・カンパニー・リミテッド 表面実装パワーled支持物の製造方法および製品
US9157610B2 (en) 2010-06-04 2015-10-13 Foshan Nationstar Optoelectronics Co., Ltd. Manufacture method for a surface mounted power LED support and its product
JP2013120840A (ja) * 2011-12-07 2013-06-17 Shin Etsu Chem Co Ltd 積層基板
CN106298749A (zh) * 2015-05-18 2017-01-04 深圳市龙岗区横岗光台电子厂 发光二极管、电子器件及其制作方法
CN106298749B (zh) * 2015-05-18 2020-11-13 深圳光台实业有限公司 发光二极管、电子器件及其制作方法
CN114430624A (zh) * 2020-10-29 2022-05-03 鹏鼎控股(深圳)股份有限公司 电路板的制作方法以及电路板
CN114430624B (zh) * 2020-10-29 2024-03-15 鹏鼎控股(深圳)股份有限公司 电路板的制作方法以及电路板

Also Published As

Publication number Publication date
JP4735941B2 (ja) 2011-07-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4735941B2 (ja) 発光素子用の配線基板
JP3956965B2 (ja) チップ部品型発光装置及びそのための配線基板
JP4062358B2 (ja) Led装置
US7335522B2 (en) Package structure for light emitting diode and method thereof
JP4865525B2 (ja) Sml型発光ダイオードランプ用素子およびその製造方法
JP2011205147A (ja) Ledパッケージの製造方法
JP5940799B2 (ja) 電子部品搭載用パッケージ及び電子部品パッケージ並びにそれらの製造方法
JP2009054801A (ja) 放熱部材及びそれを備えた発光モジュール
JP4593201B2 (ja) チップ部品型発光装置及びそのための配線基板
KR101080702B1 (ko) 도금된 천공을 구비한 발광 다이오드 패키지 및 그의 제작방법
JP4854738B2 (ja) 電子部品
JP2009260395A (ja) 配線基板及びその製造方法
JP2006100753A (ja) 半導体モジュールおよびその製造方法
JP2006073842A (ja) 配線基板
JP4533058B2 (ja) 照明装置用反射板
JP2009218625A (ja) Led装置
JP4453004B2 (ja) 発光素子搭載用の配線基板
JP2010272744A (ja) Ledモジュール装置及びその製造方法
JP2006108216A (ja) Led装置
JP2009260394A (ja) 発光素子搭載用の配線基板
TW201347616A (zh) 發光二極體封裝及所使用之pcb式散熱基板與其製法
JP2007158086A (ja) Led素子の実装金属基板の形状及びled素子実装基板。
KR20090113115A (ko) 대전력 광원 램프를 위한 효과적인 열방출 구조의 리드프레임, 전자 소자 및 그 제조 방법
JP2006186000A (ja) 高出力半導体装置及びその製造方法
JP2017063094A (ja) 電子部品搭載用モジュール、及び、電子部品搭載用モジュールの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20071226

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20090930

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100427

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100513

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100708

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20101111

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110210

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20110223

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110331

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110413

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 4735941

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140513

Year of fee payment: 3

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140513

Year of fee payment: 3

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees